JPS58172390A - インドリジノ〔８，７−ｂ〕インド−ル誘導体、その製造方法及び該誘導体を含む医薬製剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規インドリジノ　（８，７−ｂ〕インドー
ル誘導体を含む医薬製剤、及び医薬活性成分としてのそ
の用途、更にこの種の新規化合物及びその製造方法に関
する。

本発明による医薬製剤は式日）： 〔式中Ｒａは基−（ＣＨ２）ｍ　　（式中ｍは０又は１
である゛）を表し、Ｒｂは基−ＣＨ（Ｒ＋　）−を表し
、Ｒ１は水素、低級アルキル基、場合によりエステル化
又はエーテル化されたヒドロキソ基、低級アルキルチオ
基、又は場合により置換さねたアミノ基を表し、Ｒ２は
場合によりエステル化又はエーテル化されたヒドロキン
メチル基又は場合により官能基で変形されたカルボキン
基を表し、Ｒ１及びＲ４はそれぞれ水素又は低級アルキ
ル基を表すか、又は基−（Ｒｂ　　Ｒａ）−の代わりに
基−ＣＨ＝　ＣＩ−が存在し、炭素同素環式Ｔ５ｉＡは
非置換であるか、又は非置換若しくは置換低級アルキル
基、場合によりエステル化又はエーテル化されたヒドロ
キシ基、ニトロ基及び／又は場合により置換されたアミ
ン基を置換基として含む］の化合物並びにその塩又はＮ
−オキシドを含むか、又は該化合物を第四級アンモニウ
ム化合物又はその塩として含む。

式（１）の化合物は式（Ｉ　ａ）の理系を基礎骨格とし
、この環系には下記の位置番号を使用する＝１−記環系
は従って１個の炭素同素環と３個のモノアザ環式環を含
む。

本発明は同様にＲａ、ｍ、Ｒｂ、Ｒ７、Ｒ１及びＲ４が
前記のものを表し、炭素同素環式項八が前記のように１
換されていζよいが、Ｒａが式−（ＣＨ７）ｍ−（式中
ｍはｌである）の基を表し、Ｒｂが式−ＣＩ（Ｒ＋）−
の基を表し、Ｒ８が水素であり、Ｒ２がヒドロキノメチ
ル基又はヘンシルオキソメチル基であり、Ｒ３がエチル
基であり、Ｒ４が水素である場合には、炭素同素環式１
１Ａは非置換であろ、Ｒ１が式＝（ＣＨ２）□−（式中
ｍは１である）の基を表し、Ｒ５が式：ＣＨ（Ｒ＋）−
の基を表し、Ｒ１がエチル基であり、Ｒ２がヒドロキソ
メチル基又は−＼ンジルオキノメチル基であり、Ｒ２及
びＲ４がそれぞわ水素である場合には、炭素同素環式項
八は非置換であり、Ｒ３が式−（Ｃｔｌ＞）ｍ　　ｆ式
中ｍは１であイ））の基を表し、Ｒ，、が式−ＣＨ（Ｒ
＋　）−の基を表し、Ｒ７が水素であり、Ｒ２がカルボ
キノメトキソ基又はシアノ基を表し、Ｒ３及びＲ４がそ
わぞ才１水素である場合には、炭素同素環式ＩｉＡは非
置換である式（１）の新規化合物、その＼−オキノド又
は塩、又は第四級アンモニウム化合物又はその塩に関す
る。

官能基で変形されたカルボキン基は、エステル化、例え
ば脂肪族、脂環式若しくは芳香族基て工ステル化された
カルボキシ基であり、特に低級アルコキシカルボニル基
、低級アルキルチオカルボニル基又は置換低級アルコキ
シカルボニル基、例えば場合によりエーテル化若しくは
エステル化されたヒドロキシ基又は場合により置換アミ
ノ基を含む低級アルコキシカルボニル基（置換基は好ま
しくは少なくとも２個の炭素原子によってオキソ−酸素
から隔てられている）、例えばヒドロキシ低級アルコキ
シカルボニル基、アミン低級アルコキシカルボニル基、
低級アルキルアミノ低級アルコキシカルボニル基、低級
アルコキノ低級アルコキシカルボニル基、ジ低級アルキ
ルアミノ−低級アルコキシカルボニル基、低級アルキレ
ンアミノ−低級アルコキノ力ルボニル基、オキサ低級ア
ルキレンアミノ−低級アルコキンカルボニル基、チア低
級アルキレンアミノ−低級アルコキンカルポニ／ｌ／　
基又はアザ低級アルキレンアミノ−低級アルコキンカル
ボニル基（アザ窒素原子は非置換であるか、又は例えば
低級アルキル、、基で置換されていてよい）、更に場合
により低級アルキル基又は低級アルコキシ基で置換され
たシクロアルキルオキシカルボニル基（置換基は数個、
特にｌ〜３個存在してよい）、更に場合により部分的に
水素添加されたヘンゾフラニルオキノ力ルボニル基、例
えば１．３〜ジヒドロ−１−オキソーイソヘンゾフラニ
ルオキシ力ルボニル基である。

官能基で変形されたカルボキシ基はアミド化されたカル
ボキノ基、例えばカルバモイル基、Ｎ−低級アルキルカ
ルハモイル基、Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル基
、場合によりフ、ア、ニルｉ？Ｂ　分が置換された、例
えば低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン及び
／又はニトロ基でｉｉ’ｉＩ換されたＮ−フェニル低級
アルキルカルバモイル基、低級アルキレンアミノカルボ
ニル基、オキサ低級アルキレンアミノカルボニル基、チ
ア低級アルキレンアミノカルボニル基又はアザ低級アル
キレンアミノカルボニル基（アザ窒素原子は非置換であ
るか又は例えば低級アルキル基で置換されていてもよい
）、更にシアノ基であってよい。アミド化されたカルボ
キン基は、更にヒドラジノカルボニル基又はＮｏ−置換
、例えばＮｏ−低級アルキル化又はＮｏ−アシル化ヒド
ラジノカルボニル基、例えばＮ、Ｎ’−低級アルキルヒ
トラジノカルボニル基、Ｎ、Ｎ’−低級アルカノイルー
ヒトラジノカルポニル基又はＮ、Ｎ’　−アロイルーヒ
トランノ力ルボニル基であってよく、その際アロイル基
は特にフェニル部分が場合により低級アルキル基、低級
アルコキシ基、ハロゲン及び／又はニトロ基で置換され
たヘンヅイル基又はニコチノイル基である。

エーテル化されたヒＦ’　ｎキノ基は例えば低級アルコ
キシ基であるが、フＪニル低級アルコキノ基を表しても
よく、また炭素同素環式環Ａの置換基として低級アルキ
リデン基又は低級アルキレンジオキノ基を表すこともで
き、エステル化ヒドロキソ基はアンル化ヒドロキノ基、
例えばノ＼ロゲン又は脂肪族若しくは芳香族カルボン酸
或いはスルホン酸でエステル化されたヒドロキシ基、例
えＬｆアロイルオキシ基、例えばヘンヅイルオキシ基、
又はヘンゼンスルホニルオキノ基（これらの芳香族部分
はそれぞれ非置換であるか　又は例えば低級アルキル基
、低級アルコキシ基、ハロゲン及７１／又はニトロ基で
置換されていてよく、前記のような置換基は同−又は異
なり、その都度数個、特Ｃ二１〜３個存在してよい）、
又は低級アルカノイルオキソ基、例えばピバロイルオキ
７基であってよい。

置換アミノ基は例えば低級アルキルアミノ基、ジ低級ア
ルキルアミノ基、低級アルキレンアミノ基、オキサ低級
アルキレンアミノ基、チア低級アルキレンアミノ基又は
アザ低級アルキレンアミノ基（アザ窒素原子は非置換で
あるか、又は例えば低級アルキル基で置換されていてよ
い）、更にアノル化アミノ基、例えば低級アルカノイル
了ミノ基又は低級アルコキノカルボニル了ミノ基である
。

置換低級アルキル基は置換基としてまずノλロゲン、更
にヒドロキノ基、低級アルコキン基、フェニル低級アル
コキシ基を含む。

エステル化ヒドロキノメチル基は例えばエステル化ヒド
ロキン基が前記のもの、例えばノ＼口斤ン又は例えば前
記のように場合により置換されたアロイルオキシ基、例
えばヘンジイルオキシ基、又はヘンゼンスルホニルオキ
７基、更に低級アルカノイルオキシ基を表すものである
。

エーテル化ヒドロキシメチル基は例えばエーテル化ヒド
ロキシ基が例えば低級アルコキシ基であるものである。

ＪＩＡに関して挙げた置換基は数個、好ましくは４個ま
で存在してよい。

前記の定義は下記の定義を有してもよく、その際「低級
」と示した置換基及び化合物は７個以下、特に４個以下
の炭素原子を含み、及び／又は置換された基は１個以上
の置換基を有していてよい。

低級アルコキシカルボニル基は例えばメトキノカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカル
ボニル基、イソプロピルチオカルボニル基、ｎ−ブチル
オキシカルボニル基又はｔｅｒｔ−−ブチルオキシカル
ボニル基である。

ソクロアルキルオキシカ元ボニル基はシクロアルキル部
分に３〜７個、特に５〜６（［ｌｉｌの環成員を有し、
例えばシクロへキシルオキ７カルボニル基トリメチルシ
クロへキシルオキンカルボニル基である。

低級アルコキノ低級アルコキシカルボニル基は例えば２
−メトキノエトキシカルボニル基又はメトキシメトキノ
力ルポニル基である。

置換低級アルコキンカルボニル基において、置換基は１
個より多くの炭素原子によってオキソ−酸素から隔てら
れているのが好ましく、例えば２−ヒドロキノエチルオ
キンカルボニル基、２−メトキノエチルオキ７カルボニ
ル基、２−エトキノエチルオキノカルボニル基、２−ク
ロ！７エチルオキンカルボニル基、２−アミノエチルオ
キンカルボニル基、２−メチルアミノエチルオキシカル
ボニル基、２−ジメチルアミノエチルオキシカルボニル
基、２−ジメチルアミノエチルオキシカルボニル基、３
−ジメチルアミノエチルオキシカルボニル基、２−ピロ
リジノエチルオキンカルホニル基、２−（４−モルホリ
ノ）　−エチルオキシカルボニル基、２−（４−チアモ
ルホリノ）〜エチルオキシカルボニル基又は２−（４−
メチルピペラジノ）−エチルオキシカルボニル基である
。

低級アルキルチオカルボニル基は例えばメチルチオカル
ボニル基、エチルチオカルボニル基、ｎ−プロピルチオ
カルボニル基、イソプロピルチオカルボニル基、ｎ−ブ
チルチオカルボニル基又はｔｅｒ　ｔ−ブチルチオカル
ボニル基である。

低級アルコキシ基は例えばメトキシ基、エトキノ基、ｎ
−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基又はｎ−ブ
チルオキン基であり、フェニル低級アルコキシ基は例え
ばヘンシルオキシ基であり、低級アルキリデンジオキシ
基又は低級フルキレンジオキン基は例えばメチレンジオ
キン基又は１゜１−エチリデンジオキシ基である。

フェニル低級アルコキン基は例えばヘンシルオキソ基で
ある。

ハロゲンは例えば弗素、塩素又は臭素、即ち原子番号３
５までのハロゲンであるが、沃素であってもよい。

７０イルオキシ基は例えば場合により低級アルキル基又
は低級アルコキン基、例えばメチル基又はメトキン基で
１〜３個置換されたヘンシルオキシ基、例えば３，４．
５４リメトキノヘンゾイルオキン基又は４−メチルへン
セーンスル十ニルオキシ基である。

低級アルカノイルオキノ基は例えば７セチルオキン基、
プロピオニルオキソ基、ピバロイルＡキノ基又はプロピ
ルオキシ基である。

低級フルキル基は例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基　イソプロピル基　ｎ　ブチル基、イソブチル基
又はｔＰｒｔ−ブチル基、更にｎ　ペンチル基、ン、オ
ペンチル基、ｎ−−％キノル基又シよｎ−ヘプチル基で
ある。

フェニル低級フルキル基は例えばヘンンル基又は２−フ
丁、ニルエチル フェノキノ低級アルキル基は例えばフェノキ、ツメチル
基又は？ーフエノキノエチル基である。

フェニルチオ低級アルキル基は例えばフｘ．（−ルチオ
メチル基又は２−フェニルチオエチル基である。

低級アルキルチオ基は例えばメチルチオ基又はエチルチ
オ基である。

低級アルキルアミノ基は例えばメチルアミノ基又はエチ
ルアミノ基であり、ジ低級アルキルアミノ基は例えばジ
メチルアミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ基又Ｇ
上ジエチルアミノ基であり、低級アルキレンアミノ基は
例えばピロリジノ基又はピペリジノ基である。

オキサ低級アルキレンアミノ基、チア低級アルキレンア
ミノ基及びアザ低級アルキレンアミノ基において、ヘテ
ロ原子はアミノ窒素原子から少なくとも２個の炭素原子
によゲζ隔てられている。

これらの基は例えば４−モルホリノ基、４−チア〜モル
ホリノ基、４−ピペラジノ基又は４−低級アルキルビペ
ラジノ基を表すことができる。

ハロゲン化低級アルキル基は特にトリフルオロメチル基
であり、ヒドロキシ低級アルキル基は例えばヒドロキシ
メチル基であり、低級アルコキシ低級アルキル基は例え
ば２−メ、トキンエチル基である。

アシル化アミノ基は例えばアロイルアミノ基、例えばヘ
ンシイルアミノ基であり、その芳香族部分は非置換であ
るが、又はアロイルアミノ基に関して挙げた置換基、例
えば低級°１ルキル基、低級アルコキン基、ハロゲン又
は官能基で変形されたカルボキシ基を１個以上、特に１
〜３個含んでいてよく、従って、例えばヘンシイルアミ
ノ基又は３．４．５１リメチルオキノヘンゾイルアミノ
基であってよい。

低級アルカノイルアミノ基は例えばアセチルアミノ基、
プロピオニルアミノ基又已よピバロイル−アミノ基であ
る。

１．３−ジヒドロ−１−オキソーイソヘンゾフラニルオ
キ７カルボニル基は１．３−ジヒト（コー１−オキソー
３−イソヘンゾフラニルオキンカルボニル基である。

Ｎ−フェニル低級アルキルカルバモイル基；ま例えばＮ
−（２−フェニルエチル）−カルバモイル基である。

Ｎ、Ｎ’−低級アルキルヒトラジノカルホニル基は例え
ばＮ、Ｎ“−メチルビドラジノカルボニル基又はＮ、Ｎ
’、Ｎ’−ジメチルヒドラジノカルボニル基である。

Ｎ、Ｎ’−アロイルヒドラジノカルボニル基は例えばＮ
、Ｎ’−（４−メトキシヘンジイル）−ヒドラジノカル
ボニル基又はＮ、Ｎ“−（２−ニコチノイル）−ヒドラ
ジノカルボニル基である。

式（＋）の化合物は、エピマー混合物、純粋なエピマー
、ラセミ混合物、ラセミ化合物、光学対掌体、シス−及
びトランス−異性体の混合物、純粋なシス−又はトラン
ス−＝異性体、Ｎ−オキノド又は塩、特に酸付加塩、殊
に医薬に使用しうる無毒性の酸付加塩、及び第四−アン
モニウム化合物又はその塩として存在していてよい。

第四級アンモニウム化合物は第四級置換基として、場合
により例えば前記のように置換された低級アルキル基、
例えば低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基又は
ハロゲン低級アルキル基、フェニル低級アルキル基、フ
ェノキシ低級アルキル基又はフェニルチオ低級アルキル
基を含み、その際フェニル部分はそれぞれ非置換である
か、又は低級アルキル基、低級アル二Ｊキシ基、ハロゲ
ン、トリフルオロメチル基及び／又はニトロ基で置換さ
れていてよい。第四級アンモニウム化合物の塩は、以下
に定義する、特に、医薬に使用しうイ〕、無毒性の酸付
加塩として詳述する塩、特４ニハロゲン水素酸、硫酸又
は燐酸との塩に対応する。

新規化合物はその塩、例えばその酸付加塩、特に、医薬
に使用しうる、無毒性の酸付加塩の形で存在していても
よい。適当な塩は例えば、無機酸との塩、例えばハロゲ
ン水素酸、例えば塩化水素酸又は臭化水素酸、硫酸又は
＃ｌｉ酸との塩、又は有機酸との塩、例えば脂肪族、脂
環式、芳香族若しくはヘテロ環式のカルボン酸或いはス
ルホン酸、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、琥珀酸、
グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、マ
レイン酸、ヒドロキシマレイン酸、体性ブドウ酸、フマ
ール酸、安息香酸、４−７ミノ安息香酸、アントラニル
酸、４−ヒドロキシ安息香酸、２゜４−２２．５−１２
．６−又は３．５−ジヒトロキノ安息香酸、サリチル酸
、アセチルサリチル酸、エンボン酸、４−アセト−？ミ
ド酪酸、フラン−２−カルボン酸、３−（テオフィリン
−７−イル）−プｌコパンスルホン酸、テオフィリン−
７−酢酸、ニコチン酸、５−ブロモニコチン酸、インド
ール−３−酢酸、メタンスルホン酸、エタンスルポン酸
、２−゛ヒドロキシェタンスルホン酸、エチレンスルホ
ン酸、トルエンスルホン酸、ナフタリンスルホン酸、樟
脳スルホン酸、スルファニル酸、又はＮ−シクロへキシ
ルスルファミン酸との塩、又は他の酸性有機物質、例え
ばアルギニン酸、アスコルビン酸又は没食子酸、燐酸の
酸性エステル、例えばグルコース−１＝若しくは６−ホ
スフェート、５−ピリドキサールホスフェート、サッカ
リン、酸性基、例えばカルホン酸基及び／又は特にスル
ホン酸基含有カチオン交換樹脂、例えば場合により不活
性基で置喚されたスチレン及び架橋剤として少量のジビ
ニルへンセ゛ンのコポリマーのスルホン化生成物、又は
フェ）−ル若しくはフェノールエーテルとホルムアルデ
ヒドとの縮合生成物及び場合により直接されたヘンゼン
スルホン酸との塩である。

式（１）の新規化合物は有用な薬学的性質を有する。特
に、これらの化合物は中枢神経系に作用する。例えば、
これらの化合物は脳電気ンヨノクの記憶喪失作用からの
保護及び記憶力の改善作用を及ぼす。前記の所見を下記
の学習テストで一１１定することができる： 試験装置は引戸によって小さい箱（ＩＯ′ｙ：Ｉ。

ＸｌＢｃｍ）と結合されている大きい箱（３５×２０Ｘ
１０Ｃｍ）から成る。小さい箱は１００ワ・トのランプ
によって上から明るく照らし、大きい箱は暗くしておく
。両区間の床は電導性鉄格子から成る。訓練のため、そ
れぞれ１０匹の雄マウス（２０〜２２ｇ）のグループを
明るい小さい箱に入れる。マウスが暗所に対して自然優
先を有すで）ので、多くのマウスは３０秒以内に暗い区
間に行く。マウスが全部暗い区間に入−７たら直ち１１
、引戸を閉し、足に電気ショック（１市八、５秒）を与
える。動物をその後直ちに試験装置がち出す。

学習効果を試験（再試験）するため、÷ウスを２４時間
後再びそれぞれ明るい区間に入れ、全部が暗い区間に入
るまでの時間を測定する。浦富、大抵の動物は１５０秒
の全観察時間に渡って明るい区間にとどまっていた。記
す、ａ喪失処置として訓練過程の足ショックの直後に一
時的電気ショノク処置をこめかみにうえる場合、学習効
果は著しく消失しているか、又は足ソヨノクの記憶は少
なくとも一部消失する。電気ショックのパラメータ：５
０ｍＡ、０．４秒、５０１１ｚ、０．６秒（脈拍期間）
。

電気ショックの記憶喪失作用に対する保護作用を試験し
、比較するため、訓練前３０分に試験物質をｏ、　ｉ■
／ｋｇ、１■／ｋｇ、１０■／ｋｇ及び１００■／ｋｇ
の投与量で（各投与量に対して１０匹のマウスを使用す
る）、溶解度に応して生理的食塩水中の／８／ｐｊｉ、
又は水中のメチルセルロースの０．５％溶液中の溶液と
して腹膜内に投与し、動物を訓練直後に電気ショックを
与える。その２４時間後、明るい箱に滞在する時間に基
づいて学習効果のなお残存する程度を測定し７、他の試
験物質の結果、例えばその都度使用した溶剤だけを投与
し、訓練し、続いて電気ノヨノク処置をしたか又はしな
い対間動物の学習効果残存度と比較する。前記の効果は
式（口の新規化合物、例えばエリスローノスα−ヒドロ
キソ−１−エチル−２，３，５，６゜１１．１１ｂ−ヘ
キサヒドロ−Ｉ　Ｉ＋−インドリジノ　（８，７−ｂ）
インドール−１−プロピオン酸メチルエステル又シまソ
スー１　エチル−２，３゜５．６．１１．１１ｂ−ヘキ
サヒドロ−Ｉ　Ｈ−インドリジノ　（８，７−ｈ〕イン
ドール−１−プ１１ピオン酸メチルエステルで、約Ｏ１
■／　ｋｇ〜１００■／ｋｇの投与量範囲で証明するこ
とができイ）。

記憶力の改善を直接判定するため、下記の試験方法を使
用する・ 試験装置は電導性鉄格子を有する、日光か芹通に当たる
箱（５０Ｘ５０Ｘ５０ｃｍ）から成り、その格子の棒（
直径６ｍｍ）はそれぞれ１３ｍの間隔で配設されている
。鉄格子の中央には、プラス千ツク管（高さ２０ｃｍ、
内径６８ｍｍ）によって包囲された木製プラットフォー
ム（高さ１０１園、直径６７龍）を設置する。訓練の実
施のため、その都度３０匹の雄マウス（２０〜２５ｇ）
のグループを使用し、その際プラスチック管によって包
囲されたプラットフォーム上に一匹の動物を置き、プラ
スチック管を１０秒後に取り除き、その動物が下に降り
、４本の足すべてが鉄格子に接触するまでに要する時間
を測定する。４本の足すべてが鉄格子に接触した時に、
足ショック（１ｍＡ、５０）１ｚ）を与える。足ショッ
クを与えた後１０秒以内に試験物質を０．１　ｍｇ　／
　ｋｇ、１　ｍｇ　／　ｋｇ及び１０龍ｗ／ｋｇの投与
量で（各投与量に対して３０匹のマウスを使用する）、
溶解度に応して生理的食塩水中の溶液又は水中のメチル
セルロースの０．５％溶液中の溶液としてｌｊｉ膜内に
投与する。その２４時間後に、各動物がプラットフォー
ム上に滞在する時間に基づいて、学習効果の改善又は悪
化の稈度を、対照のため単ルこ溶剤だけを投与した動物
と対比して測定する。式（１）の新規化合物では、例え
ばエリスローシス−α−ヒト［１キシ、−１−エチル−
２゜３．５，６；　　１１．ｌｌｂ□１−ヘキサヒトロ
ーＩＨ−インドリジノ　〔８，７〜ｂ〕インドール−１
−プロピオン酸メチルエステル又はノス−１王手ルー２
．３．５．６．１１．１１ｂ　−ヘキサヒトローＩＨ−
インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−プロピ
オン酸メチルエステルＩｍｇ／ｋｇをマうスに腹膜内投
与した後、′マウスの記憶力の改善が認められる。

式（１）の新規化合物は、こわらの性質に基づいて意識
障害及び１機能不全、特に種々の記憶障害、例えば老年
痴呆、多梗塞性痴呆又はアルツハイメル型痴呆、更に脳
外傷又は脳浴血の後遺症の治療に好適である。

本発明は特に、Ｒａ　、Ｒ，及びｍ及び式：（Ｒｈ　’
−Ｒａ　）−の基が前記のものを表し、Ｒ７が水素、低
級アルキル基、ヒドロキン基、ハロゲン、アロイルオキ
ソ基、低級アルカノイルオキノ基、低級アルコキシ基、
フェニル低級−？ルコキノ基、低級アルキルチオ基、ア
ミノ基、Ｎ−低級アルキルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジ低級ア
ルキルアミノ基、低級アルキレンアミ、、ノ基、オキサ
低級マルキレンアミノ基、チア低級アルキレンアミノ基
、アザ低級アルキレンアミノ基（アザ窒素原子は非置換
又は低級アルキル基で置換されている）、又は低級アル
カノイルアミノ基を表し、Ｒ２がヒドロキシメチル基、
アロイルオキシメチル基、ヘンゼンスルホニルオキシメ
チル基、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、
ヒドロキシ低級アル：１キシカルボニル基、低級アルコ
キシ−低級アルコキシカルボニル基、ハロゲン化低級ア
ルコキンカルボニル基、アミノ低級アルコキシカルボニ
ル基、低級アルキルアミノ−低級アルコキシカルボニル
基、ジ低級アルキルアミノ−低級アルコキノ力ルボニル
基、低級アルキレンアミノ−低級アルコキシカルボニル
基、オキサ低級アルキレンアミノ低級アルコキシカルボ
ニル基、チア低級アルキレンアミノ−低級アルコキシカ
ルボニル基、又はアザ低級アルキレンアミノ−低級アル
コキノカルボニル基（アザ窒素原子は非置換又は低級ア
ルキル基で置換されていてよい）、低級アルキルチオカ
ルボニル基、場合により低級アルキル基若しくは低級ア
ルコキシ基で１〜３個置換されているシクロアルキルオ
キ７カルボニル基、ヘンヅフラユルオキン力ルボニル基
、■、３−ジヒドロー１−オキソー３−イソヘンヅフラ
ニルオキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−低級ア
ルキルカルノーモイル基、Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキルカル
バモイル基、低級アルキレンアミノカルボニル基、オキ
サ低級アルキレンアミノカルボニル基、チア低級アルキ
レンアミノカルボニル基又はアザ低級アルキレン７ミノ
カルホニル基（７ザ窒卑原子は非Ｆｆ、　ｔＴｈ又は低
級アルキル基で置換されていてよい）、ヒドラジノカル
ボニル基、Ｎ、Ｎ’−低級アルキルヒトラジノカルボニ
ル基、Ｎ、Ｎ’−低級７ルカノイルヒドラジノ力ルボニ
ル基、場合によりフェニル低級が低級アルキル基、低級
アルコキン基、ハロゲン及び／又はニトロ基で置換され
たｘ、Ｎ’−ヘンゾイルヒトラジノカルボニル基、Ｎ、
’、；’−ニコチノイルヒドラジノカルボニル基、又は
シアン基を表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水素又Ｇよ低
級アルキル基を表し、炭素同素環式項へは非置換である
か又は低級アルキル基、ハロゲン化低級アルキル基、ヒ
ドロキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル
基、ヒドロキシ基、低級アルコキシ基、フェニル低級ア
ルコキシ基、低級アルキリデンジオキシ基、低級アルキ
レンジオキン基、ハロゲン、低級アルカノイルオキシ基
、ニトロ基、アミノ基、Ｎ−低級アルキルアミノ基、Ｎ
。

Ｎｏ−ジ低級アルキルアミノ基、低級アルキレンアミノ
基、オキサ低級アルキレンアミノ基、チア低級アルキレ
ンアミノ基、アザ低級アルキレンアミノ基（アザ窒素原
子は非置換又は低級アルキル基で置換されていてよい）
、及び低級アルカノイルアミノ基をそれぞれ１〜３個置
換基として含む式（＋）の化合物をエピマー混合物、純
粋なエピマー、ラセミ混合物、ラセミ化合物、光学対掌
体、シス−及びトランス−異性体の混合物、純粋なシス
−又はトランス−異性体、Ｎ−オキシド又は塩、特に酸
付加塩、殊に医薬に使用しうる無毒性の酸付加塩として
含むか、又は該化合物を第四級アンモニウム化合物又は
その塩とし′ζ含む医薬製剤に本発明は特に　Ｒａ、Ｒ
ｈ及びｍ及び式ニー　（Ｒ，−ＲＱ　）−の基が前記の
ものを表し、Ｒ。

カ水素、ヒドロキシ基、低級アルコキシ基、アロイルオ
キノ基、低級アルカノイルオキソ基　アミノ基、Ｎ−低
級アルキルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキルアミノ基
又は低級アルカノイルアミノ基を表し、Ｒ２がヒドロキ
シメチル基、アロイルオキソメチル基、カルボキシ基、
低級アルコキシカルボニル基、低級アルコキン−低級ア
ルコキノカルボニル基、低級アルキルチオカルボニル基
、ジ低級アルキルアミノ−低級アルコキシカルホユル基
、カルバモイル基、Ｎ−低級アルキルカルハモイル基、
ヒドラジノカルボニル基、Ｎ、＼９−ヘンゾイルヒトラ
ジノ力ルボニル基、Ｎ、Ｎ’−ニコチノイルヒドラジノ
カルボニル基又はノア、ノ基、又はＮ、＼−ノ低級アル
キルカルバモイル基を表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水
素又は低級アルキル基を表し、炭素同素環式項へが非置
換又は低級アルキル基、トリフルオロメチル基、ヒドロ
キン基、低級アルコキシ基、フェニル低級アルコキシ基
、低級アルキレンジオキシ基、ハロゲン、低級アルカノ
イルオキン基、ニトロ基、アミノ基及び／又は低級アル
カノイルアミノ基でそれぞれ１〜３個置換されていてよ
く、その際低級アルコキン基、低級アルキル基、低級ア
ルカノイル基及び低級アルカノイルアミノ基がそれぞれ
４個以下の炭素原子を有ずろ式（１）の化合物をエピマ
ー混合物、純粋なエピマー、ラセミ混合物、ラセミ化合
物、光学対掌体、シス　及びトランス−異性体の混合物
、純粋なノスー又はトランス−異性体、Ｎ−オキシド又
は塩、特に酸付加塩、殊に医薬に使用しうる無毒性の酸
付加塩として含むが、又は該化合物を第四級基が低級ア
ルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、ハロゲン化低級
アルキル基、’／　、ｘ−ニル低級アルキル基又はフェ
ノキシ低級アルキル基である第四級アンモニウム化合物
、又はその塩として含む医薬製剤に関する。

本発明は特に、Ｒ８１、Ｆ２ｂ及びｍ及び式：　−（Ｒ
ｂ　　Ｒａ）−の基が前記のものを表し、Ｒｔが水素、
ヒドロキシ基、ヘンジイルオキシ基、低級アルカノイル
オキシ基又はアミノ基を表し、Ｒ２がヒドロキソメチル
基、芳香核部分が場合６：、５り低級アルキル基、低級
アルコキシ基、ハロゲン若しくは官能基で変形されたカ
ルボキノ基で置換されているー・ンゾイルオキシメチル
基、カルボキノ基、低級アルコキンカルボニル基、例え
ばメトキシカルボニル基又はエトキシカルボニル基、低
級−１ルコキノ一低級アルコキンカルボニル基、！ＩＩ
　ｉばメトキノ−メトキノカルボニル基　低級アルキル
チオカルボニル基、例えばエチル千オカルボニル基、カ
ルバモイル基、ヒドラジノカルボニル基又はシアン基を
表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞわ水素又は低級アルキル基
を表し、炭素同素Ｉ璧氏ｌ梨へが非置換であるか又は好
ましくは８位及び／又は９位が低級アルキル基、例えば
メチル基、ヒドロキン基、低級アルコキシ基、例えばメ
トキシ基、フェニル−低級アルコキノ基、例えば、ヘン
シルオキソ基、低級アルキレンジオキノ基、例えばメチ
レンジオキノ基及び／又はハロゲン、例えばａ−素で置
換されており、その際低級アルキル基及び低級アルコキ
シ基がそれぞれ４個以下の炭素原子を有する式（１）の
化合物をエピマー混合物、純粋なエピマー、ラセミ混合
物、ラセミ化合物、光学対掌体、シス−及びトランス−
異性体の混合−物、純粋なシス−又はトランス−異性体
、Ｎ−オキシド又は塩、特にその酸付加塩、殊に医薬に
使用しうる無毒性の酸付加塩として含むか、又は該化合
物を第四級基が低級アルキル基又はフェニル低級アルキ
ル基である第四級アンモニウム化合物、又はその塩とし
て含む医薬製剤に関する。

本発明は特に、Ｒａが式−（ＣＨ２）ｍ−の基（式中ｍ
は１を表す）を表し、Ｒ１が式ニーＣＩ　（Ｒ＋　）−
の基を表し、Ｒ２が水素、ヒドロキシ基、ヘンゾイルオ
キノ基又はアセチルオキン基を表し、Ｒ２がヒドロキシ
メチル基、場合により低級アルキル基、例えばメチル基
、又は低級アルコキシ基、例えばメトキノ基又はカルボ
キシ基でＮｉｌ＞されたヘンジイルメチ火基、例えば３
．４゜５−トリメトキシヘンシイ）ルメチル基、カルボ
キシ基、低級アルコキンカルボニル基、特にメトキシカ
ルボニル基又はメトキシカルボニル基、低級アルコキシ
　低級アルコキシカルボニル基、例えばメトキシ−メト
キンカルボニル基、低級アルキルチオカルボニル基、例
えばエチルチオカルボニル基、カルバモイル基又はンア
ノ基を表し、Ｒ３が水素又は低級アルキル基を表し、Ｒ
４が水素を表し、炭素同素環式ｙＪＡが非置換であるか
、又は８位及び／又は９位がヒドロキシ基又は低級アル
コキノ基、例えばメトキノ基、メチレンジオキソ基及び
／又はハロゲン、例えば臭素で置換されており、ｌｌｂ
位の水素原子及び１位の基Ｒ３、特にエチル基が相互に
トランス−配置又は好まシ、りはシス−配置で存在する
式（＋）の化合物をエピマー混合物、純粋なエピマー、
ラセミ混合物、ラセミ化合物、光学対掌体、シス〜及び
トランス−異性体の混合物、純粋なシス−又はトランス
−異性体、Ｎ−オキシド又は塩、特に酸付加塩、殊に医
薬に使用しうる無毒性の酸付加塩とし、て含むか、又は
該化合物を第四１基”が低級フルキル基、例えばメチル
基である第四級アンモニウム化合物、又はその塩として
含む医薬製剤に関する。

本発明は特に実施例に記載した、式（１）の新規化合物
を含む医薬製剤に関する。

本発明はまた、Ｒ３が氏−（ＣＨ＞）ｍ　　（式中ｍは
０又はｌである）の基を表し、Ｒ５が式ニーＣＨ（Ｒ，
＋　）−の基を表し７、Ｒ７が水素、低級アルキル基、
場合によりエステル化又はエーテル化されたヒドロキシ
基、低級アルキルチオ基、又は場合により置換されたア
ミノ基を表し、Ｒ２が場合によりエステル化又はエーテ
ル化されたヒドロキソメチル基又は場合により官能基で
変形されたカルボキン基を表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞ
れ水素又は低級アルキル基を表すが、又は基−（Ｒ。

Ｒａ）−の代わりに基−ＣＨ＝ＣＨ−が存在し、炭素同
素環式項八が非置換であるか、又は非置換若しくは置換
低級アルキル基、場合によりエステル化又はエーテル化
されたヒドロキシ基、ニトロ基及び／又は場合により置
換されたアミノ基を置換基として含んでいるが、ＲＡが
式−（ＣＩ＞）ｍ−（式中ｍは１である）の基を表し、
Ｒ１が氏ＣＨ（Ｒ＋）−の基を表し、Ｒ４が水素であり
、］ン２がヒドロキソメチル基であり、Ｒ・がエチル基
であり、Ｒ４が水素である場合には、炭素同素Ｉ！式Ｉ
Ｊ！Ａが非置換であり、Ｒ１が式ニー（ＣＨ，）□−（
式中ｍは１である）の基を表し、Ｒｂが式ニーＣＨ（Ｒ
＋　）−の基を表し、Ｒ４がエチル基であり、Ｒ７がヒ
ドロキンメチル基であり、Ｒ，及びＲ４がそれぞれ水素
である場合には、炭素同素［９式環Ａが非置換であり、
Ｒ９が式−（ＣＨ２）ｍ−（式中ｍはｌである）の基を
表し、Ｒｂが式：　−ＣＩＩ（Ｒ７）−の基を表し、Ｒ
１が水素であり、Ｒ２がメトキシカルボニル基又はンア
ノ基を表し、Ｒ１及びＲ４がそれぞれ水素である場合に
は、炭素同素環式項八が非置換である式（１）で表さね
、エピマー混合物、純粋なエピマー、ラセミ混合物、ラ
セミ化合物、光学対掌体、シス　及びトランス−異性体
の混合物、純粋なシス−又はトランス−異性体、Ｎ−オ
キシド又は塩、特ｃ二酸付加塩、殊に医薬に使用しうる
無毒性の酸付加塩として存在するか、又は第四級アンモ
ニウム化合物又はその塩として存在する化合物に関する
。

本発明は特に、Ｒａ　、Ｒｈ及びｍ及び式ニー　（Ｒゎ
−Ｒａ）−の基が前記のものを表し、Ｒ２が水素、低級
アルキル基、ヒドロキシ基、ハロケン、アロイルオキシ
基、低級アルカノイルオキシ基、低級アルコキシ基、フ
ェニル低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、アミン
基、Ｎ−低級アルキルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキ
ルアミノ基、低級アルキレンアミノ基、オキサ低級アル
キレンアミノ基、チア低級アルキレンアミノ基、アザ低
級アルキレンアミノ基（アザ窒素環子は非置換又は低級
アルキル基で置換されていてもよい）又は低級アルカノ
イル７ミノ基を表し、Ｒ２がヒドロキシメチル基、アロ
イルオキシメチル基、ヘンセンスルホニルオキソメチル
基、カルボキシ基、低級アルコキシカルホニル基、ヒド
ロキソ低級アルコキンカルボニル基、低級アルコキシ−
低級アルコキシカルボニル基、ハ、ロゲン化低級アルコ
キノ力、、ボユ、５基、アミノ、低′１級アルヨキシヵ
ルボユル基、低級アルキルアミノ−低級アルフキ／カル
ボニル基、ジ低級アルキルアミノ−低級アルコキノカル
ボニル基、低級゛チルキレンアミノー低級アルコキシカ
ルボニル基、オキサ低級アルキレンアミノ低級アルコキ
シカルボニル基、チア低級アルキレンアミノ−低級アル
コキンカルボニル基、又はアザ低級アルキレンアミノ−
低級アルコキシカルボニル基（アザ窒素原子は非置換又
は低級アルキル基で置換されていてよい）、低級フルキ
ルチオカルボニル基、場合により低級アルキル基若しく
は低級アルコキシ基で１〜３個置換されているシクロア
ルキルオキンカルポニル基、ヘンゾフラニルオキノ力ル
ボニルＬ１．３−ジヒドロ−４−オキソ−３−イソヘン
ヅフラニルオキソヵルボニル基、カルバモイルＭ、Ｎ−
低級アルキルカルハモイル基、＼、Ｎ−ジ低級アルキル
カルバモイル基、低級アルキレン了ミノカルボニル基、
オキサ低級アルキレンアミノカルボニル基、チア低級ア
ルキレンアミノカルボニル基又はアザ低級アルキレンア
ミノカルボニル基（アザ窒素原子は非置換又は低級アル
キル基で置換されていてよい）、ヒドラジノカルボニル
基、Ｎ、Ｎ’−低級アルキルヒドラジノカルボニル基、
Ｎ、Ｎ′−低級アルカノイルヒドラジノカルボニル基、
場合によリフＬニル部分が低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、ハロゲン及び／又はニトロ基で置換されたＮ、
Ｎ’−ヘンジイルヒドラジノカルボニル基、Ｎ、Ｎ’−
ニコチノイルヒドラジノカルボニル基、又はシアノ基を
表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水素又は低級フルキル基
を表し、炭素同素環式項八が非置換であるか又は低級ア
ルキル基、ハロゲン化低級アルキル基、ヒドロキシ低級
アルキル基、低級アルコキシ低級フルキル基、ヒドロキ
シ基、低級アルコキシ基、フェニル低級アルコキシ基、
低級アルキリデンジオキシ基、低級アルキレンジオキシ
基、ハロゲン、低級アルカノイルオキシ基、ニトロ基、
アミノ基、Ｎ−低級アルキルアミノ基、Ｎ。

Ｎ−ジ低級アルキルアミノ基、低級アルキレンアミノ基
、オキサ低級アルキレンアミノ基、チア低級アルキレン
アミノ基、アザ低級アルキレンアミノ基（アザ窒素原子
は非置換又は低級アルキル基で置換されていてよい）、
及び低級アルカノイルアミノ基をそれぞれ、１〜３個置
橡基とにで含むがＲｏが式−（Ｃｌｌ、）ｍ　　（式中
ｍは１である）の基を表し、Ｒｂが式−ＣＨ（Ｒ１）−
Φ基を表し、Ｒ１が水素であり、Ｒ２がヒドロキソメチ
ル基であり、Ｒ３がエチル基であり、Ｒ４が水素である
場合には、炭素同素環式項八は非置換であり、Ｒ１が式
−（ＣＨ２）ｍ　　（式中ｍはｌである）の基を表し、
Ｒｈが式−ＣＨ（Ｒ１）−の基を表し、Ｒ１がエチル基
であり、Ｒ２がヒドロキンメチル基であり、Ｒ３及びＲ
４がそれぞれ水素である場合には、炭素同素環式項八は
非置換であり、Ｒａが式（ＣＨ２）ｍ　　（式中ｍはｌ
である）の基を表し、Ｒ５が式−ＣＨ（Ｒ１）−の基を
表し、Ｒｏが水素であり、Ｒ２がメトキシカルボニル基
又はシアノ基を表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水素であ
る場合には、炭素同素環式１！Ａは非置換である式（１
）で表され、エピマー混合物、純粋なエピマー、ラセミ
混合物、ラセミ化合物、光学対掌体、ソス及びトランス
−異性体の混合物、純粋なシス−又はトランス−異性体
、Ｎ−オキシド又は塩、特に酸付加塩、殊に医薬に使用
しうる無毒性の酸付加塩として存在するか、又は第四級
アンモニウム化合物又はその塩として存在する式（１）
の化合物に関する。

本発明は特に、Ｒａ、Ｒｂ及びｍ及び式：（Ｒｂ　　Ｒ
ａ）−の基が前記のものを表し、Ｒ１が水素、ヒドロキ
シ基、低級アルコキシ基、アロイルオキシ基、低級アル
カノイルオキシ基、アミノ基、Ｎ−低級アルキルアミノ
基、Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキルアミノ基又は低級アルカノ
イルアミノ基を表し、Ｒ２がヒドロキシメチル基、アロ
イルオキシメチル基、カルボキシ基、低級アルコキシカ
ルボニル基、低級アルコキン−低級アルコキシカルボニ
ル基、低級アルキルチオカルボニル基、ジ低級アルキル
アミノ−低級アルコキンカルボニル基、カルバモイル基
、Ｎ−低級アルキルカルハモイル基、ヒドラジノカルボ
ニル基、Ｎ、Ｎ”−へンゾイルヒドラシノカルポニル基
、Ｎ、Ｎ’−ニコチノイルヒドラジノカルボニル基又は
７７ノ基、又はＮ、　　Ｎ　　ジ低級アルキル−カルバ
モイル基を表し、Ｒ１及びＲ４がそれぞね７水翠又４．
を低級アルキル基を表し、炭素同素環式項八が非置換又
は低級アルキル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシ
基、４［１アルコキシ基、フェニル低級アルコキシ基、
低級アルキレンジオキノ基、ハロノＴ゛ン、低級アルカ
ノイルオキン基、ニトロ基、アミン基及び／又は低級ア
ルカノイルアミノ基でそれぞれ１〜３個置換されていて
よく、その際低級アルコキシ基、低級アルキル基、低級
アルカノイル基及び低級アルカノイルアミノ基がそれぞ
れ４個以下の炭素原子を有するが、Ｒａが式−（ＣＨｙ
）ｍ−（式中ｍは１である）の基を表し、Ｒ１が式；−
ＣＨ（Ｒ１）−の基を表し、Ｒ７が水素であり、Ｒ２が
ヒドロキノメチル基であり、Ｒ１がエチル基であり、Ｒ
４が水素である場合には、炭素同素環式項八は非置換で
あり、Ｒａが式−（ＣＩ　７猜−（式中用は１である）
の基を表し、Ｒ６が式ＣＨ（Ｒ１）−の基を表し、Ｒ１
が水素であり、Ｒ９がメトキンカルボニル基又はシアノ
基を表し、Ｒ３及びＲ４がそねぞれ水素である場合には
、炭素同素環式項八は非置換である式（１）で表され、
エピマー混合物、純粋なエピマー、ラセミ混合物、ラセ
ミ化合物、光学対掌体、シス−及びトランス−異性体の
混合物、純粋なシス−又はトランス−異性体、Ｎ−オキ
シド又は塩、特に酸付加塩、殊に医薬に使用しうる、無
毒性の酸付加塩として存在するか、又は第四級基が低級
アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基、ハロゲン化低
級アルキル基、フェニル低級アルキル基又はフェノキシ
低級アルキル基である第四級アンモニウム化合物又は　
。

その塩として存在する化合物に関する。

本発明は特に、Ｒａ、Ｒｂ及びｍ及び式：（Ｒｂ　　Ｒ
ａ）−の基が前記のものを表し、Ｒ７が水素、ヒドロキ
シ基、ヘンジイルオキシ基、低級アルカノイルオキシ基
又はアミノ基を表し、Ｒ２がヒドロキンメチル基、芳香
核部分が場合により低級アルキル基、低級アルコキシ基
、ハロゲン、又は官能基で変形されたカルボキン基で置
換されたヘンゾイルオキノメチル基、カルボキノ基、低
級アルコキノカルホニル基、例えばメ［キ、／カルボニ
ル基又はエトキノ力ルボニル基、低級アルコキシ−低級
アルコキンカルボニル基、例えばメトキノ−メトキノカ
ルボニル基、低級アルキルチオカルボニル基、例えばエ
チルチオカルボニル基、カルバモイル基、ヒドラジノカ
ルボニル基　ソ、はシアノ基を表し、Ｒ３及びＲ４がそ
れぞれ水素又は低級アルキル基を表し、炭素同素環式項
八が非置換であるか又は好ましくは８位及び／又は９（
存が低級アルキル基、例えばメチル基、ヒドロキン基、
低級アルコキノ基、例えばメトキノ基、〕−二ルー低級
アルコキキノ、例えば、ヘンシルオキシ基、低級アルキ
レンジオキ７基、例えばメチレンジオキン基及び／又は
ハロゲン、例えば臭素で置換されており、その際低級ア
ルキル基及び低級アルコキノ基がそれぞれ４１１１ｉ１
以下の炭素原子を有するが、Ｒ２が式−（ＣＨ２）ｍ　
　（式中ｒｎ、よｌである）の基を表し、Ｒ６が式−Ｃ
Ｈ（Ｒ１）−の法を表し、Ｒ５が水素であり、Ｒ２がヒ
トロキノメチル基であり、Ｒ３がエチル基であり、Ｒ４
が水素である場合には、炭素間＃環式項へは非置換であ
り、Ｒａが式−（ＣＨ＋　）ｍ−（式中ｍはｌである）
の基を表し、Ｒｈが１（−ＣＩ　（Ｒ＋　）−の基を表
し、Ｒ＋が水素であり、Ｒ２がカルボメトキシ基又はン
アノ基を表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水素である場合
には、炭素同素環式項へは非置換である式（１）で表さ
ね、エピマー混合物、純粋なエピマー、ラセミ混合物、
ラセミ化合物、光学対掌体、シス−及びトランス−異性
体の混合物、純粋なシス−又はトランス−異性体、Ｎ−
オキシド又は塩、特に酸付加塩、殊に医薬に使用しうる
無毒性の酸付加塩として存在するか、又は第四級基が低
級アルキル基又はフＪ、ニル低級アルキル基である第四
級アンモニウノ、化合物又はその塩として存在する化合
物に関する。

本発明は特に、Ｒａかに−（ＣＨ２）ｍ　　（式中ｍは
ｌを表す）の基を表し、Ｒ１が式ニーＣＨ（Ｒ１）−の
基を表し、、Ｒ１が水素、ヒドロキン基、ヘンゾイルオ
キン基又はアセチルオキシ基を表し、Ｒ２がヒドロキソ
メチル基　場合により低級アルキル基　例えばメチル基
、又は低級アルコキシ基、例えばメトキシ基又はカルボ
キノ基で置換されたヘンヅイルメチル基、例えば３．４
゜５−トリメトキンヘンジイルメチル基、カルボキノ基
、低級アルコキンカルボニル基、特にメトキノカルボニ
ル基又はエトキンカルボニル基、低級アルコキン−低級
アルコキシカルボニル基、例えばメトキン−メトキシカ
ルボニル基、低級アルキルチオカルボニル基、例えばエ
チルチオカルボニル基、カルバモイル基又はンアノ基を
表し、Ｒ。

が水素又は低級アルキル基を表し、Ｒ４が水素を表し、
炭素同素環式ｙＪＡが非置換であるか、又は８位及び／
又は９位がヒドロキシ基又は低級”アルコキシ基、例え
ばメトキシ基、メチレンジオキー／基及び／又はハロゲ
ン、例えば臭素で置換されており、Ｉｌｂ位の水素原子
及び基Ｒ・、特Ｃ：エチル基が相互にトランス−配置又
は好ましくは一／スー配置で存在する力５、Ｒａが式：
　　　（ＣＩ＞）ｍ＝、す （式中ｍはｌである）の基を表し、Ｒｂが式ニーＣＩ　
（Ｒ＋　）−の基を表し、Ｒ１が水素であり、Ｒ２がヒ
ドロキシメチル基であり、Ｒ３がエチル基であり、Ｒ４
が水素である場合には、炭素同素環式ｙＪＡは非置換で
あり、Ｒａが式−（ＣＨ２）、ｎ−（式中ｍはｌである
）の基を表し、Ｒｂがヱ（−ＣＩ　（Ｒ＋　）−の基を
表し、Ｒ１が水素であり、Ｒ２がメトキシカルボニル基
又はンアノ基を表し、Ｒ３及びＲ４がぞれぞれ水素であ
る場合には、炭素同素環式項へは非置換であ７１式（１
）で表され、エピマー混合物、純粋なエピマー、ラセミ
混合物、ラセミ化合物、光学対掌体、ソスー及びトラン
ス−異性体の混合物、純粋なシス＝又はトランス−異性
体、Ｎ−オキノド又は塩、特に酸付加塩、殊に医薬に使
用しうる、無毒性の酸付加塩として存在するか、又は第
四級基が低級アルキル基、例えばメチル基である第四級
アンモニウム化合物又はその塩として存在する化合物に
関する。

本発明は特に、Ｒａが式　（ＣＬＩｙ）ｍ（式中ｍはｌ
である）の基を表し７、Ｒ，が式−ＣＨ（Ｒ１）−の基
を表し、Ｒｏが水素、ヒドロキソ基、低級アルカノイル
オキソ基、例えばアセチルオキシ基、又はアセチルオキ
シ基、例えばへ、ンゾイルオキソ基を表し　Ｒ２がカル
バモイル基、カルボキノ基又は低級アルコキノカルボニ
ル基１例えばメトキノカルボニル基を表し、Ｒ３が低級
アルキル基、例えばエチル基を表し、Ｒ４が水素を表し
、炭素同素環式環Ａが未置換であるか、又は８位及び／
又は９位がハロゲン、例えば臭素で置換されており、ｌ
ｌｂ位の水素原子及び基Ｒ５、特Ｃコニ千ル基が相互に
トランス−配置又は好ましくはノフ配置で存在し、ヒド
ロキシ基Ｒ＋が、１ｌｂ（＋７に存在する水素原子及び
低級アルキル基Ｒ１、特−二エチル基によって形成され
るシス−配置にり」してスレオ−形又は好ましくはエリ
スロー形で存在する式（＋）で表され、エピマー混合物
、純粋なエピマー、ラセミ混合物、ラセミ化合物、光学
な４７体又は塩、特に酸付加塩、殊に医薬に使用しろろ
無毒性の酸付加塩として存在する化合物に関する。

本発明は、特に、実施例に記載した式（＋１の新規化合
物又はその塩、特に酸付加塩、殊巳こ医〒に使用しうる
無毒性の酸付加塩に関する。

式（１）の新規化合物は自体公知の方法で製造される。

例えば、式（■）： ３ 〔式中Ｘ、は水素又は脱離可能で、水素で置換されうる
置換基又は低級アルキル基を表し、場合によりヒドロキ
シ基及び／又はアミノ基は脱離可能で、水素で置換され
うる基で置換されるが、少なくとも×１は脱離可能で、
水素で置換されうる基を表すか、又は少なくともヒドロ
キシ基及び／又はアミノ基は脱離可能で、水素で置換さ
れうる基で置換されている〕の化合物又はその塩中の、
水素とは異なる基Ｘ、及び／又はヒドロキン基及び／又
はアミノ基を置換している、脱離可能で、水・；、′１
．：・ 素で置換されうる置換基を脱離させ、水素で置換し、必
要に応して、式（１）の（７られた化合物を式（１）の
他の化合物に変え、及び／又は姑要に応して、得られた
ラセミ混合物をラセミ化合物に分割するか、又は（すら
れたラセミ化合物を九′″ｆ′々１７体に分割するか、
又は得られたシスー異１斗体及びトランス−異性体の混
合物を純粋なソスー異性体又はトランス−異性体に分割
ずろか、又は得られたエピマー混合物を純粋なエピマー
に分割し及び／又は必要に応して、式（１）の得られた
化合物を塩に変えるか、又は得られた塩をｔｆＭ化合物
又は他の塩に変えることによって得ることができる。

基Ｘ＋　又はヒドロキノ基及び／又はアミノｌ存在する
置換基（このようなヒドロキン基及び／アミノ基が一緒
に２価の置換基で置換されていてもよい）の脱離は、加
溶媒分解、例えば加水分解、アルコ−リンス、又はアン
ドーリソス、又は水素添加分解を含めて還元によって行
う。

特に適当な脱離可能の基Ｘ、又はヒドロキー／保護基及
び／又はアミノ保護基は、第一に水素添加分解ご脱離し
うるα−アリール低級アルキル基、例えば場合により置
換された１−ポリフェニル低級アルキル基又はｌ−フ丁
ニル低級アルキル基であり（その際置換基、特にフェニ
ル基の置換基は例えば低級アルキル基、例えばメチル基
、又は低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、又はハロ
ゲン、例えば塩素又はトリフルオロメチル基であってよ
い）、特にヘンシル基である。ヒドロキノ保護基及び／
又はアミ７ノ保護基は、加溶媒分解、例えば加水分解又
はテント−リンス、更に水素添加分解を含めて還元によ
り脱離し７；）る基、特Ｍ相応するアシル基、例えば有
機カルボン酸のアシル基、例えば低級アルカメイル埜、
例えばアセデル基、又はアロイル基、例えばヘンジイル
基、更に炭酸の！ｌ（エステルのアシル基、例えば低級
アルコキンカルボニル基、例えばメトキノカルボニル基
、エトキシカルボニル基又は＋ｅｒＬ−ブチルオキ／カ
ルボニル基、２−ハト１ゲン低級アルコキンカルボニル
基、例えば２．２．１−１−リクロロエトキ７カルボニ
ル基又は２−ヨー１−エトキシカルボニル基、場合によ
り置換された１−フェニル低級アルコキノカルボニル基
、例えばヘンシルオキソカルボニル基又はジフェニルメ
トキンカルボニル基、又はアロイルメトキノカルボニル
基、例えばフェナ／ルオキシカルボニル基、更に場合に
より置換された１−ボリフＬニルー低級アルキル基（置
換基、特にフェニル部分の置換基は例えば前記のものを
表す）及び特にトリチル基を表してもよ（×。

は加溶媒分解、例えば加水分解又はア／Ｆ−リ、／スＣ
二より脱離しうる基として、炭酸の半エステルの基、例
えば低級アルコキノカルボニル基、メトキノカルボニル
基又はエトキノカルボニル基、又は有機スルホン酸の基
、例えばアリールスルホニル基、例エハヘンゼンスルホ
ニル基又はｐ−）ルエンスルホニル基を表す。ヒドロキ
ノ基及び／又はアミノ基を一緒に置換する２はの基は、
特に水素添加分解により脱離しうる基、例えば場合４二
より置換されたｌ−フェニル−低級アルキリテン基（置
換基、特にフェニル部分の置換基は例えば低級アルキル
基又は低級アルコキン基であ−ってよい）及び特にヘン
ジリデン基、並びに加溶媒分解、特に加水分解により脱
離しうる基、例えば低級アルキリデン基、例えばメチレ
ン基又はイソプロピリデン基、又は１−フェニル−低級
アルキリデン基（そのフェニル部分は場合により低級ア
ルキル基、例えばメチル基、又は低級アルコキン基、例
えばメトキシ基で置換されている）、特にヘンジリデン
基、又はシクロアルキリデン基、例えばシクロベンチリ
デン基又はシクロへキノリデン基である。

塩の形で使用しうる出発原料は、特に酸付加塩、例えば
ｔ酸との付加塩及び有機酸との付加塩の形で使用する。

水素添加分解により脱離しうる基Ｘ、並びにこの場合に
ヒドロキシ基及び／又はアミノ基を置換する、この種の
基、特に置換されたｌ−フェニル低級アルキル基、更に
適当なアソル基、例えば場合により置換された１−フ丁
、Ｊ−ル低級アル２キンカルボニル基、並びにヒドロキ
ン基及び／又はアミノ基に一緒に存在する、場合により
置換された１−フェニル低級アルキリデン基は触媒で活
性化した水素、例えばニッケル触媒、例えばうＺ−・ニ
ッケル、又４；ｔ　適当な貴金属触媒の存在で＋卑で処
理することによって脱離することができろ。

加水分解により脱離しうる基×１４トびに二の場合にヒ
１０キソ基及び／又はアミノ基を置換するこの種の基、
例えば有機カルボン酸のアノル基、例えば低級アルコキ
ンカルボニル基、更に例えばトリチル基並びにヒドロキ
シ基及び／又はアミノ基を一緒に置換する低級アルキリ
デン基、ｌ−フェニル低級アルキリデン基又はツクｔコ
アルキリデン基は、このような基の種類に応して、酸性
又は塩基性条件下に、例えば鉱酸、例えば塩化水素酸又
は硫酸、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物
又はｄｔ酸塩、又はアミン　例えばイソプロピルアミン
の存在で水で処理することによって脱離することができ
る。

アット−リンスにより脱離しうろ基×１並びにヒドロキ
ン基及び／又はアミン基を置換する、この種の基は、特
に炭酸の半エステルのアソル基、□″１１ 例えばｔｅｒｔ−低級アルコキノカルボニル承、又はア
ミノ基及び／又はヒドロキシ基の置換基としては、場合
により置換されたジフェニルメトキシカルホニル基、更
にｔｅｒｔ−低級アルキル基、例えばｔｅｒｔ−ブチル
基である。これらの基は適当な強有機カルボン酸、例え
ば場合によりハロゲン、特に弗素で置換された低級アル
キルカルボン酸、特にトリフルオロ酢酸（必要に応して
、活性化剤、例えばアニソールの存在で）及びギ酸で処
理することにより脱離することができる。

還元により脱離可能で、ヒドロキシ基及び／又はアミノ
基を置換する、この種の基とは、化学的還元剤（特に還
元性金属又は還元性金属化合物）で処理する随に脱離さ
れる基をも意味する。このような基は、特に２−ハロゲ
ン低級アルコキシカルボニル基又は了り−ルメトキシ力
ルポニル基であり、これらの基は例えば、通當、ギ酸又
は酢酸のような有機カルボン酸及び水の存在で、還元性
重金属、例えば亜鉛、又は還元性重金属塩、例えばクロ
ム（ＩＩ）塩、例えば塩化クロム（Ｉｌｌ）又は酢酸ク
ロム（ｎ）で処理して、脱離することができる。

ヒドロキシ基及び／又はアミノ基に存在する保護基は、
前記方法で脱離可能で、水素で置換されうる前記基に相
当し、このような基を前記処理の進行中に他の基と同時
に脱離するか、又は後に別の処理手段で脱離する。

前記反応は、ｊＬ？；、溶剤又は溶剤混合物の存在で実
施し、その際適当な反応成分を同時に溶剤として作用さ
せることもでき、必要に応して冷却又は加熱下に、例え
ば開放又は密閉容器中で及び／又は不活性ガス、例えば
窒素の雰囲気中で実施する。

式（ＩＩ）の出発原料は、自体公知の方法により製造す
ることができる。式−（Ｒｂ　　Ｒａ）−の基の代わり
に、式−ＣＨ＝ＣＨ−の基が存在する式（ロ）の出発原
料は、書法で、式（１’ｌａ）：の化合物を式（Ｉｌｂ
）： １ ３ のアルデヒド又はその反応性誘導体、アルデヒド基がシ
リル化された形で存在し、例えば式（Ｉｌ’ｃ）（Ｒ５
）　３　Ｓｉ　　Ｏ−（ＣＨ）　　　　　（ＩＩ　ｃ）
ＩＩ 〔式中Ｒ５は低級アルキル基、例えばメチル基を表す〕
の基に相当し、ヒドロキソ基が好ましくは反応性の、エ
ステル化された形で、例えば無機酸、例えばハロゲン水
素酸、又は有機酸、例えばｐ−トルエンスルホン酸との
エステルの形で存在し、従って例えば、臭素又はｐ−ト
ルエンスルホニルオキシ基として存在する誘導体と、適
当な溶剤、例えば極性の強い、非プロトン性の溶剤、例
えばジメチルホルムアミド中で塩基性試薬、例えばアミ
ン、例えばエチル−ンイソプロピルアミンの存在で反応
させて、式（Ｉｌｄ）： く ３ の化合物を生成させ、こうして得られた化合物を式（口
ｅ）　： 〔式中ｔｌａｌ　はハロゲン、例えば塩素を表し、Ｒ’
）は場合によりエステル化又はアミド化されたカルボキ
シ基、例えば低級アルコキノ力ルボニル基、カルバモイ
ル基又はンアノ基を表す］の化合物と塩基、例えばアル
カリ金属低級アルコキシド又は水素化物、例えばカリウ
ムｔｅｒｔ−ブトキント又は水素化ナトリウムの存在で
、ヒイティヒ反応の条件下に反応させて、式−（、Ｒｂ
−Ｒａ）−の基の代わりに式−ＣＨ＝ＣＨ−の基が存在
し、Ｒ’２が前記のものを表す式（ＩＩ）の化合物にす
ることによ−て得ることができる。

式（Ｉｌｄ）のアルデヒドを適当な不活性溶剤、例えば
ヘンゼン又はテトラヒドロフラン中でリフオーマトスキ
ー（Ｒｅｆｏｒｍａｔｓｋｙ　）反応の条件下で亜鉛の
存在で式（Ｉｌｆ）： Ｒ’２　　ＣＨ２−１１ａｌ　　　　　　　（Ｉｆ　ｆ
　）〔式中）１ａ＋はハロゲン、特に臭素を表す〕の化
合物と反応させ、反応生成物を加水分解して式％式％）
： の化合物にし、これを脱水して、基−Ｒｂ　　Ｒａの代
わりに、基−ＣＨ＝　ＣＨ−が存在し、Ｒ２が前記のも
のを表才式（１１）の化合物を製ｌ告１ｚ１ように、行
うこともできる。

Ｒａ及び１ン、が基−Ｃ）ｌ　＝　Ｃ：　Ｈ−ジノ外の
ｒｉｉｉ記のものを表ず代（［１）の出発原料は、例え
ば、式（）： ％式％ 〔式中ＭＯは酸の陰イオン、例えば過塩素酸の陰イオン
であり、Ｘ、は前記のものを表し、存在するヒドロキン
基及び／又はアミノ基に関し、では前記の置換基及び条
件が該当する〕の化合物において、ＩｉＣ及びＤに共通
の二重結合を例えば水素添加触媒、例えばパラジウム付
活性炭触媒の存在で水素を用いて、又は水素化物、例え
ばジボラン、又は硼水素化ナトリウム、又はジ軽金属水
素化物、例えばりチウム−トリーｔｅｒｔ−ブトキンア
ルミニウムヒドリドを用いて炭素−窒素中結合に還元す
る方法で（ｑることができる。この場合、存在する他の
二重結合が作用を受けないように、例えば水素消費９の
容量調節又は前記還元剤の相応する配合及び還元の適時
の停止によって、配慮すべきである。

式（ＩＩＩ）の出発原料は、例えば下記の反応によって
製造することができる。

式（Ｉ［ｌａ） １ の化合物を例えば、触媒で活性化した水素、例えばニッ
ケル触媒、例えばラネー・ニッケルの存在で水素を用い
て、好ましくはアンモニアの存在で還元して式（［ｌｂ
） のトリプタミン誘導体にし、これをＫ（［Ｉｃ）：）１
０−−Ｃ）Ｉ２−　ＣＬ　　−Ｃｌｌ−ＣＯＯＨ（ｍｒ
、　）３ の化合物又はその反応性誘導体、例えば、」内当な縮合
剤、例えば無水塩化亜鉛の存在ご２（＋７が場合により
低級アルキル化、例えばエチル化さねた式％式％）： のγ−ブチロラクトン及び塩化チオニルから常法で得ら
れる式（ｆｉｌｅ）： ３ の相応する４−クロロブチリルクロリドと反応さ仕て氏
＜ｍｒ＞： の化合物を生成させ、この化合物を審決で、例えば縮合
剤、例えば酸性縮合剤、例えばオキシ塩化燐の存在で実
施する閉環縮合によって式（Ｉ［１ｇ）の化合物に変え
、更に塩基、例えばアルカリ金属水酸化物、例えば水酸
化ナトリウムで処理して式（）： の化合物を製造し、この化合物を式（［［ｌｉ）：１ のアクリル化合物と反応させて、Ｒａが−ＣＴｏ　−の
基を表し、ＰＩ及びＲ”２が前記のものを表す式（ＩＩ
Ｉ）の化合物を生成させる。

これらの反応は自体公知の方法で行われイ）。

式（口のｆｉ規化合物は、同様に、式（１〜″）；′烏 〔式中Ｍ−は酸の陰イオン、例えば過塩１酸の陰イオン
を表し、基ンＣ＝Ｘは基ンＣ−８又は”：：ＣＮ３を表
し、Ｒ′、はＲ２と同しものを表すか又は保護基で保護
された、還元により遊湘ヒト「１キシ基に変換しうるヒ
ドロキシ基を表すか、又はＲ’＋　は低級アルケニル基
を表すか、又は場合により基−ＣＨ（Ｒ′、　）−の代
わりに、式（ｒＶａ）：＼Ｃ＝　ＣＨＲ’＋　　　　　
　　　　（ＩＶ　ａ　）（式中Ｒ″１　は水素又は炭素
原子数が１調歩ない低級アルキル基を表す）の基を表す
か、又は式−ＣＩ　（Ｒ’＋　）　　Ｒａ−の基の代わ
りに式（ＩＶｂ）−ＣＨ＝　Ｃ，＋１−　　　　　　　
　　　（ｒＶ　ｂ　）の基を表し、Ｒ′４は水素又は低
級アルケニル基を表才〕の化合物中のＩＣ及びＤに共通
の二重結合を炭素−窒素単結合に還元し、場合により存
在する低級アルケニル基Ｒ′１及び／又はＲ′４を低級
アルキル基Ｒ１及び／又はＲ４に還元し、及び／又は場
合により式（ｒＶａ）の基を式−ＣＨ（Ｒ１）−の基に
還元し、及び／゛又は場合により式（ＩＶｂ）の基を式
（ｌＶｃ）： ＣｌＩ２−ＣｌＩ２−、（ＩＶ　ｃ　）の括に還元し、
及び／又は環Ｃ中に場合により存在する二重結合を炭素
−炭素中結合に還元し、及び／又は場合により存在する
基ンＣ＝Ｓを基、ＣＨ，に還元し、ヒドロキソ基及び／
又はアミノ基に場合により存在し、還元条件下に脱ｆｉ
ｉｌｆｉＪ能で、水素で置換されうる保護基を脱離させ
、水素で置換し、必要に応じζ、最初の方法に続いて記
載した後処理工程を実施する、ことにより得られる。

低級アルケニル基Ｒ−＋又はＲ′４は７個以下、好まし
くは４個以下の炭素原子を有し、例えばビニル基、２−
メチルビニル基、アリル基又は２　メチルアリル基であ
る。

ヒドロキソ基及び／又はアミン基に場合によめ存在し、
この還元法の条件Ｆに脱離され、水素で置換されうる基
は、例えば、×１及びヒドロキノ基及び／又はアミン基
に関して挙げた、ｉ１元Ｃ二２Ｆり脱離可能で、水素で
置換されうる基、例えば、α−アリール低級アルキル基
、例えば１−フェニル低級アルキル基、例えばヘノジル
基であり、ヒドロキソ基及び／又はアミノ基を一緒に置
換する基は例えばフェニルエチリデン基、前記種類の基
であり、例えばヘンジリデン基を表す。

ＩＩＣ及びＤに共通の二重結合及び／又は低級アルケニ
ル基Ｒ′＋及び／又はＲ′４又は式（ｒＶａ）Ｍは（ｒ
Ｖｂ）の基並びに場合により環Ｃに存在する二重結合の
還元、及び／又は基＞Ｃ−＝　Ｘが基ンＣＩｔ２を表す
場合、場合によりヒドロキノ基及び／又はアミノ基（イ
ンドールの窒素原子を含めて）に存在する保護基の脱離
は、自体公知の方法で、例えば触媒で活性化された水素
、例えば、適当な水車添加触媒、例えば二、ケル触媒、
白金触媒又はパラジウム触媒の存在で水素で処理するこ
とによって行うことができ、その際場合により存在する
水素添加分解で脱離されうる保護基を同時に脱離させ、
水素で置換する。或いは、適当なヒドリド還元剤、例え
ばジボラン、又はアルカリ金属硼水素化物、例えば硼水
素化ナトリウムを用いて操作する。基；Ｃ＝Ｘが基ンＣ
Ｈ，を表す場合に、ＪＩＣ及びＤに共通の二重結合を還
元するには、更にジ軽金属ヒドリド、例えばリチウムア
ルミニウムヒドリド、特にリチウム−トリーｔｅｒｔ−
ブトキシアルミニウムヒドリトが該当する。

ヒドリド還元剤を使用する場合、カルボン酸の酸素に結
合したアシル基、例えば酢酸の残基を同し操作工程で脱
離させることもできる。この方法を実施する、特に接触
還元を実施する場合、他の基に作用しないように、例え
ば水素消費量容量調節及び還元の適時の停止、又は還元
剤の相応する配合によって、配慮すべきである。

式（ＩＶ）の出発原料において基＞Ｃ＝　Ｘが基；Ｃ＝
Ｓを表す場合には、この基を基ンＣＨ２に還元すると同
時に、ＩＩＣ及びＤに共通の二重結合の炭素−窒素単結
合への還元、笈び場合により存在する式（ＩＶａ）又は
（ｒＶｂ）の基及び場合により存在する低級アルキレン
基Ｒ′、及び／　又’、’Ｌ　Ｒ′４及び環Ｃに場合に
より存在する二重結合の還元を密性で水素添加作用も、
脱硫作用も有する触媒、例えば、ラネー二、ケルの存在
で水素を用いて行う。これらの還元は常法で、例えば開
放又は密閉容器中で場合により不活性ガス雰囲気、例え
ば窒素雰囲気下に適当な溶剤中で、約−１０’ｃ〜約−
１００℃の温度範囲で実施する。

式（ＩＶ）の出発原料は自体公知の方法で製造すること
ができる。例えば、式（［１）の化合物の製造のため記
載した反応工程（ＩＩｌｂ）〜（Ｉｌｌｈ）と同様にし
て（基ンＣ＝　Ｘは基；ＣＨ２を表す）、下記のように
実施することができろ： 例えば、式（ｒＶｄ）： 〔式中Ｘ２は低級アルキル基又は加溶媒分解、例えば加
水分解で脱離可能で、有機スルホン酸から誘導される適
当な基、例えばアリールスルホニル基、例えばｐ−）ル
エンスルホニル基、又は炭酸の半エステルの基、例えば
低級アルコキシカルボニル基、例えばｔｅｒ　ｔ−ブト
キシカルボニル基を表す〕のトリプタミン化合物を、例
えば無水塩化亜鉛の存在で２位が場合により低級アルキ
ル化、例えばエチル化された式（Ｉ［Ｉｄ）のＴ−ブチ
ロラクトン及び塩化チオニルから常法で得られる式（）
： せて、式（ｒＶｆ）： の化合物を生成させ、この化合物を常法で例えば縮合剤
、例えば酸性縮合剤、例えばオキシ塩化燐の存在で閉環
縮合させて、式（ｒＶｇ）：賃　　１ Ｉ の化合物に変え、この化合物を塩基、例えばアルカリ金
属水酸化物、例えば水酸化ナトリウムにより式（ｒＶｈ
）： を 貨３ の化合物に変え、場合により基×２を例えば塩基性媒体
中、例えばアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化ナトリ
ウムの存在で水を用いて脱離させた後、前記化合物を式
（ＩＶｉ）： を例えば前記のようにして脱離させ、水素で置換した後
、式（ＩＶ）の化合物を（ワる。この化合物を例えば緩
衝水溶液中で脱水素試薬、例えば空中の酸素で処理する
ことにより、場合により存在する脱離可能で、水素で置
換されうる基×２を例えば前記のようにして除去した後
、ＩＭＣに付加的二重結合を有する式（ＩＶ）の化合物
を得ることができる。

式（ＩＶ）の出発原料を製造する別法として、氏（ＩＶ
ｋ）： ３ 〔式中炭素同素環式項へを置換するヒドロキシ基及び／
又はアミノ基は好まし、くは保護された形、例えばアル
アルキル化、例えば１−フェニル低級アルキル化、例え
ばヘンシル化された形でｔｒど＋’、　−４る〕の化合
物を、例えば適当な金属有機化合物、例えば有機アルカ
リ金属アミド、例えばリチＱノＪ’、ジイソプロピルア
ミドと常法で反応させることＳ二より式（■ｋ”）： 噛 ３ の、対応するノアニオンとして存在する化合物に変え、
この化合物を式（ｌＶｉ）の化合物と反１．Ｔｈ、させ
て式（ｒＶｌ： の化合物を生成させ、引続き該化合物を前記のような適
当な縮合剤、例えば酸性縮合剤、例えばオキシ塩化燐を
用いて閉環縮合させ、その後場合により存在する保護基
を例えば加水分解により脱離させることによって式（Ｉ
Ｖ）の化合物にかえることもできる。これらの反応は自
体公知の方法で実施する。式（ｒＶａ）の基を含む式（
ｒＶ）の化合物は、例えば式（ＩＶｍ）： エステル化された形で、例えば無機酸又は有機酸、例え
ばハロゲン水素酸又は有機スルホン酸、例えばｐ−トル
エンスルホンさんとのエステルとして存在し、従って例
えばｐ−トシルオキシ基又は特に臭素を表す〕の化合物
を式（ＴＶｈ）の化合物と常法で、例えば弱酸性縁ｆｔ
ｉ熔液中で、例えば６，０〜６．８のｐＨで反応させる
ことによって得られる。

基〉ｃ　＝　、ｘが基〉Ｃ＝Ｓを表す式（ＩＶ）の出発
原料は、自体公知の方法で、例えば式（ＴＶｄ）のトリ
プタミン化合物を式（ｒＶｎ） アルカノール、例えばメタノールと反応させて式％式％
）： の化合物を生成させることによって製造することができ
る。反応は自体公知の方法で、開放又は密閉容器中でｉ
ｌ當ｉ角内当溶剤の存在で、例えば約＝１０℃〜約＋１
００℃の温度範囲で実施する。

引続き、得られた式（■０）の化合物（式中ヒドロキシ
基及び／又はアミノ基は場合により保護された形、例え
ば、前記のように、アシル化、例えば低級アルカノイル
化、例えばアセチル化又はアルアルキル化、例えばヘン
シル化された形で存在する）を酸化により式（ＩＶｐ）
： の化合物又はその塩に変え、場合により存在する保護基
を加水分解により、例えば前記のように脱離させる。

適当な酸化剤は、例えばｔｌｇ（ＩＩ）−塊、例えばｆ
ｉｇ（ＩＩ）−酢酸塩、更に次亜塩素酸、好ましくはそ
の適当な誘導体、例えばｔｅｒｔ−ブチルヒポクロライ
ドである。

こうして得られた式（ｒＶｐ）の化合物を引続き塩基、
例えばアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化ナトリウム
で処理して式（ｒＶｑ）：の化合物に変える。次に、こ
うして得られた化合物を式（ＩＶｉ）の化合物と、例え
ば前記のように反応させて式（ｒＶｒ）： の化合物をイキ成させ、これを次に適当な硫黄化合物、
例えば２．４−ビス−（４−メトキシフェニル）−２，
４−フチオキソ−１，３，２，４−ジチアジホスフエタ
ン〔ロオーソン（Ｌａｗｅｓｓｏｎ）試薬〕と反応させ
で、基〉Ｃ＝Ｘが基＞Ｃ＝　Ｓを表す式（ＩＶ）の化合
物に変える。この反応順序を変えて、式（ＩＶｑ）の化
合物を例えば前記のような適当な硫黄化合物、例えば前
記のロオーソン試薬により式（ＩＶｓ）： の化合物に変え、この化合物から例えば前記のように式
（ｌＶｉ）の化合物と反応させることにより基〉Ｃ＝　
Ｘが基＞Ｃ＝Ｓを表す式（ＩＶ）の化合物を得るように
実施することもできる。

式（ＩＶｂ）の基を含む式（ＩＶ）の出発原料は、割注
で、例えば式（ＴＶｄ）のトリプタミン化合物（式中ヒ
ドロキシ基及び／又はアミノ基は好ましくは例えば前記
のように保護された形、例えばα−アリール低級アルキ
ル基、例えばヘンシル基で保護されて存在する）を式（
ｒＶｔ）：例えばアセタール化された形で、例えばジ低
級アルキルアセタール、例えばジメチルアセタールとし
て存在し、カルボキシル基はエステル化された形で、例
えばエステル、例えば低級アルカノール、例えばエタノ
ールとのエステルとして存在し、−級ヒドロキシ基は反
応性″□のエステル化された形、例えば無機酸、例えば
塩酸とのエステル又は有機酸、例えばｐ−トルエンスル
ホン酸とのエステルとして存在し、従って例えば塩素、
−又はｐ−）ンルオキシ基を表す〕の化合物と反応させ
る。二とによって式（ｒＶｕ）： 幅 の化合物己二変え、この化合物を続いて閉環縮合Ｕて式
（ｌＶｖ）： に３ の化合物を生成させることもでき２）。

反応を縮合剤、例えば塩基、例えばヘテロ環式窒素塩基
、例えばイミダゾールの存在で、温度を高めて実施する
のか有利である。引続き、場合により保護された、例え
ばアセタール化されたアルデヒド基を酸性媒体、例えば
酢酸中で遊離アルデヒド基に変える。こうしζ（７られ
た式（ＴＶｖ）の化合物を次に式（ＩＶｗ）： 〔式中Ｈａｌ　はハロゲン、例えば塩素を表し、［γ２
は場合によりエステル化又はアミド化されたカルボキシ
基、例えば低級アルコキンカルボニル基又はカルバモイ
ル基を表す〕の化合物と、ウィティヒ反応の条件下で塩
基、例えばアルカリ金属低級アルコキシド、例えばカリ
ウムｔｅｒｔ−ブトキシドの存在で反応させて式（ｌＶ
ｘ）： ３ の化合物を生成させ、こうして得られた化合物を例えば
適当な縮合剤、例えば酸性縮合剤、例えばオキシ塩化燐
の存在で閉環縮合し、基×２及び場合により存在するヒ
ドロキシ基及び／又はアミノ基を脱離させ、例えば前記
のように水素で置換することによって、式（ＩＶｂ）の
基を含む式（ｒＶ）の化合物に変える。

この反応を常法で適当な溶剤中で、約−１０℃〜約＋１
５０℃の温度範囲で、場合により不活性ガス雰囲気で、
例えば窒素ガス下に行う。

基Ｒａ中のｍがゼロである式（ＩＶ）の出発原料は、常
法で式（ＩＶｙ）： の化合物を式（ＩＶｚ）： Ｒ＞　−ＣＨ２０Ｈ（ＩＶｚ） の化合物と反応させて式（ＩＶ）の化合物とすることに
よって得ることができる。

式（ＩＶｚ）の化合物中のヒドロキシ基は、反応性の、
エステル化された形で、例えば強い有機スルホン酸、例
えば脂肪族又は芳香族スルホン酸、又はハロゲン水素酸
とのエステルとして存在するのが有利であり、従って例
えばメタンスルホニルオキシ基又はｐ−）シルオキシ基
、更にハロゲン、特に臭素及び特に沃素を表す。基Ｒ２
は特に、前記種類のエステル化カルボキ、シ基、例えば
低級アルカノール、例えばメタノールでエステル化され
たカルボキシ基である。

反応は、常法で適当な溶剤、例えば不活性な、場合によ
り非プロトン性溶剤、例えばジメチルスルホキシド中で
、場合により更に別の不活性溶剤、例えば芳香族溶剤、
例えばトルエンを用いて、温度を高めて、例えば＋３０
℃〜＋１８０℃、好ましくは約＋７０〜＋１５０℃の範
囲で、好ましくは不活性ガス雰囲気、例えば窒素ガス下
に行う。

式（ＩＶｙ）の出発原料は、式（ｒＶｈ）の化合物から
基ｘ２を例えば加水分解により脱離させ、水素で置換す
ることによって得られる。これらの反応は自体公知の方
法で行う。

式（１）の新規化合物は、同様に、式（Ｖ）：３ 〔式中Ｘ３は低級アルキル基又は処理条件下に脱離可能
で、水素で置換されうる基を表し、ヒドロキシ基及び／
又はアミノ基は場合により保護され、例えば加溶媒分解
、例えば加水分解により脱離されうる形で存在する〕の
化合物を式（Ｖａ）：Ｘｏ−ＣＨ２−−Ｒ’２　　　　
　　　　（Ｖ　ａ）の基又は第四級の形、例えば第四級
ハロゲニド、例えばクロリドとして存在する式（Ｖｃ）
：１ （Ｒ５０）ｙ　＝Ｐ　　　　　　（Ｖｄ）（式中Ｒ５は
低級アルキル基、例えばエチル基を表す）の基を表すか
、又はＸｏはハロゲンを表し、ｋ′２は場合によりエス
テル化又はアミド化されたカルボキシ基を表す〕の化合
物と反応させ、得られた化合物を、同時に又は引続き脱
離可能で、水素で置換されうる基Ｘ３及び場合により存
在するヒドロキシ保護基及び／又はアミノ保護基を脱離
させるごとにより、基−（Ｒ，−Ｒａ）−の代わりに基
−ＣＨ＝　ＣＨ−が存在する式（＋）の対応する化合物
に変え、必要に応じて最初の方法に続む）て挙げた処理
工程を実施ずろことによっても得られる。

処理条件下で脱離されうる基Ｘ、は例えば塩基性又は酸
性媒体中で水で脱離されうる基であめ、例えは有機スル
ホン酸の基、例えばアリールスルホニル基、例えばｐ−
）ルエンスルホニル基、又は炭酸の半エステルの基、例
えば低級アル１キパ・カルボニル基、例えばｔｅｒｔ−
ブ［キシカルボ５・°−ル基を表ず。

ヒドロキシ保護基及び／又はアミノ保護基は例えば有機
カルボン酸のアシル基、例えばアセ千ル基、又は炭酸の
半エステルの低級アルカノ・イルリ５、例えば低級アル
コキシカルボニル基、更に例えばトリチル基又はシリル
基、例えばトリメチリンリル基である。このような保護
基は、場合により塩基性試薬又は弱酸の存在で、水によ
り脱離さ−Ｕる。

エステル化カルボキシ基は例えば低級アルカノール、薊
えばメタノール又はエタノール、又は低級アルカンチオ
ール、例えばエチルメルカプタン及ヒ従って例えば低級
アルコキシカルボニル基、例えばメトキシカルボニル基
又はエトキシカルボニル基又は低級アルキルチオカルボ
ニル基、例えばエチルチオカルボニル基である。

窒素原子が水素とはＷなる２個の基に結合しているアミ
ド化カルボキシ基は、式（Ｖｅ）：Ｃ０ＮＲ６Ｒｑ　　
　　　　　（Ｖｅ）Ｃ式中Ｒ６及びＲ１はそれぞれ例え
ば低級アルキル基、例えばメチル基を表すが、又はＲ６
及びＲ９は一緒に例えば低級アルキレン基、オキサ低級
アルキレン基、チア低級アルキレン基、場合によりＮｏ
−置換、例えばＮｏ−低級アルキル化されたアザ低級ア
ルキレン基を表し、従ってＮ−原子と一緒に例えばピロ
リジノ基、モルホリノ基、ピペラジノ基又はＮｏ−メチ
ルピペラジノ基を表す〕に相当する。ｘｏが式（Ｖｂ）
、（Ｖｃ）又は（Ｖｄ）の基を表す式（Ｖａ）の化合物
との反応は、常法で塩基性試薬、例えばアルカリ金属低
級アルコキシド、例えばカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド
又はアルカリ金属水素化物、例えば水素化ナトリウムの
存在で行う。

式（■）の化合物をＸ。がハロゲン、例えば臭素を表し
、Ｒ″２が好ましくはエステル化カルボキシ基を表す式
（Ｖａ）の化合物と反応させ、同時に又はその後に、基
×３及び場合により存在す２・ヒドロキソ保護基及び／
又はアミン保護基をＩＦｉｅ、ｉｌｌさせる反応は、常
法で、例えばリフオーマトスキー反応の条件下で、適当
な不活性溶剤、例えば芳香族溶剤、例えばヘンゼン、ま
たはエーテル状液体、例えばジエチルエーテル中で亜鉛
の存在で行う。この場合、脱水下に、基−（Ｒ，−Ｒａ
　）−の代わりに基−ＣＨ＝ＣＨ−が存在する式（１）
の対応する化合物が得られる。

この反応は常法で、例えば溶剤又は溶剤混合物の存在で
、必要に応して冷却又は加熱してから、例えば開放又は
閉鎖容器中及び／又は不活性ガス雰囲気、例えば窒素ガ
ス下に実施する。

式（Ｖ）の出発原料は、自体公知の方法で製造すること
ができる。

例えば、式（Ｖｆ）： の化合物を式（ＩＩ　ｂ）のアルデヒド又はその反応性
誘導体、例えばアルデヒド基が保護された形、例えばン
リル化された形で存在し、従って例えば式（Ｉｌｃ）の
基に対応し、ヒドロキシ基が反応性の、エステル化され
た形で存在する前記誘導体と反応させて式（Ｖ）の化合
物を生成させ、引続き場合により存在するアルデヒド保
護基を脱離させることができる。

反応性のエステル化ヒドロキシ基は、強酸、特るこ強無
１＋８１酸、例えばハロゲン水素酸、特に塩化水素酸、
臭化水素酸又は沃化水素酸、又は硫酸、又は強有機酸、
特に強有機スルホン酸、例えば脂肪族若しくは芳香族ス
ルホン酸、例えばメタンスルホン酸、４−メチルフェニ
ルスルホン酸又は４−プロモフエニルスルホン酸でエス
テル化されたヒドロキシ基であり、特にハロゲン、例え
ば臭素、又は脂肪族若しくは芳香族基で置換されたスル
ホニルオキン基、伊１えばメチルスルホニルオキシ基又
は４−メチルフェニルスルホニルオキシ基であイ）。

前記の反応は自体公知の方法で実施するが、特に反応性
のエステル化ヒドロキシ基を有する出発原料を使用する
場合には、通常１角当な溶剤、例えば強極性、非プロト
ン溶剤、例えばジメチルフォルムアミド中で、好ましく
は塩基性試薬、例えば有機塩基性試薬、例えばアミン、
例えばエチルジイソプロピルアミンの存在で、開放又は
密閉容器中及び／又は不活性ガス雰囲気、例えば窒素雰
囲気中で−５℃〜４１５０°Ｃ１好ましくはｌＯ’ｒ〜
１００°Ｃの塩度範囲で操作する。

式（Ｖａ）の出発原料は公知であるか、又は常法で得ら
れる。例えばＸｏが式（Ｖｃ）の基を表ず式（Ｖａ）の
出発原料を製造するため、トリフェニルホスフィンをＸ
ｏがハロゲン、例えば塩素を表す式（Ｖａ）の化合物と
反応させることができる。Ｘｏが式（Ｖｄ）の基を表す
式（Ｖ　ａ）の出発原料は、式（Ｖｈ）； （Ｒ５０）　２＝Ｐ　　ＯＲ５（Ｖｈ）のトリアルキル
ホスファイトをＸｏがハロゲン、例えば塩素を表す式（
Ｖａ）の化合物と反応させることによって得られる。

これらの反応は常法で実施する。

式（１）の新規化合物は、同様に、式（■）：〔式中×
３は低級アルキル基又は処理条件下に脱離可能で、水素
で置換されうる基を表し、×４はハロゲン又は有機スル
ホン酸でエステル化されたヒドロキシ基を表す〕の化合
物中の基×４を脱離させ、Ｒ７の定義に応じて、場合に
より置換されたアミノ基、場合によりエステル化又はエ
ーテル化されたしドロキシ基又は低級アルキルチオ基で
置換し、同時に又は引続き脱離可能で、水素で置換され
うる基×３を脱離させ、水素で置換し、必要に応じて、
最初の方法に続いて記載した処理工程を実施することに
よって得やこともできる。

処理条件下に脱離可能で、水素で置換されうる基Ｘ３は
塩基性又は酸性媒体中で水により、又はアンモノリシス
により脱離されうる基であり、例えば有機スルホン酸の
基、例えばｐ〜トルエンスルホニル基又は炭酸の半エス
テルの基、例えばエトキシカルボニル基又はｔｅｒｔ〜
ブトキンカルボニル基である。

基Ｘ４の脱離及び例えば場合により置換されたアミノ基
との交換は、アミン基を導入しうる化合物と反応させる
ことによって行う。例えば、×４が例えばハロゲン、例
えば塩素である式（Ｖｌ）の化合物を、常法で例えば適
当な不活性溶剤、例えばクロロホルム中でヘキサメチレ
ンテトラミンと反応させ、得られた付加物を酸性媒体中
で例えばハロゲン水素酸、例えば塩酸水溶液の存在で、
×４の代わりに一級７ミノ基が存在する式（■）の化合
物に変え、同時に保護基Ｘ３、例えばｔｅｒ　Ｌ−ブト
キシ基を脱離させ、水素で置換する。しかし、Ｘ４とア
ミノ基との交換を、例えば適当な溶剤、例えば不活性溶
剤、例えば不活性芳香族溶剤、例えばヘンゼン、又はエ
ーテル状液体、例えばジオキサン中の溶液として一１ン
モニアを用いて、又は場合により酸結合剤、例えば塩基
性試薬、例えば炭酸カリウＪ・の存在で一級杵しくは二
級アミン又は導入すべきアミノ基に対応するアミンの過
剰を用いて行うこともでき、その際同時に適当な保護基
×３、例えば前記のｔｅｒｔ〜ブトキシ基を脱離させる
。

基×４、例えば塩素をＲ１の定義に対応するヒドロキシ
基と交換する反応は、常法で、例えば場合により酸又は
塩基、例えばフルカリ金属又はフルカリ土類金属の水酸
化物又は炭酸塩、例えば水酸化ナトリウム、炭酸ナトリ
ウム又は炭酸マグ不シウＪ１、父は鉱酸水溶液、例えば
硫酸水溶液の存在で水により行い、同時に保護基×３、
例えばエトキシカルボニル基又はｎ−ブトキシカルボニ
ル基を脱離させることができる。

ＭＸ、とエステル化ヒト［１キン基、例えばアロイルオ
キシ基、ヘンゼシスルホニルオキシ基又は低級アルカノ
イルオキン基との交換は、例えば導入するエステル化ヒ
ドロキシ基に対応する酸、例えば場合により前記のよう
にＷｆＰされた芳香族カルボン酸又はフルホン酸又は低
級アルカンカルボン酸の適当な塩　例えばアルカリ金属
塩、例え（ｔナトリウム塩又はカリウム塩と、好まし２
くは適当な溶剤、例えは極性溶剤、例えばアルコール、
例えば低級アルカノール、例えばエタノール、又はカル
ボン酸アミド、例えばＮ−メチル了セト７ミト、Ｎ、Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ、〜、１１’、’ｌ’テト
ラメチル尿素、又はスルホラン中で反応させることによ
って行うことができる。

基×４、例えば塩素を脱離させ、Ｒ１の定義に応してエ
ーテル化ヒドロキノ基、例えば低級アルコキシ基又は低
級アルキルチオ基で交換する反１．シは、常法で、エー
テル化ヒドロキン基又は低級アルキルチオ基に対応する
アルカノール又は低級アルカンチオールと、好ましくは
金属化合物の形で反応させることによって行う。例えば
低級アルカノール又は低級フルカンチオールのアルカリ
金属化合物、例えばエタノールのアルカリ金属化合物、
例えばナトリウムエトキンド、又はエチルメルカブタン
のアルカリ金属化合物、例えばナトリウム化合物をＸ４
が例えばハロゲン、例えば塩素、又はメタンスルホニル
オキシ基である式（Ｖｌ）の化合物と反応させることが
でき、その際基×４を相応する低級アルコキシ基又は低
級アルキルチオ基で置換し、保護基×３、例えばヘンゼ
ンスルホニル基又はエトキシカルボニル基を脱離させ、
水素で置換する。

これらの反応は、常法で、溶剤の存在で冷却又は加熱し
ながら約−２０°Ｃ〜約＋１２０℃の温度範囲で、場合
により保護ガス雰囲気、例えば窒素ガスＦに実施する。

式（Ｍｌ）の出発原料は、新規である場合、自体公知の
方法で、例えば式（Ｖｌａ）： の化合物を式（Ｖｌｂ）： ’　　　　　　　（Ｖｌｂ） Ｒ２Ｃ＝　ＣＨ＞ ４ の化合物と反応させ、引続き例えば過塩素酸を用いて塩
を形成させて式（Ｖｌｃ）： の化合物を生成させることによ−、て（１７Ｉこ七がで
きる。

この反応は、通富、適当な不活性溶剤、例えばハロゲン
化炭化水素、例えば塩化メチレンの存在で行う。

引続き環Ｃ及び［〕に共通の二重結合を還元しこ式（ｖ
ｌ）の化合物にする反応は、常法で、例えばリチウム−
トリーｔ’ｅｒｔ−ブトキシーアルミニウムヒドリトを
用いて行うことができる。

式（Ｖｉａ＞の出発原料は、式（Ｉｌｌ（りの化合物の
製造に関して記載した反応順序（■１ａ〜ＩＩ＋　？　
）と同様に下記のようにして得ることができる二重（Ｖ
ｌｄ）： のトリプタミン化合物を例えば式（Ｖｉｅ）：の化合物
と反応させて式（Ｖｌｆ）： の化合物を生成させ、こねを引続き常法で、例えば適当
な縮合剤、例えは酸性縮合剤、例えば酸ハロゲニド、例
えばオキン塩化燐の存在で閉環縮合させることにより式
（■ｇ）： 帆 」 の化合物に変え、塩基、例えば傑機塩基、例え；ぞアル
カリ水酸化物　例えば水酸化ナトリウノ、で処理する、
二とに、Ｆり式Ｃ■ａ）の出発原料をｉクイ〕。

式（Ｖｌｅ）の出発ｌぐ料は、常法で、２（１７が場合
により低級アルキル化、例えばエチル化さねたえ（（［
ｌ１ｄ）のγ−ブチロラクトンを適当な縮合剤、例えば
無水塩化曲鉛の存在で塩化チオニルと反応させることに
よって得ることができろ。

Ｒ１がアミノ基を表ず式（１）の新規化合物は同様に、
式（■）： 〔式中×５は低級アルキル基、低級アルケニル基又は還
元条件下に脱離可能で、水素で直接されうる基を表す〕
の化合物中の式（■ａ）　：＼Ｃ＝ＮＯＨ（■ａ） ／ の基を式（■ｂ）： 、Ｃ）Ｉ　Ｎ　Ｈ２（■ｂ） の糸に還元し、場合により存在する、１ｔＪＣ及びＤに
共通の二重結合を、（この二重結合が存在するならば、
環Ｃ及びＤに共通のＮ−原子が陽電荷を有し、堕イオン
Ｍが前記のものを表す）炭素−窒素中結合に還元し、及
び／又は場合により存在する低級アルケニル基×５を低
級アルキル基に還元し、及び／又は場合により存在し、
還元条件下に脱離可能で、水素で置換されうる基×５並
びにヒドロキシ基及び／又はアミノ基に場合により存在
する、還元条件下に脱離可能で、水素で置換されうる保
護基を脱離させ、水素で置換し、必要に応して、最初の
方法に続いて記載した処理工程を実施することによって
ｉηることもできる。

特に適当な、脱離可能の基×５並びにヒドロキシ基及び
／又はアミノ基に場合により結合した（ν護基は、特に
水素添加分解で脱離しうるα　了リール低級アルキル基
、例えば場合により置換さ４また１−ポリフＴ、ニル低
級アルキル基又は１−）・ニル低級アルキル基（置換基
、特にフェニル部分の置換基は例えば低級アルキル基、
例えばメ（四し基、又は低級アルコキノ基、例えばメ［
キノ基ごあってよい）及び特にヘンシル基で庄）？）。

更に、適当なアノル基、例えば場合によりフェニル部分
が例えば前記のように置換された１　フェニル低級アル
τ１キノカルボニル基が該当する。

還元を常法で、例えば触媒により活性化されｔ：水素、
例えば水素添加触媒、例えばニッケル触媒、例えばラネ
ー・ニッケル、又は貴金属触媒、例えば白金又はパラジ
ウムの存在で水素で処理する、：とによって実施し、そ
の際、環Ｃ及びｌ〕に共通の二重結合を炭素−窒素−単
結合に、式（■ａ）の基を式（■ｂ）の基に、低級アル
ケニル基Ｘ、を低級アルキル基に還元するが、又は脱離
しう７・保護基Ｘ５並びに場合によりヒドロキシ基及び
／又はアミノ基に結合した保護基を脱離させ、水素で置
換する。環Ｃ及びＤに共通の二重結合を炭素−窒素−単
結合に還元し、こうして得られた式（■）と類似の化合
物中の式（■ａ）の基を式（■ｂ）の基に、低級アルケ
ニル基ｘ５を低級アルキル基に還元するか、又は脱離可
能で、水素で置換されうる保護基ｘ５並びに場合により
存在し、ヒドロキシ基及び／又はアミノ基に存在する保
護基を脱離させ、水素で置換することによって、還元を
段階的に実施することができる。環Ｃ及びＤに共通の二
重結合の還元は例えば、適当な水素化物還元剤、例えば
ジ軽金属水素化物還元剤、例えばリチウム−トリーｔｅ
ｒｔ−ブトキシアルミニウムヒドリドを用いて行うこと
ができ、引き続いて行う式（■ａ）の基の式（■ｂ）の
基への還元及び保護基の脱離は例えば、前記のような活
性水素、又はアルコール、例えば低級アルカノール、例
えばエタノール中のアルカリ金属、例えばナトリウムを
用いて実施することができる。

式（■）の出発原料は自体公知の方法で製造することが
できる。例えば、式（■ｃ）：〔式中×６は水素又は適
当な離脱基、例えば塩素、臭素又は沃素を表す〕の化合
物をニトロソ化剤と反応させることによって得ることが
できる。ニトロソ化剤としては、例えば亜硝酸を使用す
ることができ、亜硝酸は酸性媒体、例えば酢酸中で亜硝
酸の塩、例えばアルカリ金属塩、例えばナトリウム塩か
らその場で得るのが有利である。

式（■Ｃ）の出発原料は、式（■ｄ）：のトリプタミン
化合物を例えば式（■ｅ）：の４−クロロブチリルクロ
リドと反応させて式（■ｆ）； □ 鴫 の化合物を生成させ、次に、適当な縮合剤、例えば酸性
縮合剤、例えば酸ハロゲニド、例えばオキシ塩化燐の存
在で閉環縮合することによって、式： ： の化合物を製造し、この化合物を塩基性試薬、例えば無
機塩基、例えばアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化ナ
トリウムで処理することによって式（）： の化合物を得ることによって製造することができる。こ
の化合物を例えば、式（■ｉ）：×６ の化合物と、適当な溶剤、例えばハロゲン化炭化水素、
例えばジクロロメタンの存在で反応させ、その後、例え
ば過塩素酸で塩を形成させる、二とによって、基Ｒ１の
ｍが１である式（■Ｃ）の化合物を得ることができる。

これらの反応は自体公知の方法で行う。

Ｒ２が場合によりエステル化又はアミド化されたカルボ
キン基を表し、Ｒ４が水素を表す式（１）の新規化合物
は、式（■）： で ３ の化合物中の環Ｅをアルコ−リンス、アンモノリシスを
含めてアミノリンス又は加水分解により開環させて、場
合によりエステル化又はアミド化されたカルボキシ基Ｒ
２を形成させ、必要に応し、最初の方法に続いて記載し
た処理］−程を実施することによって得ることができる
。アルコ−リンスは促進剤、例えば塩基性物質の存在又
は不存在で実施することができる。しかし、反応を塩基
性媒体中で、例えば適当な塩基、例えば当該アルコール
の金属化合物の存在で実施するのが有利であり、該アル
コールの金属化合物は溶剤としても作用しうろ。この種
の金属化合物は例えばアルカリ土類金属の化合物及び特
にアルカリ金属化合物であり、従って例えばマグネンウ
ム低級アルコキシド、例えばマグ７ノウムエトキシド又
はアルカリ金属低級アルコキシド、例えばナトリウムメ
トキントである。

アンモノリンスを含めてアミノリンスは、適当な、例え
ば不活性な、溶剤中で実施するのかイ１利である。溶剤
は例えばエーテル状液体、例えはジエチルエーテル、ジ
−ｎ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン又はジオキ
サンであるか、又は芳香族溶剤、例えはヘンゼン、トル
エン、又はキルンである。アンモノリシスに−よ、前記
溶剤中のアンモニアの溶液を使用することができろが、
水／８液を使用することもできる。

加水分解は水を用いて、好ましくは酸性媒体中で実施す
るが、塩基性媒体中で実施するのも有利である。酸とし
ては、例えば鉱酸、例えば硫酸、又は有機酸、例えば酢
酸又はトリフルオロ酢酸が該当し、塩基性試薬としては
、無機塩基、例え（〔アルカリ土類金属又はアルカリ金
属の水酸化物、例えば水酸化マグネシウム又は水酸化す
１−リウＪ・が該当する。

前記の反応は自体公知の方法で、通常溶剤、例えば前記
の溶剤若しくは溶剤混合物の存在で、必要に応して冷却
又は加熱しながら、例えば、約−２０℃〜約＋１５０℃
の温度範囲で、開放又は密閉容器中及び／又は不活性雰
囲気、例えば窒素雰囲気中で実施する。

式（■）の出発原料は自体公知の方法で製造することが
できる。例えば、式（■ｂ）：〔式中ｘ６は水素又は適
当な離脱基、例えば塩素、臭素又は沃素としての前記の
ものを表すが、史にスルホン酸でエステル化されたヒド
ロキシ基、例えばメタンスルホニル基を表す〕の化合物
中の基×６を基Ｒ１中のＲ１の定義に対応する、場合に
よりエステル化されたヒドロキン基、低級アルキルチオ
基又は場合により置換されたアミノ基又うよ低級フルキ
ル基でＦＦｍすることができる。×らか水素とは胃なり
、例えば塩素又は剣豪を表°′４氏（■ｂ）の化合物中
のこの、基をエーテル化ヒ）　ｎキン基、例えば低級ア
ルコキノ基又はフＬニル低級アルコキシ基、又は低級ア
ルキルチオ基でＰＰ換することができ、その際、これら
の基に対応するアルコール又は低級アルカン千オールを
、１１’ましくは塩基性試薬、例えば金属低級アルコキ
ット、例えばすトリウム低級アルコキシドの存在で　代
（■ｂ）の化合物と反応させ、場合により存在し７、反
応条件下に脱離されうるヒドロキン保護基及び／又はア
ミノ保護基を脱離させ、水素で置６．−ｉ−る。

また、使用ずろアルコール又は対応する低級アルカンチ
オールを金属化合物、例えばアルカ１）金属、例えばナ
トリウムとの化合物として反応に使用し、この反応を通
常、適当な溶剤、例えば低級アルカノール、例えばエタ
ノール中で実施する。

場合により置換された、例えば低級フルキル化されたア
ミノ基、更に低級アルキレンアミノ基、オキサ低級アル
キレンアミノ基、チア低級アルキレンアミノ基又はアザ
低級アルキレンアミノ基を導入するため、Ｘ６が水素と
は異なる式（■ｂ）の化合物を、適当な溶剤の存在又は
不存在で、及び／又は酸結合剤、例えば塩基性試薬、例
えば炭酸カリうム、又は導入すべきアミノ基に対応する
アミンの過剰の存在でアンモニア又はアンモニアｈ’ｌ
出化合物、例えばヘキサメチレンテトラミン又はフタル
イミド化合物、例えばフタルイミドカリウム、又は前記
置換基を含む一級又は二級アミンと、開放又は密閉容器
中で、場合により温度を高めるか、又は低めて反応させ
る。ヘキサメチレンテトラミンを用いて反応を行う場合
には、中間に生成する付加物を酸性媒体中で、例えば希
塩酸により分解し、例えばフタルイミドカリウムを用い
た反応により得られる中間ＬＪ−成物からフタロイル基
は例えばヒドラジン水１１］物により脱離させなければ
ならない。後者の場合には、−級アミ７基を前記の方法
で導入し、場合により存在し、前記の反応条件下に脱離
されうるヒドロキシ保護基及び／又はアミン保護基を脱
離させ、水素で置棹１−イ）。

×６が前記のものを表し、特Ｃ：アミン基が（〒護基、
例えば還元、例えば水素添加分解によって脱Ｍ＋＋Ｊ能
で、水素で置換されうる保護基、例えばα−フルアルキ
ルＬ例えばｌ−フェニル低級−？ルキル基、例えばヘン
シル基で保護されている式（■ｂ）の化合物を引続きニ
トロソ化剤、例えば亜硝酸（好ましくは、例えば塩、例
えば亜硝酸ナトリウムのようなアルカリ金属塩、又はエ
ステル、例えば亜硝酸ｔｅｒｌ−ブチルから酸の存在で
、反１、も混合物中でその場で生成させる）と反応させ
て、基−ＣＨＸ　６−が基−Ｃ（＝ＮＯ旧−に相当する
式（■ｂ）の化合物（形成するヒドロキシイミノ基はシ
ン−型又はアンチ−型又は両方の混合物として存在して
よい）にし、ヒドロキノイミノ基を一級アミノ基Ｇこぶ
元すること己二、し、て、−級アミノ基を導入すること
ができる。ヒドロキノイミノ基を一級アミノ基に還元す
る反応は、例えば活性水素、例えば水素添加触媒、例え
ばう不−・ニッケル、又は貴金属触媒、例えば白金又５
よパラ、ジウノ・の存在で水素を用いて行うことができ
、その際場合により存在し、還元条件下に脱離可能で、
ヒドロキシ基及び特にアミノ基に存在する保護基、例え
ばα〜ルアリール−級アルキル基、例えば（フェニル低
級アルキル基、例えばベンジル基は脱離され、水素で置
換される。また、例えば発生期の水素、例えば適当な金
属、例えば亜鉛の存在で酸、例えば鉱酸、例えば硫酸を
用いるか、又は水中でアマルガム、例えばアルカリ金属
アマルガノ・、例えばナトリウムアフルカムを用いるか
、又は低級アルカノール、例えばエタノール中でアルカ
リ金属、例えばナトリウムを用いて還元し、その際場合
によりヒドロキシ基及びアミノ基に存在し、還元条件下
に脱離しうる保護基、例えばシリル基、例えばトリメチ
ルシリル基、又は低級アルコキシカルボニル基、例えば
ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基は脱離され、水素で置
換される。

基Ｘ６、例えば塩素をＲ４の定義に対応するヒドロキシ
基で置換する反応は、常法で加水分解、場合により酸又
は塩基、例にばアルカリ金属又はアルカリ土類金属の水
酸化物又は炭酸塩、例えば水酸化カリウム、重炭酸ナト
リウム又は炭酸マグネシウムの存在で行うことができ、
その際場合により存在し、反応条件下に脱離しうるヒド
ロキシ保護基及び／又はアミノ保護基は脱離され、水車
で置換される。

前記方法で導入したヒドロキシ基又はアミノ基をエステ
ル化ヒドロキソ基又はアシル化アミン基に変えることが
できる。例えば、×６の代わり番：ヒドロキシ基が存在
する式（■ｂ）の得られた化合物を芳香族カルボン酸又
はスルホン酸又は低級アルカンカルボン酸、又はこれら
の反応性誘導体、例えば無水物、混成無水物、例えばハ
ロゲニト、例えば酸クロリド、又は反応性エステル、例
えばアルコール成分が適当な基若しくは置換基で活性化
されているエステルと常法で反応させる。同様の方法で
、例えば対応する酸無水物と反応させることにより、遊
離アミノ基をアシル化アミノ基、例えば低級子ルカノイ
ル７ミノ基に変えることができる。前記の場合によりエ
ーテル化されたヒドロキソ基又は場合により置換された
アミノ基を式（■ｂ）の化合物に導入すると同時に、環
Ｅの前記開環を行って、Ｒ２が場合によりエステル化又
はアミド化されたカルホキシ基を表す式（’Ｉ）の化合
物を生成させることもできる。

水素としてのＸ６をＲ１の定義に対応する低級アルキル
基で置換する反応は、例えば、×６が水素を表す式（■
）の化合物のその水素原子を自体反応しやすい適当な金
属、例えばアルカリ金属で置換する、例えば反応性アル
カリ金属化合物、例えばリチウムイソプロピルアミドと
反応させることによって置換し、得られた化合物を低級
アルカノールの反応性エステル、例えばハロゲニド、例
えばクロリド、プロミド又はヨーシト、又はスルホン酸
エステル、例えば脂肪族若しくは芳香族スルホン酸エス
テル、例えばメタンスルホン酸エステル又はｐ−）ルエ
ンスルホン酸エステルと反応させる方法で行うこともで
きる。これらの反応は通常、開放又は密閉容器中で、場
合により保護ガス雰囲気、例えば窒素中で冷却又は加熱
しながら適当な、例えば不活性な溶剤中で行う。

Ｒａが基−ＣＨ７−を表す式（■ｂ）（７）出発原料は
、例えば式（■ｃ）： 〔例えば式（ｌ［ｌａ）の化合物をＫ（［Ｉｂ）の化合
物に変えるため記載した方法と同様にして得られるもの
で、Ｘｑは低級アルキル基、又は有機スルホン酸の基、
例えばｐ−）シル基、又は炭酸の半エステルの基、例え
ば低級アルコキノカルボニル基、例えばメトキシカルボ
ニル基又はエトキノカルボニル基を表す〕のトリプタミ
ン化合物を前記の式（［［ｌｅ）の４−クロロブチリル
クロリドと反応させて式（■ｄ）： の化合物を生成させ、この化合物から例えば適当な縮合
剤、例えば酸性縮合剤、例えばオキシ塩化燐のような酸
ハロゲニドの存在で閉環縮合させることにより、式（■
ｅ）： を製造し、更に塩基性試薬、例えば無機塩基、例えば水
酸化ナトリウムのようなアルカリ金属水酸化物で処理し
、同時に又はその後、脱離可能で、水素で置換されうる
基Ｘ−１を脱離させ、水素で置換することによって式（
■ｆ）： ； ３ の化合物を得る方法で、得２）ことができる。次に前記
化合物を例えば、式（４ｇ）： のアクリル化合物と反応させ、その後、得らねた式（■
ｈ）： の化合物中に存在する、環Ｃ及び［）に共通の−＋結合
を、例えばパラジウム付活性炭触媒のよらな水素添加触
媒の存在で水素により炭素−窒素中結合に還元するごと
により、式（■ｉ）：の化合物が得られる。この化合物
から、特にＲ２がエステル化カルボキシ基、例えば低級
アルコキシカルボニル基を表し、×６が水素である場合
には、審決で、例えば塩基性媒体で、例えばアルカリ金
属低級アルコキシド、例えばカリウム−ｔｅｒｔ−ブト
キシドの存在で、好ましくはエルレートを形成しうる物
質、例えばカルボニル基に隣接する炭素原子にエノール
を形成しうる、移動可能の水素原子が結合しているカル
ボニル化合物、例えばアリール低級アルキルケトン、例
えばアセトツボ。

ノン、又はｌ、３−ジケトン、例えばアシルアセトン、
例えば低級アルカノイルアセトン、例えばアセチルアセ
トンの存在で閉環縮合させることにより、×６が水素を
表ず式（■ｂ）の化合物を得ることができる。

これらの反応は常法で行う。

基Ｒ１におけるｍがＯであり、Ｘ６が水素を表ず式（■
ｂ）の出発原料は、例えば式（■ｆ）の化合物を前記の
式（ＩＶｚ）の化合物と、そこに続け゛ζ記載した方法
で反応させ、引続き、得られた化合物を例えは前記のよ
うに常法で閉環さゼろ。

×６が水素を表す式（■ｂ）の出発原料において、例え
ば前記のようにして得た　×６が水素である式（■ｂ）
の化合物を、例えば適当な溶剤、例えばテトラヒドロフ
ラン中でリチウムジイソプロピルアミドと反応させるこ
とによって対応するカルボアニオン含有化合物に変え、
引続き反応ノド放物を四ハロゲン化炭素、例えばテトラ
クロロメタン又はテトラブロモメタン、又はテトラヒト
＋１フラン中の沃素の溶液と反応させ、酸性試筆、例え
ば塩酸水溶液で加水分解することにより、カルボニル基
に隣接する炭素原子に結合した水素原子を例えば基×６
に対応するハｒＩゲン、例えば塩素、臭素又は沃素で置
換することができろ。〔アーノルト　（Ｒ，Ｔ、　Ａｒ
ｎｏｌｄ　）　　ら著、↓ユＯｒ、ｇ１工、ｈｅｍ、　
　４３巻３６８７〜８９頁（１９７８）参照〕。し２か
し式（■ｂ）の化合物中の水素としての×６を相応する
ヒドロキシ基で置換する反応を、例えばり千つムジイソ
プロピルアミトとの反応生成物、例えば前記の生成物を
トリメチルクロ「１ノランと反応させることによって式
（■」）： の化合物に変え、この化合物から適当な酸化剤、例えば
過酸化物、例えばｍ−クロロ過安息香酸で対応するエポ
キシドを製造し、次に酸性試薬、例えばトリエチルアン
モニウムフルオリドの存在で水素としての基Ｘ６の代わ
りにヒドロキシ基が存在する式（■ｂ）の化合物を製造
することによって、行”うこともできる。

また、式（■ｂ）の化合物をリチウムシイツブ白ビルア
ミドと前記反応生成物をヴエデ・ノジ（Ｖｅｄｅｊｓ）
ら著、Ｌｊｌ、　（ニーｉｅｍ、　　４３巻１８Ｂ頁（
１９７８）記載の方法により錯体Ｍ　Ｏ、・ピリジン・
ヘキサメチル燐酸トリアミドで酸化することによって、
水素としての基×６を相応するヒト、１１１ ０キシ基に変えることができる。

こうして形成したヒドロキシ基を例えば×６の定義に対
応するハロゲン水素酸又はスルホ・ン酸、例えばメタン
スルホン酸、又はその反応性誘導体、例えばハロゲニド
を用いて対応してエステル化されたヒドロキソ基Ｘ６に
変えることができる。ハロゲン化剤、例えばオキシ塩化
燐を常法で、例えば適当な溶剤、例えばクロロヘンゼン
中で作用させることによってヒドロキシ基をハロゲンに
変えることもできる。前記の酸化法及びエステル化又は
ハロゲン化法は常法で行い、炭素同素環式項へに存在す
るヒドロキシ基及び／又はアミノ基が適当に保護されて
いる式（■ｂ）の化合物に行うのが有利であり、その際
有利かつ所望である限り、このような保護基を式（■ｂ
）の化合物を用いて実施する前記反応の進行中に脱離さ
せることができる。

式（１）の新規化合物は、同様に、式（■）：〔式中Ｒ
／３は還元により低級アルキル基Ｒ３に変わる基を表し
、Ｒ−４は水素又は低級アルケニル基を表し、場合によ
り環Ｃ及びＤが二重結合を共古し、その場合にそれに属
するＮ　−’原子は陽電荷を有し、そのような化合物は
塩として存在し、ヒドロキシ基及び／又はアミノ基は場
合により還元で脱離され、水素で置換されうる基で保護
されている〕の化合物中の基Ｒ’３を低級アルキル基Ｒ
３に、場合により存在する低級アルケニル基Ｒ／４を低
級アルキル基に、場合により存在する環Ｃ及びＤに共通
の二重結合を炭素−窒素−単結合に還元し、場合により
存在するヒドロキシ基及び／又はアミノ基に存在する、
還元工程の条件下に脱離され、水素で置換されうる保護
基を脱離させ、水素で置換し、必要に応して、最初の方
法に続けて記載した処理工程を実施することによって、
得ることができる。

低級アルケニル基Ｒ’ａは７個まで、好ましくは４個ま
での炭素原子を有し、例えばビニル基、２−メチルピー
ル基又はアリル基を表す。

Ｒ”３は例えば炭素原子数７個以下、好ましくはＮ１１
ｉｌ以下の不飽和脂肪族炭化水素基であり、−重結合又
は三重結合を含み、従って例えばビニル基、２−メチル
ビニル基、７リル基、２−メタアリル基、３．３−ジメ
チルアリル基、ｌ−ブテニル基、エチニル基又はプロパ
ルギル基を表す。Ｒ′３は更に場合により例えば有機ス
ルホン酸でエステル化された一級低級アルカノール、例
えば１ｌｌ−）ルエンスルホニルオキシ低級アルカン又
はこれに対応する炭素環子数７個以下、好ましくは４個
以下の低級アルキルカルボキンアルデヒドの基であり、
従って例えば２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシ
プロピル、！、２−（ｐ−）ルエシスルホニルオキン）
−エチル基又はアセトアルデヒド又は３−プロピオンア
ルデヒドの基を表す。

ヒドロキン基及び／又はアミノ基に場合により存在し、
この還元条件下に脱ＦＩＭ司能で、水素で置換されうる
保護基は、特に水素添加分解で脱離しうるα−アリール
低級アルキル基、例えば場合により置換された１−ポリ
フェニル低級アルキル基又は１−フェニル低級アルキル
基（置換基、特にフェニル部分の置換基は例えば低級ア
ルキル基、例えばメチル基、又は低級アルコキシ基、例
えばメトキシ基、又はハロゲン、例えば塩素、又はトリ
フルオロメチル基であってよい）、及び特にヘンシル基
である。水素添加分解で脱離しうる基は更に対応するア
シル基、例えば有機カルボン酸のアシル基、例えば低級
アルカノイル基、例えばアセチル基、又はアロイル基、
例えばヘンジイル基、更に炭酸の半エステルのアシル基
、例えば低級アルコキシカルボニル基、例えばメトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基又はｔｅｒｔ−ブ
チルオキシカルボニル基、２−ハロゲン低級アルコキシ
カルボニル基、例えば２．２．２−トリクロロエトキシ
カルボニル基又は２−ヨードエトキシカルボニル基、場
合により置換された１−フェニル低級アルコキシカルボ
ニル基、例えばヘンシルオキシカルボニル基又はジフェ
ニルメトキシカルボニル基、又はアロイルメトキシクル
ボニル基、例えばフェナンルオキシ力ルボニル基、更に
場合により置換された１−ポリフェニル−低級アルキル
基（置換基、特にフェニル部分の置換基は例えば前記の
ものを表す）及び特にトリチル基である。ヒドロキシ基
及び／又はアミノ基を一緒に置換する２価の基は特に水
素添加分解で脱離されうる基、例えば場合により置換さ
れたＩ−フェニル−低級アルキリデン基（置換基、特に
フェニル部分の置換基は例えば低級アルキル基又は低級
アルコキシ基であってよい）及び特に、ヘンジリデン基
である。

不飽和炭化水素Ｒ′３を対応する低級アルキル基Ｒ３に
還元し、場合により存在する低級アルケニル基Ｒ／４を
低級アルキル基に、場合により存在する、環Ｃ及びＤに
共通の二重結合を炭素−窒素−単結合に還元する反応並
びに場合によりヒドロキシ基及び／又はアミノ基に存在
する保護基の脱離は、自体公知の方法で、例えば触媒で
活性化した水素、例えば適当な水素添加触媒、例えば二
、ケル、白金又し↓パラジウムの触媒の４？在で水素で
処理することによって行われ、その際、存在する水素添
加分解で脱離しうる保護基を同時に脱離させ、水素で置
換する。或いは適当な水素化物還元剤、例えばジボラン
、又はアルカリ金属硼水素化物、例えば硼水素化ナトリ
ウムを用いて操作する。

例えば、まず場合により存在する、環Ｃ及びＤに共通の
二重結合を例えばリチウム−トリーｔｅｒｔ−ブトキン
アルミニウムヒドリドで炭素−窒素−単結合に還元し、
次に不飽和基Ｒ／３を例えば前記のようにして低級アル
キル基Ｒ３に還元することによって、還元を段階的に行
うこともできる。

水素化物還元剤を使用する場合、カルボン−の酸素に結
合したアシル基、例えば酢酸のアシル基を同し操作工程
で脱離することもできる。基Ｒ／３に対応する一級低級
アルカノールの基、例えば２−ヒドロキシエチル基（反
応性のエステル化された形、例えば２−ｐ−トルエンス
ルホニルオキンーエチル基として存在するのが有利）を
常法で、適当な溶剤、例えばテトラヒドロフラン中でジ
軽金属水素化物、例えばリチウムアルミニウムヒドリド
で還元することができる。基Ｒ／、に対応する低級アル
キルカルボキノアルデヒトを例えば１角当な溶剤、例え
ばジエチレングリコールの存在てヒドラジン水和物で還
元することができろ。ことらの還元、特に触媒による還
元を実施する場合、例えば水素消費量の容量調節及び還
元の適時の停止又は還元剤の相応する配合によって、他
の基Ｇこ作用しないように、配慮すべきである。これら
の還元は常法で溶剤又は溶剤混合物の存在で実施し、そ
の際適当な反応成分を同時に溶剤として作用させ、必要
に応して、例えば開放又は密閉容器中で及び／又は不活
性ガス雰囲気中で、冷却又は加熱しながら実施すること
ができる。

式（［Ｘ）の出発原料は常法で例えば下記のようにして
得ることができる： 式（ＩＸａ）： ・′式中×８は水素又は低級アルケニル基又（よ水ｆ添
加分解若しくは加溶媒分解、例えば加水分解を含めて還
元により脱離可能で、水素で置換されうる基、例えばα
−アリール低級アルキル基、例えば場合により置換され
たｌ−フェニル低級アルキル基を表し、フェニル部分の
置換基は例えば低級アルキル基、例えばメチル基、又は
低級アルコキシ基、例えばメトキシ基、又はハロゲン、
例えば塩素、又はトリフルオロメチル基であってよく、
×８は特にヘンシル基であるか、又は加溶媒分解、例え
ば加水分解で脱離可能で、水素で置換されうる基として
例えばスルホニル基、例えばｐ−トルエンスルホニル基
又はメタンスルホニル基ヲ表スか、又は炭酸の半エステ
ルの基、例えば低級アルコキシカルボモル基、例えばｔ
ｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を表す〕のトリプタミン
化合物を式（ＩＸｂ）の化合物又はその反応性誘導体、
例えば２位が基Ｒ′３、例えばビニル基又は、、＋リル
基で置換された式（ｌＸｃ）ニ −−５ のγ−ブチロラクトン及び塩化チオニルから縮合剤、例
えば無水塩化亜鉛の存在で得られる、対応する式（ＩＸ
ｄ）： の４−クロロブチリルクロリドと反応させて、式％式％
）： の化合物を生成させる。この化合物から、好ましくは適
当な縮合剤、例えば酸性縮合剤、例えばオキシ塩化燐の
存在で閉環縮合させることにより式（ 〔式中Ｍは酸、例えば過塩素酸の陰イオンを表す〕の化
合物を製造し、次に塩基、例えばアルカリ水酸化物、例
えば水酸化ナトリウムで処理することにより式（ＩＸｇ
）： Ｒ′３ の化合物を得、この化合物を前記の式（Ｉ［ｌｉ）：の
化合物と反応させ、引続き、例えば過塩素酸を用いて塩
を形成した後、Ｒａが基−ＣＨ＞−を表し、Ｒ１及びＲ
２が前記のものを表し、ＩＪＩＣ及びＤに二重結合が共
通で、それに属するＮ−原子が陽電荷を有する式（ＩＸ
）の化合物を得る。

基ＲａにおけるｍがＯである式（ＩＸ）の出発原料を製
造するため、前記の式（ＩＸｇ）の化合物を式（ＩＸｈ
）　： Ｒ２ＣＨ＞ＯＨ（ＩＸｈ） の化合物と反応させる。

式（ＩＸｈ）の化合物中のヒドロキノ基は反応性の、エ
ステル化された形で、例えば強い有機スルホン酸、例え
ば脂肪族若しくは芳香族スルホン酸又はハロゲン水素酸
とのエステルとして存在するのが有利であり、従って例
えばメタンスルホニルオキシ基又はｐ−）シルオキシ基
、更にハロゲン、特に臭素及び特に沃素である。基Ｒ２
は特に前記のエステル化カルボキシ基、例えば低級アル
カノール、例えばメタノールでエステル化されたカルボ
キシ基を表す。

反応は常法で適当な溶剤、例えば不活性な、場合により
非プロトン性溶剤、例えばジメチルスルホキノド中で、
場合により別の不活性溶剤、例えばトルエンのような芳
香族溶剤と共に、温度を高めて、例えば＋３０℃〜＋１
８０’Ｃ２好ましくは約＋７０℃〜＋１５０　”ｃの温
度範囲で、好ましくは不活性ガス雰囲気、例えば窒素ガ
ス下に行う。

また、式（ＩＸａ）〜（ＩＸｇ）により記載した反応順
序を基Ｒ’３の代わりに水素原子が存在する化合物を用
いて実施し、こうして得られた式（［Ｘｉ）の化合物を
式（Ｉ［ｌｉ）又は式（ＩＸｈ）の化合物と反応させ、
引続き例えば過塩素酸で塩を形成させて式（ＩＸｊ）： 〔式中Ｒａは基−ＣＨ，−を表すが、又は基Ｒａ中のｍ
は０である〕の化合物を生成させることによって、式（
ＩＸ）の化合物を製造することもできる。この化合物を
塩基、例えばアルカリ水酸化物例えば水酸化ナトリウム
で処理することにより、式（ＩＸｋ）’： の化合物を製造し、この化合物の１位に例えば基Ｒ’３
を導入しうる反応性誘導体、例えば式（■１）Ｒ′！−
ＯＨ（［Ｘｉ） 〔式中ヒドロキシ基は好ましくは反応性の形、例えば式
（ＩＸｈ）の化合物について記載したような形で存在し
、従って例えばハロゲン、例えば臭素を表すことができ
る〕の化合物と反応させることによって基Ｒ／、を導入
する。引続き例えば過塩素酸で塩を形成した後、環Ｃ及
びＤが共通の二、＠結合を有する式（ＩＸ）の化合物が
得られる。これらの反応は、常法で、例えば適当な溶剤
の存在で、場合により温度を高めて、開放又は密閉容器
中で及び保護ガス雰囲気、例えば窒素ガス雰囲気中で実
施する。

存在する脱離可能で、水素で置換されうる基×８が、還
元、例えば水素添加分解により脱離しうる基、例えば前
記のような基であり、その後の還元の途中でも脱離され
うる場合に、これらの基を脱離した後、ｙＪｃ及びＤが
二重結合を共有する式（ＩＸ）の化合物が得られる。こ
の二車結合は、例えばりチウム−トリーｔｅｒｔ−ブト
キシアルミニウムヒドリトにより還元して式（［Ｘ＞の
化合物に対応する炭素−窒素−単結合にすることができ
る。

基−（Ｒｂ　　Ｒａ）−が基−ＣＨ＝ＣＨ−を表ず式（
＋）の新規化合物は、同様に、式（Ｘ）：〔式中Ｘ９は
水素、低級アルキル基又は処理条件下に脱離可能で、水
素で置換されうる基である〕中の式−Ｃ８２ＣＨ（ＯＨ
）　−の基を脱水により基−ＣＨ＝ＣＨ−に変え、場合
により存在し、処理条件下に脱離可能で、水素で置換さ
れうる基×９を脱離させ、水素で置換し、場合により存
在するヒドロキソ保護基及び／又はアミノ保護基を脱離
させ、水素で置換し、必要に応して最初の方法に続けて
記載した処理工程を実施することによって得ることがで
きる。

処理条件下に脱離可能で、水素で置換されうる基Ｘｇは
、加溶媒分解、例えば加水分解、アルコーリシス又はア
ノドーリシスにより脱離されうる基であって、例えば有
機スルホン酸、例えばアリールスルホン酸から誘導され
る基、例えばｐ−トルエンスルホニル基であるか、又は
炭酸の半エステルの基を表し、従って例えば低級アルコ
キシカルボニル基、例えばｔｅｒｔ−ブトキノカルボニ
ル基を表す。

ヒドロキソ保護基及び／又はアミン保護基は、処理条件
下に加水分解、アルコーリシス又はアジドーリシスによ
り脱離され、水素で置換される基である。従って、この
種の保護基は加溶媒分解、加水分解又はアシドーリシス
で脱離しうる基、特に対応するアシル基、例えば有機カ
ルボン酸のアシル基、例えば低級アルカノイル基、例え
ばアセチル基、又はアロイル基、例えばヘンジイル基、
更に炭酸の半エステルのアシル基、例えば低級アルコキ
シカルボニル基、例えばメトキシカルボニル基、エトキ
シカルボニル基又はｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル
基、２−ハロゲン低級アルコキシカルボニル基、例えば
２，２．２−トリクロロエトキシカルボニル基又は２−
ヨードエトキシカルボニル基、場合により置換されたｌ
−フェニル低級アルコキシカルボニル基、例えばヘンジ
ルオキンカルボニル基又はジフェニルメトキシカルボニ
ル基、又はアロイルメトキノ力ルポニル基、例えばフェ
ナシルオキシカルボニル基、更に場合により置換された
１−ボリフ兎ニルー低級アルキル基（置換基、特にフェ
ニル部分の置換基は例えば前記のものを表す）、及び特
にトリチル基を表す。

ヒドロキン基及び／又はアミノ基を一緒に置換する２価
基は、加溶媒分解、特に加水分解で脱離しうる基、例え
ば低級アルキリデン基、例えばメチレン基又はイソプロ
ピリデン基、又はフェニル部分が場合により低級アルキ
ル基、例えばメチル基、又は低級アルコキン基、例えば
メトキシ基で置換されている１−フェニル−低級アルキ
リデン基、特にヘンジリデン基、又はシクロアルキリデ
ン基、例えばツクｌ’Ｊペンチリデン基又はノクロヘキ
ノリデン基である。

本発明による脱水は、密性で酸性物質の存在で開放又は
密閉容器中で場合により溶剤の存在で、温度を高めて、
必要に応して保護ガス雰囲気中、例えば窒素ガス下に行
う。

酸性物質は例えば酸、例えば鉱酸又はカルホン酸又はそ
の酸性反応性官能性誘導体、又はその酸性塩、例えば硫
酸、重硫酸カリウム、塩化チオニル（場合により窒素塩
基、例えばピリジンの存在で）、更に燐酸、オ□キシ塩
化燐、ギ酸、酢酸又はそのハロゲニド、例えば塩化アセ
チル、又はその無水物、更にスルホン酸、例えばメタン
スルホン酸又はＩ）−１ルエンスルホン酸である。

前記の種類のヒドロキシ保護基及び／又はアミノ保護基
を脱水条件下に又はその後の後処理の際に脱離し、水素
で置換する。これらの反応は自体公知の方法で実施する
。

代（Ｘ）の出発原料は密性で得られ、例えば下記の方法
で製造することができる： 代（Ｘａ）： ９ の化合物を式（Ｘｂ）： ０＝ＣＨＣＨ２ＯＨ １ ＣＨ−ＣＨ（Ｘｂ） ル３ のアルデヒド、又はその反応性誘導体、例えば、アルデ
ヒド基がソリル化された形で存在し、従って例えば式（
Ｘｃ）： 〔式中Ｒ５は低級アルキル基、例えばメチル基であり、
ヒドロキノ基は好ましくは反応性の、エステル化された
形で、例えば無機酸、例えばハロゲン水素酸、又は有機
酸、例えばｐ−）ルエンスルホン酸とのエステルとして
存在し、従って例えば臭素又はｐ−トルエンスルホニル
オキノ基として存在する〕の基に対応するアルデヒド誘
導体と、塩基性試薬、例えばアミン、例えばエチル−ジ
イソプロピルアミンの存在で適当な溶剤、例えばンメチ
ルホルムアミドのような強極性及び非プロトン性の溶剤
中で反応させて、氏（Ｘｄ）：０−」 の化合物を生成させ、こうして得た化合物から、式（Ｘ
ｅ）： Ｒ７−ＣＨ２−１１ａｌ　　　　　　　（Ｘ　ｅ）〔式
中１１ａｌ　はハロゲン、特に臭素を表す〕の化合物を
リフオーマトスキー反応の条件下に反応させることによ
り式（Ｘ）の化合物を製造する。これらの反応は常法で
行う。

Ｒ７がシアノ基を表し、基Ｒｂ中のＲ２がヒドロキシ基
を表す式（１）の新規化合物は、同様に式（ＸＩ）： ３ の化合物にシアン化水素又は同様に反応し、形成すべき
二級ヒドロキシ基Ｒ１を場合により保護された形で生じ
るシアン化合物を付加させ、形成した、場合により保護
された荊で存在する二級ヒドロキシ基をＭｌｉＩ！ｌヒ
ドロキシ基Ｒ１に変え、必要に応して、最初の方法に続
けて記載した処理工稈を実施することによっても得られ
る。この反応は自体公知の方法で、開放又は密閉容器中
で、例えば加圧下に及び／又は不活性ガス雰囲気、例え
ば窒素ガス下に、場合により冷却又は加熱しながら行う
。

シアン化水素と同様に反応し、形成すべき二級ヒドロキ
シ基Ｒ１を場合により保護された形で生しる化合物は、
例えば適当なシリルノアニド−化合物、例えばトリメチ
ルノリルノアニドであり、これを常法で、例えば不活性
溶剤、例えば芳香族又はエーテル性溶剤、例えばトルエ
ン又はテトラヒドロフラン中で温度を高めて又は低めて
、式（ＸＩ）の出発原料に付加させて、トリメチルノリ
ル基で保護された二級ヒドロキシ基を形成させ、保護基
を酸性試薬、例えば塩化水素で脱離させ、水素で置換し
てＲ７がヒドロキン基である式（１）の対応する最終物
質を生成させる。この反応の進行中に、形成したヒ（、
ロキシ基Ｒ１、を、隣接するメチレン基に存在する水素
原子と水の生成下に脱離させることができ、その際基・
−（Ｒ，−、Ｒａ）−が基−ＣＨ＝　ＣＨ−を表す式（
１）の化合物が生成する。

Ｒａが基−（ＣＨ２）ｍを表す式（ＸＩ）の出発原料は
、式（Ｘｌａ）： ３ 〔式中Ｘ、は前記のものを表し、特に水素とは異なるも
のを表す〕の化合物を前記の式（ＩＸｈ）の化合物と反
応させ、引続き、例えば過塩素酸で塩を形成させて、弐
〇（Ｉｂ）： の化合物を生成させ、引続き、例えばテトラヒドロフラ
ン中のリチウムアルミニウムヒドリドを用いて還元して
式（Ｘｌｃ）： ３ の化合物を得、この化合物から、場合によりヒドロキノ
基及び／又はアミノ基に存在する保護基並びに場合しこ
より存在する保護基×５を脱離した後に、適当な酸化剤
、例えばピリジニウム−り四ロクロメートで酸化するこ
とにより１（ＸＩ）のフルデヒドを製造することができ
る。

Ｒ２が基−（ＣＨ９）ｍ−を表し、そのｍの数値が０で
ある式（Ｘ’ｌ）の出発原料は、式（Ｖ）の前記出発原
料の類縁体であり、式（Ｖｆ）の化合物から出発して前
記のようにして製造することができる。

式（１）の化合物の前記製造方法から適当な方法を選択
する場合に、存在する置換基を変換又は脱離したくない
ときは、その置換基を変換又は脱離しないように注意し
なければならない。特に、エステル化又はアミド化され
たカルボキシル基は加溶媒分解、特に加水分解の間、更
にまた、還元の際に反応に関与し、変換されうる。他方
、置換基の同時変換が望ましい場合もある。例えば、基
−ＣＨ＝ＣＨ−を本発明に使用する還元法の条件下にＭ
　　ＣＨ＞　　ＣＨ＞−にぶ元することもできる。

得られた化合物において、式（１）の化合物の定義の範
囲で常法で操作して得られた化合物を、例えば適当な置
換基を変え、導入するか、又は脱離することによって、
他の最終物質に変えることができる。

炭素同素環式環Ａに芳香核に結合したハロゲン原子を有
する、得られた化合物において、例えば常用の水素添加
触媒、（２すえ：ばラネー・ニッケル又はパラジウムイ
憚存在で水素で処理することによって、そのようなハロ
ゲンを脱離させ、水素で置換することができる。

他方、得られた化合物において炭素同素１ｇｉ式環八に
ハロゲン原子を導入することができる。このことは、常
法で、特に温度を高めないで、又は冷却しながら、触媒
、例えば鉄、沃素、塩化鉄−■、塩化アルミニウム又は
対応する臭化物の存在で行うことができる。

Ｒ４が水素である、得られた化合物の場合Ｃ二、ヒドロ
キノ基が奸ましくは反応性の、エステル化された形で存
在し、例えば有機スルホン酸、又はハロゲン水素酸との
エステルとして、従って例えばメタンスルホニルオキシ
基又はｐ−トルエンスルホニルオキノ基、又は塩素、臭
素又は特に沃素として存在する低級アルカノールと常法
で、例えば塩基性縮合剤、例えばアルカリ金属の炭酸比
、重炭酸塩若しくは水酸化物、例えば炭酸ナト１１ウム
、重炭酸ナトリウム又は水酸化ナトリウノ・の存在で反
応させることによって低級アルキル基Ｒ４を導入するこ
とができる。

ｉＷＩ’ｌｌカルボキシル基を常法で、例えば対応する
下ル二１−ルと、好ましくは酸、例えば鉱酸、例えば硫
酸若しくは塩化水素酸の存在で、又は水結合剤、例工ば
シンクロヘキシルカルボジイミドの存在で反応させるか
、又は対応するジアゾ化合物、例えばジアゾメタンと反
応させることによって、エステル化することができる。

塩、好ましくるま酸のアルカリ金属塩を反応性のエステ
ル化アルコール、例えば対応するハロゲニド、例えＬｆ
クロＩＪドと反応させることによってエステル化を実施
することもできる。

常法で、例えばアンモニア、又は−級若しくむま二級ア
ミンと、好ましくは水結合剤、例えＬｆジシクロへキシ
ルカルボジイミドの存在で反応させるか、又はカルボキ
シル基を）＼ロゲンカルボニル基、例えばクロロカルボ
ニル基に変え、引続きアンモニア又は−級若しくは二級
アミンと反応させることによって、遊離カルボキシル基
をアミド化することができる。

エステル化カルボキシル基を含む化合物の場合には、常
法で、例えば、好ましくは強塩基、例えばアルカリ金属
水酸化物、例えば水酸化ナトリウム若しくは水酸化カリ
ウム、又は強酸、例えば強鉱酸、例えばハロゲン水素酸
、例えば塩化水素酸若しくは硫酸の存在で加水分解する
ことによってそのエステル化カルボキシル基をａＭ力ル
ボキ、／ル基に変えることができる。

置換基としてエステル化カルボキシル基を有する化合物
の場合、常法で、例えばアンモニア又は−級若しくは丁
１級アミンを用いてアンモノリンス又はアミノリシスに
よって、その置換基を対応するカルバモイル基に変える
ことができる。

エステル化カルボキシル基を有する化合物の場合に、そ
のエステル化カルボキシル基を、ニス子ル交換反応、例
えば沸点が変換すべきエステル化カルボキシル基中に存
在するアルコールの沸壱より明らかに高いアルコールと
反応させることによって、他のエステル化カルボキシル
基に変えることができ、この反応は、例えば過剰のアル
コールを使用して、及び／又は不活性有機溶剤、好まし
くは同様に変換すべきエステル化カルボキシル基のアル
コールより明らかに高い沸点を有する溶剤中で、好まし
くは触媒、例えばアルカリ金属−低級アルコキシドの存
在で、温度を高めて、通常、遊離するアルコールを溜去
しながら実施する。

カルバモイル基を有する化合物の場合に、そのカルバモ
イル基を、例えば適当な脱水剤、例えばＮ、Ｎ”−ジシ
クロへキシルカルボジイミドによってニトリル基に変え
ることができる。

エステル化カルボキシル基を有する化合物の場合に、そ
のエステル化カルボキシル基を常法で、例えば低級アル
カノール中のアルカリ金属、例えばエタノール中のナト
リウムを用いて還元することによって、ヒドロキシメチ
ル基に変えることができる。

ヒドロキシ基を有する化合物の場合に、そのヒドロキシ
基を常法で、例えばアシル基に対応するカルボン酸又は
スルホン酸、又はこれらの反応性誘導体、例えば酸ハロ
ゲニト′、又はエステルと、場合により酸結合剤又は縮
合剤の存在で反応させることによって、アシルオキシ基
に変えることができる。

アシルオキシ基を含む化合物の場合に、そのアシルオキ
シ基を常法で、例えば、好ましくは伸塩基、例えばアル
カリ金属水酸化物、例えば水酸化ナトリウム、又は強酸
、例えば鉱酸、例えばハロゲン水素酸若しくは硫酸の存
在で加水分解することにより、遊離ヒドロキシ基に変え
ることができる。

アミノ基を有する化合物の場合に、そのアミノ基を常法
で、例えば、場合により酸結合剤又は縮合剤の存在で、
アシル基に対応するカルボン酸又はその反応性誘導体、
例えば酸ハロゲニド、又はエステルと反応させることに
よってアシルアミノ基に変えることができる。

７シルアミノ基を含む化合物の場合に、そのアシルアミ
ノ基を常法で、例えば、好ましくは＋！塩基、例えばア
ルカリ金属水酸化物、例えば水酸化ナトリウム、又は強
酸、例えば鉱酸、例えばハロゲン水素酸若しくは硫酸の
存在で加水分解することにより、遊離アミン基に変える
ことができる。

シアノ基を有する化合物の場合に、そのシアン基を、例
えば酸性又は塩基性媒体中で、例えば鉱酸、例えば硫酸
、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の水酸化
物、例えば水酸化ナトリウム若しくは水酸化カルシウム
の存在で水により加水分解することによりカルボキシル
基にかえることができる。

シアノ基を有する化合物の場合に、そのシアノ基を、例
えば酸性又は塩基性媒体中で、例えばアルカリ金属の水
酸化物又は重炭酸塩を用いて、場合により過酸化物、例
えば過酸化水素の存在で水により、部分的に加水分解す
ることによって、カルバモイル基にかえることができる
。

シアノ基を有する化合物の場合に、そのシアノ基を、ア
ルコール、例えば低級アルカノールと、酸性媒体、例え
ば塩酸中で反応させることによっ゛ζ対応するイミノエ
ーテルに変え、次にイミノ基を加水分解により脱離させ
てエステル化カルホキシル基にかえることができる。

ｍが１である基Ｒ，及びＲ１がヒドロキシ基であるＲ５
を有する化合物の場合に、常法での脱水、例えば適当な
溶剤、例えば芳香族溶剤、例えばトルエンの存在で、好
ましくは脱水促進剤、例えば酸性触媒、例えばｐ−トル
エンスルホン酸の存在で加熱することによって、基−（
Ｒｂ　　Ｒｉ）−の代わりに基−ＣＨ＝　ＣＨ−が存在
する化合物を（７ることができる。

式（１）の非Ｎ−オキシド化化合物を、適当な酸化剤、
例えばペルオキシ化合物、例えばペルオキシカルボン酸
、例えばｍ−クロロ過安息香酸、又は過酢酸、又は過酸
化水素を作用させることによって対応するＮ−オキシド
化化合物に変えることができる。

Ｎ−オキシド化化合物を、適当な還元剤、例えば活性水
素、例えば水素添加触媒、例えばニッケル触媒、白金触
媒若しくはパラジウム触媒の存在で水素を用いるか、又
は亜硫酸を用いて非Ｎ−オキノド化合物に変えることが
できる。

式（１）の非四級化化合物を、前記の第四級基に対応す
る化合物、例えば、場合により置換された低級アルキル
基、例えばメチル基（当該第四級基に対応するアルコー
ルの反応性エステル化誘専体、例えばハロゲニド、例え
ばクロリド、プロミド若しくはヨーシトとして、又は硫
酸若しくは有機スルホン酸、例えば脂肪族若しくは芳香
族スルホン酸、例えばメタンスルホン酸、ヘンゼシスル
ホン酸若しくはｐ−トルエンスルホン酸とのエステルと
して存在する）と、適当な溶剤の存在又は不存在で、場
合により開放又は密閉容器中で冷却又は加熱しながら、
反応させることにより、対応する第四級化合物に変える
ことができる。

製造工程におけると同様に、付加的工程を実施する場合
にも、付加的基の変換を起こしうる不所望な副反応が起
こらないように、注意しなければならない。

前記の反応は、場合により同時に又は後から、また任意
の順序で実施することができる。必要に応して、反応を
希釈剤１．１１ｉ１ｊ□□舎剤及び／又は触媒作用剤の
存在で、温度を高め又は低めて、密閉容器中で加圧下に
、及び／又は不活性ガス雰囲気中で実施することができ
る。

エピマー混合物及びシスー異性体とトランス−異性体と
の混合物を、常法で適当な溶剤からの分別結晶及び／又
は適当な溶剤若しくはその混合物を使用して、クロマト
グラフィー分別に適当な物質、例えばソリカゲル又は澱
粉を用いるクロマトグラフィーによって、純粋なエピマ
ー又は純粋なノス−異性体或いはトランス−異性体に分
離することができる。より有効なエピマー又はシスー異
性体或いはトランス−異性体を単離するのが々Ｙましい
。

得られたラセミ混合物をジアステレオアイソマーの物理
化学的差異に基づいて公知方法で、例えばクロマトグラ
フィー及び／又は分別結晶によって両方の立体異性体く
ジアステレオマー）ラセミ化合物に分割することができ
る。

得られたラセミ化合物を自体公知の方法で、例えば光学
活性溶剤から再結晶させるか又は適当な微生物により処
理するか、又はラセミ化合物と塩を形成する光学活性物
質、特に酸と反応させ、この方法で（７られた塩ｌ昆合
物を例えば溶解度の差に基づいてジアステレオマー塩に
分離し、この塩から適当な試薬の作用により遊離の対掌
体をＭ＃ｌさせることによって、対掌体に分割すること
ができる。特に有用な光学活性酸は、例えばＤ−形及び
］、−形の酒石酸、ジー０−０’−（ｐ−）ルオイル）
−酒石酸、りんご酸、マンデル酸、樟悩スルホン酸、グ
ルタミン酸、アスパラギン酸又はキナ酸である。２種の
対字体のうち有効な方を＠離するのが好ましい。

処理条件及び出発原料に応して、新規化合物は遊離形で
、又は同様に本発明によって包括される塩の形で得られ
、新規化合物又はその塩はそのヘミ−１七ノー、セスキ
−又はポリ水和物として存在することもある。新規化合
物の酸付加塩を自体公知の方法で、例えば塩基性試薬、
例えばアルカリ金属の水酸化物、炭酸塩又は炭酸水素塩
又はイオン交換体で処理することによって遊離化合物に
変えることができる。他方、得られたＭＭ塩基は有機又
は無機の酸、例えば前記の酸と共に酸付加塩を形成する
二とができ、その製造には特に　医薬に使用しうろ　無
毒性の塩の形成に適当／１酸を使用する。

新規化合物のこれら又は他の塩、特に酸付加塩、例えば
蓚酸塩又は過塩素酸塩は、遊離塩基を塩に変え、これを
分離し、精製し、塩から再び塩基を遊離させる方法で、
得られた遊Ｍ塩基の精製に使用することができる。

出発原料及び操作法の選択に応して、新規化合物ハｆｆ
−ヒマ−混合物、純粋なエピマー、ラセミ混合物、ラセ
ミ化合物、光学的り１７体、シスー異性体およびトラン
ス−異性体の混合物、又は純粋なシスー異性体又はトラ
ンス−異性体として存在する。出発原料を、純粋なエピ
マー、純粋なシス−異性体又はトランス−異性体として
又は一定の光学的対掌体として使用するか、又はオキツ
ムである場合には更にノン−形又はアンチ−形と（７て
使用することができる。

本発明は、任意の処理工程で中間体としてｉ）られる化
合物から出発し、不足の処理工程を実施するか、又は処
理を任意の処理工程で中断するか、又は出発原料を反応
条件下に生成させるか、又は反応成分を場合により塩の
形で使用する実施態様にも関する。

本発明による反応を実施するため、初めに特に挙げた最
終生成物及び特に、特別に記載又は列挙した最終生成物
を生ずる出発原料を使用するのが有利である。

出発原料は公知であるか、又は新規である場合には、自
体公知の方法で、例えば前記方法及び実施例に記載した
方法と同様にしζ得ることができる。新規出発物質、特
に式（ＩＩ）、（［１１）、（ＩＮ）、（Ｖ）、（Ｖｌ
）、（■）、（■）、（ＩＸ）、（Ｘ）及び（ＸＩ）の
化合物は、前記方法を実施するため特に開発したもので
あり、その製造方法と同様に本発明の対象である。本発
明はこれらの方法により得られる新規中間体及びその製
造方法にも関する。　　　　　　　　　　、１　″ 本発明は同様に、式（１）の化合物又はその医薬として
使用しうる、無毒性の酸付加塩の、特に第一に中枢神経
系に作用する、薬学的に有用な化合物としての用途に関
する。これらの化合物を、好ましくは医薬製剤の形で、
動物又は人の体の予防及び／又は治療処置に、特に意識
障害及び脳機能不全、特に種々の記憶障害及び脳外傷若
しくは脳溢血の後遺症の治療に使用することができる。

本発明は更に、式（１）の化合物又は該化合物の医薬と
して使用しうる、無毒性の酸付加塩を活性成分として含
む医薬製剤及びその製造方法に関する。

例えば、場合により、医薬に使用しうる、膵管内、例え
ば経［］、又は腸腸管外路に適当で、無機又は有機の、
液体又は固体の賦形剤と一緒に、薬学的に有効な量の活
性物質を含む医薬製剤の形で新規化合物を使用すること
ができる。希釈剤、例えば乳糖、ブドウ糖、蔗糖、マン
ニット、ソルビット、セルロース及び／又はグリセリン
及び／又は滑沢剤、珪藻上、タルク、ステアリン酸又は
その塩、例えばステアリン酸のマグネシウム塩又はカル
シウム塩、及び／又はポリエチレングリコールと一緒に
活性物質を含む錠剤又はゼラチンカフ゛セルを使用する
ことができる。錠剤は同様に結合剤、例えば珪酸アルミ
ニウムマグネシウム、穀粉、例えばトウモロコシ澱粉、
小麦澱粉、米澱粉又はくず穀粉、ゼラチン、トラガント
、メチルセルロ−ス び／又はポリビニルピロリドン、及び必要番こＩＩＥ’
ｌし崩壊剤、例えば澱粉、寒天、アルレキン酸又しよそ
の塩、例えばアルギン酸ナトリウム、及び／又しま沸騰
酸、又は吸着剤、着色剤、矯巣剤及び甘味剤を含んでい
てもよい。更に、薬学的むこ有効な新規化合物を腸管外
投与製剤又は注入液の形で使用することもできる。この
ような液は等張水溶液又むよモｆ＠液であるのが好まし
く、活性物質を単独で又しま賦形剤、例えばマンニット
と共心こ含む凍斧古乾燥製剤の場合には、使用前に溶液
又は懸濁液を製造することができる。医薬製剤は滅菌さ
れ、及び／又は助剤、例えば保存剤、安定剤、湿潤剤及
び／又は乳化剤、熔解助剤、浸透）Ｆ開節剤塩及び／又
Ｇま緩衝剤を含んでいてもよい。本発明の医薬製卯ＩＧ
よ、必要に応し、別の薬学的活性物質を含んで（、＞て
３長く、自体公知の方法で、例えば市川の混合、造マケ
、糖衣掛け、熔解又は凍結乾燥法により製造さね、約０
．１％〜１００％、特に約１％〜約５０％の活性物質を
含み、凍結乾燥物は活性物質を１００％まで含んでいて
よい。

単独又は常用の賦形剤及び助剤と一緒Ｇこ投１１′る活
性物質の用量決定は、種々のファクター、（９１１えば
投与方法、種、年齢及び／又は個体の０：畔つこ左右さ
れる。体重的７０ｋｇの温血動物己こ一日１回以上、好
ましくは最高４回投与すべき合ｄ＋投与量は約ｌθ〜５
００■、好ましくしま約２５〜２５０■の範囲である。

次に、実施例に基づいて本発明を８９−述４゛る。

温度は摂氏で示す。

例１ メタノールｉｌｌ中の例２で１尋られる立（）ｆ．胃ｊ
ＩＹ体αづセトキソー１ーエチル−２．３．５．６。

目，１１ｂ−へキサヒドロ−１　１（−インドＩＩジノ
　（８，７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチル
エステルの混合物３８４ｇ　（１モル）の溶液中に、還
流温度で３時間塩化水素ガスを導入する。反応混合物を
蒸発させた後、残渣を氷水混合物４１に熔解させ、重炭
酸ナトリウムで中和し、毎回２１の塩化メチレンで３回
抽出し、合した有機相を水で洗浄し、硫酸ナトリウム上
で乾燥し、濾液を真空中で蒸発させる。得られた発泡物
をメタノール３ｅに溶かし、エーテル３ｅと混合する。

冷却後、スレオ−シス−α−ヒドロキシ−１−エチル−
２，３，５，６，１１，１ｌｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−
インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−プロピ
オン酸メチルエステルのラセミ化合物が晶出し、その光
学対掌体は下記の式に相当する：融点２１９〜２２０・
℃、塩酸塩の融点２３０〜２３３℃（メタノール／エー
テルから）母液を真空中で２ｋに４縮し、メタノール性
塩酸溶液でｐＨ５の酸性にし、真空中で蒸発し、残渣を
アセトン３１に熔かす。冷却すると、光学対字体が下記
の式に対応する前記のシスー化合物のエリメロ形のラセ
ミ化合物の塩酸塩が晶出する：融点２３２〜２３４℃、
遊離塩基の融点１８３〜１８５℃（塩化メチレン／エー
テルから）：その際得られた母液を蒸発し、残渣を氷水
混合物ｌｌ中に熔かし、溶液を２５％アンモニア水溶液
でアルカリ性に関節し、毎回１．５ｅの塩化メチレンで
３回抽出し、合した有機相を水１１で洗浄し、（ｉｌ！
Ｌ酸ナトリうム上で乾燥し、濾液を真空中で蒸発する。

その際前記式の化合物の３種の立体異性体の得られた混
合物をシリカゲル６０（７０〜−２３０メツシユ、メル
ク社製）４ｋｇ上で酢酸エチルエステルの量を増加しな
がらトルエンと酢酸エチルエステルとの混合物を使用し
てクロマトグラフィー処理する。この方法で更にシス−
化合物のスレオ−異性体及び融点１８３〜１８５℃のシ
ス−化合物のエリスロ異性体が単離される。更に、下記
の式のトランス−α−ヒドロキシ−１−エチル−２，３
，５，６，１１，１ｌｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−インド
リジノ　［８，７−ｂ〕インドール−１−プロピオン酸
メチルエステルが得られる：融点１５３〜１５４℃、酸
性蓚酸塩の融点１３２〜１３４℃（アセトンから）、酸
性硫酸塩（ヘミ水和物として）の融点２２０〜２２１℃
（メタノール／アセトンから）： この方法を別法として下記のように行うことができる： 出発原料として、例２により硼水素化ナトリウムで還元
して得られた立体異性体α−アセトキノ−１−エチル−
２，３，５，６’、Ｉ　１．１　ｌ　ｂ−テトラヒドロ
−Ｉ　Ｈ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−
１−プロピオン酸メチルエステル３８４ｇ　（１モル）
を使用する。前記のように後処理し、得られたスレオ−
シス−α−ヒドロキン−１−エチル−２，３，５，６，
１１，１ｌｂ−ヘキサヒドロ−１１１−インドリジノ　
［８，７−ｂ〕インドール−１−プロピオン酸メチルエ
ステルを分離した後に、得られた母液を真空中で１ρの
容量に濃縮し、攪拌しながらメタノール２５０ｍ１中の
無水蓚酸７５ｇの溶液を加える。真空中で芸発した後、
残渣をアセトン１．！Ｍに熔かし、冷却すると、融点１
３２〜１３４℃の前記式のトランス−α−ヒドロキソ−
１−エチル−２，３，５，６゜１１．１１ｂ−ヘキサヒ
ドロ−ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール
−プロピオン酸メチルエステルの酸性蓚酸塩が晶出する
。遊離塩基の融点１５３〜１５４℃（エーテルから）、
酸性硫酸塩の融点（ヘミ水和物として）２２０〜２２１
℃　（メタノール／アセトンから）。

例２ １−エチル−２，３，６，ｉｌ−テトラヒドロ−５Ｈ−
インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール３００ｇ（１
，２５モル）、塩化メチレン４１．２−アセトキシアク
リル酸メチルエステル〔ウオリンスキー（Ｊ、　Ｗｏｌ
ｉｎｓｋｉ　）　、ノヴアク（ＲｌＮｏｖａｋ　）著、
Ｊ、　Ｏｒｇ、　Ｃｈｅｍ、　　２９巻３５９６頁（１
９６４）記載の方法により製造３４６０ｇ及びメタノー
ル５０１の混合物を窒素雰囲気下に室温で攪拌する。

６５時間後、溶液を真空下に茎発し、過剰の２−アセト
キシアクリル酸メチルエステルを除去するため、油性残
分を毎回５００ｍ１のｎ−ヘキサンを用□いて３回浸出
し、残渣をメタノール６１に熔かし、水冷下に７０％過
塩素酸水溶液をｐ）１６．５に達するまで滴加する。得
られたα−７セトキシーｌ−エチル−１，２，３，５，
６，１１−ヘキサヒトローインドリジノ　ＣＢ、’ｌｂ
）インドール４−イウム−ｔ−＝プロピオン酸メチルエ
ステル過塩素酸塩の溶液を、パラジウム付活性炭触６Ｘ
　（１０％）１５０ｇの存在で常圧で２４時間水素添加
し、反応混合物を濾過し、濾液を真空中で莱発し、残渣
を塩化メチレン２１に熔かし、２Ｎ苛忰ソーダをｐ）１
７．５になるまで加える。有機相を分離し、硫酸ナトリ
ウムトで乾燥し、濾過し、真空中で庵発した後、下記の
式の立体異性体α−アセトキン−１−エチル−２，３，
５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒドロ−１）（−インド
リジノ　〔８，７−ｂ〕インドール−１−プロピオン酸
メチルエステルの混合物が黄色油として得られる。

Ｈ２ＣＯ２に の方法の別法を以下に記載する： １−エチルー２．３．６．１１−テトラヒドロ−５８−
インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール３００ｇ（１
，２５モル）及び２−アセトキシアクリル酸メチルエス
テル４６０ｇを反応させ、引続きｎ−ヘキサン５００ｍ
１で３回前記のように処理して得た、融点７６〜８０°
Ｃの粗無定形反応生成物を下記のように還元することも
できる。得られた反応生成物をメタノール１０６に熔か
し、この溶液に室温で硼水素化ナトリウム５３ｇを少量
づつ攪拌しながら加える。添加終了後、更に３０分攪拌
し、溶液を氷酢酸でｐｌ（６に調節し、真空中で完全に
蔑発させる。残渣を５％重炭酸ナトリウム水ｆ６液で中
和し、毎回３ｅのエーテルで４回抽出する。合した有機
相を水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、濾液を真
空中で莱発すると、前記の式の立体異性体α−アセトキ
シ−１−エチル−２，３，５，６，１１，１ｌｂ−へキ
サヒドロ＝ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インド
ール−１−プロピオン酸メチルエステルが黄色発泡物が
得られる。

出発原料は下記の方法で製造することができる：ａ）２
−エチル−Ｔ−ブチロラクトンＣボーン（Ｒ，Ｆ、Ｂｏ
ｒｎｅ　）　、アプールーエナイン（ｔ（、Ｙ、Ａｂｏ
ｕｌ−Ｅｎｅｉｎ　）　、ウォータース（ｌＪ、Ｗａｔ
ｅｒｓ）　、ヒ。

クス（Ｊ、旧ｃｋｓ　）著Ｊ、Ｍｅｄ、Ｃｈｅｍ、　１
６巻（３）、２４５頁（１９７３年）記載の方法により
製造〕］、１４ｋｇ（１０モル）を４０℃で３０分以内
に塩化チオニル２．５ｅ中の無水塩化亜鉛１６２ｇの攪
拌溶液中に装入し、混合物を還流下に１８時間煮沸する
。常圧で溶剤を溜去した後、単色残分をビグロー（Ｖｉ
ｇｒｅｕｘ　）カラムで水流ポンプの真空で芸溜すると
、沸点１０５〜ｂ −エチル−４−クロロ−ブチリルクロリドが得られる。

ｂ）パラフィン油中の５５％水素化ナトリウムモ濁液９
００ｇを、パラフィン油を除去するため、ｎ−ヘキサン
１．５１で洗浄し、残分をテトラヒドロフラン４１！中
に懸濁する。窒素下に０〜５°（゛に冷却しながらテト
ラヒドロフラン４１中のトリプタミン８００ｇ（５モル
）の溶液を１時間の間に滴加し、暗緑色の懸濁液を一１
０℃に冷却し、３時間の間にテトラヒドロフラン１１中
の２−エチｌレー４−クロローフ′チリルクロリド８５
０ｇのｌ８液を加える。反応混合物を室温で更に１８時
間攪拌した後、０〜５℃に冷却し、水２１を徐々に滴加
して過剰の水素化ナトリウムを分解し、トルエン１５１
で希釈する。毎回２１のＩＮ塩酸で２回、毎回２０１の
水で３回、飽和塩化ナトリウム水溶液４Ｎで１回抽出し
、有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥させ、濾過後、３Ｎ
の容量に濃縮する。活性炭２００ｇを添加した後、加熱
沸騰させ、セライ）　（Ｃｅｌｉｔｅ）　Ｒ上で濾過し
、濾過残渣を熱トルエン２７！で洗浄し、冷却すると、
融点９８〜１００℃の３−エチル−Ｎ−（２−（３’−
インドリル）−エチルクー２−ピロリドンが晶出する。

Ｃ）得られた３−エチル−Ｎ−（１−（３”インドリル
）−エチルクー２−ピロリドン６４０ｇ（２，５モル）
とオキシ塩化、ｐ２ｐとの混合物を４時間還流下に攪拌
し、次に冷却し、氷水混合物１５ｆｆ）１に注ぎ、更に
１０ｎの水で希釈し、３　”ｃに冷却する。攪拌しなが
ら３０分の間に過塩素酸ナトリウム８７５ｇを装入し、
室温で更に５時間攪拌する。濾過後、濾過残渣をメタノ
ールから再結晶させると、下記の式の１−エチル−１，
２，３゜５．６．１１−へキサヒドロ−インドリジノ　
〔８゜７−ｂ〕ベインール−４−イウム−過塩素酸塩が
得られる：融点１６８〜１７１℃。

ｄ）得られた化合物５１０ｇ（１，５モル）をンメチル
スルホキノド１．５１及びトルエン３ｅに溶かしたｆ６
液中に窒素下に良く攪拌しながらＩＮ苛性ソーダ２ρを
装入する。トルエン６ｆｆで希釈した後、有機相を分離
し、水１１で洗浄し、炭酸カリ上で乾燥し、濾過し、溶
剤を真空下に茅発させると、ｌ−エチル−２，３，６，
１１−テトラヒドロ−５Ｈ−インドリジノ　〔８，７＝
ｂ〕インドールが橙赤色油として得られる。

例３ メタノール６１中の１−エチル−１，２，３゜５．６．
１１−ヘキサヒトローインドリジノ　〔８゜７−ｂ〕ベ
インール−４−イウム−１−プロピオン酸メチルエステ
ル過塩素酸塩３２０ｇ（０，７５モル）及び無水酢酸カ
リウム７５ｇのｆ６液をパラジウム付活性炭触媒（５％
）３’Ｇｇの存在で常圧で３時間水素添加する。反応混
合物を濾過し、濾液を真空中で蒸発し、残渣を塩化メチ
レン４．５１に溶かし、ＩＮ苛性ソーダ１．５ρを加え
る。有機相を分離し、毎回５００ｍ１の水で２回洗浄し
、硫酸ナトリウム上で乾燥し、濾過し、真空中で茎発す
る。残渣を温トルエン１．５１に熔かし、ｎ−ヘキサン
１．’５＆を加え、冷却した後、下記の式のシス−１−
エチル−２，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒドロ
−ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ〕ベインール−１
−プロピオン酸メチルエステルが晶出する；融ｎ、　１
６２〜１６３℃。

メタンスルホネートに変えるため、得られた化合物３２
．６ｇ（０，１モル）をメタノール２５０ｍ１に溶かし
、攪拌しながらメタンスルホン酸９．６ｇを加える。エ
ーテル１．５１を添加し、冷却した後シスー化合物のメ
タンスルホネートが晶出する。

融点２１８〜２１９’Ｃ。

塩基を製造する際に得られた母液を真空中で完全に朶発
させ、残渣をｎ−ヘキサン１２ρ中に懸濁し、室温で３
０分攪拌する。濾過した後、溶液を真空中で茎発させ、
エーテルｓｏｏｍ＋中に熔かし、ｎ−へキサン１ρを加
える。冷却（及、融屯１１８〜１２１°Ｃのトランス−
１−エチル−２３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒド
ロ−１Ｈ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−
１−プロピオン酸メチルエステルが晶出する。

メタンスルホネートに変えるため、この化合物３２．６
ｇ（０，１モル）をアセトンＩＮに熔かし、溶液に攪拌
しながらメタンスルホン酸９．６ｇを加える。冷却後、
トランス−化合物のメタンスルホネートが晶出する：融
点１４７〜１４８℃。

出発原料は下記のようにして得られる。

ａ）塩化メチレン４．５１中で、例２により得られた１
−エチル−２，３，６，１１−テトラヒドロ−５Ｈ−イ
ンドリジノ　［８，７−ｂ）インドール３００ｇ（１，
２５モル）及びアクリル酸メチルエステル３００ｇの混
合物を窒素雰囲気下に室温で６５時間攪拌し、次に溶液
を真空中で蒸発させ、赤色油状残分を毎回５００＋ｎｌ
のｎ−ヘキサンで３回浸出して過剰のアクリル酸メチル
エステルを除去すると、下記の式の１−エチル−２，３
，５，，６−チトラヒドローＩＨ−インドリジノ　〔８
，７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチルエステ
ルが晶出する。融点１２９二１３２℃。

過塩素酸塩に変えるため、メタノール５ρ中のこの化合
物３２４ｇ　（１モル）の溶液に０〜５℃で攪拌しなが
ら３０分以内に７０％過塩素酸水溶液１５０ｍ１及びエ
ーテル５００ｍ１を加える。冷却した後、下記の式の１
−エチル−１，２，３，５゜６．１１−ヘキサヒドロ−
インドリジノ　〔８，７−ｂ）インドール−４−イウム
−１−プロピオン酸メチルエステル過塩素酸塩が晶出す
る。融点１４４〜１４５°Ｃ６ ヘキサン母液から後処理して得られる式：％式％ ン酸メチルエステルは、エーテルから数回再結晶した後
１５９〜１６０℃の融点を示す。式：□のこの化合物の
メタンスルホン酸塩は、１６４〜１６５℃の融点（アセ
トンから）を示す。

例４ エチルアルコール（９５％）２００ｍｌ中の例３により
得られたシス−１＝エチル−２，３，５゜６．１１．１
１ｂ−へキサヒドロ−１■（−インドリジノ　（８，７
−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチルエステル１
３．１ｇ＜０．０４モル）の溶液にエチルアルコール（
９５％）２００ｍｌ中の水酸化ナトリウム３．２ｇの溶
液を加え、還流下に２時間煮沸する。冷却した後、溶剤
を真空で溜去し、残渣を水４００ｍ１に溶かし、溶液を
２Ｎ酢酸水溶液で中和し７、冷却すると、融点、２５１
〜２５４℃のシス−１−エチル−２，３，５，６，１１
，１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８，
７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸が晶出する。

得られたシス−１−エチル−２，３，，５，６゜１１．
１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　（８，７
−ｂ’ｌ　インドール−１−プロピオン酸９．４ｇ（０
，０３モル）をエチルアルコール（９５％）５０ｍｌに
熔かした溶液をエチルアルコール（９５％）１００ｍｌ
中の水酸化ナトリウム１．２ｇの溶液と混合する。真空
中で業発した後、残渣をメチルエチルケトン１００ｍ１
に熔かし、溶液をＯ〜５℃に冷却し、良く攪拌しながら
１５分かけてプロ七メチルメチルエーテル３．７５　ｇ
を加える。

この溶液を室温で２時間攪拌し、その後真空中でＩＡ縮
させる。残渣を塩化メチレン３００ｍ１及び水２００ｎ
＋１に取り、有機相を分離し、毎回１００ｍ１の水で２
回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、濾過し、泉発さ
せる。酢酸エチルエステル中でシリカゲル６０（０，０
６３〜０．２００１謁、メルり社製）５０ｇを介して濾
過した後、融点１０４℃〜１０５℃のシス−１−エチル
−２，３，５，６゜１１．１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ
−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−プロ
ピオン酸メトキシメチルエステルが得られる。

例５ メタノール３５０ｍ１中のシスーＤ−ノルビンカモン〔
メイランド（Ｍ、　Ｍａｉｌａｎｄ）等著Ｃｈｅｍ、　
Ｂｅｒ。

１１４巻１９２６頁（１９８１）記載の方法により製造
）　　１１．２　ｇ　（０，０４モル）の溶液に２Ｎ苛
性ソーダ３０１を加え、還流下に１時間煮沸する。

７９ｒ　ＡＤｆ＆　、□１□エモｉ。４．□２００ｍ１
に取り、溶液を２Ｎ酢酸で中和し、次に冷却すると、融
点２４３〜２４５℃（分解）のシス−１−エチル−２，
３，５，，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−イ
ンドリジノ　（８，７−ｂ３　インドール−１−酢酸が
晶出する。

メタノール４００ｍ１中の得られたシス−１−エチル−
２，３，５，６，１１，１ｌｂ−ヘキサヒドロ−Ｉ　Ｈ
−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−酢酸
７．４５　ｇ　（０，０２５モル）のむ濁液に攪拌しな
がら１％エーテル性ジ了ゾメタン溶液（Ｔ、Ｊ、　ｄｅ
　Ｂｏｅｒ、　Ｈ，Ｊ、Ｂａｃｋｅｒ著：　Ｏｒｇ、５
ｙｎｔｈ。

Ｃｏ１１．　ＩＶ巻２５０頁（１９６３）記載の方法に
より製造）１２５ｍｌを滴加する。生じた黄色溶液を数
滴の酢酸の添加によって脱色し、真空中で７０ｍ１に濃
縮し、４．５Ｎメタノ一ル性塩化水素溶液６ｍｌで弱酸
性に調節し、エーテル２５’Ｏｍｌを添加した後、冷却
すると、融点２３８〜２４０℃（分解）のシス−１−エ
チル−２，３，５，６，１］、］１１ｂ−ヘキサヒドロ
ーＩＨ−インドリジノ〔８，７−ｂ）インドール−１−
酢酸メチルエステルが晶出する。遊離塩基（モノ水和物
）の融点１０８〜１０９℃（エーテル／ｎ−ヘキサンか
ら）ｉｉｊ記の反応は、下記の反応式に対応する：例６ テトラヒドロフラン２５（ｌｔ１中のりチウムアＪレミ
ニウムヒドリド３．８ｇのｑ！濁液中に、窒素雰囲気中
で攪拌下に４０分かけて、テトラヒト〔１フラン７５０
ｍ１中の例１により得られた融６２１９〜２２０℃のス
レオ−シス−α−ヒドロキン−１−エチル−２，３，５
，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジ
ノ　（８，７−ｂ〕インドール−１〜プロピオン酸メチ
ルエステルのラセミ化合物３４．２ｇ（０，１モル）の
溶液を滴加１゛る。

２時間後、注意深く水４ｍ１次！二１５％水酸化ナトリ
ウム水／８液４ｍｌ及び引続き更に水１２ｍ１を滴加し
、白色沈澱を濾去し、溶剤を真空中で装発させる。残渣
を塩化メチレン２５０ｍ１に溶かし、毎回５０ｍ１の水
で２回抽出し、有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、濾
過し、真空中で墓発させる。

残渣をメタノール２５０ｍ１に熔かし、次に冷却すると
、融点２２４〜２２５℃の、結晶メタノール１モルを有
するスレオーノスー３’−Ｎ−エチル−２，３，５，６
，１１，１１ｂ−へキサ上１０−ＩＨ−インドリジノ　
（８，７−ｂ）インドール−１〕−プロパン−１’、２
’−ジオールが晶出する。

サイクラ・メートに変えるため、この化合物１５．７、
、（０，０５モル）をメタノール５０ｍ１中Ｇこ懸濁し
、攪拌しながらメタノール１００ｍ１中のＮ−シクロへ
キシルスルファミン１％２９ｇの溶液を加える。生じた
溶液にエーテル３００ｍ１を添加し、次に冷却すると、
融点１７７〜１７９℃のスレオ−シス−３’−（１−エ
チル−２，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒトロー
ＩＨ−インドリジノ　［８，７−ｂ］インドール−１〕
−プロノぐノー１’、２’−ジオールーサイクラメート
が晶出する。

前記の反応は、下記の反応式に対応する：例７ テトラヒドロフラン２５０ｍ１中のリチウムアルミニウ
ムヒドリド３．８ｇの懸濁液に窒素雰囲気中で攪拌しな
がら４０分かけてテトラヒドロフラン７５０ｍ１中の例
１により得られたエリスローラス−α−ヒドロキン−１
−エチル−２，３，５，６゜１１．１１ｂ−ヘキサヒド
ロ−ＩＨ−インドーリジノ　（８，７−ｂ）インドール
−１−プロピオン酸メチルエステル（融点１８３〜１８
５°Ｃ）３４．２ｇ（０，１モル）の溶液を滴加する。

２時間後、注意深く水４ｍｌ、次に１５％水酸化ナトリ
ウム水溶液４ｍｌ及び引続き更に水１２ｍ１を滴加し、
白色沈澱を濾去し、溶剤を真空中で蒸発させる。残渣を
塩化メチレン２５０ｍ１に熔かし、毎回５０ｍ１の水で
２回抽出し、有機相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、濾過
し、真空中で蒸発させる。

残渣をメタノール２０’Ｏｍ＋に熔かし、次に冷却する
と、融点２０６〜２０８℃のエリスローシス−３’−（
１−エチル−２，３，５，６，ｌ　１．　　ｌ’１ｂ−
へキサヒトロー１”　Ｈ−インドリジノ　〔８，７−ｂ
）インドール−１３−１’、２’−ジオールが晶出する
。

メタンスルホネートに変えるため、この化合物１５．７
　ｇ　（０，０５モル）をメタノール１５０ｍ１に熔か
し、この溶液に攪拌しながらメタンスルホン酸４．８ｇ
を加える。溶剤を真空中で蒸発した後、残渣をアセトン
４００ｍ１に溶かし、次に冷却すると、融点２２０〜２
２２℃の前記エリスローシス−化合物のメタンスルホネ
ートが晶出する。

前記の反応は、例６に記載した反応式に対応する。

例８ テトラヒドロフラン２５０ｍ１中のりチウムアルミニウ
ムヒドリド３．８ｇの懸濁液もこ窒素雰囲気中で攪拌し
ながら４０分以内にテトラヒドロフラン７５０ｍ１中の
例１により得られた融点１５３〜１５４℃のトランス−
α−ヒドロキシ−１−エチル−２，’３，５，６，１１
．１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　（Ｂ、
７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチルエステル （０．１モル）の溶液を滴加する。２時間後、注，會深
く水４ｍｌ、次に１５％水酸化ナトＩＪウム水熔液４ｍ
ｌ及び引続き更に水１２１を滴加し、白色沈澱を濾去し
、溶剤を真空中で蒸発させる。残渣を塩化メチレン２５
０ｍｌに熔かし、毎回５０ｍ１の水で２回抽出し、有機
相を硫酸ナトリウムトで乾燥し、濾過し、真空中で蒸発
させる。残渣を１５０ｍｌのエーテルに熔かし、ｎ−ヘ
キサン２５０ｍｌを加え、冷却すると、融点１６７〜１
６９°Ｃのトランス−３”（１−エチル−２．　　３．
　　５．　　６．　　１　１．　１１ｂ〜へキサヒトロ
ーＩＨーインドリジノ　〔８．７−ｂ）インドール−１
〕−プロパン−１’．２’−ジオールが晶出する。

サーイクラメートに変えるため、この化合物１５．７ｇ
（０．０５モル）をメタノール１００ｍｌ中に熔解し、
得られた溶液に攪拌下にメタノール１００＋ｎｌ中のＮ
−シクロへキシルスルファミンｆ％Ｅ９ｇの溶液を加え
る。溶剤を真空中で蒸発させ、残渣をアセトン３５０ｍ
ｌに熔かし、次に冷却すると、融点１５８〜１６０℃の
トランス−３”（１−エチルー２．３，５，６．Ｉｌ、
ｌ１ｂ−へ十号ヒドローＩＨ〜インド′リジノ　Ｃ８，
７−ｂ）インドール−１〕−プロパン−１′、シージオ
ール−号イクラメートが晶出する。

前記の反応は下記の反応式に対応する：例９ メタノール５００ｍ１及びＩＮ苛性ソーダ５５ｍ１中の
融点１３９〜１４０　’ｃのシス−α−アミノ−Ｄ−ツ
ルーピーホモビン力モンの一方の異性体１５．４５　ｇ
　（０，０５モル）　（７）溶液を還流下に１時間煮沸
し、冷却し、冷却体び攪拌下にＩＮ塩酸を５５ｍ１加え
、真空中で茎発きせる。残渣を塩化メチレン３００ｍ１
中に懸濁し、濾過し、蒸発させ、残渣を再びメタノール
２００ｍ１に溶かす。攪拌しながら、この熔液乙こ１％
エーテル性ジアゾメタン溶液〔ボール（Ｔ、Ｊ、ｄｅ　
Ｂｏｅｒ　）及びパッカー（Ｈ８Ｊ、Ｂａｃｋｅｒ）著
Ｏｒｇ、　５ｙｎｔｈ、　Ｃｏｌ！、ｒＶ巻２５０頁（
１９６３）記載の方法により製造１２３０ｍ１を加えた
。生した黄色溶液を数滴の酢酸を添加して脱色し、真空
中で茎発させる。２５０ｇのシリカゲル６０（７０〜２
３０メソノ１、メルク社製）を介して濾過し、エーテル
から結晶化させた（々、下記の式のメス−α−アミノ−
１−エチル−２゜３．５，５．　　目、１ｌｂ−ヘキサ
ヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　［８，７−ｂｌ　インド
ール−１プロピオン酸メチルエステルの一方の異性体が
得られる： 融点１４３〜１４６℃；二塩酸塩（セスキ永和物として
）の融点２２７〜２３０℃（メタノール／エーテルから
）。

出発原料として必要な融点１３９〜１４０　’Ｃのシス
−α−アミノ−Ｄ−ツルーＥ−ホモビンカモンは下記の
ようにして製造することができる：ａ）トルエン６００
ｍ１中のシスーＤ−ツルーＥ−ホモビンカモン〔ヘルジ
ング（Ｅ、　Ｂｏｅｌｓｉｎｇ　）等著、Ｃｈｅｍ、Ｂ
ｅｒ、　　１１４巻１９３２頁（１９８１）記載の方法
により製造〕２９．４ｇ　（０，１モル）のｆ６ｆｉ、
に窒素雰囲気中で攪拌しながら９０％ｔｅｒｔ　−ブチ
ルニトライト１００＋ｎｌ及び引続き少量ずつカリウム
ｔｅｒｔ−ブトキシド２９ｇを加える。その際溶液の温
度は４５℃に−Ｌ昇する。更に１時間攪拌し、次に５．
４％塩化アンモニウム水溶液１．５１を加え、更に１時
間室温で攪拌すると、融点２２５〜２２８℃（メタノー
ルから）のα−ヒドロキンイミノーンシスＤ〜ツルーＥ
−ホモビンカモンが晶出する。

反応は下記の反応式に対応する： 塩酸塩に変えるため、得られた化合物１６．１　ｇ（０
，０５モル）をメタノール２００ｍ１中に広濁し、　−
攪拌しながら３．５　Ｎメタノール性塩化水素溶液を１
５ｍ！加える。エーテル４００ｍ１を添加した後、冷却
すると、融点２５５〜２６５℃（分解）のアンチ−α−
ヒドロキンイミノ−シスーＤ−ツルーＥ−ホモビン力モ
ン塩酸塩が晶出する。

ｂ）メタノール１．５１中の得られたアンチ−α−ヒド
ロキキノミノ〜ノスーＤ−ツルーＥ−ホモビン力モン塩
酸塩１４．４　ｇ　　（０，０４モル）の溶液をパラジ
ウム付活性炭触媒（５％）５ｇの存在で常圧で４０時間
水素添加する。反応混合物を濾過し、濾液を真空中で蒸
発させ、残渣を水３００ｍ１に熔かし、濃アンモニア水
溶液でアルカりす生に調節する。毎回塩化メチレン３０
０ｍ１で３回抽出した後、合した有機相を水１５０ｍ１
で１回洗浄し、硫酸ナトリウムトで乾燥し、濾過し、真
空中で范発する。

残渣をエーテル３０ｍ１に熔かし、冷却すると、下記の
式のシス−α−アミノ−Ｄ−ツルーＥ〜ホモビンカモン
の一方の異性体が晶出する：融点１３９〜１４０℃、二
塩酸塩の融点２９０〜２９３℃（分解）。

例１０ メタノール５００ｍ１及びＩＮ苛性ソーダ５５ｍ１中の
融点１２５〜１２７℃のトランス−α−アミノ−Ｄ−ツ
ルーピーホモビン勿モンの一方の異性体１５．４５　ｇ
　（０，０５モル）の溶液を還流下に１時間煮沸し、冷
却し、冷却及び攪拌下にＩＮ塩酸５５ｍ１を加え、反応
混合物を真空中で濃縮する。

残渣を塩化メチレン３００ｍ１中に！！濁し、濾過し、
濾液を減圧濃縮し、残渣を再びメタノール２００ｍ１に
熔かす。この溶液に１％エーテル性ジアゾメタン溶液２
３０ｍ１を攪拌しながら加え、生した黄色溶液を数滴の
酢酸を添加して脱色し、真空中で濃縮する。残渣をメタ
ノール２００ｍ１に熔かし、この溶液に冷却及び攪拌下
に３．５Ｎメタノ一ル性塩化水素溶液３０ｍ１を加え、
エーテル１５０ｍ１を添加した後、冷却すると、敵心、
２３５〜２３８℃（分解）のトランス−α−アミノ−１
−エチル−２，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒト
ローｌＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−
１−プロピオン酸メチルエステルニ塩酸塩が晶出する。

この方法で得られた遊離塩基は無定形白色粉末である。

反応は下記の反応式に対応する： ａ）トルエン６１中の例３で得られたトランス−１−エ
チル−２，３，５，６，１１，１ｌｂ−ヘキサヒドロ−
ＩＨ−インドリジノ　［８，’１−ｂｌインドールー１
−プロピオン酸メチルエステル４９ｇ（０，１５モル）
、アセトフェノン５５ｇ及びカリウムｔｅｒｔ−ブトキ
シド８．５ｇの混合物を窒素雰囲気中で６時間攪拌及び
還流下に煮沸し、次に０〜５℃に冷却し、０．５Ｎ塩酸
１１を加える。

トルエン相を分離し、毎回水３００ｍ１で２回洗浄し、
合した水相に塩化メチレン２１を積層し、濃アンモニア
水溶液でｐｌ）８に調節する。相を分離した後、水相を
毎回７５０ｍ１の塩化メチレンで３回抽出し、合した有
機相を毎回５００ｍ１の水で２回洗浄し、硫酸ナトリウ
ム−Ｆで乾燥し、濾過し、真空下に濃縮する。残渣をメ
タノール２００ｍ１に熔かし、エーテル１００ｍ１を加
え、冷却すると、融点１３１〜１３２°Ｃのトランス−
Ｄ−ツルーＥ−ホモビン力モンが晶出する。

反応は下記の反応式に対応する・ ｂ））ルエン中の得られたトランス−［〕−〕ツルーＥ
−ホモビンカモン２９．４ｇ０．１モル）の溶液を窒素
雰囲気中で攪拌しながら９０％ｔｅｒ　ｔ−ブチルニト
ライト１００ｍ１及び引続き少量ずつカリウムｔｅｒ　
ｔ−ブトキノＦ　２９　ｇを加える。その際γ客演の温
度は４５°Ｃに上昇する。更に１時間攪拌し、次ニ、５
．４％塩化アンモニウム水溶液１．５ｅを加え、室温で
更に１時間攪拌する。相を完全に分離した後水相を毎回
３００ｍ１の塩化メチレンで３回抽出する。合した有機
相を毎回２５０ｍ１の水で更に２回洗浄し、硫酸ナトリ
ウム上で乾燥し、濾過し、溶剤を真空中で蒸発させる。

残渣を３００ｍ１の熱メタノールに熔かし、冷却すると
、融点２１２〜２１４℃のα−アンチ−ヒドロキシイミ
ノ−トランス−Ｄ−ツルーＥ−ホモビンカモンが晶出す
る。

反応は下記の反応式に対応する： 塩酸塩に変えるため、得られた化合物１６．１　ｇ（０
，０５モル）をメタ／−ル１００ｍ１中４．［ｊ＠Ｌ、
攪拌しながら３．５Ｎメグノール性塩化水素溶液を１５
ｍ！加える。エーテル２００楯１を添加した後、冷却す
ると、融点２１３〜２１７℃（分解）のα−アンチ−ヒ
ドロキンイミノ−トランスー〇−ツルーＥ−ホモビンカ
モン塩酸塩が晶出する。

Ｃ）氷酢酸５００＋ｎｌ中の得られたα−アンチ−ヒド
ロキシイミノ＝トラシスーＤ−ツルーＥ−ホモビンカモ
ン塩酸塩１４．４ｇ（０，０４モル）の溶液をパラジウ
ム付活性炭触媒（５％）の存在で２５℃で密圧で９０時
間水素添加する。反応混合物を濾過し、濾液を真空中で
濃縮し、残渣を水３００ｍ１に熔かし、濃アンモニア水
溶液でアルカリ性に調節する。毎回３００ｍ１の塩化メ
チレンで３回抽出した後、合した有機相を水１５０ｍ１
で１回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、濾過し、濾
液を真空中で濃縮させる。残渣をエーテル８０ｍ１に熔
かし、冷却すると、融点１２５〜１２７℃のトランス−
α−アミノ−Ｄ−ツルーＥ−ホモビンカモンが晶出する
。

反応は下記の反応式に対応する； メタノール６．５１中のｌ−エチル−１１−ヘンシル−
１，２，３，５，６，１１−へキサヒドロインドリジノ
　（８，７−ｂ）インドール−４−イウム−１−プロピ
オン酸メチルエステル過塩素酸塩３８６ｇ（０，７５モ
ル）及び無水酢酸カリウム７５ｇの溶液を例３に記載し
た方法と同様にして２モル当量の水素が吸収されるまで
水素添加し、水素添加溶液を例３に記載したようにして
後処理すると、そこに記載した式で示される融点１６２
〜１６３℃のシス−１−エチル−２，３，５，６゜１１
．１１ｂ−へキサヒトローＩＨ−インドリジノ　（８，
７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチルエステル
が得られる。母液を後処理すると、例３に記載した融点
１１８〜１２１℃のトランス−１−エチル−２，３，５
，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジ
ノ　（８，’１−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メ
チルエステルが得られる。

出発原料は下記のようにして得られる：ａ）例２ｂ）に
記載した操作法と同様にして、Ｎ−ヘンシルトリプタミ
ン（Ｊ、　Ｍｅｄ、　Ｃｈｅｍ、　　９巻７９３〜７９
４頁（１９６６））２５０ｇ　（１モル）を２−エチル
−４〜クロロブチリルクロリド１７０ｇと反応させる。

後処理した後得られる３−ニチルーＮ−（２−（３’−
Ｎ−ヘンシルインドリル）〜エチルゴー２−ピロリドン
を、そのまま更に処理に使用する。

ｂ）得られた化合物３４６ｇ　（１モル）及びオキン塩
化燐８００ｍ１の混合物を例２Ｃ）に記載した操作法と
同様にして反応させ、後処理した後に得られるｌ−エチ
ル−１１−ヘンシル−１，２，３゜５．６．１１−へキ
サヒドロインドリジノ　〔８，７−ｂ〕バインール−４
−イウム過塩素酸塩をそのまま更に処理する６ Ｃ）ジメチルスルホキンド５００ｍ１及びトルエン１Ｎ
中の得られた生成物２１４．３ｇ（０，５モル）のｆ６
液を例２ｄ）と同様にして、ＩＮ苛性ソーダ６７０ｍ１
で処理する。後処理した後、ｌ−エチル−１１−ヘンシ
ル−２，３，６，１１−テトラヒドロ−５Ｈ−インドリ
ジノ　（８，７−ｂ３　インドールが粗製生成物として
得られる。

ｄ）ｃ）により得られた粗製生成物４１．０ｇ（０゜１
２５モル）、塩化メチレン４００！ＩＩＩ、アクリル酸
メチルエステル３０ｇ及びメタノール５ｍｌの混合物を
窒素雰囲気下に室温で６５時間攪拌し、次いて反応混合
物を真空中で濃縮させ、油状残渣を毎回５０ｍ１のｎ−
ヘキサンで３回処理して過剰のアクリル酸メチルエステ
ルを除去し、ヘキサン溶液をデカントし、残分を０〜５
℃の温度でメタノール５００＊１に熔かし、攪拌下に１
０分かけて７０％過塩素酸水溶液１５ｍ１及び引続きエ
ーテル５０ｍ１を添加する。反応混合物を０℃に冷却し
、長時間′放置すると、１−エチル−１１−ベンジル−
１゜２．３，５．６．１１−へキサヒドロ−インドリジ
ノ　（８，７−ｂ）インドール−４−イウムート：：、
ｑ −プロピオン酸メチルエステル過塩素酸塩が晶出する。

例１２ メタノール３ｅ中のα−ヒドロキノイミノ−ノスーｌ−
エチルー１１−ヘンシル−２，３，５゜６．１１．１１
ｂ−ヘキサヒドロ−Ｉ　Ｈ−インドリジノ　（８，７−
ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチルエステル３３
４ｇ（０，７５モル）の溶液をパラジウム付活性炭触媒
３０ｇの存在で水素の吸収が終わるまで水素添加する。

触媒を濾去し、濾液を減圧ａ縮した後、シリカゲル６０
（７０〜２３０メツシユ、メルク社製）１２５０ｇを介
して濾過し、濾過残渣をエーテルから再結晶させる　　
　□と、融点１４３〜１４６ｇのシス−α−アミノ−１
−エチル−２，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒド
ロ−１’Ｈ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール
−１−プロピオン酸メチルエステルが得られる。

出発原料として使用したα−ヒドロキンイミノ−シス−
１−エチル−１１〜ヘンシル−２，３゜５．６，１１，
１ｌｂ−ヘキサヒトローｌ　Ｈ−インドリジノ　［８，
７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチルエステル
は、下記のようにして製造することができる： ａ）テトラヒドロフラン５５０ｍｌ中の例１ｉｄ）によ
り製造したｌ−エチル−１１−ヘンシル−１゜２．３，
５．６．ＩＩ−へキサヒドロインドリジノ　（８，７−
ｂ）インドール−４−イウム−ｌ−プロピオン酸メチル
エステル過塩素酸１５１．５ｇ（０，１モル）の溶液を
０℃に冷却し、窒素雰囲気下にリチウム−トリーｔｅｒ
ｔ−ブトキシーアルミニウムヒドリド７６．３ｇ（０，
３モル）を加える。反応混合物を窒素雰囲気下に０℃で
４時間攪拌した後、減圧下に約１５０ｍ１の容量に濃縮
し、溶液を氷水２ｅ上に注く。吸引濾過後、濾過残渣を
テトラヒドロフラン４００ｍ１で煮沸し、濾去し、濾液
を減圧下に蒸発乾個すると、シス−１−エチル−１１−
ヘンシル−２，３，５，６，１１，ｌ　ｌｂ−へキサヒ
ドロ−ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ〕ゼインール
−１−プロピオン酸メチルエステルが粗製生成物として
得られる。

ｂ））ルエン６００ｍ１中の得られたＩＴＩ製生成物４
］、６ｇ（０，１モル）の溶液に窒素雰囲気中で攪拌下
に９０％ｔｐｒｔ−ブチルニトライト１００ｍｌ及び引
続き少量ずつカリウムｔｅｒｔ〜ブトキシド２９ｇを加
える。更に１時間攪拌した後、５．４％塩化アンモニウ
ム水溶液１．５ρを加え、室温で更に１時間攪拌し、引
続き反応混合物を充分に濃縮し、残渣に水３００ｍ１を
加え、沈殿するα−ヒドロキキノミノーソシス１−エチ
ル−１１−＝ヘンシルー２．３．５．６．１１．１１ｂ
−へキサヒトローＩ　Ｈ−インドリジノ　［８，７−ｂ
：　インドール−１−プロピオン酸メチルエステルを濾
取する。

例１３ エタノールｌＩ中のシス−ｌ−エチル−１１−（ｐ−ト
シル）−，２，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒド
ロ−ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−
１−プロピオン酸メチルエステル４８．０ｇ（０，１モ
ル）の溶液に２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２４０ｍ１を
添加し、混合物を窒素雰囲気下に６０時間煮沸還流する
。冷却した後、得られる溶液を減圧下に濃縮させ、残渣
を水１２００ｍ１に熔かし、溶液を２Ｎ酢酸水溶液で中
和し、冷却すると、融点２５１〜２５４℃のシス−１−
エチル−２，３，５，６，１！、１ｌｂ−ヘキサヒドロ
−ＩＨ−インドリジノ　［８，７−ｂ）インドール−１
−プロピオン酸が晶出する。

出発原料は下記のようにして得られる：ａ）塩化メチレ
ン２１中のインドール−２−アセトニトリル１５６ｇ　
（１モル）の溶液に窒素雰囲気中Ｏ〜５℃で攪拌しなが
ら２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２１及びテトラ−ｎ−ブ
チルアンモニウム−硫酸水素塩５ｇ及び引続き少量ずつ
ｐ−トシルクロリド２１０ｇを加える。反応混合物を０
〜５℃で更に３時間攪拌した後、室温に加温し、２２℃
の温度で更に２２時間攪拌し、２つの相を分離し、有機
相を毎回５００ｍ１の水で３回洗浄し、硫酸ナトリウム
上で乾燥し、溶液を真空中で濃縮させる。得られた泡状
物を塩化メチレン７５０ｍ１に熔かし、この溶液にエー
テル３１を加え、冷却すると、融点１６２〜１６３℃の
１−（ｐ−）シルインドール）−３−アセトニトリルが
晶出する。

ｂ）無水エタノール中のアンモニアガスの１０％熔液溶
液中のＩ−（ｐ−トシルインドール）−３−アセトニト
リル１９０ｇ（０，６１モル）の／８液を酸化アルミニ
ウムーＦのロジウム（０，５％）触媒５０ｇの存在で室
温で４バールの圧力で２４時間水素添加する。真空中で
濾過した後、得られた泡状物をエーテル１．５ｔ’中に
熔かし、冷却すると、融点１２２〜１２４℃の１−（ｐ
−、）ンルイントール）−３−（２−エチルアミン）が
晶出する。

塩酸塩・１／３水和物の融点：２０５〜２０７°Ｃ（ア
セトン／エーテルから）。

Ｃ）例２ｂ）に記載した操作法と同様にして１−（ｐ−
トシルインドール１３−（２−エチルアミン）　３１．
４　ｇ　（０，１モル）を２−エチル−４−クロロブチ
リルクロリド１７ｇと反応させる。後処理した後に得ら
れる３−エチル＝Ｎ−（２−（３’−ｐ−）シルインド
ール）〜エチルジ−２−ピロリドンを、粗製生成物とし
て更に処理する。

ｄ）得られた化合物４１ｇ（０，１モル）を例２Ｃ）に
記載した操作法でオキシ塩化燐８０ｍ１と反応させ、後
処理し、過塩素酸ナトリウムと反応させた後、ｌ−エチ
ル−１１（ｐ−トシル）　−１，２゜３．５．６．１１
−へキサヒドロインドリジノ（８，’ｌｂ〕インドール
ー４−イウム過塩素酸塩が粗製生成物として得られ、こ
れをそのまま更に処理する。

ｅ）得られた粗製化合物４９．３ｇ（０，１モル）をジ
メチルスルホキソｔ”１００ｍ１及びトルエン２５０ｍ
１に熔かし、窒素雰囲気下にＩＮ水酸化ナトリウム水ｆ
６液１３４ｍ１を添加する。この溶液をトルエン４００
ｍ１で希釈した後、有機相を分離し、水で洗浄し、炭酸
カリウム七で乾燥し、濾液を真空中で濃縮させると、ｌ
−エチル−１１−（ｐ−）シル）−２，３，６，，１１
−テトラヒドロ−５８−インドリジノ　（８，７−ｂ）
インドールが粗製生成物として得られる。

ｆ）例Ｃ）により得られた粗製生成物’３９．２　ｇ（
０，１モル）、塩化メチレン３２５ｍ１、アクリル酸メ
チルエステル３０ｇ及びメタノール５ｍｌの混合物を窒
素雰囲気中で室温で７０時間攪拌し、引続き反応混合物
を真空中で充分に濃縮させる。過剰のアクリル酸メチル
エステルを除去するため、残渣を毎回７０ｍ１のｎ−ヘ
キサンで３回処理し、ヘキサン溶液をデカントし、残渣
を４５０ｍ１のメタノールに熔かし、０〜５°Ｃの塩度
で攪拌しながら１０分かけて７０％過塩門酸水溶液１２
ｍ１及び引続きエーテル５０ｍ１を添加する。０℃に冷
却し、長時間放置すると、ｌ−エチル−１１−（ｐ４シ
ル）−１，２，３；　　５，６．１１−ヘキサヒドロイ
ンドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−４−イウム−
１−プロピオン酸メチルエステル過塩素酸塩が晶出する
。

ｇ）得られた化合物４３４ｇ（０，７５モル）の溶液を
例１１に記載した操作法と同様にして還元し、水素添加
／８液を後処理すると、シス−１−エチル−１１−（ｐ
−）シル）−２，３，５，６，１１゜１１ｂ−ヘキサヒ
トローＩＨ−インドリジノ　〔８゜７−ｂ）インドール
−１−プロピオン酸メ千ルエステルが得られる。生した
母液を後処理することによって、対応するトランス−化
合物、即ちトランス−１−エチル−１１−（ｐ−トシル
）−２゜３．５，６，１１．ｌ１ｂ−へキサヒドロ−Ｉ
Ｈ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−プ
ロピオン酸メチルエステルが得られる。

例１４ エタノール２４０ｍ１中のシス−１−エチル−１１−（
ｐ−）シル）−２，３，５，６，１１，１１ｂ−へキサ
ヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８，７−ｂ）インドー
ル−１（α−クロロ）−プロピオン酸メチルエステル５
１．５　ｇ　（０，１モル）の溶液に３Ｎ水酸化ナトリ
ウム溶液１１０．ｍｌを添加し、混合物を窒素雰囲気下
に６０時間煮沸還流する。

冷却後、得られた溶液を蒸発乾個し、残渣を水１１００
ｍｌに熔かし、２Ｎ酢酸で中和し、冷却すると、シス−
α−ヒドロキソ−１−エチル−２゜３．５，６．１１．
１１ｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　（８，１
−ｂ３　ブ１．ンドールー１−プロピオン酸がスレオ形
とエリスロ形との混合物として沈澱する。

この混合物を分離するため、得られた化合物をエーテル
性溶液中でジアゾメタンにより対応するメチルエステル
に変え、エーテル／ｇ液を范発乾個し、残渣をメタノー
ル３００ｍ１に熔かし、エーテル３００ｍ１を添加する
。冷却した後、例１に記載したようにして、融点２１９
〜２２０℃のスレオ−シス−α−ヒドロキシ−１−エチ
ル−２，３゜５．６．１１，１ｌｂ−ヘキサヒドロ−１
１１−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−
プロピオン酸メチルエステルのラセミ化合物が晶出する
。

母液から、例１に記載したようにして、この化合物のエ
リスローシス形のラセミ化合物を融点２３２〜２３４°
Ｃの塩酸塩として単離する。これら２種の化合物を９タ
ノール性溶液中で２Ｎ水酸化ナトリウム水溶液で加水分
解することによってそれぞれスレオ−又はエリスローシ
ス−α−ヒドロキシ−１−エチル−，２，３，５，６，
１１，１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔
８，７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸のラセミ化
合物が得られる。

出発填料は下記のようにして得られる：ａ）例１３ｅ）
により得られたｌ−エチル−１１−（ｐ−トシル）−２
，３，６，１１−テトラヒドロ−５Ｈ−インドリジノ　
（８，７−ｂ）インドール３９．２　ｇ　（，０，１モ
ル）を例１３ｆ）に記載した操作法により、ヒドロキノ
ンで安定化したα−クロロアクリル酸メチルエステル〔
マーヘル（Ｃ。

Ｓ、　Ｍａｒｖｅｌ　）　、コーワン（Ｊ、Ｃ，Ｃｏｗ
ａｎ）　　：　ＪＡＣ３６１巻３１５６〜５９　　（１
９３９））４２ｇと反応させる。後処理し、例１３ｆ）
に記載したように７０％過塩素酸水溶液１２ｍ１と反応
させた後、最終的に１−エチル−１１−（ｐ−）シル）
−１゜２．３．５，６．１１−ヘキサヒドロインドリジ
ノ　（８，７−ｂ）インドール−４−イウム−１＝（α
−クロロ）−プロピオン酸メチルエステル過塩素酸塩が
得られる。

ｂ）得られた粗製化合物６１．３ｇ（０，１モル）を例
１２ａ）に記載した操作法により還元し、相応する後処
理をした後、ラス−１−エチル−１，１−（ｐ−トシル
）−２，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒドロ−１
Ｈ−インドリジノ　［８，”／−ｂ］インドール−ｉ（
α−クロロ）−プロピオン酸メチルエステルが得られ、
これをその才ま更に処理する。

例１５ １−ビニル−１，２，３，５，，６，１１−ヘキサヒド
ロインドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−４−イウ
ム−１−プロピオン酸メチルエステル３１７ｇ（０，７
５モル）及び無水酢酸カリウム７５ｇの／８／＃１．を
例３に記載した操作法により５元し、後処理すると、例
３に記載した融点１６２〜１６３“Ｃのラス−１−エチ
ル−２，３，５，６，１１゜１１ｂ−へキサヒドロ−Ｉ
Ｈ−インドリジノ　〔８゜７−ｂ）イアトール−１−プ
ロピオン酸メチルエステルが得られる。得られた母液を
後処理すると、融点１１８〜１２１　’Ｃのトランス−
１−エチル−２，３，５，６，１１，１ｌｂ−ヘキサヒ
トローＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール
−ｌ−プロピオン酸メチルエステルが得られる。

出発原料は下記のようにして得られる：ａ））リプタミ
ン８００　ｇ　（５モア１／）を例２ｂ）に記載した操
作法により４−クロロブチリルクロリド７１０ｇと反応
させる。反応混合物を例２ｂ）に記載した後処理をした
後、Ｎ−（２−（３°−インドール）−エチル〕−２−
ピロリドンが粗製生成物として得られる。

ｂ）得られる化合物１１４ｇ（０，５モル）及びオキシ
塩化燐４００ｍ１の混合物を例２ｃ）と同様に反応させ
、後処理すると、例２Ｃ）に示した式と同様な１，２，
３，５，６．１１−へキサヒドロインドリジノ（８，７
−ｂ）インドール−４−イウム過塩素酸塩が得られる。

Ｃ）ジメチルスルホキシド５００ｍ１及びトルエンｌｐ
中のｂ）で得られた化合物１５５．２ｇ（０，５モル）
の溶液中に窒素雰囲気下にＩＮ苛性ソーダ６３５ｍ１を
添加する。反応混合物をトルエン２ｅで希釈した後、有
機相を分離し、水３５０ｍ１で洗′１−。

浄し、炭酸ナトリウム上゛で乾燥し、溶液を真空中で濃
縮させると、２，３，６．１１−テトラヒドロインドリ
ジノ　［８，７−ｂ）インドールが残渣として得られる
。

ｄ）得られた化合物２１ｇ（０，１モル）の混合物を例
３ａ）に記載した操作法でアクリル酸メチルエステル３
０ｇと反応させ、反応混合物を前記のように後処理する
。７０％過塩素酸水ｆ６液１：ｉｍｌと反応させた後、
最終的に１．２．３．５．６゜１１−へキサヒドロイン
ドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−４−イウム−１
−プロピオン酸メチルエステル過塩素酸塩が得られる。

ｅ）得られた化合物１９８．２ｇ（０，５モル）をＣ）
に記載した操作法により２．３，６．１１−テトラヒド
ロインドリジノ　（８，７−ｔ））インドールプロピオ
ン酸メチルエステルに変え、粗製化合物として得られた
この化合物をそのまま更に処理すえ。

ｆ）美化ビニル１２ｇ、沃化カリウム５ｇ及びｅ）によ
り得られた化合物２９．６ｇ（０，１モル）をボンへ中
で塩化メチレン５０ｍ１と一緒に５５〜６０℃の温度に
６０時間保持する。反応が終った後、揮発性成分を蒸発
させ、残渣をメタノール１５０ｍ１に熔かし、攪拌下に
０〜５℃の温度で１０以内に７０％過塩素酸水溶液１２
ｍ１を加える。エーテル６０ｍ１を添加した後、冷却す
ると、ｌ−ビニル−１，２，３，５，６，１ｍ−へキサ
ヒドロインドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−４−
イウム−１−プロピオン酸メチルエステル過塩素酸塩が
晶出する。

例１６ 塩化メチレン３００ｍ１及びピリジン２５ｍ１中のスレ
オ−シス−α−ヒドロキシ−１−エチル−２゜３．５．
６，１１，１ｌｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ
　（８，７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチル
エステル３４．２ｇ（０，１モル）の溶液に窒素雰囲気
中で攪拌しなから０〜５℃の温度で塩化メチレン１５０
…１中の塩化ベンゾイル１６、９　ｇの溶液を３０分か
けて滴加する。更に２時間後、溶液を氷水３００ｍ１及
び１０％重炭酸ナトリウム水溶液１００ｍ１上に注ぎ、
有機相を毎回５０ｍ１の水で３回洗浄し、硫酸ナトリウ
ム上で乾燥し、溶液を真空中で濃縮させる。残渣を酢酸
エチルエステルから再結晶させた後、融点１２８〜１３
０°Ｃのスレオーシスーα−ヘンゾイルオキノー１−エ
チル−２，３，５，６，１１，１ｌｂ−ヘキサヒドロ−
ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−
プロピオン酸メチルエステルが得られる。安息香酸との
塩の融、＝ｐ、　１４２〜１４４℃（酢酸エチルエステ
ルから）。

例１７ エリスローシス−α−ヒドロキノ−１−エチル−２，３
，５，６，１１，１１ｂ−へキサヒトローＩＨ−インド
リジノ　（３，７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸
メチルエステル３２．２　ｇ　（０，１モル）を塩化ベ
ンゾイル１６．９　ｇと例１６に記載した操作法により
反応させる。後処理した後、有機相を蒸発して得られた
残渣を７七トン／エーテルから再結晶させると、融点１
５８〜１６０℃のエリスローシス−α−ベンゾイルオキ
シ−１−エチル−２，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキ
サヒドローＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インド
ール−１−プロピオン酸メチルエステルが得られる。

例１８ ６Ｎメタノ一ル性アンモニア溶液２００ｍ１中のシス−
１−エチル−２，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒ
ドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８，７−ｂ）インドール
−１−プロピオン酸メチルエステル３２．６ｇ（０，１
モル）の溶液をボンへ中で、２４時間１００℃に加熱す
る。反応混合物を真空中で濃縮させた後、残渣をメタノ
ール１００＋１に熔かし、冷却すると、融点２０２〜２
０４℃のシス−１−エチル−２，３，５，６，１１，１
ｌｂ＝へキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　（８，７−
ｂ〕ベインール−１−プロピオン酸アミドが晶出する。

例１９ ６Ｎメタノール性アンモニア’Ｒ液２００ｍｌ中（７）
シス−α−アミノ−１−エチル−２，３，５，６゜１１
．１ｌｂ−ヘキサ上１０−ＩＨ−インドリジノ　（８，
７−ｂ〕ベインール−１−プロピオン酸メチルエステル ンへ中で、２４時間８０℃に加熱する。真空中で濃縮さ
せた後、残渣をメタノール１５０ｍｌに熔かし、冷却す
ると、融点２０８〜２１０°Ｃのシス−α−アミノ−ｌ
−エチル−２．３、５．６．１１。

１１ｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８。

７−ｂ〕ベインール−１−プロピオン酸アミドが晶出す
る。

例２０ エタノール２６０ｍｌ中のシス−１−エチル−１１−（
ｐ−）ノル）−２．３，５，６．１１．１１ｂ−ヘキサ
ヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８．７−ｂ）インドー
ル−１−（α−エトキシカルボニルアミノ）−プロピオ
ン酸メチルエステル５６．７ｇ（０．１モル）の溶液を
例１４に記載した操作法により加水分解する。後処理し
た後、シス−α−アミノ−１−エチル−２．　　３，　
　５，　　６，　　１１．　　１１ｂ−ヘキサヒドロ−
ＩＨ−インドリジノ　〔８．７−ｂ）インドール−プロ
ピオン酸の異性体が得られ、得られたカルボン酸をエー
テル性溶液中でジアゾメタンと反応させることによって
得られるメチルエステルは、１４３〜１４６℃の融点を
示す。

出発原料は下記のようにして得られる：無水ジメチルホ
ルムアミド１２０ｍｌ中の例１４ｂ）により得たシス−
ｌ−エチル−１１−（ｐ−トシル）−２．３，５，６，
１１，ｌｌｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　（
８，７−ｂｌ　インドール−１−（α−クロロ）−プロ
ピオン酸メチルエステル５１．５ｇ（０．１モル）の溶
液にシアン化カリウム１　２．　２　ｇ及びメタノール
２２ｍｌを添加し、混合物を２時間激しく攪拌しながら
１００℃に加熱し、冷却後に沈澱する塩を濾取し・、減
圧でジメチルホルムアミドを除去し、残渣をアセトン１
２Ｏｎ＋１に溶かし、沈澱した塩を濾去し、濾液を真空
中で濃縮すると、シス−ｌ−エチル−１１＝　（ｐ−１
シル）−２．３，５，６，１１．１１ｂ−ヘキサヒドロ
−ＩＨ−インドリジノ　〔８．７−ｂ〕ベインール−１
−（α−エトキシカルボニルアミノ）−プロピオン酸メ
チルエステルが得られる。

例２１ 一般的説明に記載し、前記実施例に説明した操作法と同
様にして、相応する出発原料及び／又は操作法を使用し
て式（１）の下記の化合物、そのＮ−オキシド又は塩を
製造することができる：ａ）シス−α−メチルチオ−１
−エチル−２．３。

５、６．１＋，ｌｌｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリ
ジノ　（８．７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メ
チルエステル； ｂ）シスー、８−ブロモ−α−ヒドロキノ−１−＝エチ
ルー２．．３．５，６，１１．１１ｂ−へキサヒドロ−
ＩＨ−インドリジノ　（８．７−ｂ〕ベインール−１−
プロピオン酸メチルエステル；Ｃ）シス−９−アミノ−
α−ヒドロキン−ｌ−エチル−２．３、５．６．１１．
１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　［８，’
ｌ−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチルエステル
；ｄ）　　トランス−２′−アミノ−３’−ＣＩ−エチ
ル−２．３．５．６．１１，ｌｌｂ−ヘキサヒドローＩ
Ｈ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール〕−プロ
パンー１′−オール； ｅ＞　３’−（８，９−メチレンジオキシ−１−エチル
−２，’　３，５，６．１１．１１ｂ−へキサヒドロ−
ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール）−ア
クリル酸メチルエステル； ｆ）ｌ＝ｎ−プロピル−２，３，５，６，１１゜１１ｂ
−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８゜７−ｂ〕
ベインール−１−プロピオン酸メチルエステル； ｇ）ｌｎ−ブチル−２，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘ
キサヒドロ−１１（−インドリジノ　〔８，７−ｂ〕ベ
インール−１−プロピオン酸メチルエステル； ｈ）シス−８−ブロモ−α−ヒドロキシ−１−エチル−
２，３，５，６，１−１，−１ｌ　ｂ−へキサヒドロ−
ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−
プロピオン酸ジメチルアミド；ｉ）シス−８−ブロモ−
αニドドロキシー１−エチルー２．３，５，６．”’１
１’、１　ｌ　ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ
　（８，７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸モルホ
リド； ｊ）トランス−２′−アミノ−３’−（８−プロモーｌ
−エチル−２，３，５，６，１１，１ｌｂ−ヘキサヒド
ロ−ＩＨ−インドリジノ　［８，７−ｂ］インドール〕
−プロパン−１°−オール；ｋ）シス−α−ヘンジイル
アミノ−１−エチル−２，３，５，６，１１，１１ｂ−
ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　［８，’１−ｂ）
インドール−１−プロピオン酸チオエチルエステル；ｌ
〉シス−α−エトキシ−２，３，５，６，１１゜１１ｂ
−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８゜７−ｂ〕
ベインール−１−プロピオン酸−３−フタリジルエステ
ル； ｍ）シス−７−ニトキシカルポニルアミノー１−エチル
−２，３，５，６，１１，１ｌｂ−へキサヒドロ−ＩＨ
−インドリジノ　［８，７−ｂ）インドール−１−酢酸
−（２−ヒドロキンプロピル）エステル； ｎ））ランス−α−ピバロイルオキシ−１−エチル−２
，３，５，６，１＋、１ｌｂ−ヘキサヒドロ−Ｉ　Ｈ−
インドリジノ　（８，’ｌｂ）インドール−１−プロピ
オン酸−（３，３，５−１−リメチルシクロヘキシル）
−エステル； ０）シス−α−ヒドロキシ−１−エチル−１１−メチル
−２，３，５，６，１１，１ｌｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ
−インドリジノ　（８，７−ｂ〕ベインール−１−プロ
ピオン＃ｌ−４−Ｎ−オキシド；ｐ）シス−α−ジメチ
ルアミノ−１−エチル−１Ｏ−メトキシ−２，３，５，
６，１１，１ｌｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ
　（８，’ｌ−ｂ〕インドールー１−プロピオン酸−（
２’−ピペリジノエチル）−エステル； ｑ）シス−１−ｎ−プロピル−８−アセトキシ−１１−
メチル−２，３，５，６，１１，１ｌｂ−ヘキサヒドロ
−ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１
−プロピオン酸−（Ｎ’−ニコチノイル）−ヒドラジド
； ｒ）　　　トランス−９−ニトロ−２，３，５，６゜１
１．１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　［８
，７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸−（２−フェ
ニルエチル）−アミド； Ｓ）シス−３’−［１−エチル−８−トリフルオロメチ
ル−２，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒドロ−Ｉ
Ｈ−インドリジノ　（３，７−ｂ）インドリル〕−プロ
パンー１′−オール−３，４゜５−トリメトキノ安息香
酸エステル； ｔ）シス−α−ｐ−トルエンスルホスルオキン−１−エ
チル−８−ヘンシルオキソメチレン−２゜３．５．６．
Ｉｔ、１ｌｂ−ヘキサヒドロ−Ｉ　Ｈ−インドリジノ　
Ｃ８，７−ｂ）インドール−１−プロピオンＭ−ｆ２−
　　（４−メチルピペラジノ）−エチル〕−エステル； ｕ）トランス−２１−エチルチオ−３′−（ｔ−エチル
−８−メチル−９−ジメチルアミノ−２゜３、　５．’
６．１１．１　ｌｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−イントリジ
ノ　（８，７−ｂ）インドリル〕−プロパンー１−オー
ル； ■）ラス−α−メチル−１−エチル−２，３，５゜６．
１１，１ｌｂ−ヘキサヒドロ−Ｉ　Ｈ−イントリジン　
（８，７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸アミド； Ｗ）シス−１−エチル−２，３，５，６，ｌ　ｌ。

１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８゜７
−ｂ〕ゼインール−１−プロピオン酸メチルエステル−
Ｎ−アンモニウム−メトヨーシト；ｘ）　　トランス−
３’　−（］　−］ＸＡ−ルー２３，５゜６．１１，１
ｌｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　（８，７−
ｂ）インドリルクープロパン−１“−オール−２−トリ
メチルアンモニウムクロリド； ｙ）シス−１−エチル−２，３，５，６，１１゜１１ｂ
−へキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８゜７−ｂ〕
ゼインール−１−プロピオニトリル；ｚ）トランス−８
−ブロモ−１−エチル−２，３゜５．６，１１．１１ｂ
−へキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　（８，’１−ｂ
）インドール−１−プロピオニトリル； ｚ’）エリスローシス−α−，ヒドロキン−１−エチル
−２，３，５，６，１’ｌ、ｌ　ｌ　ｂ−ヘキサヒドロ
−ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１
−プロピオン酸モルホリド； ｚｌ′）エリスローシス−α−ヒドロキシ−１−エチル
−２，３，５，６，１１，１ｌｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ
−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−プロ
ピオン酸−（４−メチル）−ピペラジド； 例２２ 活性物質２０■を含む錠剤を下記の組成で常法で製造す
る： 組２成 シス−１−エチル−２，３，，５，，６，１１゜１１ｂ
−へキサヒトローＩＨ−インドリジノ〔８，７−ｂ〕ゼ
インール−１−プロピオン酸メチルエステルメタンスル
ホネート　　２０■小麦澱粉　　　　　　　　　　　　
　　　６０゜乳糖　　　　　　　　　　　　　　　　　
　５０■コロイド状珪酸　　　　　　　　　　　　　５
■タルク　　　　　　　　　　　　　　　　　　９ｍｇ
ステアリン酸マグネシウム　　　　　　−ｉＮ４５ＩＮ
Ｚ −製造 ラス−１−エチル−２，３，５，６，１１，１１ｂ−へ
キサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８，７−ｂ）イン
ドール−１−プロピオン酸メチルエステルメタンスルホ
ネートを一部の小麦澱粉、乳糖及びコロイド状珪酸と混
合し、混合物を篩で篩遇し、更に一部の小麦澱粉を木浴
上で５倍量の水を用いて糊状にし、粉末混合物をこの糊
と捏ね、軟らかい可塑性塊を作る。可塑性塊をメッシュ
幅約３龍の篩に圧縮通過させ、乾燥し、得られた乾燥顆
粒を再度篩で篩過する。その後、残りの小麦澱粉、タル
ク及びステアリン酸マグネシウムを加えて混合し、混合
物を重さ１４５■の、割線を有する錠剤に圧縮成形する
。

例２３ 活性物質１０■を含むカプセルを常法で下記のようにし
て製造する： 組成： シス−１−エチル−２，３，５，６，１１゜１１ｂ−へ
キサヒドロ−］　］Ｈ−インドリジノ８，７−ｂ）イン
ドール−１−プロピオン酸メチルエステルメタンスルホ
ネート２５００■タルク　　　　　　　　　　　　　　
　　２００■コロイド状珪酸　　　　　　　　　　　　
　５０■Ｕ： 活性物質をタルク及びコロイド状珪酸と均密に混合し、
混合物をメ、シュ幅０．５　ｍの篩で篩遇し、これを適
当な大きさの硬質ゼラチンカプセルにそれぞれ１１ｍｇ
ずつ充填する。

例２４ シス−１−エチル−２゜３．５．６．１１．ｌ１ｂ−へ
キサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８，７−ｂ）イン
ドール−１−プロピオン酸メチルエステルメタンスルホ
ネート５０．０　ｇを朶溜水に熔かし、この溶液を５０
００ｍｌにし、滅菌した溶液を５ｍｌのアンプルに充填
する。この場合１ｍｌは活性物質１０■を含む。

例２５ 例２２〜例２４に活性物質として使用した化合物の代わ
りに、弐Ｎ）の下記の化合物、そのＮ−オキシド又は薬
学的に許容しうる無毒性酸付加塩を活性物質として錠剤
、火剤、カプセル剤、アンプル溶液等に使用することが
できるニスレオ−シス−α−ヒドロキシ−１−エチル−
２゜３．５．６，１１，１ｌｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−
インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−プロピ
オン酸メチルエステル、 エリスローシス−α−ヒドロキシ−１−エチル＝２．３
．５，６，１１．１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インド
リジノ　（８，７−ｂｌ　インドール−１−プロピオン
酸メチルエステル、 α−アセトキシ−１−エチル−２，３，５，６゜１１．
１ｌｂ−ヘキサヒトローＩＨ−インドリジノ　（８，７
−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチルエステル、 トランス−１−エチル−２，３，５，６，１１゜１１ｂ
−ヘキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８゜７−ｂ）
インドール−１−プロピオン酸メチルエステル、 シス−１−エチル−２，３，５，６，１１，１１ｂ−へ
キサヒドロ−Ｉ　Ｈ−インドリジノ　Ｃ８，７−ｂ）イ
ンドール−１−プロピオン酸、シス−１−エチル−２，
３，５，６，１１，１１ｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−イン
ドリジノ　〔８，７−ｂ）インドール−１＝酢酸メチル
エステル、融点２２４〜２２５℃のシス−３°−（１−
エチル−２，３，５，６，１１，１ｌｂ−ヘキサヒトロ
ーＩＨ−インドリジノ　（８，’１−ｂ）インドール−
１〕−プロパン−１’、２’−ジオール、融点２０６〜
２０８℃のシス−３°−Ｃ１−エチル−２，３，５，６
，１１，１１ｂ−ヘキサヒトローＩＨ−インドリジノ　
（８，７−ｂ）インドール−１〕−プロパン−１’、２
’−ジオール、トランス−３’−（１−エチル−２，３
，Ｆ！、６゜１１．１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−イン
ドリジノ（８，７−ｂ）インドール−１〕−プロパン−
１’、２’−ジオール、 トランス−α−ヒドロキシ−１−エチル−２，３゜５．
６，１１．１１ｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ
　（８，７，−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチ
ルエステル、 トランス−α−アミノ−１−エチル−２，３，５゜６．
１１，１ｌｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　（
８，７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチルエス
テル、 シス−α−アミノ−１−エチル−２，３，５，６゜１１
．１ｌｂ−ヘキサヒトローＩＨ−インドリジノ　（８，
７−ｂ〕インドール−１−プロピオン酸メチルエステル
、 スレオ−シス−２−ヘンジイルオキシ−１−エチル−２
，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−イ
ンドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−プロピオ
ン酸メチルエステル、５エリスローシス−α−ヘンゾイ
ルオキシー１−エチル−２，３，５，６，１１，１１ｂ
−へキサヒトローＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）
インドール−１−プロピオン酸メチルエステル、シス−
１−エチル−２，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒ
ドロ−ＩＨ−インドリジノ　〔８，７−ｂ）インドール
−１−プロピオン酸アミド、シス−α−アミノ−１−エ
チル−２，３，５，６゜１１．１ｌｂ−へキサヒドロ−
ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−
プロピオン酸アミド、 並びに例２１に挙げた化合物、又はそのＮ−オキシド又
は医薬として許容しうる無毒性酸付加塩。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）式（１）： 〔式中Ｒａは基−（ＣＨ＞）ｍ　　（式中ｍは０又はｌ
   である）を表し、Ｒ１は基−Ｃ，Ｈ（Ｒ＋　）−（式中
   Ｒ７は水素、低級アルキル基、場合によりエステル化又
   はエーテル化されたヒドロキシ基、低級アルキルチオ基
   、又は場合により置換されたアミノ基を表す）を表し、
   Ｒ２は場合によりエステル化又はエーテル化されたヒド
   ロキシメチル基又は場合により官能基で変形されたカル
   ボキシ基を表し、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ水素又は低級
   アルキル基を表すか、又は基−（Ｒｂ　　Ｒ，ａ）−の
   代わりに、基−ＣＨ＝ＣＨ−が存在し、炭素同素環式環
   Ａは非置換であるか、又は非置換若しくは置換低級アル
   キル基、場合によりエステル化若しくはエーテル化され
   たヒドロキシ基、ニトロ基及び／又は場合により置換さ
   れたアミノ基を置換基として含む〕のインドリジノ　（
   ８，７−ｂ）インドール誘導体を、エピマー混合物、純
   粋なエピマー、ラセミ混合物、ラセミ化合物、光学対掌
   体、シス−及びトランス−異性体の混合物、純粋なシス
   −又はトランス−異性体、Ｎ−オキシド又はそれらの塩
   、特に酸付加塩、殊に医薬に使用しうる無毒性の酸付加
   塩として含むか、又は該化合物を第四級アンモニウム化
   合物又はその塩として含む医薬製剤。 （２）Ｒａ　、Ｒｂ及びｍ及び式−（Ｒｂ　　Ｒａ）−
   の基が前記のものを表し、Ｒ１が水素、低級アルキル基
   、ヒドロキシ基、ハロゲン、アロイルオキシ基、低級ア
   ルカノイルオキシ基、低級アルコキシ基、フェニル低級
   アルコキシ基、低級アルキルチオ基、アミノ基、Ｎ−低
   級アルキルアミノ基、Ｎ、　Ｎ−ジ低級アルキルアミノ
   基、低級アルキレンアミノ基、オキサ低級アルキレンア
   ミノ基、チア低級アルキレンアミノ基、アザ低級アルキ
   レンアミノ基（アザ窒素原子は非置換又は低級アルキル
   基で置換されている）、又は低級アルカノイルアミノ基
   を表し、Ｒ２がヒドロキシメチル基、アロイルオキシメ
   チル基、ヘンゼンスルボニルオキシメチル基、カルボキ
   ン基、低級アルコキンカルボニル基、ヒドロキシ低級ア
   ルコキシカルボニル基、低級アルコキシ−低級アルコキ
   シカルボニル基、ハロゲン化低級アルコキシカルボニル
   基、アミノ低級アルコキシカルボニル基、低級アルキル
   アミノ−低級アルコキシカルボニル基、ジ低級アルキル
   アミノ−低級アルコキシカルボニル基、低級アルキレン
   アミノ−低級アルコキシカルボニル基、オキサ低級アル
   キレンアミノ−低級アルコキシカルボニル基、チア低級
   アルキレンアミノ−低級アルコキシカルボニル基、、ア
   ザ低級アルキレンアミノ−低級アルコキシ漬ルボニル基
   （アザ窒素原子は非置換又は低級アルキル基で置換され
   ている）、低級アルキルチオカルボニル基、場合により
   低級アルキル基若しくは低級アルコキシ基で１〜３（固
   置換されているンクロアルコキシカルボニル基、ヘンゾ
   フラニルオキシカルポニル基、１゜３−ジヒドロ−１−
   オキソ−３−イソベンゾフラニルオキシカルボニル基、
   カルバモイル基、Ｎ−低級アルキルカルハモイル基、Ｎ
   、Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アルキレン
   アミノカルボニル基、オキサ低級アルキレンアミノカル
   ボニル基、チア低級アルキレンアミノカルボニル基又は
   アザ低級アルキレンアミノカルボニル基（アザ窒素原子
   は非置換又は低級アルキル基で置換されていてよい）、
   ヒドラジノカルボニル基、Ｎ。 Ｎ′−低級アルキルヒドラジノカルボニル基、Ｎ。 Ｎ１−低級アルカノイルヒドラジノカルボニル基、場合
   によりフェニル部分が低級アルキル基、低級アルコキシ
   基、ハロゲン及び／又はニトロ基で置換されたＮ、Ｎ’
   −ヘンジイルヒドラジノカルボニル基、Ｎ、Ｎ’−＝コ
   チノイルヒドラジノカルボニル基、又はシアノ基を表し
   、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水素又は低級アルキル基を表
   し、炭素同素環式環Ａは非置換であるが又は低級アルキ
   ル基、ハロゲン低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキ
   ル基、低級アルコキシ低級アルキル基、ヒドロキシ基、
   低級アルコキシ基、フェニル低級アルコキシ基、低級ア
   ルキリデンジオキシ基、低級アルキレンジオキシ基、ハ
   ロゲン、低級アルカノイルオキシ基、ニトロ基、アミノ
   基、Ｎ−低級アルキルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキ
   ルアミノ基、低級アルキレンアミノ基、オキサ低級アル
   キレンアミノ基、チア低級アルキレンアミノ基、アザ低
   級アルキレンアミノ基（アザ窒素原子は非置換又は低級
   アルキル基で置換されていてよい）、及び／又は低級ア
   ルカノイルアミノ基をそれぞれ１〜３個置換基として含
   む式（＋）の化合物をエピマー混合物、純粋なエピマー
   、ラセミ混合物、ラセミ化合物、光学対掌体、シス−及
   びトランス−異性体の混合物、純粋なシス−又はトラン
   ス−異性体、Ｎ−オキシド又はそれらの塩、特に酸付加
   塩、殊に医薬に使用しうる無毒性の酸付加塩として含む
   か、又は該化合物を第四級アンモニウム化合物又はその
   塩として含む特許請求の範囲第１項記載の医薬製剤。 （３）Ｒａ　−Ｒｈ及びｍ及び式−（Ｒｂ　　Ｒ７）−
   の基が前記のものを表し、Ｒ２が水素、ヒドロキシ基、
   低級アルコキン基、アロイルオキシ基、低級アルカノイ
   ルオキン基、アミノ基、Ｎ−低級アルキルアミノ基、Ｎ
   、Ｎ−ジ低級アルキルアミノ基又は低級アルカノイルア
   ミノ基を表し、Ｒ２がヒドロキシメチル基、アロイルオ
   キシメチル基、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニ
   ル基、低級アルコキシ−低級アルコキシカルボニル基、
   低級アルキルチオカルボニル基、ジ低級アルキルアミノ
   −低級アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−
   低級アルキルカルバモイル基、ヒドラジノカルボニル基
   、Ｎ、Ｎ’−ヘンジイルヒドラジノカルボニル基、Ｎ、
   Ｎ’−ニコチノイルヒトラジノカルポニル基又はシアノ
   基、又はＮ、Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル基を表し
   、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水素又は低級アルキル基を表
   し、炭素同素環式環Ａが非置換であるか又は低級アルキ
   ル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシ基、低級アル
   コキシ基、フェニル低級アルコキシ基、低級アルキレン
   ジオキシ基、ハロゲン、低級アルカノイルオキシ基、ニ
   トロ基、アミノ基及び／又は低級アルカノイルアミノ基
   でそれぞれ１〜３個置換されていてよく、その際低級ア
   ルコキシ基、低級アルキル基、低級アルカノイル基及び
   低級アルカノイルアミノ基がそれぞれ４個以下の炭素原
   子を有する式（１）の化合物をエピマー混合物、純粋な
   エピマー、ラセミ混合物、ラセミ化合物、光学対掌体、
   シス−及びトランス−異性体の混合物、純粋なシス−又
   はトランス−異性体、Ｎ−オキシド又はそれらの塩、特
   に酸付加塩、殊に医薬に使用しうる無毒性の酸付加塩と
   して含むか、又は該化合物を第四級基が低級アルキル基
   、ヒドロキシ低級アルキル基、ハロゲン化低級アルキル
   基、フェニル低級アルキル基又はフェノキシ低級アル１ キル基である第四級アンモニウム化合物、又はその塩と
   して含む特許請求の範囲第１項記載の医薬製剤。 （４）Ｒａ　、Ｒｈ及びｍ及び式−（Ｒｂ　　Ｒｇ）−
   の基が前記のものを表し、Ｒ１が水素、ヒドロキシ基、
   ヘンジイルオキシ基、低級アルカノイルオキソ基又はア
   ミノ基を表し、Ｒ２がヒドロキシメチル基、芳香核部分
   が場合により低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ
   ゲン若しくは官能基で変形されたカルボキン基で置換さ
   れているヘンジイルオキソメチル基、カルボキシ基、低
   級アルコキソカルポニル基、例えばメトキシカルボニル
   基又はエトキンカルボニル基、低級アルコキン低級アル
   コキシカルボニル基、例えばメトキシメトキンカルボニ
   ル基、低級アルキルチオカルボニル基、例えばエチルチ
   オカルボニル基、カルバモイル基、ヒドラジノカルボニ
   ル基、又はシアノ基を表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水
   素又は低級アルキル基を表し、炭素同素環式環へが非置
   換であるか又は好ましくは８位及び／又は９位が低級ア
   ルキル基、例えばメチル基、ヒドロキシ基、低級アルコ
   キシ基、例えばメトキシ基、フェニル低級アルコキシ基
   、例えば、ヘンシルオキシ基、低級アルキレンジオキシ
   基、例えばメチレンジオキシ基及び／又はハロゲン、例
   えば臭素で置換されており、その際低級アルキル基及び
   低級アルコキシ基がそれぞれ４個以下の炭素原子を有す
   る式（１）の化合物をエピマー混合物、純粋なエピマー
   、ラセミ混合物、ラセミ化合物、光学対掌体、シス−及
   びトランス−異性体の混合物、純粋なシス−又はトラン
   ス−異性体、Ｎ−オキシド又は塩、特にその酸付加塩、
   殊に医薬に使用しうる無毒性の酸付加塩として含むか、
   又は該化合物を第四級基が低級アルキル基又はフェニル
   低級アルキル基である第四級アンモニウム化合物、又は
   その塩として含む特許請求の範囲第１項記載の医薬製剤
   。 （５）Ｒａが式−（ＣＨ２）ｍ−の基（式中ｍは１を表
   す）を表し、Ｒｂが式−ＣＨ（Ｒ１）−（式中Ｒ２は水
   素、ヒドロキシ基、ヘンジイルオキシ基又はアセチルオ
   キシ基を表す）の基を表し、Ｒ２がヒドロキシメチル基
   、場合により低級アルキル基、例えばメチル基、又は低
   級アルコキシ基、例えばメトキン基又はカルボキシ基で
   置換されたヘンジイルオキソメチル基、例えば３．４．
   ５１、リメトキシヘンゾイルオキンメチル基、カルボキ
   ン基、低級アルコキシカルボニル基、特にメトキシカル
   ボニル基又はエトキンカルボニル基、低級アルコキシ低
   級アルコキシカルボニル基、例えばメトキシメトキンカ
   ルボニル基、低級アルキルチオカルボニル基、例えばエ
   チルチオカルボニル基、カルバモイル基又はシアン基を
   表し、Ｒ１が水素又は低級アルキル基を表し、Ｒ４が水
   素を表し、炭素同素環式環へが非置換であるか、又は８
   位及び／又は９位がヒドロキシ基又は低級アルコキン基
   、例えばメトキン基、メチレンジオキノ基及び／又はハ
   ロゲン、例えば臭素でｔｍされており、１１ｂ位の水素
   原子及び１位の基Ｒ３、特に工千ル基が相互にトランス
   −配置又は好ましくはソスー配置で存在する式（］）の
   化合物をエピマー混合物、純粋なエピマー、ラセミ混合
   物、ラセミ化合物、光学対掌体、シス−及びトランス−
   異性体の混合物、純粋なシス−又はトランス−異性体、
   Ｎ−オキシド又はそれらの塩、特に酸付加塩、殊に医薬
   に使用しうる無毒性の酸付加塩として含むか、又は該化
   合物を第四級基が低級アルキル基、例えばメチル基であ
   る第四級アンモニウム化合物、又はその塩として含む特
   許請求の範囲第１項記載の医薬製剤。 （６）実施例に記載した、式（１）の新規化合物を式（
   １）の化合物として含む特許請求の範囲第１項記載の医
   薬製剤。 （７）式（Ｉ）： に３ 〔式中Ｒ１は基−（ＣＨ２）ｍ　　（式中ｍは０又は１
   である）を表し、Ｒｂは基−ＣＨ（Ｒ＋　）−（式中Ｒ
   ７は水素、低級アルキル基、場合によりエステル化又は
   エーテル化されたヒドロキシ基、低級′：・１ アルキルチオ基、又は場合により置換されたアミノ基を
   表す）を表し、Ｒ２は場合によりエステル化又はエーテ
   ル化されたヒドロキソメチル基又は場合により官能基で
   変形されたカルボキノ基を表し、Ｒ３及びＲ４はそれぞ
   れ水素又は低級アルキル基を表すか、又は基−（Ｒ，−
   Ｒつ）−の代わりに基−ＣＨ＝ＣＨ−が存在し、炭素同
   素環式環Ａは非置換であるか、又は非置換若しくは置像
   低級アルキル基、場合によりエステル化又はエーテル化
   されたヒドロキシ基、ニトロ基及び／又は場合により置
   換されたアミノ基を置換基として含んでいるが、［で、
   が式−（ＣＨ７）□−（式中ｍはｌである）の基を表し
   、Ｒ，が式−ＣＨ（Ｒ＋）−（式中Ｒ４は水素である）
   の基を表し、Ｒ７がヒドロキシメチル基又はヘンシルオ
   キソメチル基であり、Ｒ３がエチル基であり、Ｒ４が水
   素である場合には、炭素同素環式環へは非置換であり、
   Ｒａが式　−（Ｃｔ（２）ｍ　　（式中ｍは１である）
   の基を表し、Ｒ１が式−ＣＨ（Ｒ＋　）−（式中Ｒ４は
   エチル基である）の基を表し、Ｒ２がヒドロキシメチル
   基又はヘンシルオキシメチル基であり、Ｒ１及びＲ４が
   それぞれ水素である場合には、炭素間Ｔ環式環へは非置
   換であり、Ｒａが式−（ＣＨ２）ｍ−（式中ｍは１であ
   る）の基を表し、Ｒｂが式−ｃ　Ｈ（Ｒ１）−（式中Ｒ
   １は水素である）の基を表し、Ｒ２がメトキシカルボニ
   ル基又はシアノ基を表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水素
   である場合には、炭素同素環式環へは非置換である〕で
   表され、エピマー混合物、純粋なエピマー、ラセミ混合
   物、ラセミ化合物、光学対掌体、シス〜及びトランス−
   異性体の混合物、純粋なシス−又はトランス−異性体、
   Ｎ−オキシド又はそれらの塩、特に酸付加塩、殊に医薬
   に使用しうる無毒性の酸付加塩として存在するか、又は
   第四級アンモニウム化合物又はその塩として存在する化
   合物。 （８）Ｒａ　−Ｒｈ及びｍ及び式−（Ｒｂ　　Ｒａ）−
   の基が前記のものを表し、Ｒ１が水素、低級アルキル基
   、ヒドロキン基、ハロゲン、アロイルオキン基、低級ア
   ルカノイルオキソ基、低級アルコキシ基、フェニル低級
   アルコキシ基、低級アルキルチオ基、アミノ基、Ｎ−低
   級アルキルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキルアミノ基
   、低級アルキレンアミノ基、オキサ低級アルキレンアミ
   ノ基、チア低級フルキレンアミノ基、アザ低級アルキレ
   ンアミノ基（アザ窒素原子は非置換又は低級アルキル基
   で置換されていてもよい）、又は低級アルカノイルアミ
   ノ基を表し、Ｒ２がヒドロキンメチル基、アロイルオキ
   ンメチル基、ヘンゼンスルホニルオキンメチル基、カル
   ボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、ヒドロキノ低
   級アルコキンカルボニル基、低級アルコキノ低級アルコ
   キノカルボニル基、ハロゲン化低級アルコキンカルボニ
   ル基、アミノ低級アルコキシカルボニル基、低級アルギ
   ルアミノ−低級アルコキシカルボニル基、ジ低級アルキ
   ルアミノ−低級アルコキシカルボニル基、低級アルキレ
   ンアミノル低級アルコキノカルボニル基、オキサ低級ア
   ルキレンアミノ−低級アルコキンカルボニル基、チア低
   級アルキレン°ｒミノー低級アルコキンカルボニル基、
   アザ低級アルキレンアミノ−低級アルコキシカルボニル
   基（アザ窒素原子は非置換又は低級アルキル基で置換さ
   れていてよい）、低級アルキルチオカルボニル基、場合
   により低級アルキル基若しくは低級アルコキシ基で１〜
   ３個置換されているシクロアルコキシカルボニル基、ヘ
   ンゾフラニルオキシ力ルボニル基、１．３−ジヒドロ−
   １−オキソ−３−イソヘンゾフラニルオキシカルボニル
   基、カルバモイル基、Ｎ−低１アルキルーカルバモイル
   基、Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル基、低級アル
   キレンアミノカルボニル基、オキサ低級アルキレンアミ
   ノカルボニル基、チア低級アルキレンアミノカルボニル
   基又はアザ低級アルキレンアミノカルボニル基（アザ窒
   素原子は非置換又は低級アルキル基で置換されていてよ
   い）、ヒドラジノカルボニル基、Ｎ、Ｎ’−低級アルキ
   ルヒトラジノ力ルボニル基、Ｎ、Ｎ’−低級アルカノイ
   ルヒドラジノカルボニル基、場合によりフェニル部分が
   低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン及び／又
   はニトロ基で置換されたＮ、Ｎ“−ヘンジイルヒドラジ
   ノカルボニル基、Ｎ、Ｎ’−ニコチノイルヒドラジノカ
   ルボニル基、又はシアノ基を表し、Ｒ３及びＲ４がそれ
   ぞれ水素又は低級アルキル基を表し、炭素同素環式環へ
   は非置換であるか又は低級アルキル基、ハロゲン化低級
   アルキル基、ヒドロキン低級アルキル基、低級アルコキ
   シ低級アルキル基、ヒドロキシ基、低級アルコキシ基、
   フェニル低級アルコキン基、低級アルキリデンジオキソ
   基、低級アルキレンジオキン基、ハロゲン、低級アルカ
   ノイルオキ７基、ニトロ基、アミノ基、Ｎ−低級アルキ
   ルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジ低級アルキルアミノ基、低級ア
   ルキレンアミノ基、オキサ低級アルキレンアミノ基、チ
   ア低級アルキレンアミノ基、アザ低級アルキレンアミノ
   基（アザ窒素原子は非置換又は低級アルキル基で置換さ
   れていてよい）、及び／又は低級アルカノイルアミノ基
   をそれぞれ１〜３個置換基として含むが、Ｒａが式−（
   ＣＬ　）ｍ−（式中ｍはｌである）の基を表し、Ｒｂが
   式−ＣＨ（Ｒ＋　）−（式中Ｒ１は水素である）の基を
   表し、Ｒ２がヒドロキンメチル基であり、Ｒ３がエチル
   基であり、Ｒ４が水素である場合には、炭素同素環式環
   へは非置換でゐり、Ｒａが式−（Ｃ１＋、　＞ｍ＝（式
   中ｍは１である）の基を表し、Ｒ５が式−ＣＨ（Ｒ＋　
   ）−、（式中Ｒ７はエチル基である）の基を表し、Ｒ２
   がヒドロキシメチル基であり、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ
   水素である場合には、炭素同素環式環Ａは非置換であり
   、Ｒ１が式−（ＣＨ２）ｍ−（式中ｍは１である）の基
   を表し、Ｒｂが式−ＣＨ（Ｒ＋　）−（式中Ｒ１は水素
   である）の基を表し、Ｒ２がメトキシカルボニル基又は
   シアノ基を表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水素である場
   合には、炭素同素環式環へは非置換である式（１）で表
   され、エピマー混合物、純粋なエピマー、ラセミ混合物
   、ラセミ化合物、光学対字体、ソスー及びトランス−異
   性体の混合物、純粋なシス−又はトランス−異性体、Ｎ
   −オキシド又はそれらの塩、特に、酸付加塩、殊に医薬
   に使用しうる無毒性の酸付加塩として存在するか、又は
   第四級アンモニウム化合物又はその塩として存在する特
   許請求の範囲第７項記載の化合物。 （９）Ｒａ　、Ｒｂ及びｍ及び式−（Ｒ，−Ｒａ）−の
   基が前記のものを表し、Ｒ１が水素、ヒドロキン基、低
   級アルコキノ基、アロイルオキン基、低級アルカノイル
   オキシ基、アミン基、Ｎ−低級アルキルアミノ基、Ｎ、
   Ｎ−ジ低級アルキルアミノ基又は低級アルカノイルアミ
   ノ基を表し、Ｒ２がヒドロキシメチル基、アロイルオキ
   ツメチル基、カルボキン基、低級アルコキシカルボニル
   基、低級アルコキシ低級アルコキンカルボニル基、低級
   アルキルチオカルボニル基、ジ低級アルキルアミノ−低
   級アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−低級
   アルキルカルハモイル基、ヒドラジノカルボニル基、Ｎ
   、Ｎ’−ヘンジイルヒドラジノカルボニル基、Ｎ、Ｎ’
   −ニコチノイルヒドラジノカルボニル基又はシアノ基、
   又はＮ、Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル基を表し、Ｒ
   ３及びＲ４がそれぞれ水素又は低級アルキル基を表し、
   炭素同素環式環へが非置換又は低級アルキル基、トリフ
   ルオロメチル基、ヒドロキン基、低級アルコキシ基、フ
   ェニル低級アルコキシ基、低級゛アルキレンジオキシ基
   、ハロゲン、低級アルカノイルオキシ基、ニトロ基、ア
   ミノ基及び／又は低級アルカノイルアミノ基でそれぞれ
   １〜３個置換されていてよく、その際低級アルコキシ基
   、低級アルキル基、低級アルカノイル基及び低級アルカ
   ノイルアミノ基がそれぞれ４個以下の炭素原子を有する
   が、Ｒ１が式−（ＣＨ＞）ｍ　　（式中ｍは１である）
   の基を表し、Ｒ５が式−ＣＨ（Ｒｔ　）−（式中Ｒ１は
   水素である）の基を表し、ｌ≧２がヒドロキシメチル基
   であり、Ｒ３がエチル基であり、Ｒ４が水素である場合
   には、炭素同素環式環Ａは非置換であり、Ｒａが式−（
   ＣＨ２）ｍ　　（式中ｍは１である）の基を表し、Ｒ１
   が式−ＣＩ　（Ｒｔ　）−（式中Ｒ２は水素である）の
   基を表し、Ｒ２がメトキシカルボニル基又はシアノ基を
   表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水素である場合には、炭
   素同素環式ｙＪＡは非置換である式（１）で表され、エ
   ピマー混合物、純粋なエピマー、ラセミ混合物、ラセミ
   化合物、光学対掌体、シス−及びトランス−異性体の混
   合物、純粋なシス−又はトランス−異性体、Ｎ−オキシ
   ド又はそれらの塩、特に酸付加塩、殊に医薬に使用しう
   る無毒性の酸付加塩として存在するか、又は第四級基が
   低級アルキル基、ヒドロキノ低級アルキル基、ハロゲン
   化低級アルキル基、フェニル低級アルキル基又はフエノ
   キノ低級アルキル基である第四級アンモニウム化合物又
   はその塩として存在する特許請求の範囲第７項記載の化
   合物。 （１０）Ｒａ　、Ｒｂ及びｍ及び式−（Ｒ１，−Ｒ１−
   の基が前記のものを表し、Ｒ１が水素、ヒドロキシ基、
   ヘンジイルオキシ基、低級アルカノイルオキシ基又はア
   ミノ基を表し、Ｒ２がヒドロキンメチル基、芳香核部分
   が場合により低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロ
   ゲン若しくは官能基で変形されたカルボキシ基で置換さ
   れているヘンジイルオキシメチル基、カルボキシ基、低
   級アルコキソ力ルポニル基、例えばメトキシカルボニル
   Ｊｌはエトキシカルボニル基、低級アルコキシ低級アル
   コキシカルボニル基、例えばメトキシメトキシカルボニ
   ル基、低級アルキルチオカルボニル基、例えばエチルチ
   オカルボニル基、カルバモイル基、ヒドラジノカルボニ
   ル基、又はシアノ基を表し、Ｒ１及びＲ４がそれぞれ水
   素又は低級アルキル基を表し、炭素同素環式ｙＪＡが非
   置換であるか又は好ましくは８位及び／又は９位が低級
   アルキル基、例えばメチル基、ヒドロキシ基、低級アル
   コキシ基、例えばメトキシ基、）ｌニル低級アルコキシ
   基、例えば、ヘンシルオキシ基、低級アルキレンジオキ
   シ基、例えばメチレンジオキシ基及び／又はハロゲン、
   例えば臭素で置換されており、その際低級アルキル基及
   び低級アルコキシ基がそれぞれ４個以下の炭素原子を有
   するが、Ｒａ７’）＜式；−（ＣＨ＞）ｍ　　（式中ｍ
   はｌである）の基を表し、Ｒｂが式−ＣＨ（Ｒｔ　）−
   （式中Ｒ７は水素である）の基を表し、Ｒ２がヒドロキ
   シメチル基であり、Ｒ３がエチル基であり、Ｒ４が水素
   である場合には、炭素同素環式環へは非置換であり、Ｒ
   ａが式−（ＣＨ＞）□−（式中ｍはｌである）の基を表
   し、Ｒ，が式−ＣＨ（Ｒ１）−（式中Ｒ１は水素である
   ）の基を表し、Ｒ２がメトキシカルボニル基又はシアノ
   基を表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水素である場合には
   、炭素同素環氏環八は非置換である式（＋）で表され、
   エピマー混合物、純粋なエピマー、ラセミ化合物、ラセ
   ミ化合物、光学対掌体、ンスー及びトランス−異性体の
   混合物、純粋なノス−又はトランス　異性体、Ｎ−オキ
   シド又（ｔそれらの塩、特に酸付加塩、殊に医薬に使用
   しうる無毒性の酸付加塩として存在するか、又は第四級
   基が低級アルキル基又はフェニル低級アルキル基である
   第四級７ンモニウム化合物又はその塩として存在する特
   許請求の範囲第７項記載の化合物。 （１１）Ｒａが氏−（ＣＨ７）ｍ−の基（式中ｍは１を
   表す）を表し、Ｒ６が式−ＣＨ（Ｒｔ　）−（工（中Ｒ
   １は水素、ヒドロキシ基、ヘンジイルオキシ基又はアセ
   チルオキン基を表す）の基を表し１、Ｒ２がヒドロキン
   メチル基、場合により低級アルキル基、例えばメチル基
   、又は低級アルコキシ基、例えばメトキン基又はカルボ
   キシ基で置換されたヘンジイルオキシメチル基、例えば
   ３．４．５−　）リメトキンヘンゾイルオキノメチル基
   、カルボキシ基、低級アルコキンカルボニル基、特にメ
   トキシカルボニル基又はエトキシカルボニル基、低級ア
   ルコキン低級アルコキシカルボニル基、例えばメトキシ
   メトキシカルボニル基、低級アルキルチオカルボニル基
   、例えばエチル千オカルボニル基、カルバモイル基又は
   シアノ基を表し、Ｒ３が水素又は低級アルキル基を表し
   、Ｒ４が水素を表し、炭素同素環式項八が非置換である
   か、又は８位及び／又は９位がヒドロキシ基又は低級ア
   ルコキシ基、例えばメトキシ基、メチレンジオキシ基及
   び／又はハロゲン、例えば臭素で置換されており、１１
   ｂ位の水素原子及び基Ｒ３、特にエチル基が相互にトラ
   ンス−配置又は好ましくはシス−配置で存在するが、Ｒ
   ３が式−（ＣＨ２）ｍ　　（式中ｍは１である）の基を
   表し、Ｒ５が式−ＣＨ（Ｒ＋）−（式中Ｒ１は水素であ
   る）の基を表し、Ｒ２がヒドロキシメチル基であり、Ｒ
   ３がエチル基であり、Ｒ４が水素である場合には、炭素
   同素環式環Ａは非置換であり、Ｒａが式−（ＣＨり）ｍ
   −（式中ｍは１である）の基を表し、Ｒ５が式−ＣＨ（
   Ｒ１）−（式中Ｒ１は水素である）の基を表し、Ｒ２が
   メトキシカルボニル基又はシアノ基を表し、Ｒ３及びＲ
   ４がそれぞれ水素である場合には、炭素同素環式ｆ、Ｉ
   Ａは非置換である式（１）で表され、エピマー混合物、
   純粋なエピマー、ラセミ混合物、ラセミ化合物、光学対
   掌体、シス−及びトランス−異性体の混合物、純粋なシ
   ス−又はトランス−異性体、Ｎ−オキソト又はそれらの
   塩　特に酸付加塩、殊に医薬に使用しうろ無毒性の酸付
   加塩として存在するか、又は第四級基が低級アルキル基
   、例えばメチル基である第四級アンモニウム化合物又は
   その塩として存在する特許請求の範囲第７項記載の化合
   物。 （１２）Ｒ２が式−（ＣＨ２）ｍ　　（式中ｍはｌであ
   る）の基を表し、Ｒｂが式−Ｃｆ（（Ｒ＋　）−（式中
   Ｒ４は水素、ヒドロキシ基、低級アルカノイルオキン基
   、例えば７セチルオキ７基、又はアロイルオキシ基、例
   えばヘンゾイルオキノ基を表す）の基を表し、Ｒ２がカ
   ルバモイル基、カルボキン基又は低級アルコキンカルボ
   ニル基、例えばメトキシカルボニル基を表し、Ｒ３が低
   級アルキル基、例えばエチル基を表し、Ｒ４が水素を表
   し、炭素同素環式項八が非直接であるか、又は８位及び
   ／又は９位がハロゲン、例えば曳索で置換されており、
   Ｉｌｂ位の水素原子及び基Ｒ３、特にエチル基が相互・
   にトランス−配置又は好ましくはシス−配置で存在し、
   ヒドロキン基Ｒ７がＩｌｂ位に存在する水素原子及び低
   級アルキル基Ｒ３、特にエチル基によって形成されるシ
   ス−配置に対してスレオ−形又は好ましくはエリスロー
   形で存在する式（１）で表され、エピマー混合物、純粋
   なエピマー、ラセミ混合物、ラセミ化合物、光学対掌体
   又はそれらの塩、特に酸付加塩、殊に医薬に使用しうる
   無毒性の酸付加塩として存在する特許請求の範囲第７項
   記載の化合物。 （１３）スレオ−シス−α−ヒドロキシ−１−エチル−
   ２，３，５，６，ｌｌ’、１ｌｂ−ヘキサヒドロ−Ｉ　
   Ｈ−インドリジノ　（８，’１−ｂ）インドール−１−
   プロピオン酸メチルエステルである特許請求の範囲第７
   項記載の化合物。 （１４）α−アセトキシ−１−エチル−２，３゜５．６
   ．１１．１１ｂ−ヘキサヒドロ−Ｉ　Ｈ−インドリジノ
   　（８，７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチル
   エステルである特許請求の範囲第７項記載の化合物。 （１５）シス−１−エチル−２，３，５，６゜１１．１
   １ｂ−ヘキサヒトローＩＨ−インドリジノ　ＣＢ、７−
   ｂ）インドール−１−プロピオン酸メチルエステルであ
   る特許請求の範囲第７項記載の化合物。 （１６）トランス−１−エチル−２，３，５，６゜１１
   ．１１ｂ−へキサヒトロー１［１−インドリジン　〔８
   ，７−ｂ〕インドール−１−プロピオン酸メチルエステ
   ルである特許請求の範囲第７項記載の化合物。 （１７）シス−１−エチル−２，３，５，６゜１１．１
   １ｂ−ヘキサヒドロ−１１４−インドリジノ　（８，７
   −ｂ）インドール−１−プロピオン酸である特許請求の
   範囲第７項記載の化合物。 （１８）メス−１−エチル−２，３，５，６゜１１．１
   ｌｂ−へキサヒトローＩＨ−インドリジノ　（８，７−
   ｂｌ　インドール−１−プロピオン酸メトキシメヂルエ
   ステルである特許請求の範囲第７項記載の化合物。 （１９）シス−】−エチル−２，３，５，６゜１１．１
   １ｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ（８，７−ｂ
   ）インドール−１−酢酸である特許請求の範囲第７項記
   載の化合物。 （２０）シス−１−エチル−２，３，５，６゜１１．１
   ｌｂ−へキサヒトローＩＨ−インドリジノ（８，７−ｂ
   ）インドール−１−酢酸メチルエステルである特許請求
   の範囲第７項記載の化合物。 （２１）スレオ−３−〔ｌ−エチル−２，３，，５゜６
   ．１１．１１ｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ　
   ［８，７−ｂ）インドール〕−プロパン−１°、２°−
   ジオールである特許請求の範囲第７項記載の化合物。 （２２）エリスローシス−３°−〔１−エチル−２，３
   ，５，６’、１１，１ｌｂ−ヘキサヒトローＩＨ−イン
   ドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１〕−プロパン
   −１“、２°−ジオールである特許請求の範囲第７項記
   載の化合物。 （２３）トランス−３°−〔ｌ−エチル−２，３゜５．
   ６．１１．１１ｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−インドリジノ
   　ＣＢ、７−ｂ）インドール−１〕　−プロパン−１’
   、２’−ジオールである特許請求の範囲第７項記載の化
   合物。 （２４）融点１４３〜１４６°Ｃの異性体であるシス−
   α−アミノ−１−エチル−２，３，５，６゜１１．１１
   ｂ−へキサヒドロ−１１１−インドリジノ　（８，７−
   ｂ〕ゼインール−１−プロピオン酸メチルエステルであ
   る特許請求の範囲第７項記載の化合物。 （２５）トランス−α−アミノ−１−エチル−２゜３．
   ５．６．１１．１１ｂ−へキサヒドロ−ＩＨ−インドリ
   ジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸メ
   チルエステルである特許請求の範囲第７項記載の化合物
   。 （２６）エリスローシス−α−ヒドロキシ−１−エチル
   −２，３，５，６，１１，１１ｂ−ヘキサヒドロ−】Ｈ
   −インドリツノ　［８，７−ｂ）インドール−１−プロ
   ピオン酸メチルエステルである特許請求の範囲第７項記
   載の化合物。 （２７））ランス−α−ヒドロキシ−１−エチル−２，
   ３，５，６，１１，１ｌｂ−ヘキサヒドロ−ＩＨ−イン
   ドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１−プロピオン
   酸メチルエステルである特許請求の範囲第７項記載の化
   合物。 （２８）スレオ−シスーα−ヘンゾイルオキン＝１−エ
   チル−２，３，５，６，１’１．　１ｌｂ−ヘキサヒド
   ロ−ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−
   １−プロピオン酸メチルエステルである特許請求の範囲
   第７項記載の化合物。 （２９）エリスローシス−α−ヘンゾイルオキシ＝１−
   エチル−２，３，５，６，１１，１ｊｂ−ヘキサヒドロ
   −ＩＨ−インドリジノ　（８，７−ｂ）インドール−１
   −プロピオン酸メチルエステルである特許請求の範囲第
   ７項記載の化合物。 （３０）シス−１−エチル−２，３，５，６゜１１．１
   １ｂ−ヘキサヒトローＩ　Ｈ−インドリジノ　（８，７
   −ｂ）インドール−１−プロピオン酸アミドである特許
   請求の範囲第７項記載の化合物。 （３１）シフ−α−アミノ−１−エチル−２，３゜５．
   ６．１１．１１ｂ−へキサヒトローＩ　Ｈ−インドリジ
   ノ　（８，７−ｂ）インドール−１−プロピオン酸アミ
   ドである特許請求の範囲第７項記載の化合物。 （３２、特許請求の範囲第１３項〜第３１項記載の化合
   物の塩。 （３３）特許請求の範囲第１３項〜第３１項記載の化合
   物の、医薬に使用しうる無毒性の酸付加塩。 （３４）人又は動物の身体の治療に使用する式％式％ （３５）意識障害及び脳機能障害、特に種々の県因の記
   憶障害、例えば老年痴呆、多梗塞性痴呆又はアルツハイ
   メル型痴呆、更に脳外傷又は脳溢血の後遺症治療剤とし
   ての式（１）の化合物。 （３６）特許請求の範囲第７項〜第３１項及び第３３項
   記載の式（＋）の化合物を含む医薬製剤。 （３７）医薬製剤の製造のための式（＋）の化合物の使
   用。 （３８）特許請求の範囲第１項〜第３１項及び第３３項
   記載の式（１）の化合物を、場合により助剤を添加して
   、医薬製剤に加工することを特徴とする医薬製剤の製造
   方法。 （３９）式（Ｉ）： に３ 〔式中Ｒａは式−（ＣＨ２）ｍ−（式中ｍは０又は１で
   ある）の基を表し、Ｒｂは式−ｃＨ（Ｒ１）−（式中Ｒ
   １は水素、低級アルキル基、場合によりエステル化若し
   くはエーテル化されたヒドロキシ基、低級アルキルチオ
   基、又は場合により置換されたアミノ基を表す）の基を
   表し、Ｒ２は場合によりエステル化又はエーテル化され
   たヒドロキシメチル基又は場合により官能基で変形され
   たカルボキシ基を表し、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ水素又
   は低級アルキル基を表すか、又は基−（Ｒ，−Ｒａ　）
   −の代わりに基−ＣＨ＝　ＣＨ，ポ存在し、炭素同素環
   式環Ａは非置換であるか、又は非置換若しくは置換低級
   アルキル基、場合によりエステル化若しくはエーテル化
   されたヒドロキソ基、ニトロ＆及び／又は場合により置
   換されたアミノを置換基として含むが、Ｒａが式−（Ｃ
   Ｈ２）１．ｒｌ−（式中ｍは１である）の基を表し、Ｒ
   ６が式−ＣＨ（Ｒ＋）−（式中Ｒ１は水素を表す）の基
   を表し、Ｒ２がヒドロキノメチル基、又はヘンシルオキ
   ツメチル基を表し、Ｒ３がエチル基を表し、Ｒ４が水素
   を表す場合には、炭素同素環式Ｉ！ＩＡは非置換であり
   、Ｒａかに−（ＣＨ，）ｍ−（式中ｍはｌである）の基
   を表し、Ｒ５が式−ＣＨ（Ｒ１）−（式中Ｒ１はエチル
   基を表す）の基を表し、Ｒ２がヒドロキソメチル基又は
   ヘンシルオキシメチル基を表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞ
   れ水素を表す場合には、炭素同素環式項八は非置換であ
   り、Ｒａが式−（ＣＨ２）ｒｎ−（式中ｍはｌである）
   の基を表し、Ｒ１が式−ＣＨ（Ｒ１’）−（式中Ｒ０は
   水素を表す）の基を表し、Ｒ２がメトキシカルボニル基
   又はノアノ基を表し、Ｒ３及びＲ４がそれぞれ水素を表
   す場合には、炭素同素環式項八は非置換である〕で表さ
   れ、エピマー混合物、純粋なエピマー、ラセミ混合物、
   ラセミ化合物、光学対掌体、シス−及びトランス−異性
   体の混合物、純粋なシス−又はトランス−異性体、Ｎ−
   オキシド又はそれらの塩として存在する新規インドリジ
   ノ　（８，７−ｂ）インドール誘導体を製造するため、 ａ）式（■）： ３ 〔式中Ｘ、は水素又は脱離可能で、水素により置換され
   うる置換基又は低級アルキル基を表し、ヒドロキシ基及
   び／又はアミノ基は場合により脱離可能で、水素により
   置換されうる基で置換されているが、少なくともＸ、は
   脱離可能で、水素により置換されうる置換基を表すか、
   又は少なくともヒドロキシ基及び／又はアミノ基は脱離
   可能で、水素により置換されうる置換基で置換されてい
   る〕の化合物又はその塩中の、水素以外の基×１及び／
   又はヒドロキシ基及び／又はアミン基を置換している、
   脱離可能゛乙水素により置換されうる置換基を脱離させ
   、水素で置換するが、又はｂ）式（■）： 〔式中ＭＯは酸の陰イオン、例えば過塩素酸の陰イオン
   を表し、基；Ｃ＝　Ｘは基、：Ｃ＝　Ｓ又は／ＣＨ２を
   表し、Ｒ／、はＲ１と同しものを表すが又は保護基で保
   護された、還元によりａＭヒドロキシ基に変換しうるヒ
   ドロキソ基を表すか、又はＲ／１　は低級アルケニル基
   を表すか、又は場合により基−ＣＩ　（Ｒ’＋　）−の
   代わりに、式（ＴＶａ）：／Ｃ＝ＣＨＲ＋　　　　　　
   　　　　　　　（ｒＶａ）（式中Ｒ″１　は水素又はＲ
   ／、に比し炭素原子数が１調歩ない低級アルキル基を表
   す）の基を表すが、Ｉイ１ −ＣＨ＝ＣＨ−（ｌＶｂ） の基を表し、Ｒ′４は水素又は低級アルケニル基を表す
   〕の化合物中の環Ｃ及びＤに共通の二重結合を炭素−窒
   素単結合に還元し、場合により存在する低級アルケニル
   基Ｒ′＋及び／又はＲ′４を低級アルキル基Ｒ１及び／
   又はＲ４に還元し、及び／又は場合により式（ｒＶ　ａ
   　）の基を式−ＣＨ（Ｒ１）−の基に還元し、及び／又
   は場合により式（ｌＶｂ）の基を式（ｒＶｃ） −ＣＨ２−Ｃｔｌ＞　　　　　　　（ｌＶｃ）の基に還
   元し、及び／又は環Ｃ中に場合により存在する二重結合
   を炭素−炭素単結合に還元し、及び／又は場合により存
   在する基ンＣ＝Ｓを基；ＣＨ，に還元し、ヒドロキシ基
   及び／又はアミノ基に場合により存在し、還元条件下に
   脱離可能で、水素で置換されうる保護基を脱離させ、水
   素で置換するか、又は　　　、：、 Ｃ）式（Ｖ）： ｒ′３ 〔式中Ｘ３は低級アルキル基又は処理条件下に脱離し、
   水素で置換されうる基を表し、ヒドロキシ基及び／又は
   アミノ基は場合により保護され、例えば加溶媒分解、例
   えば加水分解により脱離されうる形で存在する〕の化合
   物を式（Ｖａ）：Ｘｏ−ＣＲ２−Ｒ’２（Ｖ　ａ　） 〔式中Ｘｏは式（Ｖｂ）： の基又は第四級の形で存在する式（Ｖｃ）：の基を表す
   か、又はＸｏは式（Ｖｄ）：（Ｒ５０）？　−Ｐ　　　
   　　　（Ｖｄ）（式中Ｒ５は低級アルキル基、例えばエ
   チル基を表す）の基を表すか、又はＸｏはハロゲンを表
   し、Ｒ′２は場合によりエステル化又はアミド化された
   カルボキシ基を表す〕の化合物と反応させ、得られる化
   合物を、同時に又は引続き脱離可能で、水素で置換され
   うる基×３及び場合により存在するヒドロキシ保護基及
   び／又はアミノ保護基を脱離させることにより、基−（
   Ｒｂ−Ｒａ）−の代わりに基−ＣＩ　＝　ＣＨ−が存在
   する式（１）の対応する化合物に変えるか、又は ｄ）式（■）： ３ 〔式中Ｘ１４；ｔ’Ｉｔｔ級アルキル基又は処理条件下
   に脱離可能で、水素で置換されうる基を表し、×４はハ
   ロゲン又は有機スルホン酸でエステル化されたヒドロキ
   ン基を表す〕の化合物中の基×４を脱離させ、Ｒ，の定
   義に応して、場合により置換されたアミン基、場合によ
   りエステル化又はエーテル化されたヒドロキン基又は低
   級アルキルチオ基で置換し、同時に又は引続き脱離可能
   で、水素で置換されうる基×３を脱離させ、水素で置換
   するが又は、 ｅ）式（■）・ 〔式中×５は低級アルキル基、低級アルケニル基又は還
   元条件下に脱離可能で、水素で置換されうる基を表す〕
   の化合物中の式（■ａ）：〕Ｃ−ＮＯＨ（■ａ） の基を式い１ｂ）： ンＣｌｌＮｌｌ２（〜ｎｂ） の基に置元し、場合により存在する頃Ｃ及び■）に共通
   の二重結合（二重結合か存在する場合には１′ＡＣ及び
   Ｄに共通のＮ−原子は陽電荷を有し、陰イオンＮ１は前
   記のものを表す）を炭素−窒素単結合に還元し、及び／
   又は場合により存在する低級アルケニル基Ｘ、を低級ア
   ルキル基に還ノしし、及び／又は場合により存在し、還
   元条件下に脱離可能て水素て〜６換されうる基Ｘ５及び
   ヒドロキン基及び／又（・ｌアミノ基に場合により存在
   する１！冗条件下に脱離可能で、水１て置換されうる保
   、：φ基を脱離させ、水ぶて置換するか又は、 ｒ）式（〜１）： の化合物中の環Ｅをアルコーリシス、アンモノリンスを
   含めたアミツリシス又は加水分解により開環させて、場
   合によりエステル化又はアミド化されたカルボキン基Ｒ
   ２を形成させるが、又はｇ）式（■）： ３ ｓ式中Ｒ′３は還元（７より低級アルキル基Ｒ，に変え
   うる基を表し、Ｒ′４は水素又は低級アルケニル基を表
   し、場合により環Ｃ及びＤは二重結合を共有し、その場
   合に環Ｃ及びＤに属するＮ−原子は陽電荷を有し、この
   ような化合物は塩として存在し、ヒドロキン基及び／又
   はアミン基は場合により還元で脱離可能で、水素で置換
   されうる基で保護されている〕の化合物中の基Ｒ’３を
   低級アルキル基Ｒ３に、場合により存在する低級アルケ
   ニル基Ｒ′４を低級アルキル基乙こ、場合により存在し
   、Ｔｉｃ及びＤに共通の二重結合を炭素−窒素単結合に
   還元し、場合によりヒドロキシ基及びｌアミノ基に存在
   し、還元処理条件下に脱離可能で、水素で置換されうる
   保護基を脱離させ、水素で置換するか、又は ｈ）式（×）： ３ 〔式中×９は水素、低級アルキル基又は処理条件下に脱
   離可能で、水素で置換されうる基を表す〕Ｈ の化合物中の式−Ｃｏ２−Ｃ＋−１−の基を水の脱離に
   よって基−ＣＨ＝　ＣＩｔ−に変え、場合により存在し
   、処理条件下に脱離可能で、水素で置換されうる基χｇ
   を脱離させ、水素で置換し、場合により存在するヒドロ
   キン保護基及び／又はアミノ保護基を脱離させ、水素で
   置換するが、又はｉ）式（ＸＩ）： （ ３ の化合物にシアン化水素又は同様シこ反応し、形成すべ
   き第二級ヒドロキノ基Ｒ７を場合により保護された形で
   提供する化合物を付加させ、形成した、場合により保護
   された形で存在する第二級ヒドロキシ基をａ離ヒドロキ
   ノ基に変え、姑要に応しく尋られた式（１）の化合物を
   他の式（１）の化合物に変え、及び／又は必要に応し、
   得られたラセミ混合物をラセミ化合物に分離するか、又
   は１７られたラセミ化合物を光学対掌体に分割ずろか、
   又は得られたノス−及びトランス−異性体の混合物を純
   粋なソスー異性体及びトランス−異性体に分割するか、
   又は得られたエピマー混合物を純粋なエピマーに分割し
   、及び／又は必要に応し、得られた式（１）の化合物を
   塩に変えるが、又は得られた塩を遊則化合物又は他の塩
   又はＮ−オキシドに変えることを特徴とするインドリジ
   ノ　〔８，７−ｂ）インドール誘導体の製造方法。 （４０）特許請求の範囲第３９項記載の方法により得ら
   れた化合物。