JPS58176194A - 単結晶成長用容器 - Google Patents
単結晶成長用容器Info
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- JPS58176194A JPS58176194A JP5978282A JP5978282A JPS58176194A JP S58176194 A JPS58176194 A JP S58176194A JP 5978282 A JP5978282 A JP 5978282A JP 5978282 A JP5978282 A JP 5978282A JP S58176194 A JPS58176194 A JP S58176194A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- crystal
- container
- diameter
- sidewall
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は種子結晶を用いずして、成長方位を制御し、か
つ小傾角粒界の少々い高品質な単結晶の取得を可能にす
る単結晶成長用容器（るつぼ又はアンプル）に関するも
のである。
つ小傾角粒界の少々い高品質な単結晶の取得を可能にす
る単結晶成長用容器（るつぼ又はアンプル）に関するも
のである。
従来、るつぼ又はアンプル中に単結晶を成長させるため
に、 （ａ）るつぼ底又はアンプル端に種子結晶を設置する方
法〔例えば、Ｋ、 Ｇ１１ｌｅｓｓｅｎ ； Ｊ、 Ｃ
ｒｙｓｔ、 Ｇｒｏｗｔｌ］５２．２１６（１９７６）
）と、 （ｂ）るつぼ底又はアンプル端を嘴状に尖からせ、そこ
での優先成長粒を用いろ方法〔例えば、Ｒ，ＡＬａｕｄ
ｉｓｃ ； ＴＩＮＴ （ｉ ＩＬ（ＩＷ’ｌ
”ｌｊ （） ｌ’ Ｓ Ｔ Ｎ（”ＩＬＥ
ＣＲＹＳＴＡＬＳ 、 Ｐｒｅｎｔｉｃｅ −１１ａ
ｌｌ 、 Ｉｎｃ、 、 ｐ、 １６３（１９７０
））が利用されてきた。
に、 （ａ）るつぼ底又はアンプル端に種子結晶を設置する方
法〔例えば、Ｋ、 Ｇ１１ｌｅｓｓｅｎ ； Ｊ、 Ｃ
ｒｙｓｔ、 Ｇｒｏｗｔｌ］５２．２１６（１９７６）
）と、 （ｂ）るつぼ底又はアンプル端を嘴状に尖からせ、そこ
での優先成長粒を用いろ方法〔例えば、Ｒ，ＡＬａｕｄ
ｉｓｃ ； ＴＩＮＴ （ｉ ＩＬ（ＩＷ’ｌ
”ｌｊ （） ｌ’ Ｓ Ｔ Ｎ（”ＩＬＥ
ＣＲＹＳＴＡＬＳ 、 Ｐｒｅｎｔｉｃｅ −１１ａ
ｌｌ 、 Ｉｎｃ、 、 ｐ、 １６３（１９７０
））が利用されてきた。
第１図に従来の種子結晶を用いる結晶育成方法の一例を
示す。図において、１はアンプル、２はるつぼ（石英）
、６は種子結晶ホルダ（カーボン）、４は種子結晶、５
は未飽和溶液（溶融金属。
示す。図において、１はアンプル、２はるつぼ（石英）
、６は種子結晶ホルダ（カーボン）、４は種子結晶、５
は未飽和溶液（溶融金属。
例えばＧａ）、６は昇華材料（例えばＰ）、７は反応生
成膜、８は成長結晶である。なお、図の左側の曲線はア
ンプルを設置した電気炉内の温度分布を示している。
成膜、８は成長結晶である。なお、図の左側の曲線はア
ンプルを設置した電気炉内の温度分布を示している。
この結晶育成方法において、種子結晶４は通常温度勾配
の太きいところに設置されるため（これは結晶成長速度
を大きくとるために必要である。
の太きいところに設置されるため（これは結晶成長速度
を大きくとるために必要である。
）、種子結晶４を上部の未飽和溶液５に溶解させること
なく、かつ単結晶成長に最適な温度でもって接触させろ
ことは極めて難しいという欠点があった。
なく、かつ単結晶成長に最適な温度でもって接触させろ
ことは極めて難しいという欠点があった。
第２図にるつぼ底に嘴状の尖端部をつけ、そこでの優先
成長粒を種子結晶として用いる方法例を示す。図におい
て、前出のものと同一符号のものは、同−捷たは均等部
分を示すものとする。９はるつぼ底に設けたＯ雪状の尖
端部、１０は優先成長核、１１は多結晶粒界である。
成長粒を種子結晶として用いる方法例を示す。図におい
て、前出のものと同一符号のものは、同−捷たは均等部
分を示すものとする。９はるつぼ底に設けたＯ雪状の尖
端部、１０は優先成長核、１１は多結晶粒界である。
この方法では、前述のようにあらかじめ設置した種子結
晶を用いろ方法の欠点を除くために、第２図（ａ）に示
しだように、自然に発生かつ淘汰されて残った優先成長
核１０を用いんとするものであるが、成長してくる単結
晶８の方位が優先成長核１０で決定され、かつ単結晶成
長４持続に必要な優先成長核の臨界大きさが尖端部９の
形状に大きく依存するため、方位制御した単結晶を再現
性よく取得することは不可能であった。特に、この方法
では第２図（ｂ）に示すように、尖端部９に連なるるつ
ぼ底部の湾曲部分にそって結晶径を大きくする過程で、
るつぼ壁が新たな核発生場所になり多結晶化が進行する
こと、およびこの過程で特に温度勾配に起因する熱応力
を結晶が受けるため、小傾角粒界が発生することなどが
欠点であった。
晶を用いろ方法の欠点を除くために、第２図（ａ）に示
しだように、自然に発生かつ淘汰されて残った優先成長
核１０を用いんとするものであるが、成長してくる単結
晶８の方位が優先成長核１０で決定され、かつ単結晶成
長４持続に必要な優先成長核の臨界大きさが尖端部９の
形状に大きく依存するため、方位制御した単結晶を再現
性よく取得することは不可能であった。特に、この方法
では第２図（ｂ）に示すように、尖端部９に連なるるつ
ぼ底部の湾曲部分にそって結晶径を大きくする過程で、
るつぼ壁が新たな核発生場所になり多結晶化が進行する
こと、およびこの過程で特に温度勾配に起因する熱応力
を結晶が受けるため、小傾角粒界が発生することなどが
欠点であった。
本発明はこれらの問題点を除去するだめになされたもの
で、一端に回折格子状の規則正しい微細な凹凸を有し、
かつ等径の側壁を有する単結晶成長用容器（るつぼ又は
アンプル）を用いることによって、種子結晶を使わずに
成長方位を制御した大形・高品質単結晶を育成すること
を可能にした点に特徴がある。
で、一端に回折格子状の規則正しい微細な凹凸を有し、
かつ等径の側壁を有する単結晶成長用容器（るつぼ又は
アンプル）を用いることによって、種子結晶を使わずに
成長方位を制御した大形・高品質単結晶を育成すること
を可能にした点に特徴がある。
近年、アモーファス（非晶質）の絶縁物表面に周期的か
微細な溝（回折格子状凹凸）を設けて結晶成長の核にし
、デポジットしたＳｉ結晶膜の結晶軸を制御して単結晶
薄膜を成長させる技術が開発され、グラフオエピタキシ
（Ｇｒａｐｈｏｅｐｉｔａｘｙ ）として知らレテイる
（例えば、Ｈ１■、Ｓｍ１ｔｈ ａｎｄＤ、Ｃ，Ｆｌａ
ｎｄｅｒｓ 、 ” ０ｒｉｅｎｔｅｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ Ｑｒｏｗｔｈ ｏｎＡｍｏｒｐｈｏｕｓ ５ｕｂ
ｓｔｒａｔｅｓ Ｕｓｉｎｇ Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ
５ｕｒｆａｃｅ −Ｒｅｌｉｅｆ Ｇｒａｔｉｎｇｓ
” 、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 、 ｖ
ｏｌ、 ５’ｌｎｏ、 ６ 、 ｐｐ、 ３４９〜３
５０．１９７８）。
微細な溝（回折格子状凹凸）を設けて結晶成長の核にし
、デポジットしたＳｉ結晶膜の結晶軸を制御して単結晶
薄膜を成長させる技術が開発され、グラフオエピタキシ
（Ｇｒａｐｈｏｅｐｉｔａｘｙ ）として知らレテイる
（例えば、Ｈ１■、Ｓｍ１ｔｈ ａｎｄＤ、Ｃ，Ｆｌａ
ｎｄｅｒｓ 、 ” ０ｒｉｅｎｔｅｄ Ｃｒｙｓｔ
ａｌ Ｑｒｏｗｔｈ ｏｎＡｍｏｒｐｈｏｕｓ ５ｕｂ
ｓｔｒａｔｅｓ Ｕｓｉｎｇ Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ
５ｕｒｆａｃｅ −Ｒｅｌｉｅｆ Ｇｒａｔｉｎｇｓ
” 、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 、 ｖ
ｏｌ、 ５’ｌｎｏ、 ６ 、 ｐｐ、 ３４９〜３
５０．１９７８）。
本発明は、上記グラフオエピタキシによる単結晶薄膜形
成技術をさらに発展させ、大形単結晶（バルク）の成長
を可能ならしめるものである。
成技術をさらに発展させ、大形単結晶（バルク）の成長
を可能ならしめるものである。
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
第３図は本発明の単結晶成長用容器の一実施例の構造を
説明するだめの図で、（ａ）は容器の断面図、（１））
は容器を上から見た図、（Ｃ）は容器端部（端面）の拡
大断面図である。
説明するだめの図で、（ａ）は容器の断面図、（１））
は容器を上から見た図、（Ｃ）は容器端部（端面）の拡
大断面図である。
容器は、直径１０〜１００ｍｍ、長さ数１０〜数１００
ｍｍの等径の円筒部（側壁）１２と回折格子状の規則
正しい微細凹凸を有する端部（端面）１３とによって構
成されている。端部１６の微細凹凸は拡大断面図に示す
ように、鋸歯状断面を有し、その々す角度は９０°に設
定されている。微細凹凸のピンチおよび深さはそれぞれ
１μｍから数ｍｍ程度の範囲であればよい。また、円筒
部（側壁）１２は種々実験の結果から、大きな径の単結
晶を得るためには等径であることが必須の要件であるこ
とが分った。すなわち、径が変化すると、・第２図（ｂ
）で説明したと同様に多結晶化が進行し単結晶を維持し
て成長させることが困難であり、単結晶が成長しても小
傾角粒界が発生する。
ｍｍの等径の円筒部（側壁）１２と回折格子状の規則
正しい微細凹凸を有する端部（端面）１３とによって構
成されている。端部１６の微細凹凸は拡大断面図に示す
ように、鋸歯状断面を有し、その々す角度は９０°に設
定されている。微細凹凸のピンチおよび深さはそれぞれ
１μｍから数ｍｍ程度の範囲であればよい。また、円筒
部（側壁）１２は種々実験の結果から、大きな径の単結
晶を得るためには等径であることが必須の要件であるこ
とが分った。すなわち、径が変化すると、・第２図（ｂ
）で説明したと同様に多結晶化が進行し単結晶を維持し
て成長させることが困難であり、単結晶が成長しても小
傾角粒界が発生する。
次に、ＰｂＴｅ単結晶育成を例にとって、本発明の単結
晶成長用容器を使用した単結晶育成の手順について説明
する。
晶成長用容器を使用した単結晶育成の手順について説明
する。
第４図は上記単結晶育成方法を説明するだめの図であり
、同図（ａ）は本発明の単結晶成長用容器（アンプル）
を電気炉中に設置した図、（ｂ）は電気炉の温度分布を
示す図である。
、同図（ａ）は本発明の単結晶成長用容器（アンプル）
を電気炉中に設置した図、（ｂ）は電気炉の温度分布を
示す図である。
捷ず、合成されたＰｂＴｅ １４をアンプル（例えば直
径ろＱ ｍｍ 、長さ１２０ｍｍ）内に入れ、５×１０
〜７Ｔｏｒｒ程度の真空度で真空封じする。
径ろＱ ｍｍ 、長さ１２０ｍｍ）内に入れ、５×１０
〜７Ｔｏｒｒ程度の真空度で真空封じする。
次に、アンプルを２温度ゾーンの電気炉１５の中に設置
し、電気炉１５を加熱して第４図（ｂ）に示すように、
高温部温度を約１０００℃、低温部温度を約６００℃と
し、その間で約６０℃／ ｃ ｍの温度勾配を持たせた
温度分布となるよう調整し、アンプルは固定したまま電
気炉１５を１ｍｍ／ｈ程度の一定速度で左方向へ移動さ
せてゆくと、アンプル先端（端部１３）から徐々に冷却
されてゆくことになり、アンプル内のＰｂＴｅ １４の
融液が固化し始め、結晶が成長し始める。この時、（第
５図（ａ）のアンプル断面斜視図に示すようｋ、微細凹
凸の各所で結晶核１６〜１８が形成されるが、それらの
結晶核１６〜１８は微細凹凸の面に泊って（１００１面
が規定されるため、アンプルの軸方向には＜１１０＞軸
の揃った結晶核となる。さらに電気炉１５の移動を続け
ると、結晶核１６〜１８が成長して大きくなり次々に合
体し、第５図（ｂ）に断面斜視図で示すようにアンプル
径全体にわたって成長軸が＜１１０＞方向に揃った単結
晶１９が成長してゆく。電気炉１５の移動をさらに続け
ろと、残りの融液が次第に固化され大きな単結晶１９へ
と成長する。
し、電気炉１５を加熱して第４図（ｂ）に示すように、
高温部温度を約１０００℃、低温部温度を約６００℃と
し、その間で約６０℃／ ｃ ｍの温度勾配を持たせた
温度分布となるよう調整し、アンプルは固定したまま電
気炉１５を１ｍｍ／ｈ程度の一定速度で左方向へ移動さ
せてゆくと、アンプル先端（端部１３）から徐々に冷却
されてゆくことになり、アンプル内のＰｂＴｅ １４の
融液が固化し始め、結晶が成長し始める。この時、（第
５図（ａ）のアンプル断面斜視図に示すようｋ、微細凹
凸の各所で結晶核１６〜１８が形成されるが、それらの
結晶核１６〜１８は微細凹凸の面に泊って（１００１面
が規定されるため、アンプルの軸方向には＜１１０＞軸
の揃った結晶核となる。さらに電気炉１５の移動を続け
ると、結晶核１６〜１８が成長して大きくなり次々に合
体し、第５図（ｂ）に断面斜視図で示すようにアンプル
径全体にわたって成長軸が＜１１０＞方向に揃った単結
晶１９が成長してゆく。電気炉１５の移動をさらに続け
ろと、残りの融液が次第に固化され大きな単結晶１９へ
と成長する。
次に、本発明の単結晶成長用容器を溶液成長法へ応用し
た場合について、ＩｎＰ単結晶育成を例にとって説明す
る。
た場合について、ＩｎＰ単結晶育成を例にとって説明す
る。
第６図は上記溶液成長法による単結晶育成方法を説明す
るだめの図で、同図（ａ）は本発明の単結晶成長用容器
（るつぼ）をアンプル内に配置し、電気炉中に設置した
図、（ｂ）は電気炉の温度分布を示す図である。
るだめの図で、同図（ａ）は本発明の単結晶成長用容器
（るつぼ）をアンプル内に配置し、電気炉中に設置した
図、（ｂ）は電気炉の温度分布を示す図である。
Ｉｎ ２０を回折格子状の微細な凹凸を端面（底部）１
３に有する本発明のるつぼの内部に装填した後、予め赤
燐（Ｐ）２１を装填した石英製アンプル１の上部に、突
起２２を利用して配置し、アンプル１の真空度が５ Ｘ
ｊＯ−７Ｔｏｒｒ程度に々るように真空封じした後、
縦型２温度ゾーンの電気炉２３の中にアンプル１を設置
する。この状態で電気炉２３を加熱し、炉内温度が第６
図（ｂ）に示すような温度分布（るつぼの底部を結晶成
長温度９５０℃とし、その前後の温度勾配を約５０℃／
ｃｍとした。）となるよう調節すると、Ｐは蒸気圧が高
く気化され易いので、蒸気となってアンプル１の上部に
配電されたるつぼ内のＩｎ ２Ｑの融液中へ溶は込む。
３に有する本発明のるつぼの内部に装填した後、予め赤
燐（Ｐ）２１を装填した石英製アンプル１の上部に、突
起２２を利用して配置し、アンプル１の真空度が５ Ｘ
ｊＯ−７Ｔｏｒｒ程度に々るように真空封じした後、
縦型２温度ゾーンの電気炉２３の中にアンプル１を設置
する。この状態で電気炉２３を加熱し、炉内温度が第６
図（ｂ）に示すような温度分布（るつぼの底部を結晶成
長温度９５０℃とし、その前後の温度勾配を約５０℃／
ｃｍとした。）となるよう調節すると、Ｐは蒸気圧が高
く気化され易いので、蒸気となってアンプル１の上部に
配電されたるつぼ内のＩｎ ２Ｑの融液中へ溶は込む。
このようにしてＰが連続してＩｎ２Ｏの融液内へ溶けこ
んでゆくと、Ｔｎ２［］の融液内のｒｎＰ濃度が次第に
増加してくるが、この時るつぼの微細凹凸を有する底部
は、上部より低い温度に保たれているので、底部ではＩ
ｎＰが過飽和になり、結晶核が成長し始めろ。アンプル
１を回転（例えば４ ｒｐｍ ）させ々がら１［］ｍｍ
７日程度の一定速度で下降させてゆくと結晶が成長する
この場合も前の実施例で述べた様に、成長面が規則正し
い凹凸によって規定されるため、成長方位が全て揃って
いる。
んでゆくと、Ｔｎ２［］の融液内のｒｎＰ濃度が次第に
増加してくるが、この時るつぼの微細凹凸を有する底部
は、上部より低い温度に保たれているので、底部ではＩ
ｎＰが過飽和になり、結晶核が成長し始めろ。アンプル
１を回転（例えば４ ｒｐｍ ）させ々がら１［］ｍｍ
７日程度の一定速度で下降させてゆくと結晶が成長する
この場合も前の実施例で述べた様に、成長面が規則正し
い凹凸によって規定されるため、成長方位が全て揃って
いる。
第７図は上記実施例において使用したるつぼの底部に設
けた回折格子状微細凹凸の拡大斜視図で、図に示すよう
に微細凹凸は１０９．５度と７０．５度の角度を有する
平行四辺形の一辺が谷となった形状をしており、結晶の
成長方位は＜１１１＞である。
けた回折格子状微細凹凸の拡大斜視図で、図に示すよう
に微細凹凸は１０９．５度と７０．５度の角度を有する
平行四辺形の一辺が谷となった形状をしており、結晶の
成長方位は＜１１１＞である。
第８図（ａ）、 （＋））は本発明の単結晶成長用容
器の端面に使用する微細凹凸のその他の変形例を示した
拡大斜視図である。に１）の微細凹凸を用いると、結晶
の成長方位は＜１００＞となり、（ｂ）の微細凹凸を用
いた場合の結晶成長方位は〈１１０〉となる。
器の端面に使用する微細凹凸のその他の変形例を示した
拡大斜視図である。に１）の微細凹凸を用いると、結晶
の成長方位は＜１００＞となり、（ｂ）の微細凹凸を用
いた場合の結晶成長方位は〈１１０〉となる。
以上説明したように、本発明の単結晶成長用容器を用い
た結晶成長方法によれば、種子結晶を用いずして方位を
規定した単結晶の育成ができるので、種子づけの困難で
繁雑な作業を必要とせず、非常に能率よく単結晶の育成
ができ、生産性および単結晶化の歩留りが格段に向上す
るという利点を有する。
た結晶成長方法によれば、種子結晶を用いずして方位を
規定した単結晶の育成ができるので、種子づけの困難で
繁雑な作業を必要とせず、非常に能率よく単結晶の育成
ができ、生産性および単結晶化の歩留りが格段に向上す
るという利点を有する。
また、本発明の容器を用いると、細い種子結晶を徐々に
太らせて大きな径の単結晶とする必要は全くなく、初め
から所望の径の大口径単結晶が成長してくるため、種子
結晶を太らせる段階で結晶が受ける熱歪をなくすことが
でき、小傾角粒界を含まず低転移密度の高品質単結晶が
育成できろという利点を有する。
太らせて大きな径の単結晶とする必要は全くなく、初め
から所望の径の大口径単結晶が成長してくるため、種子
結晶を太らせる段階で結晶が受ける熱歪をなくすことが
でき、小傾角粒界を含まず低転移密度の高品質単結晶が
育成できろという利点を有する。
さらに、本発明の容器は融液、溶液、気相からの成長法
に使用でき、適用範囲が広く種々の単結晶育成が行なえ
るという利点を有する。
に使用でき、適用範囲が広く種々の単結晶育成が行なえ
るという利点を有する。
従って、本発明の容器を、特に化合物半導体単結晶の育
成に適用すれば極めて有効である。
成に適用すれば極めて有効である。
第１図は従来の種子結晶を用いる結晶育成方法の説明図
、第２図（ａ）、 （ｂ）は従来の＜状の尖端部をつ
けた結晶育成用るつぼの断面図、第６図は本発明の単結
晶成長用容器の構造説明図で（ａ）は容器の断面図、（
ｂ）は容器を上から見た図、（Ｃ）は容器端部の拡大断
面図、第４図（ａ）は本発明の単結晶成長用容器（アン
プル）を電気炉中に設置した状態の説明図、同図（ｂ）
は電気炉の温度分布を示す図、第５図（＝１）、 （
ｂ）は結晶成長過程における本発明の容器の断面斜視図
、第６図（ａ）は本発明の単結晶成長用容器（るつぼ）
をアンプル内に配置して電気炉中に設置した状態の説明
図、同図（ｂ）は電気炉の温度分布を示す図、第７図お
よび第８図（ａ）、 （＋））はいずれも本発明の容
器の端部（端面）に使用する回折格子状微細凹凸の拡大
斜視図である。 １°゛アンプル １２・・・等径の円筒部（側壁） １３・・・回折格子状の規則正しい微細凹凸を有する端
部（端面） １４・−ＰｂＴｅ １５．２３−電気炉１６
〜１８・・・結晶核 １９・・・単結晶２０−＝ Ｉ
ｎ ２１−Ｐ特許出願人 日本電信電話
公社 代理人弁理士 中村純之助 １Ｐ１図 第２図 （ａ） （ｂ） 矛３図 （Ｑ） （ｂ） 第４図 （ｂ） 第５図 （ａ） （ｂ） 矛 （Ｑ） ン１ １７図 １Ｆ８図
、第２図（ａ）、 （ｂ）は従来の＜状の尖端部をつ
けた結晶育成用るつぼの断面図、第６図は本発明の単結
晶成長用容器の構造説明図で（ａ）は容器の断面図、（
ｂ）は容器を上から見た図、（Ｃ）は容器端部の拡大断
面図、第４図（ａ）は本発明の単結晶成長用容器（アン
プル）を電気炉中に設置した状態の説明図、同図（ｂ）
は電気炉の温度分布を示す図、第５図（＝１）、 （
ｂ）は結晶成長過程における本発明の容器の断面斜視図
、第６図（ａ）は本発明の単結晶成長用容器（るつぼ）
をアンプル内に配置して電気炉中に設置した状態の説明
図、同図（ｂ）は電気炉の温度分布を示す図、第７図お
よび第８図（ａ）、 （＋））はいずれも本発明の容
器の端部（端面）に使用する回折格子状微細凹凸の拡大
斜視図である。 １°゛アンプル １２・・・等径の円筒部（側壁） １３・・・回折格子状の規則正しい微細凹凸を有する端
部（端面） １４・−ＰｂＴｅ １５．２３−電気炉１６
〜１８・・・結晶核 １９・・・単結晶２０−＝ Ｉ
ｎ ２１−Ｐ特許出願人 日本電信電話
公社 代理人弁理士 中村純之助 １Ｐ１図 第２図 （ａ） （ｂ） 矛３図 （Ｑ） （ｂ） 第４図 （ｂ） 第５図 （ａ） （ｂ） 矛 （Ｑ） ン１ １７図 １Ｆ８図
Claims (1)
- 回折格子状の規則正しい微細な凹凸を設けた端面を有し
かつ等径の側壁を有することを特徴とする単結晶成長用
容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5978282A JPS58176194A (ja) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | 単結晶成長用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5978282A JPS58176194A (ja) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | 単結晶成長用容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58176194A true JPS58176194A (ja) | 1983-10-15 |
Family
ID=13123202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5978282A Pending JPS58176194A (ja) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | 単結晶成長用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58176194A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60215597A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶製造用ルツボ |
| EP1074641A1 (en) * | 1999-08-02 | 2001-02-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Crystal growth vessel and crystal growth method |
| JP2015224176A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 | 固溶体単結晶の製造方法 |
-
1982
- 1982-04-12 JP JP5978282A patent/JPS58176194A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JPS60215597A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶製造用ルツボ |
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