JPS58176117A - ゾノトライト系珪酸カルシウムの製造方法 - Google Patents
ゾノトライト系珪酸カルシウムの製造方法Info
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Landscapes
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は珪酸カルシウムの製造方法に関するものである
。
。
珪酸カルシウム成形体は軽量で強度が高く、しかも、断
熱性及び耐熱性に優れているため、主に、建材、耐火断
熱材及び保温材に、使用されている。
熱性及び耐熱性に優れているため、主に、建材、耐火断
熱材及び保温材に、使用されている。
又、メカニカルシール材、合成樹脂充填材又は、例えば
、NOX分解、シランカップリングなどの触媒担体にも
広く利用されている。
、NOX分解、シランカップリングなどの触媒担体にも
広く利用されている。
珪酸カルシウムは通常、石灰原料と珪酸原料との水性ス
ラリーを水熱合成反応させることにより製造されるが、
傳られる珪酸カルシウムの結晶型としては、ゾノトライ
ト結晶(Ca 6 (Si b 017)・(OH)2
)及びトバモライト結晶(Cas−2− (Si 601882 )・8H20)が知られている
。
ラリーを水熱合成反応させることにより製造されるが、
傳られる珪酸カルシウムの結晶型としては、ゾノトライ
ト結晶(Ca 6 (Si b 017)・(OH)2
)及びトバモライト結晶(Cas−2− (Si 601882 )・8H20)が知られている
。
これらの結晶はいずれも、高温焼成すれば、ウオラスト
ナイト結晶となるが、この結晶型で成形、脱水する際に
は、ジノトライ1〜結晶の場合には、トボタキシャルな
脱水ができるため収縮がほとんどないが、トバモライト
結晶の場合には、トボタキシャルな脱水ができないため
、X業的にはゾノトライト結晶の方が好ましい。
ナイト結晶となるが、この結晶型で成形、脱水する際に
は、ジノトライ1〜結晶の場合には、トボタキシャルな
脱水ができるため収縮がほとんどないが、トバモライト
結晶の場合には、トボタキシャルな脱水ができないため
、X業的にはゾノトライト結晶の方が好ましい。
ゾノトライト結晶を得るための方法としては、従来、例
えば、反応性の高い非晶質シリカを珪酸材料として用い
、しかも、280℃以上の高温で水熱合成反応すること
により製造する方法が知られている。この際の反応温度
が280℃未満の場合、例えば、200〜280℃の温
度では、ゾノトライト結晶も焼成するが、トバモライト
結晶も同時に生成するため、ゾノトライト結晶を単相で
得ることはできず、又、例□えば150〜200℃の温
度ではトバモライト結晶のみが生成していた。
えば、反応性の高い非晶質シリカを珪酸材料として用い
、しかも、280℃以上の高温で水熱合成反応すること
により製造する方法が知られている。この際の反応温度
が280℃未満の場合、例えば、200〜280℃の温
度では、ゾノトライト結晶も焼成するが、トバモライト
結晶も同時に生成するため、ゾノトライト結晶を単相で
得ることはできず、又、例□えば150〜200℃の温
度ではトバモライト結晶のみが生成していた。
そのため、この方法では280℃以上と言う経済的に有
利でない高温を選択する必要があった。又、−3− 珪酸原料についても、反応性の高い非晶質シリカのみが
有効であり、結晶性シリカを用いることは難しかった。
利でない高温を選択する必要があった。又、−3− 珪酸原料についても、反応性の高い非晶質シリカのみが
有効であり、結晶性シリカを用いることは難しかった。
本発明者は上記実情に鑑み、結晶性シリカを用いても、
従来よりも低温で水熱合成反応を行っても、ゾノトライ
ト結晶が単相で良好に得られる方法を提供するため種々
検討を行った結果、ある特定の触媒を用いて水熱合成反
応を行うことにより、結晶性シリカを珪酸原料として用
いた場合でも、ゾノトライト結晶とトバモライト結晶と
が同時に生成するI!痩領領域従来の200〜280℃
の温度範囲から220〜230℃と古う狭い温度範囲に
変化し、そのため、230℃以上の温度でもゾノトライ
ト結晶が単相として得られることを見い出し本発明を完
成した。
従来よりも低温で水熱合成反応を行っても、ゾノトライ
ト結晶が単相で良好に得られる方法を提供するため種々
検討を行った結果、ある特定の触媒を用いて水熱合成反
応を行うことにより、結晶性シリカを珪酸原料として用
いた場合でも、ゾノトライト結晶とトバモライト結晶と
が同時に生成するI!痩領領域従来の200〜280℃
の温度範囲から220〜230℃と古う狭い温度範囲に
変化し、そのため、230℃以上の温度でもゾノトライ
ト結晶が単相として得られることを見い出し本発明を完
成した。
即ち、本発明の要旨は、石灰原料と珪酸原料よりなる水
性スラリーを水熱合成反応させて珪酸カルシウムを製造
する方法において、触媒として、Fe 、Ti 、V、
C01CP、Mn及びNiから選ばれた少なくとも1種
の金属又はその化合物を−4− 添加し、230〜400℃の温度で反応させることを特
徴とする珪酸カルシウムの製造方法に存する。
性スラリーを水熱合成反応させて珪酸カルシウムを製造
する方法において、触媒として、Fe 、Ti 、V、
C01CP、Mn及びNiから選ばれた少なくとも1種
の金属又はその化合物を−4− 添加し、230〜400℃の温度で反応させることを特
徴とする珪酸カルシウムの製造方法に存する。
以下、本発明の詳細な説明覆る。
本発明で対象となる珪酸原料は反応性の高い非晶質シリ
カの他に、結晶性シリカを用いることができる。本発明
では結晶性シリカを用いても後述づる触媒の存在下で水
熱合成反応を(うえば、ゾノトライト結晶を良好に得る
ことができるので好ましい。珪酸原料の具体例どしては
、例えば、クリストバライト、トリシマライト、石英な
どの天然鉱物、珪It鉄、金属珪素、珪酸カルシウムを
製造する際に副生ずるシリコンダストあるいはホワイト
カーボンなどが挙げられる。この結晶性シリカの平均粒
径は通常、1−20μ−程度が好ましい。
カの他に、結晶性シリカを用いることができる。本発明
では結晶性シリカを用いても後述づる触媒の存在下で水
熱合成反応を(うえば、ゾノトライト結晶を良好に得る
ことができるので好ましい。珪酸原料の具体例どしては
、例えば、クリストバライト、トリシマライト、石英な
どの天然鉱物、珪It鉄、金属珪素、珪酸カルシウムを
製造する際に副生ずるシリコンダストあるいはホワイト
カーボンなどが挙げられる。この結晶性シリカの平均粒
径は通常、1−20μ−程度が好ましい。
一方、石灰原料としては挿々の石灰が使用され特に限定
されるものではなく、通常、生石灰、消石灰又はカーバ
イド滓等が挙げられる。
されるものではなく、通常、生石灰、消石灰又はカーバ
イド滓等が挙げられる。
石灰原料と珪酸原料との使用割り合いは通常、Ca/S
iモル比が0.8〜1.4、好ましくは−5〜 0.95〜1.1となるように調節するのが、ゾノトラ
イト結晶を効果的に得るためには好ましい。
iモル比が0.8〜1.4、好ましくは−5〜 0.95〜1.1となるように調節するのが、ゾノトラ
イト結晶を効果的に得るためには好ましい。
上述のような石灰原料と珪酸原料より水性スラリーを形
成させるが、その際の水の使用割合としては、通常、固
形成分に対し20〜801量倍程度である。この水性ス
ラリーの調製に当っては、必要に応じて、例えば、石綿
、岩綿、セラミックファイバー、ガラス繊維などの無機
繊維等を添加しても差し支えない。
成させるが、その際の水の使用割合としては、通常、固
形成分に対し20〜801量倍程度である。この水性ス
ラリーの調製に当っては、必要に応じて、例えば、石綿
、岩綿、セラミックファイバー、ガラス繊維などの無機
繊維等を添加しても差し支えない。
上記水性スラリーを水熱合成反応させて珪酸カルシウム
を製造するが、本発明では触媒として、Fe 、Ti
、V、Co 、Cr 1M−n及びNiから選ばれた少
なくとも1種の金属又はその化合物を反応系に添加する
ことを必須の要件とするものである。これら触媒の具体
例としては、前記元素の金属あるいは合金:又は例えば
、硫酸塩、硝酸塩、塩酸塩、炭酸塩などの無機酸塩:蓚
酸塩、プロピオン酸塩、酢酸塩、ナフテン酸塩などの有
機酸塩;酸化物:水酸化物ニジアン化物;チオシアン化
物:錯化合物等が挙げられ、なかでも、金属、合金及−
6− び酸化物が好ましい。触媒として金属、合金、又は酸化
物を用いる場合は、通常、それらの粒径は200メツシ
ユ以下の粉末として用いるのが望ましい。触媒の使用−
は使用する金属の種類及び形態により多少異なるので、
特に限定されるものではないが、通常、石灰原料及び珪
酸原料の和に対し、5〜100重崩%、好ましくは10
〜50重齢%である。触媒使用石があまり少なすぎると
280℃以下の反応温度でゾノトライト結晶を得ること
ができず、又、あまり多すぎても効果に差異はなく経済
的でないので好ましくない。
を製造するが、本発明では触媒として、Fe 、Ti
、V、Co 、Cr 1M−n及びNiから選ばれた少
なくとも1種の金属又はその化合物を反応系に添加する
ことを必須の要件とするものである。これら触媒の具体
例としては、前記元素の金属あるいは合金:又は例えば
、硫酸塩、硝酸塩、塩酸塩、炭酸塩などの無機酸塩:蓚
酸塩、プロピオン酸塩、酢酸塩、ナフテン酸塩などの有
機酸塩;酸化物:水酸化物ニジアン化物;チオシアン化
物:錯化合物等が挙げられ、なかでも、金属、合金及−
6− び酸化物が好ましい。触媒として金属、合金、又は酸化
物を用いる場合は、通常、それらの粒径は200メツシ
ユ以下の粉末として用いるのが望ましい。触媒の使用−
は使用する金属の種類及び形態により多少異なるので、
特に限定されるものではないが、通常、石灰原料及び珪
酸原料の和に対し、5〜100重崩%、好ましくは10
〜50重齢%である。触媒使用石があまり少なすぎると
280℃以下の反応温度でゾノトライト結晶を得ること
ができず、又、あまり多すぎても効果に差異はなく経済
的でないので好ましくない。
水熱合成反応は通常、水性スラリーを静置状態でオート
クレーブ中にて加圧下、加熱処理して実施される。本発
明の反応温度は230〜400℃、好ましくは240〜
280℃である。この温度が230℃未満220℃以上
である場合には、ゾノトライト結晶とトバモライト結、
晶・・とが共存状態となり、又、220℃未満である場
合にはトバモライト結晶のみが得られることとなる。こ
のように本発明では230℃以上の温度でもゾノトライ
ト−7− 結晶を単相で得ることができるものであり、本発明の触
媒を使用しない場合には、280℃以下の温度ではこの
ような現象は期待できないものである。一方、前記温度
は必要以上に高くても何の利益もなく経済的損失を招く
のみであるが、280〜400℃の温度の場合には、更
に段好なゾノトライト結晶が得られるばかりか、反応時
間も短かくてよいと言う効果を有する。又、水熱合成反
応の時間は反応温度などにより多少、異なるが、通常、
4〜48時間程度である。
クレーブ中にて加圧下、加熱処理して実施される。本発
明の反応温度は230〜400℃、好ましくは240〜
280℃である。この温度が230℃未満220℃以上
である場合には、ゾノトライト結晶とトバモライト結、
晶・・とが共存状態となり、又、220℃未満である場
合にはトバモライト結晶のみが得られることとなる。こ
のように本発明では230℃以上の温度でもゾノトライ
ト−7− 結晶を単相で得ることができるものであり、本発明の触
媒を使用しない場合には、280℃以下の温度ではこの
ような現象は期待できないものである。一方、前記温度
は必要以上に高くても何の利益もなく経済的損失を招く
のみであるが、280〜400℃の温度の場合には、更
に段好なゾノトライト結晶が得られるばかりか、反応時
間も短かくてよいと言う効果を有する。又、水熱合成反
応の時間は反応温度などにより多少、異なるが、通常、
4〜48時間程度である。
本発明では上述のような水熱合成反応において、ゾノト
ライト結晶を有する珪酸カルシウムを得ることができる
。
ライト結晶を有する珪酸カルシウムを得ることができる
。
ここで得たゾノトライト結晶はその用途に応じて、通常
、自然沈降法、鋳型注入法、プレス脱水成形法、抄造法
、押し出し成形法、ロール脱水成形法又は遠心成形法な
どの公知の成形法により成形体を得ることができる。こ
の成形に際しては、例えば、石綿、炭素繊維、金属繊維
、岩綿、セラミックファイバーなどの無機繊維、又は、
パルプ、−8− 木綿などの天然繊維、又は、ポリアミド、ポリエステル
などの合成繊維等を添加することもて゛きる。
、自然沈降法、鋳型注入法、プレス脱水成形法、抄造法
、押し出し成形法、ロール脱水成形法又は遠心成形法な
どの公知の成形法により成形体を得ることができる。こ
の成形に際しては、例えば、石綿、炭素繊維、金属繊維
、岩綿、セラミックファイバーなどの無機繊維、又は、
パルプ、−8− 木綿などの天然繊維、又は、ポリアミド、ポリエステル
などの合成繊維等を添加することもて゛きる。
1−記の成形体は常法により乾燥さ4″走、「1的と4
る珪酸カルシウム成形体が1qられるか、必要に応じC
1これを例えば、800″C以−1の温度U−IJI熱
処理づれば、ゾノトライト結晶をつtラス(〜ノイ[−
結晶に変化させることもてさる3、つ4フスト結晶は例
えば、0.3μ程麿の剣状結晶で、11表面積が人さく
、耐熱性に侵れている。
る珪酸カルシウム成形体が1qられるか、必要に応じC
1これを例えば、800″C以−1の温度U−IJI熱
処理づれば、ゾノトライト結晶をつtラス(〜ノイ[−
結晶に変化させることもてさる3、つ4フスト結晶は例
えば、0.3μ程麿の剣状結晶で、11表面積が人さく
、耐熱性に侵れている。
本発明で得られる製品(よ神々の用途に利用され、例え
ば、建材、メカニカルシール(4、保温口、断熱材など
の他に、触媒担体、合成樹脂充填材として特に適してい
る。
ば、建材、メカニカルシール(4、保温口、断熱材など
の他に、触媒担体、合成樹脂充填材として特に適してい
る。
以上、本発明によれば、結晶性シリカを珪酸原料として
用いても、230℃以上と言う低温の水熱合成反応にお
いて、ジノトライ1−結晶が単相で得られる。従って、
従来の非晶性シリカを用いた場合と較べても、60℃も
低い温度でゾノトライト結晶を得ることができるので、
エネルギーコストが安価であり、しかも、反応装置の製
作コスト−9− も安価でよいので、本発明の方法は工業的に極めて価値
のあるものである。
用いても、230℃以上と言う低温の水熱合成反応にお
いて、ジノトライ1−結晶が単相で得られる。従って、
従来の非晶性シリカを用いた場合と較べても、60℃も
低い温度でゾノトライト結晶を得ることができるので、
エネルギーコストが安価であり、しかも、反応装置の製
作コスト−9− も安価でよいので、本発明の方法は工業的に極めて価値
のあるものである。
次に、本発明を実施例を挙げて更に詳細に説明するが、
本発明は以下の実施例の記載に限定されるものでない。
本発明は以下の実施例の記載に限定されるものでない。
実施例1〜3及び比較例1〜3
結晶性シリカ(クオルツ、トリジマイト及びクリストバ
ライトの混合物)とCa (OH)2粉末とをCa/
Siモル比が1.0となるように混合し、更に、これに
100メツシユの鉄粉を46重1%を添加し、固形成分
に対し10重量倍の水中に分散させ、水性スラリーを形
成−させたのち、オートクレーブにて第1表に示す温度
にて24時間、水熱合成反応を行い、結晶スラリーを得
た。この結晶につきX線回折分析したところ、その結晶
型は第1表に示す通りであった。
ライトの混合物)とCa (OH)2粉末とをCa/
Siモル比が1.0となるように混合し、更に、これに
100メツシユの鉄粉を46重1%を添加し、固形成分
に対し10重量倍の水中に分散させ、水性スラリーを形
成−させたのち、オートクレーブにて第1表に示す温度
にて24時間、水熱合成反応を行い、結晶スラリーを得
た。この結晶につきX線回折分析したところ、その結晶
型は第1表に示す通りであった。
= 10 −
実施例4〜10及び比較例4〜10
実施例1の方法において、触媒として鉄分の代りに、第
2表に示す金属又は合金を50重量%用いて、しかも、
第2表に示す温度にて、同様な方法で反応を行い、結晶
スラリーを得た。この結晶につき、X線回折分析をし些
ところ、その結晶型は第2表に示す通りであった。
2表に示す金属又は合金を50重量%用いて、しかも、
第2表に示す温度にて、同様な方法で反応を行い、結晶
スラリーを得た。この結晶につき、X線回折分析をし些
ところ、その結晶型は第2表に示す通りであった。
−11−
−12−
比較例11〜13
実施例1の方法におて、触媒を使用することなく、第3
表に示す温度にて、同様な方法で反応を行い、結晶スラ
リーを得た。この結晶につぎX線回折分析をしたところ
、その結晶型は第3表に示1通りであった。
表に示す温度にて、同様な方法で反応を行い、結晶スラ
リーを得た。この結晶につぎX線回折分析をしたところ
、その結晶型は第3表に示1通りであった。
−13−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 石灰原料と珪ml原料よりなる水性スラリーを水熱
反応させて珪酸カルシウムを製造する方法におイテ、触
媒として、Fe 、−ri 、V、Co、C「、MO及
びN1から選ばれた少なくとも1種の金属又はその化合
物を添加し、230〜400℃の温度で反応させること
を特徴とする珪酸カルシウムの製造方法。 2 触媒が、Fe 1Ti 、V、Co 、Or %M
01及びNiから選ばれた少なくとも1種の金属、合金
又は酸化物である特許請求の範囲第1項記載の珪酸カル
シウムの製造方法。 3 触媒の使用量が、石灰原料と珪酸原料の和に対して
、5〜100重鏝%である特許請求の範囲第1項又は第
2項に記載の珪酸カルシウムの製造方法。 4 石灰原料と珪酸原料の使用割合が、Ca/−1= Siモル比として、0.8〜1.4である特許請求の範
囲第1項乃至第3項のいずれかに記載の珪酸カルシウム
の製造方法。 5 水熱合成反応の温度が、240〜280℃である特
許請求の範囲第1項乃〒第4項のいずれかに記載の珪酸
カルシウムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5770582A JPS58176117A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | ゾノトライト系珪酸カルシウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5770582A JPS58176117A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | ゾノトライト系珪酸カルシウムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58176117A true JPS58176117A (ja) | 1983-10-15 |
JPS6335568B2 JPS6335568B2 (ja) | 1988-07-15 |
Family
ID=13063350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5770582A Granted JPS58176117A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | ゾノトライト系珪酸カルシウムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58176117A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4966268A (en) * | 1988-07-07 | 1990-10-30 | Toyoda Koki Kabushiki Kaisha | Driving power transmission device |
JP2009161766A (ja) * | 2001-07-18 | 2009-07-23 | Total Petrochemicals Research Feluy | 水添および脱水素方法そしてそれら用の触媒 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3001882A (en) * | 1957-12-30 | 1961-09-26 | Owens Corning Fiberglass Corp | Thermal insulating material and method of making same |
JPS5179119A (ja) * | 1974-12-30 | 1976-07-09 | Nihon Cement | Suinetsuhannoyotenkazai |
JPS5243494A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-05 | Riken Keiki Kk | Multiple point gas detecting and alarming system |
JPS5345200A (en) * | 1976-10-06 | 1978-04-22 | Sopia Giken Kk | Device for hitting tag pin |
-
1982
- 1982-04-07 JP JP5770582A patent/JPS58176117A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3001882A (en) * | 1957-12-30 | 1961-09-26 | Owens Corning Fiberglass Corp | Thermal insulating material and method of making same |
JPS5179119A (ja) * | 1974-12-30 | 1976-07-09 | Nihon Cement | Suinetsuhannoyotenkazai |
JPS5243494A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-05 | Riken Keiki Kk | Multiple point gas detecting and alarming system |
JPS5345200A (en) * | 1976-10-06 | 1978-04-22 | Sopia Giken Kk | Device for hitting tag pin |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4966268A (en) * | 1988-07-07 | 1990-10-30 | Toyoda Koki Kabushiki Kaisha | Driving power transmission device |
JP2009161766A (ja) * | 2001-07-18 | 2009-07-23 | Total Petrochemicals Research Feluy | 水添および脱水素方法そしてそれら用の触媒 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6335568B2 (ja) | 1988-07-15 |
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