JPS58171051A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）υ様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する０ 囲体撮像装置、或いは儂形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光１１１１層を編成す
る光導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電＃１（
Ｉｐ）／暗電ＩＩ　（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁
波のスペクトル特性にマツチングし九吸収スペクトル特
性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有
する仁と、使用時において人体に対して無公害であるこ
と、更には同体撮健装置においては、残像を所定時間内
に容易に処理することができること勢０４１性が要求さ
れる。殊に、事務機としてオフィスで使用される電子１
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には
、上記の使用時における無公害性は重要な点である０ この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−１１１と表記す）がＴ
ｏり、例えば、−国公一第２１４６９６７号公報、同第
２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として
、１１１１１１全開嬉２９３３４１１号会報には光電羨
換読取装置への応用が記載されている。

函乍ら、従来のａ−８ｉで構成され先光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度９党応答性等の電気的
９党学的、光導電的＊＊、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点くおいて、結合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが夾情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる或いは、高速
で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｔは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンラングや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに支持体に到達する光Ｏ量が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉
が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる０この
影響は、解健度を上げる為に、照射スポットを小さくす
る程大きくな勤、殊に半導体レーザを光源とする場合に
は大１１に問題となっているＯ 更に、ａ−８１材料で光導電層を構成する場合には、そ
の−気的、光導電的特性の改良を計る丸めに、水素原子
或いは弗素原子中塩素原子勢のハロゲン原子、及び電気
伝導ＩＩの制御の九めに硼素原子や燐原子等が或いはそ
の他の特性改良のために伽の原子が、各々構成原子とし
て光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有
の仕方如何によっては、形成し九層の電気的或いは光導
電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成し先光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での郵命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない０ 更には、層厚が士数声以上になると層形成用の真空堆積
室よプ取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥−１或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった０この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある０従ってａ−８ｉ材料
そのものの特性改良が計られる一方で光導電部材を設計
する際に、上記し九様な問題の総てが解決される様に工
夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８１に
就て電子写真用像形成部材中四体操會鋏置、読散鋏置勢
に装用される光導電部材としての適用性とその応用性と
込う観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水嵩原子（Ｈ）又はハロゲン原子
（１）のいずれか一方を少なくとも含有するア毫ル７ア
ス材料、所■水素化ア毫ルファスシリコン、ハロゲン化
アモルファスシリコン、或いは＾−ゲン含有水素化アモ
ルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記として［ａ
−８１（Ｈ，Ｘ　）　Ｊを使用する］から構成され、光
導電性を示す非晶質層を有する光導電部材０層構成を以
後ＫＩ！明される様な特定化の下に設計されて作成され
先光導電部材は実用上著しく優れ丸物性を示すばかシで
なく、従来の光導電ＩＩ＃と較べてみてもあらゆる点に
おいて凌駕していること、ｌｋＫ電子写真用の光導ｔＳ
材として着しく優れ九豐性を有していること及び長波長
側に於轄る徴収スペクトル特性に優れていることを見出
し要点に基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し便用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が嵩＜
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させ九場合、通常の電子零真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、靜電儂形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分あシ、且つ多Ｓ写圃気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的ヰ、貴度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解儂度の高い、高晶質画像を得る事が容
晶に出来る電子写真用Ｏ光導′ＩＥｓ材を提供すること
である。

本発明の更にもう１つの目的は、為光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との関ＫＪＩＬ好な電気約接触
性を有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
され丸、第１の層領域とシリコン原子を含む非晶質材料
で構成され、光導電性を示す８２０層領域とが前記支持
体側よ）ＩＮＫ設けられ九層構成の非晶質層とを有し、
前記第１の層領域中に於けるゲルマニウム原子の分布状
態が層厚方向に不均一であって、曽配落１の層領域に伝
導性を支配する物質が含有され、前記非晶質層には酸素
原子が含有されている事を４Ｉ微とする。

上記し走様な層構成を取る様にして設計され九本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れ九電気的２党学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用倫形成部材として適用させ九場合には
、ｉｉ儂影形成の残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、／−−７）−ンが鮮明に出て、且つ解ｇ１１度の高
い、高品質のｉｊｉ儂を安定して繰返し得ることができ
る。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーずとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面（従って、本発ｔＳＯ光導電部＃に就て詳細
に説明す・る０ １１１１１図は、本発明のａｌ１０ｍ！施態様例の光導
電部材の層構成を説明する九めに模式的に示し九模式的
構成図である。

第１１１に示す光導電部材ｌＯＯは、光導電部材用とし
ての支持体１ＧＩ　Ｃ）上に、非晶質層１ｏ！を有し、
皺非晶質層１０２は自由表ｍ　ｉｏｓを一部０端面に有
している。

非晶質層１０２紘支持体１０１儒よりゲルマニウム原子
を含有するａ−８ｔ　（Ｈ，り　（以ＩＩ　ｊａ−ＵＧ
＠（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成され九第１０層領域
（Ｇ）　１０３とａ−８ｌ（Ｈ，Ｘ）で構成され、光導
電性を有するｊＩ２の層領域（８）　１０４とがｌ［Ｋ
積層され走用構造を有する。

第１０層領域（Ｇ）　１０３中に含有されるゲルマニウ
ム原子は、紋＃１１Ｏ層領域（Ｇ）１０３１０層厚一方
向には連続的であって且つ前記支持体１０１０設けられ
である側とは反対Ｏ儒（非晶質層１ｏ２の表面１０５儒
）の方に対して前記支持体１０１儒の方に多く分布した
状態となる様に前記第１の層領域（Ｇ）　ｉｏｓ中に含
有される。

本発明の光導電部材１００に於いては、少なくとも第１
の層領域（Ｇ）　１０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ
）が含有されており、第１の層領域働１０３に所望の伝
導特性が与えられている。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）　１０３　Ｋ含
有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層領
域（Ｇ）　１０３の全層領域に刃傷なく均一に含有され
ても良く、第１の層領域（Ｇ）　１０３の一部の層領域
に偏在する様に含有されても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
層領域（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に＃Ｉｌの層
領域（Ｇ）中に含有させる場合には、前記物質（Ｃ）の
含有される層領域（ＰＮ）は、第１の層領域（Ｇ）の端
部層領域として設けられるのが望ましいものである。殊
に、＃！ｌの層領域（Ｇ）の支持体側の端部層領域とし
て前記層領域（ＰＮ）が設けられる場合には、該層領域
（ＰＮ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種類及びその
含有量を所望に応じて適宜選択することによって支持体
から非晶質層中への特定の極性の′１荷の注入を効果的
に阻止することが出来る。

本発明の光導電部材に艮いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、非晶質層の一部を構成する第
１の層領域（Ｇ）中に、前記した様に蚊層領域（Ｇ）の
全域に刃傷なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有さ
せるものであるが、更には、第１の層領域（Ｇ）上に設
けられる第２の層領域（Ｓ）中にも前記物質（Ｃ）を含
有さ゛せても良いものである。

第２の層領域（８）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場
合には、第１の層領域（Ｇ）中に含有される前記物質（
Ｃ）の種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて、
第２０層領域（Ｓ）中に含有させる物質（Ｃ）の種類や
その含有量、及びその含有の仕方が適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（
Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の
ノー領域（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質
を含有させるのが望ましいものである。

本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層領域（Ｓ
）の全層領域に刃傷なく含有させても良いし、或いは、
その一部の層領域に均一に含有させても良いものである
。

＠１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）の両方に伝導
特性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層
領域（Ｇ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されているノ
ｆｌ饋域と、第２のノー領域（Ｓ）に於ける前記物質（
Ｃ）が含有されている層領域とが、互いに接触する様に
設けるのが望ましい。又、第１の層領域（Ｃ）と第２の
層領域（Ｓ）とに含有される前記物質（Ｃ）は、第１の
層領域（Ｇ）と第２の１−領域（Ｓ）とに於Ｖて同種類
でも異種類であっても良く、又、その含有量は各層領域
に於いて、同じでも異っていても良い。

丙午ら、本発明に於いては、各層領域に含有される前記
物質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１
の層領域（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電
気的特性の異なる種類の物質（Ｃ）を、所望の各層領域
に夫々含有させるのが好ましいものである。

本発明に於いては、少なくと４非晶質層を構成する＠１
の層領域（Ｇ）中くい伝導特性を支配する物質（Ｃ）を
含有させることにより、該物質（Ｃ）の含有される層領
域（１１１０層領域（Ｇ）〇一部又は全部の層領域のい
ずれでも良い〕の伝導特性を所望に従って任意Ｋｌｌ制
御することが出゛来るものであるが、この様な物質とし
ては、所■、半導体分野で云われる不純物を挙げること
が出来、本発明に於いては、形成される非晶質層を構成
するａ−８ｉＧｏ　（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐａｌ伝導特
性を与えるＰ製不純物及び１１！１伝導特性を与えるａ
ｌｌ不純物を挙けることが出来る。

具体的には、Ｐ型不純物とし、ては周期律表第履族に属
する原子（第厘族原子）、例えば、ｌ（硼素）、Ａ／（
アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）。

Ｉｎ　（インジウム）ｔ’ｒｚ（タリウム）等がＴｏり
、殊に好適に用いられるのは、Ｂ５Ｇａである。

田型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（＠
ｖ族原子）°、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）勢であり、殊に、好
適に用いられるのは、Ｐ。

Ａｍである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質が含有される
層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域（ＰＮ
）Ｋ要求される伝導特性、或いは該層領域（ＰＮ）が支
持体に直に接触して設けられる場合には、その支持体と
の接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於
いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、通常の場合
、０．０１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　Ｐ。

好適には、０．５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｎ
　、最適には、１〜５　Ｘ　１　Ｇ”　ａｔｏｍｉｃ−
とされるのが望ましいものである。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質りが含有され
る層領域（ＰＮ）Ｋ於ける該物質（Ｃ）の含有量を通常
は３０　ａｔｏｍ鋤−以上、好適には５０　ａｔｏｍｉ
ｅ−以上、最適には、１００　ａｔｏｍｓ−以上とする
ことによって、例えば鋏含有させる物質（Ｃ）が前記の
ｐｍ不純物の場合には、非晶質層の自由表向が■極性に
帯電処暑を受けえ巖に支持体側からＯ非晶質層中への電
子の注入を効果的に阻止すること′ｉＩ＆出米、又、前
記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎｊｌ不義物の場合に
は、非晶質層の自由表面がＯ極性に帯電処暑を受叶え際
に、支持体側から非晶質層中へ０正孔の注入を効果的に
阻止することが出来る。

上記ＯＳな場合には、前述し九１１に、前記層領域（Ｐ
Ｎ）ｔ＆いた部分の層領域（Ｚ）Ｋは、層領域（ＰＮ）
に含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導蓋の
極性と紘別０伝導蓋の極性の伝導特性を支配する物質（
Ｃ）を含有させても真いし、或いは同極性の伝導型を有
する伝導特性を支配する物質（Ｃ）を、層領域（ＰＮ）
Ｋ含有させる実際の量よりも一段と少ない量にして含有
させても爽いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、通常
の場合０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ＩＪｆｌｌ
Ｊ　ｙ好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｆ
ｌ＋　、最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ碧とさ
れるのが望ましいものである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（イ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは、
３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐ１ｍ１以下とするのが望ましい
ものである。

本発明に於いては、非晶質層中に一方の極性の伝導型を
有する伝導性を支配する物質を含有させ走用領域と他方
の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有さ
せ走用領域とを直に接触する様に設けて、＃接触領域に
所謂空乏層を設けることも出来る。詰り、例えば非晶質
層中に前記のＰ型不純物（含有する層領域と前記のｎａ
ｌｌ不純物を含有する層領域とを直に接触する様に設け
て所ＩＩ　Ｐ　−ｎ　Ｉ！合を形成して、空乏層を設け
る仁とが出来る。

本発明の光導電部材においては、嬉ｌｔＪ層領域（Ｇ）
中に含有されるゲルマエクム原子Ｏｉ＃布状態社、層厚
方向において社、前記の様な分布状態を堆シ、支持体の
表面と平行な画内方崗には均一な分布状態とされるのが
望ましいものである。

本発明に於いては、第一０層領域（Ｇ）上に設けられる
第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様な層構造に非晶質層を形成すること
によって、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的
畏披長迄Ｏ食領域の波長の党に対して光感度が優れてい
る光導電部材とし得るものである。

又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布一度Ｃが支持
体側よりｔｉ２の層領域（Ｓ）　Ｋ向って減少する変化
が与えられているので、第１０層領域（Ｇ）と第２の層
領域（８）との間に於ける親和性に優れ、且つ後述する
様に支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃ｔ
Ｃを極端に大きくすることによシ、半導体レーザ等を使
用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切
れない長波長側の光をｌ／ｌ１１０層領域（Ｇ）に於い
て、実質的に完全に４１収することが出来、支持体面か
らの反射による干渉を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１０層領域（Ｇ
）と＄１１２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の
夫々がシリコン原子という共通の構成ｌ！素を有してい
るので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分
成されている。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
＠ｌＣ）層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態の典蓋的例が示される。

＃Ｉ２図乃至１１１０図において、横軸はゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、嬉１０層領域（Ｇ）の層
厚を示し、ｔｌは支持体側Ｏ嬉１０層領域（Ｇ）　Ｏ端
面の位置を、ｔ！は支持体側とは反対側Ｏ第１の層領域
（Ｇ）０端画の位置を示す。

即ち、ゲルマニウム原子の含有される嬉１０層領域（Ｇ
）はｂ側よシｔ！側に向って層形成がなされる。

第２図には、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態０ＩＩｌの典蓋例が示
される。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層領域（Ｇ）が形成される表面と皺第１０層領
域（Ｇ）の表面と１ＩＡＩＩすゐ界面位置を鵬よりｔ、
の位置までは、ゲル！二りム原子の分布濃ｆｃがＣ８な
る一定の値を敷）乍らゲルマニウム原子が形成される嬉
１０層領域（Ｇ）　Ｋ含有され、位置ｔ、よりは濃度Ｃ
３より界面位置ｔ！に至るまで徐々に連続的に減少され
ている。界面位置ｔテにおいてはゲルマニウム原子の分
布濃度ＣはＣ，とされる。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布＃＆Ｃは位置ｔ、ｊ６位置ｔ？に至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔ？において
＃Ｉｆ　Ｃｍとなる様な分布状望を形成している。

第４図の場合には、位置１Ｂより位置ｔ、まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃ｊ［ｃｓと一定値とされ、
位置ｔ、と位置１Ｔとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置ｔ、において、分布１１）＆Ｃは実質的に
零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満
、の場合である）。

ｔＸｓ図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃ｆｃは
位置１Ｂより位置１Ｔに至るまで、濃度Ｃ−よ多連続的
に徐々に減少され、位置ｔ？において実質的に零とされ
ている。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃ唸、位置ｔ１と位置ｔ、関においては、濃度Ｃ・と
一定値であり、位置ｔ、においては員ｃｍ−ｇｊれる０
位置上、と位置ｔ、との間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ、より位置ｔ、Ｋｌｉるまで減少されている
。

第７ＷＪに示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
、より位置１．１では濃度Ｃ００一定値を職シ、位置ｔ
４より位置ｔ！壕では濃度ｅｌｆより濃度Ｃｓ、ｔで一
次関数的に減少する分布状態とされている。

ｊｌＩｇ図に示す例においては、位置ｔ、より位置ｔ、
に至るまで、グル’ｖ＝ウム鳳子Ｏ分布談ｔＣはｌｌ１
１度Ｃ１目実質的に零に至る様に一次関数的に減少して
いる。

第９図においては、位置ｔ、より位置ｔｗＫｍるまでは
ゲルマニウム原子の分布一度Ｃは、濃度Ｃ，ＩＣＩＩＩ
ｊｌＣｔａまで一次関数的に減少され、位置ｔ、と位置
ｔ、とＯ関においては、濃度ｃｓｍの一定値とされ九例
が示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布＃ＩＩＩＩＬＣは位置ｔＢにおいて＃Ｉ度Ｃ３！で
あり、位置ｔ、に至るまではこの濃度Ｃｔｔより初めは
ゆっくりと減少され、ｔ、の位置付近においては、急激
に減少されて位Ｉｔｓでは濃度Ｃ１ｌとされる。

位置ｔ１と位置１．との間にＩいては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ、で
濃ｒｌ　ｃ、＊となり、位置１．と位置ｔ。

との間では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ
、において、濃度ら。に至る。位置１．と位置ｔρ間に
おいては、濃度Ｃ１，より実質的に零になる様に図（示
す如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１θ図によシ、第１の層領域（Ｇ）
中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態
の興産例の幾つかを説明し先様に、本発明においては、
支持体＠において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高
い部分を有し、界面ｔ？側においては、前記分布ＩＩｆ
Ｃは支持体側に較べて可成ｐ低くされた部分を有するゲ
ルマニウム原子の分布状態が＠１０層領域口に般社もれ
ている。

本発明に於ける光導電部材を構成する非晶質層を構成す
る第１０層領−（Ｇ）は好ましくは上記し先様に支持体
側の方にゲルｗ＝りム厘子が比較的高濃度で含有されて
いる局在領域（ム）を有するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２１！乃至第１
０図に示す記号を用いてｌ！明すれば、界面位置ｔ、よ
り５＃以内に設けられるのがｉＩましいものである。

本発明においては、上記局在領域（ム）杜、界面位置ｔ
ｌよ〕５声厚までＯ全層領域（Ｌ、）とされる場合もあ
るし、又、層領域（Ｌ、）０一部とされる場合もある０ 局在領域（Ａ）を層領域（ＬＷ）〇一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される特性に
従って適宜後められる。

局在領域（ム）はその中に含有されるゲルマニウム原子
０層厚方向の分布状−としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、通常は１
０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ１以上、好適には５０００
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐＩ以上、最適にはＩ　Ｘ　１０４
ａｔｏｍｉｃ鱗以上とされる様な分布状態表な９得る橡
に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウムＭ子の含有され
る非晶質層は、支持体側からの層厚で５声以内（ｔｍか
ら５μ厚の層領域）Ｋ分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在
する様に形成されるのが好ましいものである。

本発に！Ａにおいて、＃１１の層領域中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成される様に所望に従って適宜後められるが、通
常は１〜９．５Ｘ１０’ａｔｏｍｉｅ鱗、好ましくは１
００〜８　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　Ｆｌｉｐ、最適
には、５００〜７　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ騨とされ
るのが望ましいものである。

本発明に於いて＃１１の層領域（Ｇ）とＪ１２０層領域
（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる
為の重要な因子の１つであるので形成される光導電部材
に所ｍｅｍ性が充分与えられる様に１光導電部材の設計
の際に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１０層領域（Ｇ）　０層厚−は、通
常の場合、３０ム〜５０μ、好ましくは、４０五〜４０
μ、最適には１ｇｏ五〜３０ｓとされるのが望ましい。

又、第２の層領域（８）０層厚ｉは、過電Ｏ場合、Ｏ，
Ｓ〜９０ｓ１好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５０
Ｉａとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）　０層厚ｉ、と第２０層領域（２）
の層厚ＴＯ和（’ｒ、＋’ｒ　）としては、両層領域に
要求される特性と非晶質層金体Ｋｌ！求される特性との
相互間の有機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の
ＩＩＫ所望に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（Ｔ。

＋’１’）の数値ａｍとしては通常の場合ｌ〜ｌＯＯ声
、好適には１〜８０μ、最適には２〜５０声とされるの
が望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては。

上記の層厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては１通常はＴＢ／Ｔ≦
１なる関係全満足する際に、夫々に対して適宜適切な数
値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好−ましくはＴＢ／Ｔ≦０．９゜最適には
’ｒＢ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ
及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層領域（６）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含装置がｌＸ１０’ａｔｏａｉｃ　Ｐ
Ｆ１以上の場合には、第１の層領域Ｇ）の層厚ＴＢとし
ては、成可く薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
μ以下２．より好ましくは２５μ以下、最適には２０μ
以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて非晶質層を構成する第１
の層領域り）及び第２の層領域（Ｓ）中に含有されるハ
ロゲン原子（３）としては、具体的にはフッ素、塩素、
臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なも
のとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉＧ・（Ｈ，Ｘ）で構成される
第１０層領域（Ｇ）を形成するに社例えばグー−放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例
えば、グロー款電法によって、ａ−８ｉＧ・（Ｈ，Ｘ）
で構成される嬉１０層領域（Ｇ）を形成するＫは、基本
的Ｉｌｃはシリコン原子（８１）を供給し得る８１供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇ・）を供給し得る
偽供給用の原料ガスと、必ｌ！に応じて水素原子Ｉ４入
用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（２）導入用の原
料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧
状態で導入して、該堆積意向にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含
有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望Ｏ変化率曲
線に従って制御１乍らａ−８ｉＧ・（Ｈ，Ｘ）からな１
層を形成させれば棗い。又、スパッタリング法で形成す
る場合には、例えばＡｒ、　Ｈ＠勢の不活性ガス又はこ
れ等のガスをペースとした混合ガスの雰囲気中で８１で
構成されたターゲット、或いは、腋ターゲットと龜で構
成されたターゲットの二枚を使用して、又は、ＳｉとＧ
ｅの混合され九ターゲットを使用して、必要に応じて、
Ｈ・、ムｒ＠０稀釈ガスで稀釈され九Ｇ・供給用のＭ料
ガスを、必要に応じて、水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積
室に導入し、所望のガスのグツズ！雰囲気を形成すると
共に、前記Ｇｅ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変
化率曲線に従って制御し乍ら、前記のターゲットをスパ
ッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸−着ボートに
収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロ
ンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸
発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は
、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うことが
出来る。

本発明において使用されるＳｌ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳＩＨ，、８１，Ｈ，，８１晶。

８１＊Ｈｔｅ等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン＠）が有効ＫＷ用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の＊＊％ＡＩｋさ、Ｓｉ供給効率
の良さ尋の点で８１Ｈ，、ｓｉ、Ｈ，が好ましいものと
して挙けられる。

Ｇ・供給用の原料ガスと成り得る物質としては、Ｇｅｌ
、ｔ　　ＧｅｌＨａ　ｅ　　Ｇ＠＠Ｈ＠　Ｉ　　Ｇｅ４
Ｈ，＠　ｓ　　ＧｅｉＩＬ＊　＊　　ＧｅｌＨＭ　＊（
ｊＭＢｍ　ｐＧｏ＠Ｈ１＊　ＨＧ・、為０等のガス状Ｉ
ＩＩの又はガス化し得為水素化ゲルマ二りムが有効Ｋｔ
１用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の
ＩＩＬ扱い鼻さ、Ｇ・供給効率の良さ等０点で、Ｇｅｌ
６　ｅ　Ｇｅｌ）ｌ、　。

Ｇｅｓ＆が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、＾ロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換され九シラン鍔導体勢のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成＊＊
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来るＯ 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、７ツ嵩、塩素、臭素、曹つ素の／％Ｏ
ゲンガス、ＢｒＦ’、　ＣＩＦ、　ＣＩＦｇ　。

ＢｒＦ＠　、　ＢｒＦ＠　、　ＩＰ、　、　ＩＦ、　、
　Ｉｃｅ、　ＩＢｒ　等のへ０ゲン開化金物を挙けるこ
とが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、新開、ハロゲン原子で
置換されたシラン鰐導体としては、具体的Ｋｄ例、ｔ　
ハＳｉＦ４　、８３．Ｆ＠、　ＢｉＣｌ２　、５ＩＢｒ
４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙けること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇ・供給用の原料ガスと共ＫＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉＧ・か
ら成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を會むａｔの層領
域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｌ供給
用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧ・供給用の原料
ガスとなる水嵩化ゲルマニウムとムｒ、）４．Ｈ・等の
ガス等を所定の混合比とガス流量になる様にしてｊ［１
の層領域（Ｇ）をを形成する堆積室に導入し、グロー放
電を生起してこれ等のガスのグツダマ１！履気を形成す
ることによって、所望の支持体上に第１の層領域日針形
成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一
層容易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス
又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して
層形成しても良い０ 又、各ガスは単独種のみでなく所定の拠金比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水ｌＡ原子導入用の
原料ガス、例えば、瓜、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してヤれは良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記され九ハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、　）Ｉｃｅ。

Ｈｎｒ、ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ，ｉＦ、、　
ＳｉＨ，Ｉ、。

５ｉＨ１Ｃ４、８１ＨＣ１，、ＳｉＨ，Ｂｒ、　、　５
ＩＨＢｒ１等のハ０ゲン置換水嵩化硅素、及びＧｅＨＦ
１　、　Ｇｏ、Ｉｌ＆Ｆ、　、　ＧｅＶ。

ＧｅＨＣ１，、Ｇｅ八（ｊ、　、　ＧｅＢ、（Ｊ、　Ｇ
＊ＨＢｒ＠　、　Ｇｏ５１ｒｌ。

Ｇ＠％Ｂｒ、　ＧｅＨ１１，ＧｅＨｌｌｌ　、　ＧｅＨ
ＩＩ等の水素化ハＨゲン化ゲルマニウム、等の水嵩原子
を構成要素の１つとするハロゲン化中、ＧｅＦ、　、　
Ｇ＠Ｃ＃４　。

ＧｅＢｒ４　、　Ｇ＊Ｉ４　、　ＧｅＦ１　、　ＧｅＣ
１＠　、　ＧｅＢｒｌ　、　Ｇ＠ＩＩ等Ｏハロゲン化ゲ
ルマニウム、等々ＯｉＩス状態Ｏ或いはガス化し得る物
質も有効な第１Ｃ）層領域働形成用Ｏ出発物質として挙
げる事が出来るＯこれ等の物質の中水素原子を會むハロ
ゲン化物は、＃Ｉｌの層領域（Ｇ）形成Ｏ１１［Ｋ層中
にハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは党電釣養性
の制御に極めて有効な水素原子も導入されるので、本発
明においては好適なハロゲン導入用の原料として使用さ
れる０ 水素原子を第１０層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他に迅、或いは５ｔＨａｔｓｉ、＆。

８１ａ＆　＊　５ｉａＨゆ等の水素化礒嵩をＧ・を供給
する為のゲルマニウム又はゲルミニラム化合物と、或い
は、ＧｅＨ４ｓ　Ｇ＠＊Ｈａ　ｅ　Ｇｅ、Ｈ，ｅ　Ｇｅ
４Ｈｇ　Ｉ　ＧｅｓＨｎ　＊Ｇ＠＠Ｈ１４、ＧｓｙＨ１
＠　、　Ｇ＊＠Ｈ＠＠　、　Ｇｏ６％＠等の水嵩化ゲル
マニウムと８１を供給する為のシリコン又はシリコン化
合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させ゛る事
でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有される水嵩原子（Ｈ）の量
又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原
子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は通常の場合０．０１〜４０　
ａｔｏｍｉｅｓ、好適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉ
ｅ’ｌＧ、最適には０．１〜２５　ａｔｅｍｉｅｌとさ
れるのが望ましい。

＄１の層り４Ｃり中に含有される水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原
子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力勢を制御してやれば良い
。

本発明に於いて、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
０層領域（Ｓ）を形成するには前記した第１の層領域（
Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中よシ、Ｇ供給用の原料
ガスとなる出発物質を除いた出発物質（＠２の層領域（
Ｓ）　３１！成用の出発物質（１））を使用して、ｊｌ
ｌの層領域（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条件に
従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、・ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第２の層領域（Ｓ）を形成するＫは例えばグロー放
電法、スパッタリング法、或いはイオングレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
。例えば、グロー放電法によって、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）
で構成される１１１１２０層領域（Ｓ）を形成するには
、基本的には前記し友シリコン原子（Ｓｌ）を供給し得
るＳＩ供給用の原料ガスと共に１必要に応じて水素原子
（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積型内に導入して、
鋏堆積室内にグ謂−款電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持表面上Ｋ　ａ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ勢の不活
性ガス又はこれ等のガスをベースとし九楓合ガスｏｈｍ
気中でＳｉで構成されたターゲットをスパッタリングす
る際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）４
人用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入しておけ
ば良い、。

本発明に於いて、形成される非晶質層を構成する第２の
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子と−・ロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常の場合、１〜４０　ａｔｏｍ
ｉｅｓ　、好適にＦｉ５〜３０ａｔｏｍｉｅ＊　、最適
、には５〜２５　ａｔｏｍｉｃｓとされるのが望ましい
。

非晶質層を構成する層領域中に、伝導特性を制御する物
質（Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第■族原子を構造
的に導入して前記物質（Ｃ）の含有され走用領域（ＰＮ
）を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の
出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態
で堆積意中に、非晶質層を形成する為の他の出発物質と
共に導入してやれば良い。この様な第覆族原子導入用の
出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の
又は、少なくとも層形成条件下で容・易にガス化し得る
ものが採用されるのが望ましい。その様な第■族原子導
入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用として
は、ＢｔＬ　ｒ　Ｂ４ＨＩＩ　＊　Ｂｓ山ｔ　ｎ、艮１
１　Ｂ＠Ｈ１＠　ｅ　Ｂ−艮８．−艮。

等の水素化硼素、ＢＰ、　、　ＢＣＩ、　、　ＢＢｒ、
等の７％０ダン化硼素等が挙げられる。この他、Ａ／Ｃ
４゜ＧａＣｌ、　、　Ｇａ　（Ｃル）、　、　ＩｎＣ／
１　、　ＴｌＣｌ、等も挙げることが出来る。

第Ｖ族鳳子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、鱗原子導入用としては、Ｐへ＝　
Ｐ＊Ｈａ勢の水素化燐、　ＰＨ，Ｉ、ＰＦ、。

ＰＦ６　Ｉ　ＰＯ２、ＰＣ／ｗ　ｅ　ＰＢｒ、　ｔ　Ｐ
Ｉｆ＠　ｇ　ＰＩ３等のハｇゲン化燐が挙げられる。こ
の他、ムｍＨ，、ＡｓＦ＝　。

ＡｍＣ’／、、　　ＡｓＢｒ＠　　、　　ＡＩＦＩ　　
、　　Ｓｂ％　　、　　５ｂＦ１．　８ｂＦ、、５ｂＣ
４。

ＳｂＣｌ、　、　ＢｉＨ，、Ｂ＊Ｃｔ、　、　Ｂ１Ｂｒ
、郷も第Ｖ族厘子導入用の出発物質の有効なものとして
挙げることが出来る。

本発明の光導を部材に於いては、為光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と非晶質層と０間の密着性の改良を
計る目的の為に、非晶質層中には、酸素原子が含有され
る。非晶質層中に含有される酸素原子は、非晶質層の全
層領域に刃傷なく含有されても良いし、或いは、非晶質
層の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い。

又、酸素原子の分布状態は分布濃［ＣＵが非晶質層の層
厚方向に於いては、均一であっても、＠２図乃至第１０
図を用いて説明したゲルマニウム原子の分布状態と同様
に分布濃度Ｃ口が層厚方向には不均一であっても良い。

詰り、酸素原子の分布濃［Ｃ（０が層厚方向に不均一で
ある場合の酸素原子の分布状態は、第２図乃至ｇｉｏ図
を用いてゲルマニウム原子の場合と同様に説明され得る
。

本発明に於いて、非晶質層に設けられる酸素原子の含有
されている層領域（０）は、光感度と暗抵抗の向上を主
たる目的とする場合には、非晶質層の全層領域を占める
様に設けられ、支持体と非晶質層との間の密着性の強化
を計るのを主たる目的とする場合には、非晶質層の支持
体側端部層領域を占める様に設けられる。

ｍ者の場合、層領域（０）中に含有される酸素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に計る為
に比較的多くされるのが望ましい０ 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高ａｍに分布り させ、非晶質層の自−表面側に於いて比較的低濃度に分
布させるか、或いは、非晶質層の自−表面側の表層領域
には、酸素原子を積極的には含有させない様な酸素原子
０分布状−を層領域（０）中に形成すれば東い。

本発明に於いて、非晶質層に設けられる層領域（０）に
含有される酸素原子の含有量線、層領域（０）自体に要
求される特性、或いは該層領域（０）が支持体に直に接
触して設けられる場合には、該支持体との接触界画く於
ける特性とＯ関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択
することが出来る。

又、前記層領域（０）に直に接触して他Ｏ層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、腋他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、酸素
原子の含有量が適宜選択される。

層領域（０）中に含有される酸！原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜決められるが、通常の場合、０．００１〜５０　ａｔ
ｏｍｉ　ｄ　ｌ　　好まし７くは、０．００２〜４０　
ａｔｏｍＩｃ　’ｌｋ　を最適には０．００３〜３０　
ａｔｅｎ＋ｉｅ　＠とされるのが望ましいものである。

本発明に於７いて、層領域（０）が非晶質層の全域を占
めるか、或いは、非晶質層の全域を占めなくとも、層領
域（０）の層厚Ｔｏの非晶質層の層厚Ｔに占める割合が
充分多い場合には、層領域（ロ）に含有される酸素原子
の含有量の上限は、前記の値より充分少なくされるのが
望ましい。

本発明の場合には、層領域（０）のｌ−厚−が非晶質層
の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる様な
場合には、層領−（０）中に含有される酸素原子の量の
上限としては、通常は、３０　ａｔｏｍｉｃ−以下、好
ましくは２０　ａｔｏｍ１ｅ１ｇ以下、最適には１０ａ
ｔｏｍ１ｅ−以下とされるのが蓋ましいものである。

本発明において、非晶質層を構成する酸素原子の含有さ
れる層領域（０）は、上記し九ＩＩＫ支持体側の方に酸
素原子が比較的高濃度て含有されている局在領域（Ｂ）
を有するものとして設妙られるのが望ましく、こＯ場合
には、支持体と非晶質層との閏の密着性をより一層崗上
さぜることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）　Ｆｉ、ＩＨ２ｍ乃’ｌｉ嬉１０図
に示す記号を用いてＩｉｉ！明すれば、界面位置ｔ１よ
）５μ以内に設けられるのが望ましい＠ 本実ｆ！Ａにおいては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位
置ｔ、より５声厚までの＊層領域（Ｌ？）とされる場合
もあるし、又、層領域（′ＸＪｔ）の一部とされる場合
もある。

局在領域を層領域（Ｌ？）０−都とするか又は金部とす
るかは、形成される非晶質層に要求される特性に従って
適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最大値Ｃｍａ
ｘが通常は５００　ａｔｏｍｉｃ　１１１以上、好適に
は８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐ１ｍ１以上、最適には１０
０１０００ａｔｏ　９’４以上とされる様な分布状態と
なり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、酸素原子の含有される層領域
（０）は、支持体側からの層厚で５ｓ以内（１，から５
μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する
様に形成されるのが望ましい０ 本発明に於いて、神品質層に酸素原子の含有され走用領
域（０）を設けるＫは、非晶質層の形成の際に酸素原子
導入用の出発物質を前記し先非晶質層形成用の出発物質
と共に使用して、形成されるＩ−中にその量を制御し乍
ら含有してやれば良い。

層領域（０）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記し先非晶質層形成用の出発物質の中から所望
に従って選択されたものに酸素原子導入用の出発物質が
加えられる０七〇ａｍ酸素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも酸素原子を構成原子とするガス状Ｏ物質
又紘ガス化し得る物質をガス化し丸ものＯ中の大概のも
のが使用され得る。

例えばシリコン原子（８１）を構成原子とする原料ｊス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必！
！に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ｊスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（８１）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の拠金比で
混合するか、或いは、シリコン原子（８１）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ　）　。

酸ｌＡＮ子（０）及び水嵩原子（Ｈ）　＋１り　ｓつを
構成原子とする原料ガスとを鴎合して使用する仁とが出
来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ　）と水素原子０とを
構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子と
する原料ガスを混合して使用しても東い。

具体的には、例えば酸素（＠）、オゾン（へ）。

−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ，）　　、　−
土酸化窒素（八〇）、三二酸化窒素（ｘｏｍ）　、四二
酸化窒素（為０４）、三二酸化窒素（八へ）、三酸化窒
素（Ｎｏ、）　、シリコン原子（別）と酸ｌＡ原子（０
）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジシ
ロキサン（ル８１０ＳＩＨａ）　、　　）ジシロキサン
（Ｉ（，５１０ＳｉＨ，Ｏ８ｉル）等の低級シロキサン
等を挙げることが出来る。

スパッターリング法によって、酸素原子を含有する第一
の非晶質層（１）を形成するには、単結晶又は多結晶の
Ｓｔウェーハー又は８１０．クエーハー、又はＳｉと８
１０．が混合されて含有されているクエーハーをターゲ
ットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行えば良い。

ＨＬＩｄ、ｓｔウェーハーをターゲットとして使用すれ
ば、酸素原子と必ｌＩＫ応じて水素原子又は／及びハロ
ゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガ予で権釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、こ
れ勢のガスのガスプラズマを形成して前記８１クエーハ
ーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｔとＳｉｎ、とは別々のターゲットとし
て、又は８１とＳｉｎ、　０混合した一枚のターゲット
を使用することＫよって、スパッター用のガスとしての
稀釈ガ１スの響圃気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有す
るガス雰囲気中でスパッタリングすることによって成さ
れる。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述し丸グ
ロー放電の例で示し九原料ガスの中の酸素原子導入用の
原料ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとし
て使用され得る。

本発明に於いて、非晶質層の廖虞ＯＡＫ、酸素原子の含
有される層領域（０）を設ける場合、該層領域（０）に
含有される酸素原子の分布淡度ｃＨｔ層厚方向に変化さ
せて所望の層厚方向の分布状ａｌｌ　（ｄ＠ｐｔｈ　ｐ
ｒｏｆｉｌｅ）を□有する層領域（０）を形成するには
、グロー放電の場合には、分布ａ＊Ｃａを変化させるべ
き酸素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を
所望の変化率−纏に従って適宜変化させ乍ら、堆積室内
に導入することによって成される。例えば手動あるいは
外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方法に
より、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードルパ
ルプの開口を漸次変化させる操作を行えば良い。このと
き、流量の変化率は線屋である必要はなく、例えばマイ
コン等を用いて、あらかじめ設計され九変化率自纏に従
って流量を制御し、所望の含有率−纏を得ることもでき
る。

層領域（０）をスパッターリング法によって形成する場
合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ向を層厚方向で変
化させて酸素原子の層厚方向の所望の分布状ＩＩ　（ｄ
ｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一には
、グロー放電法による場合と同様に１酸素原子導入用の
出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導入
する際のガス流量を所望に従９て適宜変化させることく
よって成される。

第二には、スパッターリング用のターゲットを、例えば
８１と８１０１との混合され九ターゲットを使用するの
であれば、引と８１０．とＯｉｌ会比を、ターゲットの
層厚方向に於いて、予め変化させておくことによって成
される。

本発明に於いて、形成される非晶質層を構成する第２０
層領域（Ｓ）中に含有される水嵩原子（Ｈ）の量又は・
・ロゲン原子（Ｘ）の量又は水嵩原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は、過電Ｏ場合、１〜４０　ａｔｏｍ
ｉｃ’１　ｍ好適にはＳ〜３０ａｔｏｍｉｃ５Ｇ　＋最
適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ−とされるのが望ましい
。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
１気絶縁性であっても良い。導電性。

支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

Ａ／、　”：ｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はこれ勢の合金
が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ボリアイド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

ｔラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理され九表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

Ａ／、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

Ｉｎ、Ｏ，、ＳｎＯ，、ＩＴＯ（Ｉｎ、０１＋ＳｎＯ，
）等から成る薄膜を設けるととＫよって導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルム
であれば、ＮｉＣｒ、　Ａ／Ｉ　Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ
、　Ｎｉ、　Ａｕ、Ｃｒ。

Ｍｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性が付与される。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状勢任意
の形状とし得、所ｉ１によって、その形状は決定される
が、例えば、第１図Ｏ光導電部材１００を電子写真用像
形成部材として使用するのであれば連続高速複写の場合
には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支
持体の厚さは、所菫過りＯ光導電部＃が形成される様に
適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求され
る場合には、支持体として０機能が充分発揮される範囲
角であれば可能１＊シ薄くされる。向乍ら、ζ０ａｔｋ
場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点か
ら、通常は、ｌＯμ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略にりい
て説明する。

第１１ｗＡＫ党導電部材ＯＨ造装置の一例を示す０ 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベにハ、本発明の
光導電部材を形成する丸めＯＪＩ料ガスが１對されてお
り、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈ・で稀釈さ
れたＳｉＨ，ガス（純＆　９９．９９９１ｇ。

以下ｓｉル／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１ｏ３はＨｅで
希釈され九〇ｅｍ、ガス（純度９９．９９９％、以下Ｇ
＊ＨＪ’Ｈｅと略す。）ボンベ、１１ｏ４はＨｅで希釈
され九ＢｔＨａガス（純１１：９９．９’ｊチ、以下鳥
八鹿・と略す。）ボンベ、１１０５はＮｏガス（純度９
９゜９９９％）ボンベ、１１０６は為ガス（純度９９．
５１９９Ｓ）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６゜
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１１
７〜１１２１　、補助パルプ１１３２．　１１３３が開
かれていることを確認して、先づメインバルブ１１３４
を開いて反応室１１ｏｔ　、及び各ガス配管内を排気す
る。次に真空計１１３６のｉみが約５　Ｘ　１０’ｔｏ
ｒｒ　Ｋな−）＆時点で補助バルブ１１３２．　１１３
３、流出パルプ１１１７　？−１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に非晶質層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ１１６２　ｘ　Ｊ）
　５ｔＨ４，イ）（ｅ　カｊＣ、カｘホｙへ１１０８り
Ｇ＠ｉ・ガス、ガスボンベ１１０４より為Ｈｓ／Ｈ・ガ
ス、ガスボンベ１１ｏ５よりカガスヲハルプ１１２２〜
１１２５を開イテ出口圧ゲージ１１２７〜１１．ＩＯの
圧を１　ｋｇ／Ｃ１ｉに調整し、流入パルプ１１１２〜
１１１５を徐々に開ゆて、マス７ｏコントａ−ツ１１０
７〜１１１Ｇ内に夫々流入させる。引き続りて流出パル
プ１１１７〜１１２Ｇ、補助パルプ１１１２を徐々に開
いて夫々のガスを反応室１１０１　ＫＪＩ人させる。こ
のときの５ｉＨＪ″Ｈ・ガス流量とＧｅＨ，／Ｈｅガス
流量とＢ、Ｈ，／Ｈ・ガス流量と擢ガス流量との比が所
望の値になるように流出パルプ１１１７〜１１２０を調
整し、又、反応室１１０１　Ｐ３０圧カが所望の値にな
るように真空計１１３＠　ＯＷＬみを見ながらメインパ
ルプ１１３４０ｊ１口を調整する。

そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１＄８によ
り５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを
確認された後、電Ｉｆ　１１４０　を所望の電力に設定
して反応室１１０１内にグミー款電を生起させ同時にあ
らかじめ設計された変化率−纏に従ってＧｅ）Ｉし１ｅ
ガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によ
ってバルブ１１１８の開口を漸次変化させる操作を行な
って形成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分
布ａｍを制御する。

この様にして、基体１１３７上に、硼＊＊子（６）と酸
素原子（０）とが含有され、前記の変化率−線に従っ九
ゲルマニウム原子の分布状態が形成されている、ａ−８
ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成され走用領域（Ｂ、Ｏ）が所
望の層厚に形成される０層領域（Ｂ、０）が所望層厚に
形成され九段階に於いて、流出パルプ１１１８．１１１
９．１１２０　の夫々を完全に閉じること、及び必要に
応じて放電条件を変えること以外は、同様な条件と手順
に従って所望時間グロー放電を維持することで前記層領
域（Ｂ、０）上に、硼素原子（Ｂ）、酸素原子（０）、
及びゲルマニウム原子（Ｇｅ）が含有されていない、ａ
−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成された層領域（６）が形成さ
れて、非晶質層の形成が終了される。

上記の非晶質層の形成のＩＩＫ、該層形成−麺後、所望
の時間が経過し九段階で、堆積室へＯＢ、Ｈ，／）ｉ・
ガス或いはぬガスの流入を止めることによって、硼素原
子の含有され走用領域（Ｂ）及び酸素原子の含有され走
用領域（０）０各層厚を任意に制御することが出来る。

又、所望の変化率−纏に従って、堆積量１１０１へのぬ
ガスのガス流量を制御することによって、層領域（０）
中に含有される酸素原子０分布状態を所望通）に形成す
ることが出来る。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計る丸め基体
１１３７は毫−夕１１８−により一定適度で回転させて
やるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

７／ ２／′ ／′ 実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＵ基
体上に、第１表に示す条件で第１２図に示すガス流量比
の変化率曲線に従ってＧｅＨ，／にガスと５ｉ）ｔｉ／
ｌｉｅガスのガス流量比を層作成経過時間と共に変化さ
せて層形成を行って電子写真用像形成部材を得九。

こうして得られ九像形成部材を、帯・電露光実験装置に
設置しθ５．ＱｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光量を照射し先光像はタングステンランプ光源
を用い、　２１ｕｘ−ｓｅｔの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させ丸。

その後直ちに、■荷電性の現儂剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像を０５．Ｏｋｖのコロナ帯電で転写
紙上に転写し九所、解儂力に優れ、階調再現性のよい鮮
明な高濃度の画像が得られ丸。

実施例２ 第１１図に示した製造装置によや第２表に示す条件で第
１３図に示すガス流量比の変化率−線に従って、Ｇｅ）
（４／ｈガスとＳＩＫ／にガスのガス流量比を層作成経
過時間と共に変化させ、その他の条件は′実施例１と同
様にして層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上Ｋ１１ｉ儂を形成し九ところ
極めて鮮明な画質が得られえ。

実施例３ 第１１図に示し丸製造装置により第３表に示す条件で第
１４図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、ＧｅＨ
，／Ｍｅガスと５ｉＨ１／ｌｉｅガスのガス流量比を１
−作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１と同様にして層形成を行って電子写真用僧形成部材を
得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４ 第１１図に示した製造装置により１第４表に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、（１
ｅＨ１／ｌｉｏガスと５ＩＨ４７Ｂｅガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施
例１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部
材を得九。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上にｓｉｉ＊を形成したところ
極めて鮮明な画質が得られ九。

／ ／ ／ 第１１図に示した製造装置により第５表に示す条件で第
１６図に示すガスａｍ比の変化率１繍に従って、＋１ｇ
＋１４／ｌｉｅガスとＳｉＨ，／ｉｌｅガスのガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして、ｒ−形成を行って電子写真用像形
成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上ＫＩｌｉｉ儂を形成したとこ
ろ極めて鮮明な画質が得られた。

／ 実施例６ 第１１図に示し友製造装置により、第６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってｓ　”
Ｈａ／Ｉａガス１とＳｉＨ＠／ｉ＠ガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして得られ九像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に１儂を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

／ ／ 実施例７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示す条件で
第１８図に示すガス流量比の変化率ｅ ―繍に従ってｓ　”）（４／４ｔガスとＳｉＨ４／　Ｍ
ｅバガスガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、
その他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行って
電子写真用像形成部材を得九。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上ＫＩＩｉｉ儂を形成したとこ
ろ極めて鮮明な画質が得られ九〇実施例８ 実施例ＩＫ於いて％！３ｉＨ４／Ｉｓガスの代りｉ’ｃ
８１晶／にガスを使用し、第８表に示す条件にし九以外
は、実施例１と同様の条件にして層形成を行って電子写
真用像形成部材を得え。

こうして得られ九ｇＩｉ形成部材に就いて、実施例１と
同様の条件及び手順で転写紙上Ｋ１１ｉ儂を形成し九と
ころ極めて鮮明な画質が得られ友。

実施例９ 実施例１に於すて、５ｉｔ（４／　Ｈｅガスの代シにＳ
ｉＦ、／　ＩＩｓガスを使用し、第９表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして層形成を行って
電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に１儂を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１Ｏ 実施例ＩＫ於いて、８ｉＨＩ／−ガスの代ヤＫ（ｓｉＩ
（１１ｂ＋５ｉＦａ　／　ｈ　）ガスを使用し、第１Ｏ
表に示す条件にし九以外は、実施例１と岬様の条件にし
て層形成を行って電子写真用像形成部材を得九〇こうし
て得られ九ＩＩ形成部材に就いて、実施例１と同様の条
件及び手順で転写紙上Ｋ１１ｉｉｌを形成し九ところ極
めて鮮明な画質が得られえ。

／ 実施例１１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＵ基
体上に、第１１表に示す条件で第１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従って、Ｇ＋！）ｉａ／ｌｉｅガスと
５ｉＨａ　／　ｌｉｅガスのガス流量比を層作成経過時
間と共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部
材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しθ５．ＱｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射し丸。光像はタンゲステンランプ光源
を用い、　２１ｕｘ−ｓｅｔの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させ九。

その後直ちにｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアを含
む）を僧形成部材表面をカスケードするととＫよって、
僧形成部材表面上に良好なトナー画儂を得た。傷形成部
材上のトナー１儂をｓ　ｅ、　５．　ＯｋＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写し九所、解儂力に優れ、階調再現性
のよい鮮明な高濃度の１儂が得られた。

実施例１２ 実施例１１に於いて、第１層の作成のＩＩＫは八１の（
８ｉＨ４−１−Ｇｏ）（、）　Ｋ対する流量を、第２層
の作成の際ＫＦｉＢ、Ｈ，のＳｉＨ，に対する流量を第
１２表に示す様に変え先具外は、実施ｆｌｌｌと同様の
条件で電子写真用像形成部材の夫々を作成し喪。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１１と同
様の条件及び手順で転写紙上Ｋｉｌ儂を形成し九ところ
第１２表に示す結果が得られた。

実施例１３ 実施例１−１０に於いて、第２層の作成条件を第１３表
及び第１４表に示す条件にした以外は、各実施例に示す
条件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々（試料Ａ
ｌ３０１−１３１０　。

１４０１−１４１０　）を作成した。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ第１５表に示す結果が得られた。

実施例１４ 実施例ＩＫ於いて、光源をタングステンランプの代シに
８１０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様の
トナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件〒作
成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像の
画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性の
良い鮮明な高品位のｔｈｉ儂が得られ九。

以にの本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：　ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有層−−−−
一約２００”０ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層−ｍ
−約２５０℃放電周波数：　　１３．５８　ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々非晶質層中
のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の説明図、
第１１図は、本発明で旋用された装置の模式的説明図で
、第１２図乃至第１８図は夫々本発明の実施例に於ける
ガス流量−比の変化率曲線を示す＃ｉ明図である０１０
０・・・光導電部材 １０１・・・支持体 １０２・・・非晶質層 出願人　　キャノン株式金社 代理人　　丸　島　儀　−ｒ７ｙ ←−刀デー ９一一一一一一　〇 第１２同 ７′］７渣量比 力°ズブｔｅａ 第１６０ 第１７置

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　光導電部材用の支持体と、誼支持体上に、シリ
   コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
   され丸、第１０層領域とシリ　　１コン原子を含む非晶
   質材料で構成され、光導電部材用す第２の層領域とが前
   記支持体側より馴に設けられ九層構成の非晶質層とを有
   し、　　］帥前記第の層領域中に於けるゲルマニウム原
   子の分布状態が層厚方向に不均一であって、前記第１の
   層領域に伝導性を支配する物質が　３゜含有され、前記
   非晶質層には酸素原子が含有されている事を特徴とする
   光導電部材０１（製　第１の層領域及び１８２０層領域
   の少なくと　　１もいずれか一方に水素原子が含有され
   ている特許請求の範囲１１１１項に記載Ｏ光導電部材。 （３）　　第１の層領域及び１ｓ２０層領域の少なくと
   ４いｆれか一方にハロゲン原子が含有１れて　　ｊいる
   特許請求の範囲第１項及び同第２項に記載の光導電部材
   。 ’４）９１０層領域中に於けるゲルマニウム原子の分布
   状態が前記支持体側の方に多く分布する分布状態である
   特許請求の範囲第１に記載の光導電部材。 旬　伝導性を支配する物質が周期律表嬉厘族に属する原
   子である特許請求の範囲１ＩＥ１項に記載の光導電部材
   。 ：ａ　伝導性を支配する物質が周期律表ｇｖ族に属する
   原子である特許請求の範Ｓ第１項に記載の光導電部材。