JPS58171120A - 音響表面波装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は音響波装置に関するものであり、とくに所望の
電気インピーダンス値を有しかつ電力取扱い容量が改善
されている低雑音発揚器用のレゾネータに関するもので
ある。但し本発明はこれに限定されるものではない。こ
の種装置は例えば高電力レベルにおいて動作するフィル
タとして使用される。本装置はバルク音響波装置（媒体
の体積内を伝搬する。ンでもよく、また媒体の表面のみ
を伝搬する音響表面波装置でもよい。（以下場合により
音響表面波装置をＳＡＷ装置と略称する。）音響表面波
装置器（ＳＡＷレゾネータ）の経年変化（エージングン
による電力特性はダブりニー・アール・シュレプ（Ｗ、
Ｒ，５ｈｒｅｖｅ　）他により１．Ｅ、Ｅ、Ｅ１９８１
ウルトラソニックシンポジウムプロシーディング（Ｕｌ
ｔｒａｓｏｎｉｃ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｐｒｏｃｅｅ
ａｉｎｇｓ）（１，Ｅ、Ｅ、Ｅ、パブリケーション８１
０　Ｈ１８８９，９）９４〜９９員に本発明と同じ標題
で発表されている。この文献は１ボート（電力入出力口
）および２ボー）ＳＡＷレゾネータに関する経年変化の
実験を記載している。これら両音響装置は対の音響波す
７レクタを有する圧電基板を有する。（このり７レクタ
は基板表面に溝として配置してもよく、また基板表面に
配置した金属ストリップとして配置してもよい。）１ボ
ートレゾネータは共伽空胴（キャビティ）内に単一のト
ランスデユーサ（変換器）を有し、またこの装置に電力
を供給し、またこれより電力を取り出す両方の役目を有
する一対の端子を有している。２ボートレゾネータは一
対の入力端子を有する入カドランスデューサと一対の出
力端子を有する出カドランスデューサを有する。各トラ
ンスデユーサは互いに交錯している櫛歯状（インターデ
ィジタル）電極フィンガーを有している。これに記載さ
れてし）る２ボートレゾネータではとくにトランスデユ
ーサ間の空胴（キャビティ）の中心にアースされた金属
バーが設けこれらの音響表面波（Ｓ　ＡＷ　）装置では
、動作電力が増加するとより速い速度でエージングが生
ずることが分かった。このエージング速度の増加する主
な原因は、電極フィンガの金属内の音響的に生ずる移動
であり、またアースが設けである場合にはアースされた
中央バーおよびり７レクタが金属である場合これらの金
属の音響による移動である。このような金属の移動は装
置中機械的ストレスが最大となる部分において生ずる０
この部分は空胴（キャビティ）の中心に向って生ずるこ
とが多い。また、この音響により生ずる金属移動は空胴
（キャビティ）内で定在波パターンが生ずるＳＡＷレゾ
ネータにおいてとくに激しくこれが生ずる。しかし、そ
れ以外の他のＳＡＷ装置においても生ずる。この現象は
装置が信頼し得る限度のピークストレスにより装置の設
計上の制限を生じ、これによって特定の装置が信頼性を
持って取扱い得る単位活性面積当たりの最大電力が制限
される。

水晶のＳＡＷ装置において純粋アルミニウム金属化を行
ったものでは、ピークストレスは約６　Ｘ　１０’Ｎ／
ＩＩ＋’である。シュレプ他の文献においては・金属化
物質内に少量の銅を混入することにより、音響による移
動が低減されることが発表されている。

しかし本発明者等の実験によると、このような金属化材
料内に銅をドープするときは、音響波レゾネータ装置の
Ｑ７アクタが減少することが判明した。そのためこのよ
うな手段は必ずしも好ましいものではない。

装置の活性面積を増加させることにより音響波装置の取
扱い電力容量を増加させることができる。

従って単位活性面積当たりの相対電力レベルを減少させ
、またこれによりストレスを減少させることができる。

しかしながら電気インピーダンス、帯域幅および挿入損
失特性とが装置の特定用途に対し要求される要素によっ
て装置の寸法は定められている。一般に装置の活性面積
を増加させると、インピーダンスが所望値より低下する
。

同様な原因によりバルク音響波装置に対してもエージン
グ、電力取扱い容量並びにインビーダン、スに影響が生
ずる。

発明の目的 本発明は上述のような音響波装置を改良し、その電力取
扱い能力を向上させたものを実現することをその目的と
する。

発明の構成及び効果 本発明による音響波装置はほぼ等しい電気インピーダン
スならびに伝搬特性を有するＮ１個の音響波装置を設け
た少なくとも１個の圧電基板を有し、ここにおいて、Ｎ
は１より大なる整数であり、また各装置は電力を供給し
、また電力を取出す少なくとも一対の端子を有しており
、前記−個の装置は、それぞれ対応の端子対を直列に接
続したＮ個の前記装置をそれぞれＮ群とする並直列回路
配置に電気的に接続し、これらの各群の端子のそれぞれ
対応する対を他群の対応対の端子と並列に接続して音響
表面波装置を構成し、この音響表面波装置は前記Ｎ３個
の各ｍ−別の音響波装置の何れのものの電気インピーダ
ンスおよび伝搬ａ性に□はぼ等しい玉電気インピーダン
スおよび伝搬特性を有するようにしたことを特徴とする
０本発明において上述の如＜Ｎ８個の装置の並直列配置
を用いることにより構成された全体の音響波装置は１そ
れぞれ個別の装置の電気インピーダンスおよび伝搬特性
と同じ電気インピーダンスおよび伝搬特性を有し、しか
もその装置の活性面積は少なくとも戸の倍率で増加する
。活性面積がこのように増加することは全体装置におけ
る電力取扱い容量を増加だせる。すなわち本発明による
装置は高電力レベルに耐えるよう設計されたフィルタに
使用することができ、固定のインピーダンスレベルを有
するが、位相雑音電力対キャリヤ電力の比を減少させる
ため可能な最高電力レベルで動作させる低雑音発揚器お
よび他のレゾネータに対しとくに有利に使用できる。

以下イくツかの実施例についてより詳細に説明する如＜
　Ｎ”個の装置はそれぞれ個別の装置とすることもでき
、また種々の程度でこれらを互いに集積化することがで
き、また１便の圧電基板上に小型装置構造を以て構成す
ることもできる。この結実装置の活性面積がＮ倍に増加
しているにも関わらずＮ個の装置を収容するに必要な基
板面積はＮ個装置の１個に対し必要とする基板面積をＮ
８倍したものに比し漆かに小ごくなる。

実際例としては次のような集積レベルが考えられる。Ｎ
　個装置のうち少なくとも２個は２個の装置の共通端子
を形成し、また直列接続または並列接続の１部を形成す
る電極ブス・バー（母Ｉｓ）部分の両側より突出するト
ランスデユーサ電極フィンガを有する。前記Ｎ個装置の
うち少なくとも２個の装置は、直列接続装置群間の電気
接続により並列回路に接続し、とくに前記少なくとも２
個の装置の組はこの装置組に対し共通なｔ＊ブス・バ一
部分の２個の対向配置されている部分より突出する交互
に入り込んだトランスデユーサ電極フィンガを有し、こ
れらの組の一方の装置の電極フィンガはその組の他方の
装置の電極フィンガの直線延長を形成するようにする。

ざらに音響波レゾネータの場合・前記Ｎ個装置のうち少
なくとも複数の装置には共通の反射素子を設け、これら
反射素子は個別の装置に対し個別のレゾネータ空胴（キ
ャビチインを形成する如くする。

所！ｊ１″″１ボート”装置においては、Ｎ　個装置の
各々が１対の端子を有し、これらの端子は装置に電力を
結合し、またこれより電力を導出する役割をなす。しか
し本発明並直列配置は２ボー）または２ボ一ト以上の装
置に使用することができ、この場合にはＮ個装置の各々
が少なくとも１個の入力端子対と少なくとも１ｍの出力
端子対を有する。これらのマルチボート装置の場合は、
直列接続入力端子対の群は直列接続出力端子対の群と同
一でもよく、またこれと異なっていてもよく、これらは
これらの端子対が何れの特定のＮ個装置に属するかによ
って定まる。即ちＮ群のそれぞれ内の全ての第２端子対
は、全ての第１端子対がＮ個の第１端子対の群に共通な
Ｎ個の装置に属するものであってもよく、またこれと異
なって各Ｎ群内の第２端子対は第１端子対が共通のＮ群
に属ざないＮ個の装置のものであってもよい。

実　　　施　　　例 以下図面により本発明を説明する。

添付各図面は略図として示しであるもので、とくに第１
．５，７，８．１１図の平面図は正しい縮尺で示しであ
るものではない。これらの装置の各部分は図示の都合上
および理解を助ける上でその寸法を誇張したり縮少して
示しである。また異なる実施例において・対床する部分
および同一特徴を有する部分は同じ参照番号を用いて示
してあり、理解を容易にし、また実施例間の比較を楽に
しである◇ 第１図および第２図に示す音響波装置は少なくとも１個
の圧電基板１を有しており、これに本発明においてはそ
れぞれほぼ同じ電気インピーダンスを有し、また同じ伝
送特性を有する１儒の音響波装置を設けである。図示の
実施例においては４個のこの種装置Ａ　ｅ　Ｂ　＃　Ｓ
　ｔ　Ｔを設けである。

（即ちＮ−１である。）基板１は音響波を伝搬し得る任
意の圧電結晶材料（ピエゾ電気結晶材料）で作る。とく
に基板１の結晶材料と主表面方向は、音響表面波が基板
１の上側主表面に沿って伝搬するものとすると好都合で
あり、例えばニオブ酸リチウムまたは水晶の基板を用い
ると好都合である。

しかしながら表面波の伝搬を使用する代りに主表面に接
近してこれと平行に伝搬するバルク音響波を利用する基
板材料のものを用いることもでき、この場合基板材料は
Ｘ軸に直角に伝搬を行う水晶の回転Ｙカットとする。以
下の説明においていう音響波とは、利用する既知の基板
材料によって生ずる上述の表面波またはバルク波を意味
するものとする。

４個の装置Ａ、Ｂ、Ｓ、Ｔの各々は、音響波レゾネータ
（＃振器）であり、これらは離隔配置した１対のり７レ
クタを有し、その各々は基板１の上側主表面に設けた平
行反射素子２または８のアレイを有する。反射素子２お
よび８のこれらの離隔配置したアレイ（これらの素子の
各々は基板表面に設けた溝として形成してもよく、また
基板表°面に設けた導電材料層として形成してもよい。

）は既知の方法で基板１の主表面上に配置し、その方向
および寸法は、各レゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔに対し＃伽
モード周波数において基板１内に音響定在波エネルギー
を支持し得る個別の共振キャビティを形成するようにす
る。

これら４個の装置Ａ、Ｂ、Ｓ、Ｔは単一ポートレゾネー
タであり、その共振キャビティ内に単一の電気音響トラ
ンスデユーサ（変換Ｗ）を有する。

各トランスデユーサは一対の端子４．Ｉｓと電極６゜７
の櫛歯状交錯配置（インターディジタル）アレイを有す
る。端子４．Ｉｓの各対は第１図に示す如＜）ランスデ
ューサ電極の２個の対向配置したブス・バー（母Ｉりに
よって形成され、それぞれの個別のレゾネータＡ、Ｂ、
ＳまたはＴに対し電力を導入し、またこれらより）電力
を導出する電力結合部として作用する。また第１図に示
すようにこれら電極の端子４．５の対向配置されている
プスーバ一部分より電極フィンガ一対６．７が突出し、
電極フィンガー６はフィンガー７に対し互いに櫛歯状に
噛み合うよう配置しである。これらのトランスデユーサ
電極は、上側主表面上に位置し、その寸法および方向は
キャビティの音響定在波エネルギーを結合し得るものと
する。フィンガー６および７の互いに入り込んでいる長
ざ、或いは重複している長ざは、共振キャビティ内に形
成される音響定在波の存する装置面積の幅を定める。変
換器電極４，６および５．７と反射素子２および８は、
同じ導電材料、例えばアルミニウムで形成できる。

装置を小型にし、かつ４個のレゾネータＡ　、　Ｂ。

Ｓ、Ｔが信頼性ある特性を持つようにするため、これら
４個のレゾネータＡ、Ｂ　、Ｓ　、Ｔの全てを共通の基
板１上に設け、共通の製造工程で製造するのが望ましい
。しかし共通基板上の交互配列されているフィンガー６
．７と反射素子２，８は、レゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔが
音響的には殆んど相互に関連がなく、以下説明するよう
に単に電気的のみに接続されているようにする必要があ
る。ざらに共通基板上の個別レゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔ
はほぼ直線に整列されるバイアス１！！＃フインガーを
有し、このため共通基板１上にほぼ整列した定在波パタ
ーンを生ずる。第１図に番号８で示す如く所望に応じレ
ゾネータ対Ａ、Ｂと同封Ｓ、Ｔを別個の基板上に設ける
こともでき・またレゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔをそれぞれ
別個の基板上に設けることもできる。

本発明においては、これら４個の音響的に独立している
レゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔを並列直列接続として電気的
に接続する。この接続回路は２債のレゾネータ対、Ｂま
たはＳ、Ｔを有する２つの群よりなり、その端子４，５
を互いに直列に接続し、これら各群Ａ、ＢまたはＳ、Ｔ
の端子４，５を他の群Ｓ、ＴまたはＡ、Ｂの端子対４，
５に対しそれぞれ並列に接続する。すなわちこのように
接続した第１図および第２図に示した装置は、単一ポー
トレゾネータとなり、これは端子対重および■を有し、
これらの端子に入力信号を供給し、またこれらより出力
信号を導出する。

この装置の端子Ｉを例えば４１１０および１１を用いレ
ゾネータＡおよびＳの電極ブス・バー４に接続する。レ
ゾネータＡの反対側のＩＥ極ブス・バー５を例えば＄１
２によりレゾネータＢのブス・バー４に接続し、レゾネ
ータ通、、Ｂの直列接続を形成する。これと同様に線１
８を用いレゾネータＳとＴとを直列に接続する。また他
方の装置端子■を１Ｍ１４および１５を用いレゾネータ
ＢおよびＴの電極ブス・バー５に接続する。

第１図の各レゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔは、はぼ同一のも
のである。レゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔの反射素子２，８
，４，５，６．７の物理的寸法およびレイアウトはほぼ
同一とし、これによりこれらレゾネータＡ、　Ｂ　、　
Ｓ　、　Ｔの電気インピーダンスおよび伝送特性はほぼ
同一となる。これらの音響波レゾネータＡ、Ｂ、’Ｓ、
Ｔの電気インピーダンスおよび伝送特性を第８図の如き
電気回路図で表わし得ることは既知である。

第８図の等価回路は反射素子２．８の反射帯域幅内に対
して成立するものである。第８図においてレゾネータＡ
、Ｂ　、ＳまたはＴの共振キャビティは、インダクタン
スＬ　（ｉ　）　ｅコンデンサＣ（１）、および抵抗Ｒ
（４）を直列＃振回路により等価的に表わし得る。共振
キャビティ内に位貧する実際の電気音響トランスデユー
サは、この直列共振回路Ｌ（１）、０（１）、Ｒ（１）
に対し個別の変圧器によって結合されたコンデンサＣ（
０）で表わされる。第１図の並直列回路の等価回路を第
４図に示す◇第４図の回路図につき分析を行うと、この
回路は変圧器によって単一の入出力コンデンサＣ（０）
に結合されている単一の直列共振回路Ｌ（１）＊Ｃ（１
，Ｒｔ　ｉ）に簡単化して表わすことができ、この回路
において変圧器と０（０）ＩＬ（１）ｔｏ（１）ｔＲ（
１）は１個の個別レゾネータＡ、Ｂ、ＳまたはＴに対し
同じ回路値を有する。すなわち第８図の回路図は第１図
、２図および４図の全体の音響表面波装置のものであり
、この全体の装置は端子１．Ｉｔ間に同じ電気インピー
ダンス値を有し、また端子Ｉ。

■間に同じ伝送特性を有し、また電極ブス・バー４．５
間における個別のレゾネータＡ、Ｂ、ＳまたはＴにおけ
るものと同様となる。

しかしながら、第１図、第２図および第４図に示す並直
列配置の重要な利点は、個別のレゾネータＡ、Ｂ、Ｓま
だはでに対し同じインピーダンスと伝送特性とを維持し
ながらその活性装置面積はそれぞれ個別のレゾネータＡ
、Ｂ、ＳまたはＴのものに比較し、４倍となることであ
る。このため、このような全体装置を各個別レゾネータ
の活性面積内の金属化部分の音響的に生ずる移動に対す
るピークストレスに関し、個別レゾネータＡ、Ｂ。

Ｓ、Ｔがその最大出力取扱い能力になるよう全体の装置
を動作だせる場合、これらのレゾネータＡ。

Ｂ、Ｓ、Ｔの並直列配置による全体装置により取扱われ
る全電力は、個別のものに対し約４倍大となることであ
る。従って第１図の音響波レゾネータ（共振装置）は、
低雑音発揚器内の安定化信号源を形成する周波数制御素
子として使用することができる。このような発振器は位
相雑音電力対キャリヤ電力の比を最少にするため音響波
レゾネータ内の電力レベルが最大となる動作点で動作さ
せることか望ましい。

本発明の範囲内で多くの変形が可能である。とくに個別
装置の数、装置の幾可学的寸法および集積化の程度、装
置特性および用途に関し多くの変形が可能である。第５
図は装置の幾可学的構成における変形例を示す。この例
においては４個のレゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔは＃撮空胴
（キャビティ）を画成する共通反射素子２および８を有
する。この点がまず第１の変形点である。これらの共通
反射素子２および８は個別レゾネータＡ、Ｂ、Ｓ。

Ｔの全てが設けられている面積の両側に配置される。全
ての反射素子２および８を共通に有しているにも関らず
、各個別のレゾネータＡ、Ｂ、Ｓ。

Ｔは音響的にはほぼ完全に独立である。これは交互に入
り込んでいるフィンガー６および７０オーバーラツプに
よりそれらの個別活性面積が分離されているからである
。所望に応じレゾネータＡ。

Ｂ、Ｓ、Ｔのうちの一部のみが共通の反射素子を有する
ようにしてもよい。例えばレゾネータＡおよびＢが一組
の共通反射素子２およびδを有し、レゾネータＳおよび
Ｔが他の一組の共通反射素子２および８を有するように
してもよい。

第５図に示した例の第２の変形点は接続線１２゜１８を
使用する代りに、２個のレゾネータＡ、Ｂおよび２個の
レゾネータＳ、Ｔの直列接続が共通の電極ブス・バ一部
分５４を用いて形成したことであり、この電極ブス・バ
ー５４の両側から電極フィンガ６および７を突出させる
。２つのレゾネータ間のこれらの井通ブス・バー５４は
並直列配置の平行アーム内に位置し、２個のレゾネータ
ＡとＢ並びにＳとＴの共通端子を形成する。ざらに本発
明装置に使用し得る電極フィンガー数は既知の如くして
これを変化させることができ、これにより適当な装置特
性を得ることができる。第５図に示したレゾネータＡ、
Ｂ、Ｓ、Ｔは互いに交錯しているフィンガーの数を多く
しである。

第６図の実施例における第８の変形点は、レゾネータＢ
、Ｔの並列接続に対し接続″１ｊｌｌｌｓを使用する代
りこれらのレゾネータＢおよびＴは共通の電極ブス・バ
ー５５を有しており、その両側よりこれに属する電極フ
ィンガー７が突出することである。このブス・バー５５
はレゾネータＢおよびＴの一方の共通端子を形成し、全
てのレゾネータの同じくバイアスされる１！極フインガ
ーは基板１にほぼ直線上に並列して配ｒｔされる。この
第２と第８変形点の＃通ブス・バー５４．５５を使用す
ることにより第１図の装置における交錯１！極フインガ
ー６．７のオーバーラツプ長を同じとしても、第１図の
装置構造に比し遥かに小型の装置が構成できる。

第６図はざらに他の変形を示し、この例では並列群Ａ、
ＢとＳ、Ｔ間に電気接続５０を設け、この接続を一方の
群のレゾネータＡ、Ｂ間と他方の群のレゾネータＳ、Ｔ
間においてほぼ同じ電圧が生ずる点にこれを設ける。こ
の接続５０は、例えば第５図の２つの電極ブス・バ一部
分５４間に設けた接続線とする。しかしこれに代え、第
７図につき後述するように結合したトランスゲ５ユーサ
Ａ。

ＳとＢ、Ｔ間に設けた共通ブス・バーにより極めて小型
に形成することができる。この電気液［５０は１組の並
列装［Ａ、Ｓと１組の並列装置１１Ｂ、Ｔ間の直列接続
と等価である。並列群Ａ、ＢとＳ。

Ｔ内の対応点間にこのような接続５０を設ける利点は個
別のレゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔの装置に多少の電気特性
上の変化があってもこれらを打消すことができることで
ある。一般にこれらレゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔの各装置
の電気インピーダンスおよび伝送特性は、正確には同一
でない場合にもレゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔの並直列配置
全体の装置がその特定用途において規定されるネットの
特性上に許容される仕様に合致する範囲で、これらのレ
ゾネータＡ、Ｂ　、Ｓ　、Ｔの装置特性は同一と言い得
る。

第７図は本発明を２ボートのレゾネータと結合型トラン
スデユーサＡ、ＳおよびＢ、Ｔに対し応用した例を示す
。２ボートレゾネータとするため第７図の全体装置は、
一対の入力端子Ｉと■以外に一対の出力端子蓋と■を有
する。個別のレゾネータ装ｆｉＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔは入力端
子対Ｉ、Ｉ間に並直列配置に接続した入カドランスデュ
ーサと出力端子蓋、■間に並直列配置した出カドランス
デューサを有する。フィンガー数および入出カドランス
デューサの幾可構造は種々に変化させることができる。

第７図は単に１例として出カドランスデューサ（変換器
）が入カドランスデューサと同様の構造を有するものを
示した。出カドランスデューサは全てのレゾネータＡ、
Ｂ、Ｓ、Ｔに対すると同じ距離だけ入カドランスデュー
サより離隔させである。

第７図の装置においてレゾネータＡおよびＳのトランス
デユーサは、装置間に形成した電気接続によって並列接
続の１組の装置として合体させ、この接続は入カドラン
スデューサに対しては２個の対向配置した共通ブス・バ
ー４および６０であり、出カドランスデューサに対して
は同じ＜４′および５０／とする。レゾネータＡおよび
Ｓの両者の入カドランスデューサの交錯しているトラン
スデユーサ電極フィンガー６および７は、これらの共通
ブス・バ一部分４および５０より突出し、しゾネータＳ
のフィンガー６はレゾネータＡのフィンガー６の縦方向
延長を形成し、レゾネータＡのフィンガー７はレゾネー
タＳのフィンガー７の縦方向延長を形成する。交互に入
り込んでいるフィンガー６および７のオーバーラツプ長
は、このように合体しない個別のトランスデユーサの同
じ長さに比し２倍となる。ブス・バー４および５０はレ
ゾネータＡおよびＳの入カドランスデューサの共通端子
対を形成する。またこれらの２ポートレゾネータＡおよ
びＳの出カドランスデューサは同様に合体させ、共通端
子対４’　、　５０’を有し、また長ざ方向に延長され
たフィンガー６′および７１を有する。同様にレゾネー
タＢおよびＴは、某通プス・バーにより一組の並列回路
として合体させる（入カドランスデューサに対し５０お
よび５Ｉ出カドランスデユーサに対し５０’および５／
　）。ブス・バー５０（５０’）はぎらト並列装置組Ａ
。

Ｓと、並列装置組Ｂ、Ｔと直列接続を形成する。第〜　
１図および第５図の実施例とは異なり、第７図のレゾネ
ータＡの回路配置では、レゾネータＡはレゾネータＳよ
り音響的に分離されておらず、またレゾネータＢはレゾ
ネータＴより音響的に分＃されてはいない。しかしなが
ら全てのレゾネータＡ。

Ｂ、Ｓ　、Ｔの同様にバイアスされる１ｔｌ！ｉフイン
ガーは、同じく基板ｌ上にほぼ直線に整列されているの
で、はぼ整列された定在波パターンを生ずる。

第７図の実施例において、個別の２ポートレゾネータ装
置Ａ、Ｂ、Ｓ、Ｔの直列接続入力端子対４．５０および
５０，５のグループ分けは、これらの端子対の属する特
定のレゾネータ（共！装置）Ａ、Ｂ、Ｓ、Ｔの直列接続
入力端子対慟／、５Ｑ／および５　Ｑ’　、　５’のグ
ループ分けと同じである。

しかしながらこれらのマルチボートレゾネータの出力端
子対は、その入力端子対とは違ったグループ分けをして
いる。このようなグループ分けは出カドランスデューサ
が入カドランスデューサに比し違った幾可構造を持って
いる場合に生ずるが、出カドランスデューサの幾可構造
が入カドランスデューサの幾可構造と同じ場合にも使用
することができる。この後者の場合を第８図に示す。

第８図は個別の２ポートレゾネータＡ　、　Ｂ　、　Ｓ
。

Ｔの入力および出カドランスデューサが第１図の１ボー
トレゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔの単一トランスデユーサに
類似している２ボートレゾネータ装置を示す。第８図の
入カドランスデューサは第１図の単一トランスデユーサ
と同様の回路に接続する。即ちレゾネータＡ、Ｈの入力
端子対４，５を１つの群に直列接続し、レゾネータＳ、
Ｔの入力端子対４．５を他の群と直列接続する。これら
２つの群を全体装置の入力端子Ｉと■の間に並列に接続
する。しかしながらこれらレゾネータの出力端子対４／
、５７は上の場合と異なるようにグループ化する。レゾ
ネータＡおよびＴの出力端子対４／。

５１を１つの群として直列接続し、レゾネータＢおよび
Ｓの出力端子対４／　、　５／を他の群として直列接続
する。これら２つの群を全体装置の出力端子Ｉ、■の間
に並列に接続する。即ち２つの群分けした各々の群の出
力端子対４／　、　５／は装置［。

Ｔの群、または装＠　Ｂ　Ｉ　Ｓの群に属するものであ
り、その装置の入力端子対は入力端子４，５の井・適評
に属するものではない。第９図は入力および出力端子対
をそれぞれ違った並直列接続をする上の例のよりな２ボ
ートレゾネータ装置のブロック回路図を示すものである
。

第１０図は、４個以上の装置を並直列配置とした本発明
による音１波装置の実施例を示すものである。第１０図
の実施例においてＮ個の装置はそれぞれが同じ電気イン
ピーダンスと伝搬特性を有する全体で９個の装置よりな
っている。（Ｎ−８）これら９個の装置を直列接続した
８つの群に配置する。すなわちＡ、Ｂ、ＯとＳ　、？　
、ｔＪとＷ。

Ｘ、Ｙの８つの群であり、これらの各部分を並列に接続
する。点線で示した接続５０によって装＠Ａ。

Ｓ、Ｗを１つの並列組として接続し、また装ｆｆ１Ｂ。

Ｔ、Ｘを他の並列組として接続することができる。

このような接続を装置Ｂ、Ｔ、Ｘと装置１０　、　Ｕ　
。

Ｙとの間に設けてもよく、または８つの並列群のうち任
意の２つの間にかかる並列接続を設けないようにしても
よく、或いは第１０図の配置で全くこのような並列接続
を省いてもよい。

第１１図はざらに他の変形例を示すものであり、この例
では少なくとも１個の装ｆｔ（Ａ）は複数個の単位装置
を電気的に接続し、この装置（Ａ）が所望の電気インピ
ーダンスおよび伝搬特性を有するようにする。このよう
にすると活性装置面積をざらにより多く増加させること
かでき、これによって装置Ａ、Ｂ、Ｓ、Ｔの全体の並直
列配置の電力取扱い容量を増加させることかできる。第
１１図の実施例において装置（Ａ）は第７図に示した合
体した並列トランスデユーサＡ、ＳおよびＢ。

Ｔの直列接続配置と同じ構造を有する。第１１図中１例
として装ｆｉｔ群Ｓ、Ｔを装置群Ａ、Ｂとは他あ基板上
にｉるものを示した。全部のＮ　個の装置が全てほぼ同
じ電気インピーダンスおよび伝搬特性を有するものとす
る場合、このＮ３個の装置は、同じトランスデユーサの
幾可学的寸法または構造を有する必要はない。

本発明はアースされた金属バー・あるいは所謂Ｎ８個レ
ゾネータの入力および出カドランスデューサ間の共振キ
ャビティの中心に設けた複式ストリップカプラーを有す
る２ボートレゾネータにも使用することができる。この
場合本発明によって得られる増加した活性面積は、この
ような中心バーまたは複式ストリップカプラー内の音響
による金属移動を防止するのに重要な効果を有する。

とくにバルク音１波レゾネータの場合には共振キャビテ
ィは基板表面、或いは基板の両側縁部における単一の深
い溝の対で画成される。

第１．５，７，８．１１図に示した装置は、反射素子（
リフレクタ）により定められた共振キャビティを有する
レゾネータであるが、本発明による並直列配置はこのよ
うな反射素子（す７レクタ〕を有していない装置にも使
用することができる。

このような装置の一例として音響表面波（ＳＡＷ）遅延
線またはトランスバーサルフィルタがある。

すなわち本発明はより高い電力レベルに耐え得る５ＡＷ
）ランスバーサルフィルタに使用することができる。

本発明による並直列配置を用いる装置活性面積の増加は
、銅による金属アルミニウムをドープする方法に替えて
使用することができ・トランスデユーサの電極フィンガ
および音響波装置の他ノ脆弱な部分のアルミニウムの移
動を防止することができる。しかしながら本発明による
並直列配置に対しても銅を添加したアルミニウム金属層
を使用することができ、これによればアルミニウムの移
動、抑圧をより高いレベルで行うことができる。

ただし装置の用途によってはこのような銅の添加（ドー
プ）を本発明の装置に用いることは必ずしも望ましいこ
とでない。これはＱファクタを減少させるからである。

【図面の簡単な説明】

第１図は４個の単一ポートレゾネータＡ、Ｂ。 Ｓ、Ｔの並直列配置を有する本発明による音響波装置の
第１実施例を示す平面図・ 第２図は第１図に示した４個のレゾネータＡ。 Ｂ、Ｓ、Ｔの並直列配置のブロック図、第８図は第１図
の各個別レゾネータＡ、Ｂ、Ｓ。 Ｔの１つの等価回路図、 第４図は第１図の４個のレゾネータＡ　、　Ｂ　、　Ｓ
。 Ｔの並直列配置の等ｆａｎ＠路図、 第５図は同じく４個の１ポートレゾ−ネータＡ。 Ｂ、Ｓ　、Ｔを並直列配置とした本発明のより小型化し
た第２実施例の平面図、 第６図は４個のレゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔをざらに異な
る並直列配置とした場合のブロック図、第７図は２ボー
トレゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔのざらに小型化した本発明
の配置を示す平面図、第８図は入出力ボートを異なるグ
ループ分けした２ボートレゾネータＡ、Ｂ、Ｓ、Ｔの本
発明による音響装置の第４実施例を示す平面図、第９図
は第８図の並直列配置のプル２ク図、第１０図は９個の
音響波装置を本発明により並直列配置したブロック回路
図、 第１１図は本発明のざらに他の実施例で一部をブロック
化した平面図である。 Ａ、Ｂ、Ｓ、Ｔ・・・レゾネータ　１．ＩＩ劃、■・・
・装置の端子４．５・・・レゾネータｉ子　ｇｔｓ−・
・す７レクタ６．７・・・フィンガー。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　はぼ等しい電気インピーダンスならびに伝搬特性を
   有するＮ個の音響波装置を設けた少なくとも１個の圧電
   基板を有し、ここにおいて、Ｎはｌより大なる整数であ
   り、また各装置は電力を供給し、また電力を取出す少な
   くとも一対の端子を有しており、前記Ｎ３個の装置は、
   それぞれ対応の端子対を直列に接続したＮ個の前記装置
   をそれぞれＮ群とする並直列回路配置に電気的に接続し
   、これらの各群の端子のそれぞれ対応する対を他群の対
   応対の端子と並列に接続して音響表面波装置を構成し、
   この音響表面波装置は前記Ｎｍの各個別の音響波装置の
   何れのものの電気インピーダンスおよび伝搬特性にほぼ
   等しい電気インピーダンスおよび伝搬特性を有するよう
   にしたことを特徴とする音響表面波装置。 東　前記Ｎ個の装置のうち少なくとも２個はこれら２個
   の装置の共通端子を形成する１１ＩＬ極フス・バーの両
   側よりトランスデユーサ電極フィンガーが突出し、また
   この電極ブス・バ一部分はこれら２つの装置間の電気接
   続を形成するようにした特許請求の範囲第１項記載の装
   置。 ＆　一方の群の２つの装置間に前記１！極ブス・バ一部
   分を位置させ、前記２つの装置をこの共通端子において
   直列とした特許請求の範囲第２項記載の装置。 表　前記電極ブス・バ一部分を２つの群の間の接続部に
   位ｆさせ、この共通端子において前記２つの装置の並列
   接続の部分を形成した特許請求の範囲第２項記載の装置
   。 ＆　少なくとも１傳の電気接続を少なくとも２つの群の
   間においてこれらの群内の装置間にほぼ同じ電圧が生ず
   るそれぞれ対応の点に設けた特許請求の範囲第１ないし
   ４項の何れかに記載の装置。 ａ　群間の電気接続によって前記ＨＢ個装置のうち少な
   くとも２つの組を並列配置に合体だせ、この装置の組は
   この装置の組の共通端子である２個の対向配置された電
   極ブス・パ一部分より延長される互いに組合わざったト
   ランスデユーサ電極フィンガーを有し、この組の一方の
   装置の電極フィンガーはこの組の他の装置の電極フィン
   ガーの縦方向延長部を形成している特許請求の範囲第６
   項記載の装置。 Ｉ　前記Ｎ３個の装置の各々は少なくとも第１対および
   第２対の端子を有し、Ｎ８個の装置の第１端子をそれぞ
   れがＮ個の直列接続された端子対を有するＮ群に区分け
   し、第２端子をそれぞれがＮ個の直列接続端子対を有す
   るＮ個の群に区分けし、各Ｎ個の群内の全ての第２端子
   対はＮ個の装置に属し、その第１端子対の全ては第１端
   子の共通のＮ個群に属している如くした特Ｆｒｆａ求の
   範囲第１項ないし第６項の何れかに記載の装置。 ｅ、　　Ｎ２個の装置の各々は少なくとも第１対および
   第２対の端子を有し、Ｎ２個の装置の第１端子は各々が
   Ｎ個の直列接続端子対を有するＮ個の群に区分けし、ま
   たその第２端子はＮ個の直列接続端子対をそれぞれ有す
   るＮ群に区分けし、Ｎ群のそれぞれ内の第２端子対はＮ
   ＊の装置群の第１端子対が第１端子の共通Ｎ群に属しな
   い群のものであるようにした特許請求の範囲第１項ない
   し第７項の何れかに記載の装置。 ９、　前記Ｎ２個装置のうち少なくとも１ｇは、互いに
   電気的に接続された音響波装置素子を有し、これによっ
   て所要の電気インピーダンスおよび伝搬特性を前記１ａ
   の装置が有しているが、装置の活性面積を増加せしめた
   特許請求の範囲第１項ないし第８項の何れかに記載の装
   置。 ｌｏ、　　前記Ｎ２個の装置はそれぞれが基板内に画成
   された共振空胴を有する音響波レゾネータである特許請
   求の範囲第１項ないし第９項の何れかに記載の装置。 ＩＬ　　前記共振空胴は互いに離隔されているリフレク
   タのアレイ対によって画成されへその各々は、基板の主
   表面に存するリフレクタ素子を有する特許請求の範囲第
   １０項記載の装置。 １東　前記Ｎ２個装置のうち少なくとも複数の装置は共
   振空胴を画成する共通反射素子を有し、前記共通反射素
   子は基板の主表面の面積の反対側に配置されており、前
   記複数個の装置の全てはこの面積内に位置するトランス
   デユーサ電極を有する特許請求の範囲第１０または１１
   項記載の装置。 １＆　　Ｎ　個装置の全ては共通基板の主表面に共通反
   射素子を有する特許請求の範囲第１２項記載の装置。 １４　　前記Ｎ２個装置は音響表面波装置である特許請
   求の範囲第１項ないし第１８項の何れかに記載の装置。 ｌ＆　前記Ｎ２個装置はバルク音響波装置である特許請
   求の範囲第１項ないし第１８項の何れかに記載の装置。