JPS58171722A - 金属薄膜磁気記録媒体の製法 - Google Patents
金属薄膜磁気記録媒体の製法Info
- Publication number
- JPS58171722A JPS58171722A JP57054942A JP5494282A JPS58171722A JP S58171722 A JPS58171722 A JP S58171722A JP 57054942 A JP57054942 A JP 57054942A JP 5494282 A JP5494282 A JP 5494282A JP S58171722 A JPS58171722 A JP S58171722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- metal
- magnetic thin
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属薄膜磁気記＊謀体の製法に係わる。
近年、非磁性支持体上に、直接的に磁性金属の、例えば
Ｃｏ、或いはＣｏ −Ｎ１等を、無電解メツ會、電気メ
ツ命、眞空蒸着、イオンプレーティンダ、スパン１９ン
グ勢によって数百１〜数ｆｉｍの厚ｔ−に被着して金属
磁性薄膜を形成した金属薄膜磁気装置媒体が注目される
に至っている。これは、非磁性支持体上に、磁性粉と結
合剤との混合物による磁性塗料が塗布されて成る磁性層
を有する通常一般の磁気記録媒体に比し、高い充填密度
、残留磁束密度Ｂｒを得ることができ、高密度装置化に
好適である。
Ｃｏ、或いはＣｏ −Ｎ１等を、無電解メツ會、電気メ
ツ命、眞空蒸着、イオンプレーティンダ、スパン１９ン
グ勢によって数百１〜数ｆｉｍの厚ｔ−に被着して金属
磁性薄膜を形成した金属薄膜磁気装置媒体が注目される
に至っている。これは、非磁性支持体上に、磁性粉と結
合剤との混合物による磁性塗料が塗布されて成る磁性層
を有する通常一般の磁気記録媒体に比し、高い充填密度
、残留磁束密度Ｂｒを得ることができ、高密度装置化に
好適である。
ところが、この種金属薄膜型磁気記録媒体は、上述した
塗布製の媒体と比較して機械的、物理的特性に問題とな
る点が多い０例えば磁気ヘッドや。
塗布製の媒体と比較して機械的、物理的特性に問題とな
る点が多い０例えば磁気ヘッドや。
媒体の走行ガイド部との摺接による磁性薄膜の劣化、走
行安定性、錆の発生などの問題がある。
行安定性、錆の発生などの問題がある。
このような金属薄膜型磁気記録媒体において、その金属
磁性薄膜の耐蝕性、耐摩耗性、防錆、走行性等を得るた
めに％金属磁性薄膜上に各種の材料層を被着形成するこ
とが行われる１例えば耐蝕性及び耐摩耗性の向上のため
に、金属磁性薄膜上に高分子被膜を形成するとか、飽和
脂肪酸、或いはこれらの金属塩よりなる単分子層を形成
するとかの構造を採ったものが提案されている。或いは
耐摩耗性を上げるために、ｓｔｏｗ 、Ａ１３０ｓ等の
酸化物層を被着するとか、８ｉＣ％ＷＣ勢の脚化物層ｉ
被着するとか、ＣｒＮ％ＴｉＮ勢の窒化物層を被着する
とかの構造によるものも提案されている。また、或いは
防錆効果を得るために、ＮｉまたはＮ１合金薄膜を形成
するとか、防錆効果と、カール防止のためＫＨＬＢ値が
５〜３０の界面活性剤を塗布するとか、帯電防止効果を
得るために、表面抵抗がＩＫΩ／口以上の酸化物半導体
層を形成するとかの構造も提案されている。そのはか、
α−Ｆ＠１０Ｂの保護膜を形成するとか高級脂肪酸の蒸
着膜を形成するものなども提案されている。
磁性薄膜の耐蝕性、耐摩耗性、防錆、走行性等を得るた
めに％金属磁性薄膜上に各種の材料層を被着形成するこ
とが行われる１例えば耐蝕性及び耐摩耗性の向上のため
に、金属磁性薄膜上に高分子被膜を形成するとか、飽和
脂肪酸、或いはこれらの金属塩よりなる単分子層を形成
するとかの構造を採ったものが提案されている。或いは
耐摩耗性を上げるために、ｓｔｏｗ 、Ａ１３０ｓ等の
酸化物層を被着するとか、８ｉＣ％ＷＣ勢の脚化物層ｉ
被着するとか、ＣｒＮ％ＴｉＮ勢の窒化物層を被着する
とかの構造によるものも提案されている。また、或いは
防錆効果を得るために、ＮｉまたはＮ１合金薄膜を形成
するとか、防錆効果と、カール防止のためＫＨＬＢ値が
５〜３０の界面活性剤を塗布するとか、帯電防止効果を
得るために、表面抵抗がＩＫΩ／口以上の酸化物半導体
層を形成するとかの構造も提案されている。そのはか、
α−Ｆ＠１０Ｂの保護膜を形成するとか高級脂肪酸の蒸
着膜を形成するものなども提案されている。
ところが、これら表面材料層は、非磁性であるか磁性で
あるかを問わず、これＫよる磁性薄膜と磁気ヘッドとの
間隔を広げるいわゆるスベーシνグロスをできるだけ小
さくする必要があることから、一般にできるだけ薄い例
えば数百１〜０４μ閣程ＪｔＫとどめる必要があり、付
着強ｔＫ問題が生じ、これら表面材料層の所期の目的が
長期間に１って維持し難いとい５問題点がある。
あるかを問わず、これＫよる磁性薄膜と磁気ヘッドとの
間隔を広げるいわゆるスベーシνグロスをできるだけ小
さくする必要があることから、一般にできるだけ薄い例
えば数百１〜０４μ閣程ＪｔＫとどめる必要があり、付
着強ｔＫ問題が生じ、これら表面材料層の所期の目的が
長期間に１って維持し難いとい５問題点がある。
そして、この表面材料層の付着強縦を上げるために、金
属磁性薄膜表面にバフ処理を施し、その後、これの上に
表面材料層を形成する試みがなされている。しかしなが
ら、この場合、表面材料層の付着強度の向上はみられる
ものの、反面ドロップアウトの発生が着しく、また、傷
つきが発生し易く、嵐好な画質の確保がし難いという欠
点がある。
属磁性薄膜表面にバフ処理を施し、その後、これの上に
表面材料層を形成する試みがなされている。しかしなが
ら、この場合、表面材料層の付着強度の向上はみられる
ものの、反面ドロップアウトの発生が着しく、また、傷
つきが発生し易く、嵐好な画質の確保がし難いという欠
点がある。
本発明においては、このように種々の目的をもって形成
される表面材料層を有する金属薄ａｍ気記配置体の製法
に係り、％にその表面材料層の所期の目的を長期に亘っ
て確保することができ、更にドロップアウトの発生や、
画質の低下の招来を回避することができるようＫした金
属薄膜磁気記録媒体を得ることができるようにしたもの
である。
される表面材料層を有する金属薄ａｍ気記配置体の製法
に係り、％にその表面材料層の所期の目的を長期に亘っ
て確保することができ、更にドロップアウトの発生や、
画質の低下の招来を回避することができるようＫした金
属薄膜磁気記録媒体を得ることができるようにしたもの
である。
以下、本発明製法について説明する。
本発明においては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタ
レート等の例えばフィルム状の非磁性支持体上ｙ、 Ｃ
ｏ、 Ｃｏ−Ｎｉ等の金属磁性薄膜を、電気メッキ、無
電解メッキ、蒸着、イオシブレーテイング、スパッタリ
ング等の周知の技術によって形成し、その後、本発明に
おいては、この金属磁性薄膜に、例えば電子線（β線を
含む）、中性子縁、ｒｌｌ等の放射線を１−１１−１Ｏ
＋ｄ （）ｔｊ５７ト）の照射量をもって照射し、その
後、この金属磁性薄膜上に、冒５１ｊに述べた各種目的
の材料層の被着を行う。
レート等の例えばフィルム状の非磁性支持体上ｙ、 Ｃ
ｏ、 Ｃｏ−Ｎｉ等の金属磁性薄膜を、電気メッキ、無
電解メッキ、蒸着、イオシブレーテイング、スパッタリ
ング等の周知の技術によって形成し、その後、本発明に
おいては、この金属磁性薄膜に、例えば電子線（β線を
含む）、中性子縁、ｒｌｌ等の放射線を１−１１−１Ｏ
＋ｄ （）ｔｊ５７ト）の照射量をもって照射し、その
後、この金属磁性薄膜上に、冒５１ｊに述べた各種目的
の材料層の被着を行う。
尚、上述の放射線照射に電子−加速機を用いる場合、そ
の照射エネルギーは１００Ｋ＠Ｖ以上とすることが望ま
しい。
の照射エネルギーは１００Ｋ＠Ｖ以上とすることが望ま
しい。
次に１本発明の実施例について説明する。
実施例１
厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムよ
り成る非磁性支持体上に、Ｃｏを斜め蒸着法によってほ
ぼ１０００ Ｘの厚さの金属磁性薄膜を形成した０次い
で、この金属磁性薄膜面に、電子線加速機により、１５
ｇＫｅＶでｉＭｒａｄの電子線を照射した。その後、こ
の金属磁性薄膜上に表面材料層として、８１０２の表面
層をｓｏｏ １の厚さにスパッタリングによって形成し
た。仁のようＫして得た磁気媒体に対し、スチル再生を
連続的に行ったところ、５０時間以上使用に耐えた。こ
れに比し、実施例１と同様の構造をとるも金属磁性薄膜
に電子線照射を行わなかった従来構造のものは、同様の
スチル再生が２時間程度しかなし得なかった。
り成る非磁性支持体上に、Ｃｏを斜め蒸着法によってほ
ぼ１０００ Ｘの厚さの金属磁性薄膜を形成した０次い
で、この金属磁性薄膜面に、電子線加速機により、１５
ｇＫｅＶでｉＭｒａｄの電子線を照射した。その後、こ
の金属磁性薄膜上に表面材料層として、８１０２の表面
層をｓｏｏ １の厚さにスパッタリングによって形成し
た。仁のようＫして得た磁気媒体に対し、スチル再生を
連続的に行ったところ、５０時間以上使用に耐えた。こ
れに比し、実施例１と同様の構造をとるも金属磁性薄膜
に電子線照射を行わなかった従来構造のものは、同様の
スチル再生が２時間程度しかなし得なかった。
実施例２
実施例１と同様の方法によるも、表面材料層としてＭｏ
８１層を６００１の厚さにスパッタリングによって形成
した。このようＫして得た磁気記録媒体は、摩擦係数の
初期値が０．３であり、これの５００回繰返し走行後の
値は、０．３４で殆んど変化がみられなかった。これに
比し、実施例２と同様の構成をとるも、電子線照射を行
わなかったものは、初期値０．３のものが５００回の走
行後ＫＯ，５に変化した。
８１層を６００１の厚さにスパッタリングによって形成
した。このようＫして得た磁気記録媒体は、摩擦係数の
初期値が０．３であり、これの５００回繰返し走行後の
値は、０．３４で殆んど変化がみられなかった。これに
比し、実施例２と同様の構成をとるも、電子線照射を行
わなかったものは、初期値０．３のものが５００回の走
行後ＫＯ，５に変化した。
実施例３
実施例１と同様の方法によるもその表面材料層として滑
剤のステアリン酸を７０ｍｇ／ｍ の厚さに塗−して形
成した。このようＫして得た磁気記録媒体は、摩擦係数
の初期値が０．２５で、５００回走行後ＫＯ，３１であ
ったが、実施例３と同様の構成におい【電子線照射を行
わなか矢ものは、初期値０．２６のものが、５００回走
行後ＫＯ１４に変化した。
剤のステアリン酸を７０ｍｇ／ｍ の厚さに塗−して形
成した。このようＫして得た磁気記録媒体は、摩擦係数
の初期値が０．２５で、５００回走行後ＫＯ，３１であ
ったが、実施例３と同様の構成におい【電子線照射を行
わなか矢ものは、初期値０．２６のものが、５００回走
行後ＫＯ１４に変化した。
実施例４
実施例ＩＫおいズ表面材料層に代えて電子線照射したＣ
・の金属磁性薄膜上に更に８００１の厚さＫ Ｃｏ ｆ
）表面層を蒸着した。このようにし【得た媒体のシャト
ルテスト（繰り遮光しテスト）は１０回以上できたが、
電子線照射を行わなかったものは、１回で使用不能とな
った。
・の金属磁性薄膜上に更に８００１の厚さＫ Ｃｏ ｆ
）表面層を蒸着した。このようにし【得た媒体のシャト
ルテスト（繰り遮光しテスト）は１０回以上できたが、
電子線照射を行わなかったものは、１回で使用不能とな
った。
このように本発明製法によって得た磁気記録媒体は、そ
の表面材料層の付着強度が高められ、各表面材料層の各
所期の目的を長期間達成維持で電ることが明らかとなっ
た。
の表面材料層の付着強度が高められ、各表面材料層の各
所期の目的を長期間達成維持で電ることが明らかとなっ
た。
このように電子線照射によって表面材料層の付着強度が
高められるのは、金属磁性薄膜の表面状態が電子線照射
によって変化させられたことくよると思われるが、上述
の何れの実施例による磁気記録媒体においても、表面材
料層の被着形成による出力低下はみられなかった。
高められるのは、金属磁性薄膜の表面状態が電子線照射
によって変化させられたことくよると思われるが、上述
の何れの実施例による磁気記録媒体においても、表面材
料層の被着形成による出力低下はみられなかった。
尚、上述した各個では、電子−照射を行った場合である
が、他の中性子線、ｒ＊勢の放射線を用いることができ
、いずれも殆んど同ｍの効果が得られた。そして、この
放射−の照射蓋は、１１４ｒａ４１未満では殆んどこの
放射線照射による効果が現われず、ｌＯＭｒａｄｌ−え
ると、＊ＩＩ４幽性薄膜性薄膜自体を来すおそれが生じ
てくる。
が、他の中性子線、ｒ＊勢の放射線を用いることができ
、いずれも殆んど同ｍの効果が得られた。そして、この
放射−の照射蓋は、１１４ｒａ４１未満では殆んどこの
放射線照射による効果が現われず、ｌＯＭｒａｄｌ−え
ると、＊ＩＩ４幽性薄膜性薄膜自体を来すおそれが生じ
てくる。
壇た、表面材料層としては、金属磁性薄膜に対する放射
線照射後に、表面の自然酸化によって酸化膜を形成する
こともできる。
線照射後に、表面の自然酸化によって酸化膜を形成する
こともできる。
更に、また必要に応じて非磁性支持体の表面に電子線、
中性子線、ｒ線等の放射線照射を行って、その後に、こ
の非磁性支持体上に、金属磁性薄膜を被着するよう和し
ても良く、この場合は、更に磁性薄膜の被着強度を高め
ることができる。この場合の放射線の照射量は、５〜１
５Ｍｒａｄが好適であった。すなわち、その照射量５Ｍ
ｒｉｄ未満では、照射の効果が殆んど生じなく、１５Ｍ
ｒａｄを超えるときは、非磁性支持体に損傷を来し、こ
れを機械的に脆くしてしまうおそれが生じ【〈ることが
確められた。そして、電子線照射によるときは１５０Ｋ
ｅＶ以上が好ましいことも確められた。因みに非磁性支
持体としての厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレー
トペース上に２００ＫｅＶで７Ｍｒａｄノ電子線照射を
行って後に、つづいてこれに入射角６５６でＣｏを約１
０００１の厚さＥＸ！２蒸着して金属磁性薄膜を形成し
た場合、その磁気的特性は、抗磁力Ｈｃが１０５００＠
、残留磁束密度Ｂｒがｌ１００ＯＧであったが、この場
合の金属磁性薄膜の付着強度、シャトルテストは、いず
れも、非磁性支持体上に放射線照射をすることな（Ｃｏ
の斜め蒸着して得た磁性金属薄膜に比し、格段的にすぐ
れた強度をもたらすことができた。
中性子線、ｒ線等の放射線照射を行って、その後に、こ
の非磁性支持体上に、金属磁性薄膜を被着するよう和し
ても良く、この場合は、更に磁性薄膜の被着強度を高め
ることができる。この場合の放射線の照射量は、５〜１
５Ｍｒａｄが好適であった。すなわち、その照射量５Ｍ
ｒｉｄ未満では、照射の効果が殆んど生じなく、１５Ｍ
ｒａｄを超えるときは、非磁性支持体に損傷を来し、こ
れを機械的に脆くしてしまうおそれが生じ【〈ることが
確められた。そして、電子線照射によるときは１５０Ｋ
ｅＶ以上が好ましいことも確められた。因みに非磁性支
持体としての厚さ１０μｍのポリエチレンテレフタレー
トペース上に２００ＫｅＶで７Ｍｒａｄノ電子線照射を
行って後に、つづいてこれに入射角６５６でＣｏを約１
０００１の厚さＥＸ！２蒸着して金属磁性薄膜を形成し
た場合、その磁気的特性は、抗磁力Ｈｃが１０５００＠
、残留磁束密度Ｂｒがｌ１００ＯＧであったが、この場
合の金属磁性薄膜の付着強度、シャトルテストは、いず
れも、非磁性支持体上に放射線照射をすることな（Ｃｏ
の斜め蒸着して得た磁性金属薄膜に比し、格段的にすぐ
れた強度をもたらすことができた。
Claims (1)
- 非磁性支持体上に金属磁性薄膜を形成する工程と、該金
属磁性薄膜に放射−を照射する工１と、しかる後上記金
属磁性薄膜上に他の材料層を形成する工程とを有する金
属薄膜磁気記鋒媒体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054942A JPS58171722A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 金属薄膜磁気記録媒体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054942A JPS58171722A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 金属薄膜磁気記録媒体の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171722A true JPS58171722A (ja) | 1983-10-08 |
Family
ID=12984690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57054942A Pending JPS58171722A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | 金属薄膜磁気記録媒体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171722A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182013A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-17 | Hitachi Condenser Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1982
- 1982-04-02 JP JP57054942A patent/JPS58171722A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182013A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-17 | Hitachi Condenser Co Ltd | 磁気記録媒体 |
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