JPS58171048A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する０ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉ、）
　／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装置においては、残偉を所定時間内に容易に
処理することができること轡の特性が要求される。殊に
、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公書性は重要な点である〇 この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８１と表記す）が４沙
、例えば、独国会開Ｉ爾僻号公報、同第２８５５７１８
号公報には電子写真用像形成部材として、独国会開第２
９３３４１１号会報には光電変換読取装置への応用が記
載されている。

丙午ら、従来の１−８１で構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及必要があるという更に改良
される可き点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用し友場圀 合に、高光感度化、、高暗抵抗化を同時Ｋｌｉろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留電位が
残る場合が度々観測され、この種の光導電部材は長時間
繰返し使用し続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が
起って、残置が生ずる所謂ゴースト現象を発する様にな
る、或いは、高速で繰返し使用すると応答性が次第に低
下する等の不都合な点が生ずる場合が少なく々かっ友。

更には、ａ−８ｔは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
警光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉
が起って画情の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を一ヒげる為に、照射スポットを小
さくする程大＾〈なり、殊に半導体レーザを光源とする
場合には大きな問題となっている。

ために、水素原子或いは弗素原子や塩素原子轡のハロゲ
ン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原
子等が或いはそのｍ個の特性改良のために他の原子が、
各々構成原子として光導電層中に含有されるが、これ等
の構成原子の含有の仕方如何によっては、形成した層の
電気的或いは光導電的特性に問題が生ずる場合があるＱ 即ち、例えば、形成し走光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よ怜の電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない＠ 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる轡の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム伏支持体の場合に多く起る等、経時的安れる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｔに
就て電子写真用像形成部材や固体挿置装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原ｆｆ５ｉ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）とを母体
とし、水素原子０又はハロゲン原子閃のいずれか一方を
少なくとも含有するアモルファス材料、所謂水素化アモ
羨７アスシリコンゲルマニウム、ハロゲン化アモルファ
スシリコンゲルマニウム、或イはハロゲン含有水素化ア
モルファスシリコンゲルミニウム〔以後これ等の総称的
表記とし′ｃｒａ−８ｉＧ・（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕
から構成される光導電性を示す非晶質層を有する光導電
部材の構成を以後に説明される様ＫＩｌ＃定化して作成
された光導電部材は実用上著しく優れ走時性を示すばか
シでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点
において凌傭していること、殊に電子写真用の光導電部
材として着しく優れ走時性を有していること及び長波長
側に於ける徴収スペクトル特性に優れていることを見出
し九つ゛ 点に基いている。

△ 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度時性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際して４劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の僧形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、靜電偉形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あシ、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画儂を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は光導電部材用の支持体と、シリコ
ン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成さ
れ九、光導電性を示す非晶質層とを有し、該非晶質層は
伝導性を支配する物質を含有し、前記支持体側に偏在し
ている層領域を有し、且つ酸素原子を含有する事を特徴
とする。

上配し九様な層構成を取る様にして設計され九本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れ九電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真月形形成部材として適用させた場合には
、画儂形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定してお抄高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、射光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高（
、／Ｓ−７）−ンが鮮明に出て、且つ解１１度の高い、
高品質の画儂を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、且つ・支持体との密着性
に著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用
することができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から成
る光導電性を有する非晶質層１０２とを有する。非晶質
層１０２中に含有されるゲルマニウム原子は、核非晶質
層１０２の層厚方向及び支持体１０１の表面と平行な面
内方向に連続的に均一に分布した状態となる様に前記非
晶質層１０２中に含有される。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルｗ＝ウム原子の含
有される非晶質層には伝導特性を支配する物質を含有さ
せた層領域（ＰＮ）を支持体側に設けることにより、該
層領域（ＰＮ）の伝導特性を所望に従って任意に制御す
ることが出来る０ この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る非晶質層を構成する５−８１Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）に対して
、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物及びｎ型伝導特性を
与えるｇ＆型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素＞　、　ｈｔ
（アルミニウム）　ｔ　Ｇａ　（ガリウム）。

Ｉｎ（インジウム）　ｔ　Ｔｔ　（タリウム）等があり
、殊に好適に用いられるのは、８％０ｍである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｍ（砒素Ｌｓｂ（ア
ンチモン’）　、　Ｂｉ　（ビス！ス）等であ抄、殊に
、好適に用いられるのはＰ　＊　Ａｓ＋である。

本発明に於いて、非晶質層中に設けられる層領域（ＰＮ
）に含有される伝導特性を制御する物質の含有量は、該
層領域（ＰＮ）に要求される伝導特性、或いは該層領域
（ＰＮ）が直に接触して設けられる支持体との接触界面
に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜
選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特
性との関係本考慮されて、伝導特性を制御する物質の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質の含有量としては、通常の場合、０．
０１〜５　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、好適に
は０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最
適には１〜５　ｘ　ｌ　Ｏａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましいものである。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質が含有される
層領域（ＰＮ）Ｋ於ける皺物質の含有量を通常は３０　
ａｔｏｍｉｅ　ＰＰｍ　以上、好適には５０ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上！最適には、　１００　ａｔｏｍｌｅ　
ＰＰｍ以上することによって、例えば該含有させる物質
が前記のＰａｌ不純物の場合には、非晶質層の自由表面
が■極性に帯電処理を受は九際に支持体側からの非晶質
層中への電子の注入を効果的に阻止することが出来、又
、前記含有させる物質が前記の％型不純物の場合には、
非晶質層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受は九際に、
支持体側から非晶質層中への正孔の注入を効果的に阻止
することが出来る。

上記の様な場合には前記層領域（ＰＮ）を除い友部分の
層領域■には、層領域（ＰＮ）に含有される伝導特性を
支配する物質の極性とは別の極性の伝導特性を支配する
物質を含有させても良いし、或いは同極性の伝導特性を
支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有される実際の量よ
りも一段と少ない量にして含有させても良いものである
＠この様な場合、前記層領域の中に含有される前記伝導
特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ）
Ｋ含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望に従
って適宜決定されるものであるが、通常の場合０．００
１〜１００１０００ａｔｏ　ｐＰｍ　＊好適には０．０
５〜５００ａｔｏｍｉｃ　Ｐｐｍ　を最適には０．１〜
２００ａｔｏｍｉｃ　Ｐｐｍ　　とされるのが望ましい
ものである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（２）に同
種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層領
域（６）に於ける含有量としては、好ましくは、　　３
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　以下とするのが望ましいも
のである。

上記した場合の他に、本発明に於いては、非晶質層中に
一方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有させた
層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配する物質を
含有させ九層領域とを直に接触する様に設けて、核接触
領域に所謂空乏層を設けることも出来る。詰抄、例えば
、非晶質層中に前記のＰ型不純物を含有する層領域と前
記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触する様に
設けて所ｎｐ−惰接合を形成して、空乏層を設けること
が出来る。

本発明において、非晶質層中に含有されるゲルマニウム
原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って遣宣決められるが、通常は１〜９
．５　Ｘ　１０％ｔｏｍｉｅＰＩ鵬好ましくは１００〜
８．　ＯＸ　１０”ａｔｏｍｉｅ　ｐＰｍｓ最遭に最適
００〜７　Ｘ　１０”ａｔｏｍｉｅ　ＰＰｍ　　とされ
るのが望ましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と非晶質層との間の密着性の改良を
計る目的の為に１非晶質層中には酸素原子が含有♂れる
。非晶質層中に含有される酸素原子は、非晶質層の全層
領域に万偏なく含有されても良いし、或いは非晶質層の
一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い０ 又、酸素原子の分布状態は分布濃度ｃＯが非晶質層の層
厚方向に於いては、均一であっても。

分布濃度Ｃ（０が層厚方向には不均一であっても良い。

本発明に於いて、非晶質層に設けられる酸素原子の含有
されている層領域向は、光感度と暗抵抗の向上を主たる
目的とする場合には、非晶質層の全層領域を占める様に
設けられ、支持体と非晶質層との間の密着性の強化を計
るのを生える目的とする場合にけ、非晶質層の支持体側
端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域向中に含有される酸素原子の含有量
は高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後者の場
合には、支持体との密着性の強化を確実に計る為に比較
的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、非晶質層の
自由表面側に於いて比較的低濃度に分布させるか、或い
は、非晶質層の自由表面側の表層領域ＫＦｉ酸素原子を
積極的には含有させない様な酸素原子の分布状態を層領
域向中に形成すれば良い。

本発明に於いて、非晶質層に設けられる層領域０に含有
される酸素原子の含有量は、層領域０自体ＫＪｆ！求さ
れる特性、或いは鋏層領域（Ｏが支持体に直に接触して
設けられる場合には、咳支持体との接触界面に於ける特
性との関係等。

有機的関連性に於いて適宜選択することが出来るＯ 又、前記層領域（ＯＫ　ｆ［Ｋ接触して他の層領域が設
けられる場合には、該他の層領域の特性や、咳他の層領
域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、酸
素原子の含有量が適宜選択される。　　・ 層領域０）中に含有される酸素原子の量は、形成される
光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適宜
法められるが、通常の場合。

０．００１〜５０　ｉｔｏｍｉｃｌｌ　を好ましくは０
．００２〜４０ａｔｏｍｉｅｓ　＋最適には０．００３
〜３０　ａｔｏｍｌｅ’＊とされるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、層領域ｎが非晶質層の全域を占めるか
、或いは、非晶質層の全域を占めなくとも、層領域向の
層厚Ｔ６の非晶質層の層厚Ｔに占める割合が充分多い場
合には１層領域０）Ｋ含有される酸素原子の含有量の上
限は、前記の値より充分小なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（Ｏの層厚Ｔｅが非晶質層の
層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる様な場
合には、層領域（Ｏ中に含有される酸素原子の量の上限
としては、通常は、３０ａｔｏｍ’ｉｃ優以下、好オし
くは、　２０　ａｔｏｍｉｃ＊以下。

最適には１０　ａｔｏｍｉｃチ以下とされるのが望まし
いものである。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（Ｏ中に含有される酸素原子の層厚方向の分布状
態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子の分布＃
度Ｃを、縦軸は、層領域（６）の層厚を示し、ｔＢは支
持体側の層領域０の端面の位置を、ｔＴは支持体側とは
反対側の層領域（０の端面の位置を示す。即ち、ＩＩ！
素原子の含有される層領域向はｔ、側よりｔＴ側に向っ
て層形成がなされる〇第２図には、層領域０中に含有さ
れる酸素原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示
される。

第２図に示される例では、酸素原子の含有される層領域
（０が形成される表面と咳層領域口の表面とが接する界
面位置ｔ１よシｔ１の位置までは、酸素原子の分布濃度
ＣがＣ３なる一定の値を龜）乍ら酸素原子が形成される
層領域（ＯＫ含有され、位置ｔ、よりは濃度ｃｄ）界面
位置ｔ、に至るまで徐々に連続的に減少されている０界
面位置鰐においては酸素原子の分布濃度ｃ　＃ｉｃｍと
される。

第３図に示される例においては、含有される酸素原子の
分布濃度Ｃは位置ｔｌより位置ｔＴＫｆｉるまで濃度Ｃ
４から徐々に連続的に減少して位置叫において濃度Ｃ１
となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔ、より位置ｔｕｔでは酸素原
子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ０と一定値とされ、位置ｔ、と
位置ｔＴとの間において、番々に連続的に減少され、位
置ｔＴにおいて、分布濃ＩＩＣは実質的に零とされてい
る（ここで実質的に零とけ検出限界量未満の場合である
）０ 第５図の場合には、酸素原子の分布濃度Ｃは位置軸より
位置ｔＴＫ至るまで、濃度Ｃ８より連続的に徐々に減少
され、位ｔｉ１ｔＴにおいて実質的に零とされている。

第６図に示す例においては、酸素原子の分布濃度Ｃは、
位置ｔ、と位置ｔ８間においては、濃度Ｃ１と一定値で
あり、位置ｔＴにおいては濃度Ｃ５゜ビされる。位置ｔ
、と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に位
置ｔ、より位置師に至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
より位置ｔａｇでは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置ｔ
４より位置ｔＴまでは濃度、、Ｃｔｔより濃度Ｃ１ｌま
で一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴＫ至
るまで、酸素原子の分布濃度Ｃは濃載、４よシ実質的に
零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置−より位置ｔ、に至るまでは酸
素原子の分布湊１１ｊＣは、濃度ｅｌｌよ〉濃度Ｃｓｓ
　ｔで一次関数的に減少され、位置ｔｓと位置ｔＴとの
関においては、濃度Ｃ１，の一定値とされた例が示され
ている。

第１０図に示される例においては、酸素原子の分布濃度
Ｃは位置ｔＢにおいてＩ１１度ＣＳＶであ）、位置ｔ、
に至るまではこの濃度Ｃ０より初めはゆつくやと減少さ
れ、ｔｏの位置付近においては。

急激に減少されて位置ｔ、ではＩ１１度ｅｔａとされる
。

位置ｔ、と位置ｔ１との関においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位Ｉｔ、で
濃［ＣＩＩとなシ、位置ｔ、と位置ｔ。

との間では、極めてゆりくりと徐々に減少されて位置ｔ
、において、濃度Ｃ１，に至する０位置ｔ。

＼ と位置鰐の間においては、濃ｆ　Ｃ＊＊より実質的に零
になる様に図に示す如き形状の一線に従うて減少されて
いる。

以上、第２図乃至填１０図により、層領域Ｑ中に含有さ
れる酸素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つかを
説明した様に１本発明においては、支持体側において、
酸素原子の分布濃［Ｃの高い部分を有し、界面ｔＴ側に
おいては、前記分布濃ｆｃけ支持体側に較べて可成り低
くされ九部分を有する酸素原子の分布状態が層領域ｎに
設けられている。

本発明において、非晶質層を構成する酸素原子の含有さ
れる層領域（Ｏは、上記した様に支持体側の方に酸素原
子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有
するものとして設けられるのが望ましく、この場合には
、支持体と非晶質層との間の密着性をより一層向上させ
ることが出来る。

上記局在領域の）は、第２図乃至第１０図に示す記号を
用いて説明すれば、界面位置ｔＢよシ５μ以内に設けら
れるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域■は、界面位置ｔＢよ
り５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあるし
、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される非晶質層に要求される特性に従って
適宜法められる。

局在領域（６）はその中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最大値Ｃｍａ
ｘが通常は５００ａｔ唾ｉｃ　Ｐζ以上、好適には８０
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１１０００ａ
ｔａｓｄｅｐｐ以上とされる様な分布状態となシ得る様
に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、酸素原子の含有される層領域
Ｉは、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ厚
の層領域）Ｋ分布Ｓ度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に
形成されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子■としては、具体的にはフッ素、塩素、臭
素、Ｗつ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なもの
として挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８１Ｇ・（Ｈ，Ｘ）で構成される
非晶質層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタ
リング法、或いはイオンプレニティング法等の放電現象
を利用する真空堆積法によって成される。例えば、グロ
ー放電法によって、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る非晶質層を形成するには、基本的にはシリコン原子（
Ｓｌ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスとゲルマニウ
ム原子（Ｇｅ）を供給し得る偽供給用の原料ガスと、必
！に応じて水素原子０導入用の原料ガス又は／及びハロ
ゲン原子■導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆
積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上にａ−８ｉＧｓ　（Ｈ，Ｘ）からなる
層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形成す
る場合には、例えばＡｒｇｕｅ等の不活性ガス又はこれ
等のガスをペースとした混合ガスの雰囲気中でＳｌで構
成されたターゲット、或いは、該ターゲットと１で構成
されたターゲットの二枚を使用して、又は、　Ｓｔと侮
の混合されたターゲットを使用して、必要に応じてＨｅ
、　Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈され九［有］供給用の原料
ガスを、必要に応じて、水素原子０又は／及びハロゲン
原子■導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入
し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成すると共に１前
記龜供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に
従って制御し乍ら、前記のターゲットをスパッタリング
してやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロンビ
ーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、矯翔蒸発物
を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、ス
パッタリング法の場合と同様にする事で行うことが出来
る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨｇ、　５ｌｔＨ，、８１ｓル
。

Ｓｔ、Ｈ，。等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業へ時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ４ｇ　５ｉｔ）＆が好ましいものと
して挙けられる。

偽供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ４
１Ｇａｔｅｓ　ｅ　Ｇｅ５Ｈａ　ｔ　Ｇｅ４Ｈ１ａ　ｔ
　Ｇｅ５Ｈ＋＊　＊　Ｇｅ５Ｈｎ　ｔＧ！？ＨＩ＠　ｔ
　Ｇｅ５Ｈ＋ａ　ｅ　Ｇｅｅ’ｓ　’ｌのガス状態の又
はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用される
ものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ
ｅＧｅ供給効率の良さ等の点で、α１Ｈ４ｔＧｅｔＨｓ
　ｔ　ＧｅｎＨｓが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げる仁とが出来る０ 本発明において好適に使用し得るノＳｆｌゲン化合物と
しては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のノ
）ロゲンガス％ＢｒＦ、　ＣｔＦ、　Ｃｒα、。

ＢｒＦ５　＠　ＢｒＦｌ　Ｉ　ＩＦｓ　ｔ　ＩＦｖ　＊
　ＩＣｔ＊　ＩＢｒ　　等の７１０ゲン関化合物を挙げ
ることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所−１／１０ゲン原子
で置換され九シラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ４　＊　５ｈＦｓ　ｅ　５ＩＣ４ｅ　８１Ｂｒ、
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇ＠偽供給用原料ガスと共に８１を供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉＧｓか
ら成る非晶質層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む非晶質層な
製造する場合、苓本的には、例えばＳ１供給用の原料ガ
スとなるノ・ロゲン化硅素と偽供給用の原料ガスとなる
水素化ゲルマニウムとＡｒ、　Ｈａ　ｇ　Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして非晶質層を
形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ勢
のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって、所望
の支持体上に非晶質層を形成し得るものであるが、水素
原子の導入割合の制御を一層容易になる様に計る為にこ
れ等のガスに更に水素ガス又゛は水素原子を含む硅素化
合物のガスも所望量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にノ・ロゲ／原子を導入するには
、前記の７・ロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水嵩原子導入用の原
料ガス、例えば、迅、或いは前記したシラン類又は／及
び水素化ゲルマニウム勢のガス類をスパッタリング用の
堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成し
てやれば良い０ 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記され九ノーロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、Ｉ、にｔ。

ＨＢｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、８１ＨｓＦ、　、　
８１Ｈ，Ｉ、　。

５ｉＬＣ４ｓ　８１８ｃ４　＊　８１Ｈ＊Ｂｒｔ　＊　
８ｔＨＢｒａ等Ｏ／％ａゲン置換水素化硅素、及びＧｅ
藺、Ｇ＠ルＦｌ　ｍ　ＧｅＨ，Ｆ　ｅＧｅ）ｉ０４１　
Ｇｏ）＆Ｃ４ｔ　ＧｅＩ（ｓｅｔ、ＧｅＨＢｒａ　＃　
ＧｅＨａＢｒｍ　ｌＧ＠ＨａＢｒ　＊　Ｇｅ、ＨＩｓ　
ｔ　ＧｅＬＩ＊　＊　ＧｅＨａＩ等の水素化７Ｎ　Ｑゲ
ン化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つとす
るハロゲン化物ｔ　ＧｅＦ４　ｅ　ＧｅＣ４ｅ　ＧａＢ
ｒ＊　ＩＧｅＩａ　ｔ　ＧｅＦ、　Ｉ　ＧｅＣ１，、Ｇ
Ｊｒ＊　、　ＧｅＩＩ　勢の７％ロゲン化’ｌ　ルーｒ
ニウム、郷々のガス状態Ｏ或ｈＨガス化し得る物質も有
効な非晶質層形成用の出発物質として挙げる事が出来る
。

これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気
的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導
入されるので、本発明においては好適なハロゲン導入用
の原料として使用される。

水素原子を非晶質層中に構造的に導入するには、上記の
他にル、或いは５ｔＨ４，５ｔｔＨ＠ｔ　５ｉｓＨａ　
ｔＳｉ４）Ｌｓ等の水素化硅素を慟を供給する為のゲル
マニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、ＧｅＨ４
＋　　Ｇｅｔ）（ａ　　ｓ　　ＧｅｍＨａ　　ｖ　　Ｇ
ｅ４Ｈ＋ｏ　　ｔ　　Ｇｅ５Ｈ＋ｔ　　＊　　ＧｅｓＨ
ｗａ　　　＊Ｇ６ｙＨ＋ｓ　＋　Ｇｅ５Ｈ＋ａ　＋　Ｇ
ｅｅＨｔｅ等の水素化ゲル−ｚニクムとＳｉを供給する
為のシリコン又はシリコン化合物と★を堆積室中に共存
させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
非晶質層中に含有される水素原子０の量又はハロゲン原
子図の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ
）は通常の場合０．０１〜４０　ａｔｏｍｉｅｓ　ｓ好
適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｅｌＧ、最適には０
．１〜２５　ａｔｏｍｉｅｌｌとされるのが望★しい０ 非晶質層中に含有される水素原子０又は／及びハロゲン
原子閃の量を制御するには、例えば支持体温度又は／及
び水素原子０、或いはハロゲン原子頭を含有させる為に
使用される出発物質の堆積装雪系内へ導入する量、放電
々力等を制御してやれば良い。

非晶質層を構成する層領域（ＰＮ）中に伝導特性を制御
する物質３例えば、第璽族原子或いは第Ｖ族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第璽族厚子導入用の
出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に非晶質層を形成する為の他の出発物質と共
に導入してやれば良い。この様な第璽族原子導入用の出
発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又
は、少なくと一層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。その様な第曹族原子導入用
の出発物質として具体的には硼素原子導入用としては、
ＢｔＨ，。

ＢｓＨｔｔ、　Ｂ、Ｈｅ　、　ＢｍＨｕ　−ＢｓＨｔｔ
　、ＢｓＨｔｔ　、　ＢｓＨ＋ａ’Ｉの水素化硼素、Ｂ
ＦＩ　ＨＢＣｌＨ、ＢＢｒｍ等のハロゲン化硼素等が挙
げられる。この他、ｋｌｃＬ４　＠　ＧａＣ４１Ｇａ　
（ＣＩ（ｓ　）ｓ　ｔ　ＩｎＣ４ｔ　ＴｌＣ４等も挙げ
ることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨｘ　
、　Ｐ、Ｈ，等の水素化燐、Ｐ也Ｉ、ＰＦ、。

ＰＦ＠＋　ＰＣｌ５　＊　ＰＣｌ５　ｔ　ＰＢｒｓ　＋
　ＰＢｒｓ　、　Ｐｉｓ等のハロゲン化燐が挙げられる
。この他、　ＡｓＨｓ　ｅ　ＡｓＦｍ　１ＡｓＣ４ｓ　
ＡｌＢｒ５　＊　ＡｓＦ５　ｖ　Ｓｂ几ｅ　ＳｂＦｍ　
＋　５ｂＦｓ　＊　５ｂＣ４？５ｂＣｔｓ　＊　ＢｉＨ
３ｇ　ｎｔｃｚ、　ｌ　Ｂ１Ｂｒ５　　等も第Ｖ族原子
導入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来
る。

本発明に於いて、非晶質層に駿嵩原子Ｏ含有され皮層領
域１）を設けるには、非晶質層Ｏ形成Ｏ巖に酸素原子導
入用Ｏ出発物質を曽記しえ非晶質層形成用の出発物質と
共に使用して、ＷＩ威される層中にその量を制御し乍ら
含有してやれば嵐い０層領域（０）を形威す為のにグロ
ー放電法を用いる場合には、前記し九非晶質層形成用Ｏ
出発物質の中から所望に従って選択され丸ものに酸素原
子導入用の出発物質が加えられる０その様な酸素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原
子とするガス状Ｏ物質又はガス化し得る物質をガス化し
えものＯ中の大概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子−を構成原子とする原料ガスと、酸
素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要に応じ
て水素原子（２）又は及びノ１０ゲ７厘子００を構成原
子とする原料ガスとを所望ＯＩ＆合比で混合して使用す
るか、又は、シリコン原子−を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（＠及び水素原子Ｂｌｏｔ構成原子とする
思料ガスとを。

これも又所望の混合比で混合するか、或いは。

シリコン原子−管構成原子とする原料ガスと。

シリコン總子−１酸ｉＡ原子（０）及び水素原子（９）
の３つを構成原子とする原料ガスとｋｆ＆合して使用す
ることが出来る。

又、別には、シリコン原子Ｉｓ→と水素原子（６）と會
構成原子とする原料ガスに＃ｌ素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

具体的には１例えば酸素〜、オゾンー１−酸化電素（Ｎ
Ｏ）に酸化窒素（Ｎｏ、）、−二酸化窒素（−０）、三
二酸化電嵩（暉０、四二酸化窒素（Ｎ２Ｏ２）％五二酸
化窒素（ＨｗＯ）　、三酸化窒素（ＮＯｓ）、シリコン
原子−と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子
とする−例えば、ジシロキサン（Ｈ，ｓｉ郭晶）、　）
ジシロキサン（Ｈ，８１ｏｓｔＨ１ｏｓｔＨ，）勢の低
級シロキサン勢を挙げることが出来る。

スパッターリング法によって、酸素原子を含有する第一
の非鵡質層（１）’を形成するには、単結晶又は多結晶
のＳムウエーハー又はＳｔヘウエーノ１バー、又はｓｉ
と８ｉへが混合されて含有されているクエーハーをター
ゲットとして、これ勢を種々のガス雰囲気中でスパッタ
リングすることによって行えば良い。

例エバ、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸ｉＡ原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲ
ン原子【導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマ全形成して前記＆ウエーノ・−
をスノ（ツタ−リングすれば良い。

又、別には、Ｓムと８ｉへとは別々のターゲット惜とし
てご又は＆と８１への混合した一枚のターゲットを使用
することによって、スパッター用のガスとしての稀釈ガ
スの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（９）父は／及
び・・ロゲン原子（１）を構成原子として含有するガス
雰囲気中でスパッタリングすることによって成される。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先達したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガ本発明に於い
て、非晶質層の形成の際に、酸素原子の含有される層領
域（０）　ｔ　ｅける場合、＃層領域（０）に含有され
る酸素原子の分布濃度（ＣＯ）を層厚方向に変化させて
所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　Ｐｒｏｆｉｌ
ｅ）を有する層領域（０）ｔ−形成するには、グロー放
電の場合には分布濃度（ＣＯ）を変化させるべき酸素原
子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量全所望の変
化率−線に従って適宜変化させ乍ら堆積室内に導入する
ことによって成される。例えば手動あるいは外部駆動モ
ータ等の通常用いられている伺らかの方法により、ガス
流路系の途中に設けられた所定のニードルパルプの開口
を漸次変化させる操作を行えば良い。このとき、流量の
変化率は纏蓋である必要はなく１例えばマイコン等を用
いて。

あらかじめ設計された変化率曲線に従って流量を制御し
、所望の含有率曲線を得ることもできる。層領域（０）
をスパッタリング法によって形成する場合、酸素原子の
層厚方向の分布濃度（ＣＯ）を層厚方向で変化させて、
酸素原子の層厚方向の所望の分布状ＩＩ　（ｄ＠ｐｔｈ
　Ｐｒｏｆｌｌｅ）　ｔ−形成するには、ａＩ−には、
グロー放電法による楊倉と一様に、酸素原子導入用の出
発物質をガス状−で使用し、該ガスを堆積室中へ導入す
る際Ｏガス流量會所望に従って適宜変化させる仁とによ
って成される。

第二にはスパッタリングＦａＯターゲットｔ。

例えば＆とｓｉへとの混合され九ターゲツ）を使用する
のてあれば、＆と＆偽とＯ温合比をターゲットの層厚方
向に於いて予め変化させておくことによって成される。

本発＃４の光導電部材に於する非晶質層０層厚は、非晶
質層中で発生されるフォトキャリアが効率喪く輸送され
る様に所望に従って適宜決められ１通常は、１〜１００
μ、好適には１〜８０声。

最適には２〜５０μとされるのが値ましい。

本発明において使用される支持体としては。

導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体と
しては１例えば、廁伽、ステンレス、ｕ。

Ｃｒ、に、ムａ、６．　Ｔａ、Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｇ、　
Ｐｄ勢の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレ／、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ勢の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ　ｓｕ。

Ｃｒ、　ｋ、ム、　Ｉｒ、　Ｎｂ％Ｔａ、Ｖ、　Ｔｉ、
　Ｐｉ、　Ｐｄ、　Ｉｎρ、、　ｋｏｌ、　ＩＴＯ（１
，６十Ｓｏｎｇ）等から成る薄膜を設けることによって
導電性が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合
成樹脂フィルムであれば、　ＮｉＣｒ、　Ａｊ、Ａｇ。

Ｐｂ、ム、Ｎｉ、ｈ、　Ｃｒ％ｉｌｏ、　Ｉｒ、Ｎｂ、
　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ等の金属の薄ＷＩＫを真
空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面
に設け、又は前記金属でその表面會ラミネート処理して
、その表面に導電性が付与される。支持体Ｏ形状として
は１円筒状、ベルト状５．板状等任意の形状とし得、所
望によってその形状は決定されるが１例えば、第１図の
光導電部材１００ｔ−電子写真用像形成部材として使用
するのであれば連続＾速複写の場合には、無端ベルト状
又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望
通妙の光導電部材が形成される様に適宜決定されるが、
光導電部材として可撓性が要求される場合には、支持体
としての機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限
り薄くされる。丙午ら、この様な場合支持体の製造上及
び取扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μ以上と
される。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには１本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その１例としてたとえば１１＠！は、ｂで稀釈された
８１Ｈ，ガス（純度９９．９９９％。

以下Ｓ五〇４／にと略す。）ボンベ、　　１１０３は−
で稀釈され九ＧｅＨ，ガス（＃Ｉ１度９９．９９９−．
以下Ｇｅ１Ｑムと略す。）ボンベ、　１１０４は−で稀
釈され１１ガス（純度９９．９９１．　［’Ｆ　＆Ｈ，
／ｂ　、：　略ｔ。）ボンベ、１１０５はＮｏガス（純
＊９９．９９９−）ボンベ。

１１０６は鵬ガス（純度９９．９９９−）ｊ／ンベであ
る。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のパルプ１１２２〜１１２６、
　　リークパルプ１１３５が閉じられていることを確認
し、又、流入パルプ１１１２〜１１１６゜流出パルプ１
１１７〜１１２１．補助パルプ１１３２゜１１３３が開
かれていることを確認して、先ずメインパルプ１１３４
を開いて反応室１１０１　、及び各ガス配管内を排気す
る。次に真空計１１３６の読みが約５Ｘ１０４ｔｏｒｒ
になった時点で補助パルプ１１３２，１１３３、流出パ
ルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に非晶質層を形成する
場合のｆｌｉｔあげると、ガスボンベ１１０２よリシに
／ムガス、ガスポンベ１１０３よ−Ｑ＠）１．／ｌ１ｍ
ガス、ガスボンベ１１０４よ一哄／−ガス。

ガスボンベ１１０５よす鴎ガスｔバルブ１１２２〜１１
２５を開いて出口圧ゲージ１１２７〜１１３００圧を口
９　／ｄ　Ｋ　Ｉ１ｍ整し、流入パルプ１１１２〜１１
１Ｂ【徐々に開ケて、マスプロコ／トローラ１１０フ〜
１１１Ｇ内に夫々流入させる。引続埴て流出パルプ１１
１７〜１１２Ｇ、補助バルブ１１３２を倫々に開いて夫
々のガスを反応室１１０１　Ｋ１１１人させる０このと
きの＆Ｈ４７にガス流量とＧ＠Ｈ，／−ガス流量とｌｌ
５）ｔ＊／ｂガス流量とＮ０ｌｊス流量との比が所望Ｏ
値になるように流出パルプ１１１７〜１１２０を調整し
、又１反応１［１１０１内Ｏ圧力が所望の値になるよう
に真空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１１３
４の開口を調整する。そして基体１１３７の温度が加熱
ヒーター１１３ＪＩ　Ｋより５０〜４００℃の範囲の温
度に設定されていることを確認され九ｍ、電源１１４０
を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグ四−款電
を生起させ。

所望時間グロー放電を維持して基体１１３７上に所望層
厚に、硼素原子（Ｂ）と酸素原子（０）とが含有され、
　　ｊＬ　　８ｉ（ｂ（Ｈ，Ｘ）で構成された層領域（
ｎ、ｏ）が形成される。

層領域（Ｂ、Ｏ）が所望層厚に形成され九段階に於いて
、流出パルプ１１１９．１１２０の夫々を完全に閉じる
こと、及び必要に応じて放電条件を変えること以外は、
閤様な条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持す
ることで前記層領域（Ｂ、０）上に、硼素原子（Ｂ）も
酸素原子（０）も含有されていない＊　ａ　−３ｉＧｃ
　（Ｈ、Ｘ）で構成された上部層領域が形成されて、非
晶質層の形成が終了される。

上記の非晶質層の形成の際に、皺層形成開始後、所望の
時間が経過した段階で、堆積室へのＩ％Ｈ，／Ｉｓガス
或いはＮｏガスの流入を止めることによって、硼素原子
の含有された層領域（ＩＩ）及び酸素原子の含有された
層領域（０）の各層厚を任意に制御することが出来る 又、所望の変化率曲線に従って堆積ｉｉ［１１０１への
ＮＯガスのガス流量を制御することによって１層領域（
０）中に含有される酸素原子ｏｆ＆布状態を所望通りに
形成することが出来る。

層形成を行っている間は層形成Ｏ均一化を計るため基体
１１３７はモータ１１３９によ一一定適度で１転させて
やるＯが望ましい。

実施例１ ｊ 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のＭ基体
上に第１表に示す条件で層形成を行って電子写真用癲形
成部材を得た。

こうして得られた僧形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．　ＯＫＶでＱ、３ｓａｅ間コｐす帯電を行い
、直ちに光量を照射した。光量はタングステンラング光
源を用い、２／ｕｘ−ｓａｅの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー−儂を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．　ＯＫＶのコロナ帯磁
で転写紙上に転写した所、解１象力に優れ、Ｗｉ調再現
性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 実施例１に於いて、第１層の作成の際に為への（Ｓｉ代
＋ＧｅＨ４）に対する流量を第２表に示す様に変えた以
外は、実施例１と同様の条件で電子写真用摩形成部材の
夫々を作成し九。

こうして得られた１形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画曹を形成したところ第２
表に示す結果力監得られた。

実施例３ 実施例１に於いて、第１１の層厚を第３表に示す様に変
える以外は、実施例１と同様にして各電子写真用僧形成
部材を作成した。

こうして得られた各僧形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙１に一儂を形成したところ第
３表に示す結果が得られた。

状のＭ基体上に、＠４表に示す条件で層形成を行って電
子写真用僧形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しＱ　５．　Ｏｎで０．３８間コロナ帯電を行い、直
ちに光量を照射し九党像はタングステンランプ光源を用
い、２　／＋ｎ＊ｗｔの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させ友。

その後直ちに、ｅ荷電性の現儂剤（トナーとキャリアー
を含む）を壷形成部材表面をカスケードすることによっ
て、書影成部材表面上に良好なトナー−儂を得た。書影
成部材上のトナー画像をｓ　Ｏｓ、　ｏ　Ｋｖのコロナ
帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施列５ 実施例、４に於いて、第１層の作成の際にＰＨ。

ｏ　（８ｉＨ４−１−ＧｅＨ４）に対する流量を第５表
に示す様に変えた以外は、実施例４と同様の条件で電子
写真用像形成部材の夫々を作成し丸。

こうして得られた前形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上にｉｊ儂を形成したところ第
５表に示す結果が得られた。

実施例６ 実施例ＩＫ於いて、第１層の層厚を第６表に示す様に変
える以外は、実施例１と同様にして各電子写真用僧形成
部材を作成し九。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上Ｋｉｊｉ侭を形成したとこ
ろ第６表に示す結果が得られ友。

状のＭ基体とに、第７表及び第８表に示す条件でノー形
成を行って電子写真用僧形成部材（試料４７０１　、　
７０２　）を傅だ。

こうして得られだ像形成部材の夫々に就いて実施例１と
同様の方法と条件Ｖこよって転写紙上にトナー画像を得
て、画像評価を行ったところ解像力に優れ、階調再現性
のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例８ 第２図に示した製造装置により、第９表乃至第１１表に
示す各条件にした以外は実施例１と同様にして、層形成
を行って電子写真用僧形成部材の夫々（試料／１６８０
１〜８０３）を得た。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例９ 一施例８に於いて、第１層の蓚酸の際にＢ晶”　（Ｓｊ
Ｈａ　＋Ｇｅ）（、）　ｔｉｃ対する流量を＠１２表乃
至第１４表に示す様に変えた以外は、実施例８と同様の
条件で電子写真用僧形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に一儂を形成したとこ
ろ第１２表乃至第１４表に示す結果が得られた。

実施例１Ｏ 実施例１Ｋ於いて光源をタングステンランプの代りｔｉ
ｃ　８１０　ｎ　ｍ　（Ｄ　ＧａＡｓ　系中導体レーザ
（１０ｓｎＷ）を用いて、靜電倫Ｏ形成を行つ九以外は
、実施例１と同様のトナー画像形成条件にして、実施例
１と同様の条件で作成し九電子写真月影形成部材に就い
てトナー転写−侭の画質評価を行ったところ、解偉力に
優れ、階調再現性の良い鮮明な高品質の１儂が得られ友
。

以りめ本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：　ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有層−一一−
−約２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層−ｍ−
約２５０℃放電周波数：　　１３．５８　ＭＨｚ

【図面の簡単な説明】

に於いて本発明の光導電部材を作製する為に使用された
装置の模式的説明図である。 ｉｏｏ・・・光導電部材　　！−Ｏ１・・・支持体１０
２・・・非晶質層 Ｃ □　Ｃ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲルマ
   ニウム原子とを含む非晶質材料で構成され九、光導電性
   を示す非晶質層とを有し、骸非晶質層は、伝導性を支配
   する物質、を含有し、前記支持体側に偏在している層領
   域を有し、且つ酸素原子を含有する事を特徴とする光導
   電部材。 （２）非晶質層中に水素原子が含有されている特許請求
   の範囲第１項に記載の光導電部材。 （８）非晶質層中にハロゲン原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項及び同第２項に記載の光導電部材。 （４）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （５）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。