JPS58171042A - レーザー光用の光導電部材 - Google Patents
レーザー光用の光導電部材Info
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- JPS58171042A JPS58171042A JP57053603A JP5360382A JPS58171042A JP S58171042 A JPS58171042 A JP S58171042A JP 57053603 A JP57053603 A JP 57053603A JP 5360382 A JP5360382 A JP 5360382A JP S58171042 A JPS58171042 A JP S58171042A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
- G03G5/08228—Silicon-based comprising one or two silicon based layers at least one with varying composition
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光(ここでは広義の光で、紫外光線、III
T視光線、赤外光線、X線、r線等を示す)の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。
T視光線、赤外光線、X線、r線等を示す)の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。
固体撮像装置、或いは傷形成分野における電子写真用僧
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、8N比〔光電fi(lp
)/暗電流(Id))が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングし九吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、史には
固体撮像装置においては、残骨を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用
時における無公害性は重要な点である。
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、8N比〔光電fi(lp
)/暗電流(Id))が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングし九吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、史には
固体撮像装置においては、残骨を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用
時における無公害性は重要な点である。
この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン(以後a−81と表記す)があり
、例えば、独国公開第2746967号公報、同第28
55718号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開@ 2933411号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。
アモルファスシリコン(以後a−81と表記す)があり
、例えば、独国公開第2746967号公報、同第28
55718号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開@ 2933411号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。
丙午ら、従来のa−84で構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感屓、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、結合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。
光導電部材は、暗抵抗値、光感屓、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、結合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。
例えば、電子写真用像形成部ItK適用した場合に、嵩
光感度化、Il&暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従
来においては、その使用時において残雪電位が残る場合
が度々I!測され、ζ0種の光導電部材は長時間繰返し
使用し続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って
、残漬が生ずる所1胃ゴ・、−スト現象を発する様にな
る或いは、鳥速で繰返し使用すると応答性が次第に低下
する等の不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。
光感度化、Il&暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従
来においては、その使用時において残雪電位が残る場合
が度々I!測され、ζ0種の光導電部材は長時間繰返し
使用し続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って
、残漬が生ずる所1胃ゴ・、−スト現象を発する様にな
る或いは、鳥速で繰返し使用すると応答性が次第に低下
する等の不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。
更には、a−8iは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。
又、別には、照射される光が先導を層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起つて、画像の「ボケ」が生ずる一豐因となる。
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起つて、画像の「ボケ」が生ずる一豐因となる。
この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。
更に、a−84材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水*i*
子或いは弗素原子中塩素原子等のハロゲン原子、及び電
気伝導mlO制御の丸めに硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他O原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成し九腫の電気的或いは光
導電的特性に問題が生ずる場合がある。
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水*i*
子或いは弗素原子中塩素原子等のハロゲン原子、及び電
気伝導mlO制御の丸めに硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他O原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成し九腫の電気的或いは光
導電的特性に問題が生ずる場合がある。
即ち、例えば、形成し走光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での置傘が充分でないこ
と、戚いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。
生したフォトキャリアの該層中での置傘が充分でないこ
と、戚いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。
従ってa−8i材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。
本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、a−8i4
C就て電子写真用像形成部材や固体撮像W&置、読取装
置等に使用される光導電部材としての適用性とその応用
性という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、
シリコン原((8i)とゲルマニウム原子(Ge)とを
母体とし、水素原子(l又はハロゲン原子閃のいずれか
一方を少なくとも含有するアモルファス材料、P’r饋
水素化アモルファスシリコンゲルマニウム、ハロゲン化
アモルファスシリコンゲルマニウム、或いは・・ロケン
含有水素化アモルファスシリコンゲルマニ?ム〔以後こ
れ等の総称的表記として[a−8i(fe(H,X月を
使用する〕から構成される光導電性を示す非晶質層を有
する光導電部材の構成を以後に説明される様に特定化し
て作成された光導電部材は実用上着しく優れ走時性を示
すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあら
ゆる点において凌駕していること、殊に電子写真用の先
導IEs材として看しく懺れえ時性を有していること及
び兼波兼側に於ける吸収スペクトル特性に優れているこ
とを兇出し九点に基いている。
C就て電子写真用像形成部材や固体撮像W&置、読取装
置等に使用される光導電部材としての適用性とその応用
性という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、
シリコン原((8i)とゲルマニウム原子(Ge)とを
母体とし、水素原子(l又はハロゲン原子閃のいずれか
一方を少なくとも含有するアモルファス材料、P’r饋
水素化アモルファスシリコンゲルマニウム、ハロゲン化
アモルファスシリコンゲルマニウム、或いは・・ロケン
含有水素化アモルファスシリコンゲルマニ?ム〔以後こ
れ等の総称的表記として[a−8i(fe(H,X月を
使用する〕から構成される光導電性を示す非晶質層を有
する光導電部材の構成を以後に説明される様に特定化し
て作成された光導電部材は実用上着しく優れ走時性を示
すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあら
ゆる点において凌駕していること、殊に電子写真用の先
導IEs材として看しく懺れえ時性を有していること及
び兼波兼側に於ける吸収スペクトル特性に優れているこ
とを兇出し九点に基いている。
本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、兼波長側の光感f時性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は咄んど一欄されない光導電部材を提供す
ることを生える目的とする。
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、兼波長側の光感f時性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は咄んど一欄されない光導電部材を提供す
ることを生える目的とする。
本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が扁<
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。
本発明の他の目的は、電子写真用の連形成部材として適
用させた場合、通常の電子厚真法が極めて有効に適用さ
れ得る11度に、靜電儂形威の為の帯電処理の際の電荷
保持能が充分あり、優れた電子写真特性を有する光導電
部材を提供することである。
用させた場合、通常の電子厚真法が極めて有効に適用さ
れ得る11度に、靜電儂形威の為の帯電処理の際の電荷
保持能が充分あり、優れた電子写真特性を有する光導電
部材を提供することである。
本発明の更に他の、目的は、濃度が亮<、ハーフトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質−偉を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質−偉を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。
本発明の更にもう1つの目的は、高光感度性。
高8N比特性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。
る。
本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された、光導電性を示す非晶質層とを有し、該非晶質層
中には、伝導性を支配する物質が含有されており、前記
非晶質層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚
方向に不均一である事を特徴とする。
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された、光導電性を示す非晶質層とを有し、該非晶質層
中には、伝導性を支配する物質が含有されており、前記
非晶質層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚
方向に不均一である事を特徴とする。
上記した様な層構成を取る様にして設計され九本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。
光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。
殊に、電子写真用傷形成部材として適用さぜた場合には
、−傷形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で1.tfli8N比を有す
るものであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃
度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解@[01
116い、高品質の1儂を安定して繰返し得ることがで
きる。
、−傷形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で1.tfli8N比を有す
るものであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃
度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解@[01
116い、高品質の1儂を安定して繰返し得ることがで
きる。
匹に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が嵩く、殊に半導体レーダとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。
度が嵩く、殊に半導体レーダとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。
以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て絆細に
説明する。
説明する。
第1図は、本発明の第1の実施態様例の光導電部材のJ
lml−成を説明するために模式的に示した模式的構成
図である。
lml−成を説明するために模式的に示した模式的構成
図である。
第1図に示す光導電部材100は、光導電部材用として
の支持体101の上に、a−8i Ge(H,X)から
成る光導電性を有する非晶質層102とを有する。非晶
質層102中に含有されるゲルマニウム原子は、該非晶
Ij&[層102の層厚方向には連続的であって且つ前
記支持体101の設けらrL−である−とは反対のm1
ll(非晶″[1(lo2の表面104側)の方に対し
て前記支持体@(非晶質層1020表$ 105 N
)の方に多く分布した状態となる様に前記非晶質−10
2中に含有される。
の支持体101の上に、a−8i Ge(H,X)から
成る光導電性を有する非晶質層102とを有する。非晶
質層102中に含有されるゲルマニウム原子は、該非晶
Ij&[層102の層厚方向には連続的であって且つ前
記支持体101の設けらrL−である−とは反対のm1
ll(非晶″[1(lo2の表面104側)の方に対し
て前記支持体@(非晶質層1020表$ 105 N
)の方に多く分布した状態となる様に前記非晶質−10
2中に含有される。
本発明の光導電部材においては、非晶°jt−中に含有
されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向におい
ては、前記の様な分布状態を収り、支持体の表向と平行
な面内方間には均一な分布状態とされるのが望ましいも
のである。
されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向におい
ては、前記の様な分布状態を収り、支持体の表向と平行
な面内方間には均一な分布状態とされるのが望ましいも
のである。
本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される非晶質層中には、伝導特性を支配する物質を含
有させることにより、非晶質層の伝導特性を所望に従っ
て任意に制御することが出来る。
有される非晶質層中には、伝導特性を支配する物質を含
有させることにより、非晶質層の伝導特性を所望に従っ
て任意に制御することが出来る。
この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純切を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る非晶質1−を構成する?8iLie (H、X )に
対して、P型伝導特性を与えるP型不純物及びn型伝導
特性を与えるnfli不純物を挙げることが出来る。具
体的には、P51不純物としては周期律表第V族に属す
る原子(第閣族原子)、例えば、B(ill、I)、A
7(アルン二゛ウム)、−(ガリウム) 、 In (
インジウム)。
純切を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る非晶質1−を構成する?8iLie (H、X )に
対して、P型伝導特性を与えるP型不純物及びn型伝導
特性を与えるnfli不純物を挙げることが出来る。具
体的には、P51不純物としては周期律表第V族に属す
る原子(第閣族原子)、例えば、B(ill、I)、A
7(アルン二゛ウム)、−(ガリウム) 、 In (
インジウム)。
T/ (タリウム)等があ抄、殊に好適に用いられるの
は、B、Qa である。
は、B、Qa である。
n型不純物としては、周期律表第V族に属する原子(第
V族j京子)、例えば、P(燐)、As(砒素)、8b
(アンチ毫ン)、Bi(ビスマス)等であ抄、殊に、
好適に用いられるのは、P。
V族j京子)、例えば、P(燐)、As(砒素)、8b
(アンチ毫ン)、Bi(ビスマス)等であ抄、殊に、
好適に用いられるのは、P。
A1である。
本発明に於いて、非晶質層中に含有される伝導特性を制
御する物質の含有量は、該非晶質層に要求される伝導特
性、或いは該非晶質層が直に接触して設けられる支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。
御する物質の含有量は、該非晶質層に要求される伝導特
性、或いは該非晶質層が直に接触して設けられる支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。
父、前記の伝導特性を制御する重質を非晶質層中に含有
させるのに、該非晶質層の所望される相領域に局在的に
含有させる場合、殊に、非晶質層の支持体側一部層領域
に貧有させる場合には、該wI層領域直に接触して設け
られる他の一領域の軸性や、該他の層領域との接触界面
に於ける特性との関係も考慮されて、伝導特性を制御す
る物質の含有量が適宜選択される。゛本発明に於いて、
非晶質1−中に含有される伝導特性を制御する物質の含
*1としては、通常の場合、0.01−5X10’ a
tomic ppm 、好適には0.5〜I X 10
’ atomic ppm 、最適には1〜5 X 1
0” atomicppmとされるのが望ましいもので
ある。
させるのに、該非晶質層の所望される相領域に局在的に
含有させる場合、殊に、非晶質層の支持体側一部層領域
に貧有させる場合には、該wI層領域直に接触して設け
られる他の一領域の軸性や、該他の層領域との接触界面
に於ける特性との関係も考慮されて、伝導特性を制御す
る物質の含有量が適宜選択される。゛本発明に於いて、
非晶質1−中に含有される伝導特性を制御する物質の含
*1としては、通常の場合、0.01−5X10’ a
tomic ppm 、好適には0.5〜I X 10
’ atomic ppm 、最適には1〜5 X 1
0” atomicppmとされるのが望ましいもので
ある。
本発明に於いて、伝導時性ケ支配する1實が含有される
一領域に於ける該物置の含有量が通常は30 atom
ic f)I)m以上、好適には50 atomicp
pm以上、最適には、100 atomic ppm以
上の場合には、前記重質は、非晶質J−の一部の層領域
に局所的に含有させるのが望ましく、殊に非晶質層の支
持体9114部層領域に偏在させるのが望ましい。
一領域に於ける該物置の含有量が通常は30 atom
ic f)I)m以上、好適には50 atomicp
pm以上、最適には、100 atomic ppm以
上の場合には、前記重質は、非晶質J−の一部の層領域
に局所的に含有させるのが望ましく、殊に非晶質層の支
持体9114部層領域に偏在させるのが望ましい。
上記の中、非晶質層の支持体側端部一領域(g)にil
l記の数値以上の含有量となる様に前記の伝導材性を支
配する物質を含有させることによって、例えば該含有さ
せる物置が前記のP型不純物の場合には、非晶質層の自
由表面かの極性に帯電処理を受けた際に支持体側からの
非晶質層中への電子の注入を効果的に阻止することが出
来、又、前記含有させる重質が前記のn型不純物の場合
には、非晶v!−の自由表面がθ極性に帯電処理を受け
た際に、支持体側から非晶質層中への正孔の注入を効果
的に阻止することが出来る。
l記の数値以上の含有量となる様に前記の伝導材性を支
配する物質を含有させることによって、例えば該含有さ
せる物置が前記のP型不純物の場合には、非晶質層の自
由表面かの極性に帯電処理を受けた際に支持体側からの
非晶質層中への電子の注入を効果的に阻止することが出
来、又、前記含有させる重質が前記のn型不純物の場合
には、非晶v!−の自由表面がθ極性に帯電処理を受け
た際に、支持体側から非晶質層中への正孔の注入を効果
的に阻止することが出来る。
この様に、前記4部層領域(g)に一方の極性の伝4特
性を支配する硬質を含有させる場合には、非晶質層の残
りの層領域、即ち、前記端部層領域(g)を除いた部分
の層領域(Z)には、他゛の極性の伝4特性を支配する
物質を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導特性
を支配する#質を、端部j−一領域g)に含有される実
際の童よりも一段と少ない量にして含有させても良いも
のである。
性を支配する硬質を含有させる場合には、非晶質層の残
りの層領域、即ち、前記端部層領域(g)を除いた部分
の層領域(Z)には、他゛の極性の伝4特性を支配する
物質を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導特性
を支配する#質を、端部j−一領域g)に含有される実
際の童よりも一段と少ない量にして含有させても良いも
のである。
この様な場合、前記層領域(Z)中に含有される目iJ
記伝導特性を支配するafllJ質の含有量としては、
4都層領域(g)に含有される前記9!J′j[の慢性
や含有量に応じて所望に従って適宜決定されるものであ
るが、通常の場合、0.001〜1001000ato
ppm、好適には0.05〜500atomic p
pm 。
記伝導特性を支配するafllJ質の含有量としては、
4都層領域(g)に含有される前記9!J′j[の慢性
や含有量に応じて所望に従って適宜決定されるものであ
るが、通常の場合、0.001〜1001000ato
ppm、好適には0.05〜500atomic p
pm 。
最適には0.1〜200 atomic ppm と
されるのが望ましい本のである。
されるのが望ましい本のである。
本発明に於いて、端部層領域(E)及び層領域(Z)に
同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、噛
領* (Z)に於ける含有量としては、好ましくは、3
0 atomic ppm以下とするのが望ましいもの
である。上記した場合の他に、本発明に於いては、非、
fl+l麺質に、一方の慢性を有する伝導性を支配する
物質を含有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性
を支配するり買をき有させた一領域とを直に接触する様
に設けて、該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来
る。詰り、例えば、非晶質層中に、前記のP型不純物を
含有するノー領域と前記のn型不純−を含有する層領域
とを直に接触する様に設けて所+1m p −n接合を
形成して、空乏層を設ゆることが出来る。
同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、噛
領* (Z)に於ける含有量としては、好ましくは、3
0 atomic ppm以下とするのが望ましいもの
である。上記した場合の他に、本発明に於いては、非、
fl+l麺質に、一方の慢性を有する伝導性を支配する
物質を含有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性
を支配するり買をき有させた一領域とを直に接触する様
に設けて、該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来
る。詰り、例えば、非晶質層中に、前記のP型不純物を
含有するノー領域と前記のn型不純−を含有する層領域
とを直に接触する様に設けて所+1m p −n接合を
形成して、空乏層を設ゆることが出来る。
第2図乃至第10図には、本発明における光導′#を部
材の非晶質−中に含有されるゲルマニウム原子のJ11
ii1!Ji方回の分布状態の典型的例が示される。
材の非晶質−中に含有されるゲルマニウム原子のJ11
ii1!Ji方回の分布状態の典型的例が示される。
第2図乃至第10図において、横軸はゲルマニウム原子
の含有tCを縦軸は、光導電性を示す非晶質層の層厚を
示し、tlは支持体側の非晶質層の表面の位置を、t!
は支持体側とは反対側の非晶質層の表圓の位置を示す、
即ち、ゲルマニウム原子の含有される非晶X層は1.側
より1!側に向って層形成がなされる。
の含有tCを縦軸は、光導電性を示す非晶質層の層厚を
示し、tlは支持体側の非晶質層の表面の位置を、t!
は支持体側とは反対側の非晶質層の表圓の位置を示す、
即ち、ゲルマニウム原子の含有される非晶X層は1.側
より1!側に向って層形成がなされる。
!2図には、非晶質層中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状−の第1の典型例が示される。
の層厚方向の分布状−の第1の典型例が示される。
第2図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る非晶質層が形成される表向と該非晶′Jit層の表向
とが接する界面位lt論よりtlの位置までは、ゲルマ
ニウム19子の分布濃度Cが0皿なる一定の値を取り乍
らゲルマニウム原子が形的に減少されている。界面位置
tyにおいてはゲルマニウム原子の5)[1%度CはC
,とされる。
る非晶質層が形成される表向と該非晶′Jit層の表向
とが接する界面位lt論よりtlの位置までは、ゲルマ
ニウム19子の分布濃度Cが0皿なる一定の値を取り乍
らゲルマニウム原子が形的に減少されている。界面位置
tyにおいてはゲルマニウム原子の5)[1%度CはC
,とされる。
第3図に示される例においては、含有される置t!にち
るまで#度C4から徐々に連続的に減少(して位置t〒
において濃度C襲となる様な分布状態を形成している。
るまで#度C4から徐々に連続的に減少(して位置t〒
において濃度C襲となる様な分布状態を形成している。
第4図の場合には、位置tBより位[hまではゲルマニ
ウム原子の分布#度Cは濃度C−と一定値とされ、位置
型2と位置tTとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置tTにおいて、分布濃度Cは実質的に零とされ
ている(ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合で
ある)。
ウム原子の分布#度Cは濃度C−と一定値とされ、位置
型2と位置tTとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置tTにおいて、分布濃度Cは実質的に零とされ
ている(ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合で
ある)。
より連続的に徐々に減少され、位置型!において実質的
に零とされている。
に零とされている。
菖6図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
[Cは、位置1.と位l1ts間においては、濃[C・
と一定値であり、位置t!においてはと 濃[Cte7sされる。位1t、と位置t!との間では
、分布濃度Cは一次関数的に位@1.よ秒位[tテに至
るまで減少されている。
[Cは、位置1.と位l1ts間においては、濃[C・
と一定値であり、位置t!においてはと 濃[Cte7sされる。位1t、と位置t!との間では
、分布濃度Cは一次関数的に位@1.よ秒位[tテに至
るまで減少されている。
第7図に示される例においては、分布濃度Cは位111
mより位WLtaまでは濃fC11の一定値をlll1
抄、位置t4より位置1!までは濃度C1嘗より濃tc
ssまで一次関数的に減少する分布状態とされている。
mより位WLtaまでは濃fC11の一定値をlll1
抄、位置t4より位置1!までは濃度C1嘗より濃tc
ssまで一次関数的に減少する分布状態とされている。
は濃度eta より実質的に零に至る様に一次関数的に
減少している。
減少している。
絽9図においては、位置tlより位置tlK至るまでは
ゲルマニウム原子の分布−[Cは、濃度ell より濃
度−−まで−次間数的に減少され、位[tlと位111
1ttとの関においては、濃度Ctaの一定値とされた
例が示されている。
ゲルマニウム原子の分布−[Cは、濃度ell より濃
度−−まで−次間数的に減少され、位[tlと位111
1ttとの関においては、濃度Ctaの一定値とされた
例が示されている。
第10図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布*[Cは位@1.において−1[ctyでToユ、
位lft−に至るまではこの濃FIC1v より初めは
ゆつくねと減少され、書・の位置付近においては、急激
に減少されて位111t・では貴WLcIIとされる。
分布*[Cは位@1.において−1[ctyでToユ、
位lft−に至るまではこの濃FIC1v より初めは
ゆつくねと減少され、書・の位置付近においては、急激
に減少されて位111t・では貴WLcIIとされる。
位置t・と位置t1 との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位@1
マでafct*となり、位置t1と位置t−との間では
、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置tsにおいて
、濃度C雪・に至丸る。位Itsと位[tyの間におい
ては、濃[C鉤より実質的に零になる様に図に示す如き
形状の曲−に従って減少されている。
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位@1
マでafct*となり、位置t1と位置t−との間では
、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置tsにおいて
、濃度C雪・に至丸る。位Itsと位[tyの間におい
ては、濃[C鉤より実質的に零になる様に図に示す如き
形状の曲−に従って減少されている。
以上、aK2図乃至第10図により、非晶質層中に含有
されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状轢の典型例
の幾つかを説明し丸様に、本発明においては、支持体側
において、ゲルマニウム原子の分布*VtCの高い部分
を有し、界面t! 鰻においては、前記分布層[Cは支
持体側に較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニ
ウム原子の分布状態が非晶質−に設けられている。
されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状轢の典型例
の幾つかを説明し丸様に、本発明においては、支持体側
において、ゲルマニウム原子の分布*VtCの高い部分
を有し、界面t! 鰻においては、前記分布層[Cは支
持体側に較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニ
ウム原子の分布状態が非晶質−に設けられている。
本発明に於ける光導電部材を構成する非晶質層は好まし
くは上記し先様に支持体側の方にゲルマニウム原子が比
較的高濃度で含有されている局在領域(A) 1に有す
るのが望まし一〇本発明に於いては局在領域(2)は、
−第2図乃至410図に示す記号を用いて説明すれば、
界−位[tmより5μ以内に設けられるのが望ましいも
のである。
くは上記し先様に支持体側の方にゲルマニウム原子が比
較的高濃度で含有されている局在領域(A) 1に有す
るのが望まし一〇本発明に於いては局在領域(2)は、
−第2図乃至410図に示す記号を用いて説明すれば、
界−位[tmより5μ以内に設けられるのが望ましいも
のである。
本発明においては、上記局在懺域^社、界面位111m
より5μ厚までの全層領域(Lりとされる場合もあるし
、父、層領域(Lりの一部とされる場合もある。
より5μ厚までの全層領域(Lりとされる場合もあるし
、父、層領域(Lりの一部とされる場合もある。
局在領域内を層領域(L?)の一部とするか又は全部と
するかは、形成される非晶質層に要求される特性に従っ
て適宜法められる。
するかは、形成される非晶質層に要求される特性に従っ
て適宜法められる。
局在領域内はその中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布#度の
最大値Cmaxがシリコン原子に対して、通常は100
0 atomic pprn 以上、好適K #′15
000atornic pprn以上、最適にはlXl
0’atomic ppm以上とされる様な分布状態と
なり得る様に層形成されるのが望ましい。
厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布#度の
最大値Cmaxがシリコン原子に対して、通常は100
0 atomic pprn 以上、好適K #′15
000atornic pprn以上、最適にはlXl
0’atomic ppm以上とされる様な分布状態と
なり得る様に層形成されるのが望ましい。
即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る非晶質層は、支持体側からの層厚で5μ以内(tss
から5μ厚の層領域)に分布濃度の般大値Cmax が
存在する様に形成されるのが好ましいものである。
る非晶質層は、支持体側からの層厚で5μ以内(tss
から5μ厚の層領域)に分布濃度の般大値Cmax が
存在する様に形成されるのが好ましいものである。
本発明において、非晶質1−中に含有されるゲルマニウ
ム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成
される様に所望に従って適宜法められるが、通常は1〜
9.5X10%atomic ppm、好ましくは1
00〜8.OX 10’atomic ppm、 鍛
適には、500〜7 X 10’atomic ppm
とされるツカ望ましいものである。
ム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成
される様に所望に従って適宜法められるが、通常は1〜
9.5X10%atomic ppm、好ましくは1
00〜8.OX 10’atomic ppm、 鍛
適には、500〜7 X 10’atomic ppm
とされるツカ望ましいものである。
本発明において、必要に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子内としては、具体的にはフッ素、塩素、臭
素1wつ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なもの
として挙げることが出来る。
ハロゲン原子内としては、具体的にはフッ素、塩素、臭
素1wつ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なもの
として挙げることが出来る。
本発明において、a−8iGe(H,X)で構成される
非晶質層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタ
リング法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象
を利用する真空堆積法によって成される。例えは、グロ
ー放電法によって、a−8i Ge (H、K)で構成
される非晶質層を形成するには、基本的にはシリコン原
子(81)を供給し得る81供給用の原料ガスとゲルマ
ニウム原子(伽)を供給し得る伽供給用oH料ガスと必
要に♂じて水素原子0導入用の原料オス又は/及びハロ
ゲン原子N4入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆
積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグ
四−放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上に含有されるゲルマニウム原子の分布
濃度を所望の変化率曲線に従って制御し乍ら1−8i
()e ()i、X)からなる層を形成させれば喪い。
非晶質層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタ
リング法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象
を利用する真空堆積法によって成される。例えは、グロ
ー放電法によって、a−8i Ge (H、K)で構成
される非晶質層を形成するには、基本的にはシリコン原
子(81)を供給し得る81供給用の原料ガスとゲルマ
ニウム原子(伽)を供給し得る伽供給用oH料ガスと必
要に♂じて水素原子0導入用の原料オス又は/及びハロ
ゲン原子N4入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆
積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグ
四−放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上に含有されるゲルマニウム原子の分布
濃度を所望の変化率曲線に従って制御し乍ら1−8i
()e ()i、X)からなる層を形成させれば喪い。
父、スパッタリング法で形成する場合には、例えばAr
、 He−1)の不活性ガス又はこれ等のオスをペー
スとし先混合ガスの雰囲気中で84で構成され九ターゲ
ット、或いは該ターゲットとGeで構成され九ターゲッ
トの二枚を使用して、又祉、8iとjの混合されたター
ゲットを使用して、必要に応じてHe e Ar等の稀
釈ガスで稀釈され九Ge供給用の原料ガスを、必要に応
じて、水素原子(l又は/及びハロゲン原子N4入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガス
プラズマ雰囲気を形成すると共に前記Ge供給用の原料
ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制御し乍ら
、萌紀のターゲットをスパッターリングしてやれば良い
。
、 He−1)の不活性ガス又はこれ等のオスをペー
スとし先混合ガスの雰囲気中で84で構成され九ターゲ
ット、或いは該ターゲットとGeで構成され九ターゲッ
トの二枚を使用して、又祉、8iとjの混合されたター
ゲットを使用して、必要に応じてHe e Ar等の稀
釈ガスで稀釈され九Ge供給用の原料ガスを、必要に応
じて、水素原子(l又は/及びハロゲン原子N4入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガス
プラズマ雰囲気を形成すると共に前記Ge供給用の原料
ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制御し乍ら
、萌紀のターゲットをスパッターリングしてやれば良い
。
イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法(EB法)等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッタ
リングの場合と同様にする事で行う事が出来る。
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法(EB法)等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッタ
リングの場合と同様にする事で行う事が出来る。
本発明において使用される8i供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、8iH4,8i1H・、 si、z
。
得る物質としては、8iH4,8i1H・、 si、z
。
8i4H1・等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素(シラン類)が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い島さ、8i供給効率の良
さ等の点で8iH4、8imHsが好ましいものとして
挙げられる。伽供給用の原料ガスと成り得る物質として
は、GeHa 、 G−島、Us s Ha 。
素(シラン類)が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い島さ、8i供給効率の良
さ等の点で8iH4、8imHsが好ましいものとして
挙げられる。伽供給用の原料ガスと成り得る物質として
は、GeHa 、 G−島、Us s Ha 。
Ge4Hte 、 GesHxm 、 Go@H14、
Ge4Hte 、 Ge5Hta 、 (h*Hs*等
のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有
効に使用されるものとして挙げられ、殊に、鳩作成作業
時の取扱い易さ、伽供給効率の良さ等の点で、GeH4
、(h@H4、Os@H4が好ましい本のとして挙げら
れる。
Ge4Hte 、 Ge5Hta 、 (h*Hs*等
のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有
効に使用されるものとして挙げられ、殊に、鳩作成作業
時の取扱い易さ、伽供給効率の良さ等の点で、GeH4
、(h@H4、Os@H4が好ましい本のとして挙げら
れる。
本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン原子1が挙げられ
、例えばハロゲン原子、ハロゲン、化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン酩導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。
スとして有効なのは、多くのハロゲン原子1が挙げられ
、例えばハロゲン原子、ハロゲン、化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン酩導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。
父、轍には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。
本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ン原子、BrF’、 C/F 、 CIFB。
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ン原子、BrF’、 C/F 、 CIFB。
BrF’l、 BrF’l、 IFI、 IF7. l
c7.lBr等のハEllゲン関化合齋を挙げることが
出来る。
c7.lBr等のハEllゲン関化合齋を挙げることが
出来る。
ハロゲン原子をSむ硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば8
iF4 、 Six F’s 、 81C14、8i1
3r4等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる
ことが出来る。
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば8
iF4 、 Six F’s 、 81C14、8i1
3r4等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる
ことが出来る。
この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、伽供給用の原料ガスと共に84を供給し得
る臓科ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所望の支持体上にハロゲン原子を含むa−8iGeから
成る非晶質層を形成する事が出来る。
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、伽供給用の原料ガスと共に84を供給し得
る臓科ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所望の支持体上にハロゲン原子を含むa−8iGeから
成る非晶質層を形成する事が出来る。
グロー放電法に従って、/%Dゲン原子を含む非晶′l
t層を製造する場合、基本的には例えばSi供給用の阜
料ガスとなるハロゲン化硅素と伽供給用の原料ガスとな
る水素化ゲルマニウムとAr。
t層を製造する場合、基本的には例えばSi供給用の阜
料ガスとなるハロゲン化硅素と伽供給用の原料ガスとな
る水素化ゲルマニウムとAr。
Hl、l−1e 等のガス等を所定01%合比とガス流
量になる様にして非晶質層を形成する堆積室に導入し、
グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を
形成することによって、所望の支持体上に非晶質−を形
成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を−
III容易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素
ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合
して層形成しても良い。
量になる様にして非晶質層を形成する堆積室に導入し、
グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を
形成することによって、所望の支持体上に非晶質−を形
成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を−
III容易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素
ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合
して層形成しても良い。
又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。
合して使用しても差支えないものである。
スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。
父、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、ll雪、或いは前記したシラン類又は
/及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。
料ガス、例えば、ll雪、或いは前記したシラン類又は
/及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。
本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、)IP、HC/。
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、)IP、HC/。
)tar、)ll 等のハロゲン化水素、SiHIFg
、 8iH111。
、 8iH111。
SkH@C1H、5it(c/、 、 5iH1Br2
、5iHBr3専のハロゲン置換水素化硅素、及び(
kHk’s 、 (3eH* Fs 、 GeHmF
。
、5iHBr3専のハロゲン置換水素化硅素、及び(
kHk’s 、 (3eH* Fs 、 GeHmF
。
GeHCjs 、 GeH2C1m 、 GeHsCl
、 GeHBr1 、 □H@ Brl 。
、 GeHBr1 、 □H@ Brl 。
GeHl Br 、 (jeHlB 、 GeHs I
s 、 GIIHs 1等の水嵩化ハーゲン化ゲルマニ
ウム、等の水素原子を構成要素の1つとするハロゲン原
子、GeF4 、 QeCla 、伽Br4eGeI4
、 GeFm 、 (hcb 、 GeBr5 、
Ge1g 等の2、。ゲ。
s 、 GIIHs 1等の水嵩化ハーゲン化ゲルマニ
ウム、等の水素原子を構成要素の1つとするハロゲン原
子、GeF4 、 QeCla 、伽Br4eGeI4
、 GeFm 、 (hcb 、 GeBr5 、
Ge1g 等の2、。ゲ。
化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る
1質も有効な非晶質層形成用の出発物質として挙げる拳
が出来る。
1質も有効な非晶質層形成用の出発物質として挙げる拳
が出来る。
これ等の物質の中水素原子を含むパーダン化物は、非晶
質層形成の際K11ll中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン
導入用の原料として使用される。
質層形成の際K11ll中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン
導入用の原料として使用される。
水素原子を非tJS質層中に構造的に導入するには、上
記の他にB2 、或いは8iH4、8i1山、 5il
H@ 。
記の他にB2 、或いは8iH4、8i1山、 5il
H@ 。
8i、)i、・尋の水素化硅素をセを供給する為のゲル
マニウム又はゲルマニウム化合響と、或いは、QeH4
、QelH@ 、 Ge5H@ 、 Ge4Hts、
()e@Hu 、 G・@’14sGe7H1@
、 Ge1)ill 、 Ge@HH4#0水素化ゲk
ff 、= 9゜とStを供給する為のシリコン又は
シリコン化合−と、を堆積室中に共存させて放電を生起
させる事でも行う事が出来る。
マニウム又はゲルマニウム化合響と、或いは、QeH4
、QelH@ 、 Ge5H@ 、 Ge4Hts、
()e@Hu 、 G・@’14sGe7H1@
、 Ge1)ill 、 Ge@HH4#0水素化ゲk
ff 、= 9゜とStを供給する為のシリコン又は
シリコン化合−と、を堆積室中に共存させて放電を生起
させる事でも行う事が出来る。
本発明の好ましい例において、形成される光導(部材の
非晶質1−中にぽ有される水素原子(1の緻、又はハロ
ゲン原子(Nの皺、又は水′1g原子とハロゲン原子の
瞳の和(H+X)は通常の場合0.01〜40atom
ic%、好適には0.05〜30 atomic (4
。
非晶質1−中にぽ有される水素原子(1の緻、又はハロ
ゲン原子(Nの皺、又は水′1g原子とハロゲン原子の
瞳の和(H+X)は通常の場合0.01〜40atom
ic%、好適には0.05〜30 atomic (4
。
鍛適には0.1〜25 atomic%とされるのが望
ましい。
ましい。
非晶質層中に含有される水素原子(H)又は/及びハロ
ゲン原子(X)の瞳を制御するには、例えば支持体温度
又は/及び水素原子(H)、或いはハロゲン原子(X)
を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ
導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。
ゲン原子(X)の瞳を制御するには、例えば支持体温度
又は/及び水素原子(H)、或いはハロゲン原子(X)
を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ
導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。
非晶質層中に、伝導特性を制御する物質、例えば、第■
族原子或いは第■族原子を構造的に導入するには、1−
形成の際に、第■族原子導入用の出発重質或いは第v族
原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、非晶質
層を形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば真
い。
族原子或いは第■族原子を構造的に導入するには、1−
形成の際に、第■族原子導入用の出発重質或いは第v族
原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、非晶質
層を形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば真
い。
この様な第厘族原子導入用の出発物質と成り得るものと
しては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容島にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第厘族原子導入用の出発物質として具体的
には硼素庫子導入用としては、8m”@5B4Hj@s
Bl’l B11(11eB@H1@ * B@H1l
e B@”14 ’等の水素化硼素、* BFl m
acz、eBars 等のハロゲン化硼素等が挙げら
れる。この他、klcls 、 QaCls 、 Ga
(CHs)s 、 Incls 、 TjCjs等も挙
げることが出来る。
しては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容島にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第厘族原子導入用の出発物質として具体的
には硼素庫子導入用としては、8m”@5B4Hj@s
Bl’l B11(11eB@H1@ * B@H1l
e B@”14 ’等の水素化硼素、* BFl m
acz、eBars 等のハロゲン化硼素等が挙げら
れる。この他、klcls 、 QaCls 、 Ga
(CHs)s 、 Incls 、 TjCjs等も挙
げることが出来る。
第■族原子導入用の出発−質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、’PHs
、 P、H4等の水素比隣、P)14I 、 PF、
。
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、’PHs
、 P、H4等の水素比隣、P)14I 、 PF、
。
PF5 、 PCl3 、 PC/@ 、 PBrl
、 PBrl 、 PIE等の/% IcIゲン化燐比
隣げられる。この他、AsHl 、AsF5. AsC
jl 。
、 PBrl 、 PIE等の/% IcIゲン化燐比
隣げられる。この他、AsHl 、AsF5. AsC
jl 。
AsBr1. ksF@、 8bH1、8bF1.Sb
F5.5bczs、 8bC1@。
F5.5bczs、 8bC1@。
BiHl 、 BiC/1 、 B1Br1%もSV*
t*子導入用の出発−貞の有効なものとして挙げること
が出来る。
t*子導入用の出発−貞の有効なものとして挙げること
が出来る。
本発明の光導電部材に於ける非晶質層の禰厚られ1、通
常は、1〜100μ、好適には1〜80μ、最適には2
〜50μとされるのが望ましい。
常は、1〜100μ、好適には1〜80μ、最適には2
〜50μとされるのが望ましい。
本発明に於いて、非晶質層を構成し、伝導特性を支配す
る1貿を含有して支持体側に偏在して設けられる層領域
の層厚としては、該j一層領域該層領域上に形成される
非晶質層を構成する他の層領域とに要求される特性に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、その下
限としては通常の場合には、30ム以上、好適には40
五以上、峡適には、50λ以上とされるのが望ましいも
のである。
る1貿を含有して支持体側に偏在して設けられる層領域
の層厚としては、該j一層領域該層領域上に形成される
非晶質層を構成する他の層領域とに要求される特性に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、その下
限としては通常の場合には、30ム以上、好適には40
五以上、峡適には、50λ以上とされるのが望ましいも
のである。
父、上記層領域中に含有される伝導特性を制御する物質
の含有駿が30 atomic ppm以上とされる場
合には、該層領域のL−厚の上限としては、通常5μ以
)、好適には4μ以下、最適には3μ以下とされるのが
望ましい。
の含有駿が30 atomic ppm以上とされる場
合には、該層領域のL−厚の上限としては、通常5μ以
)、好適には4μ以下、最適には3μ以下とされるのが
望ましい。
本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても夷い、導電性支持体としては、例
えば、NiCr、ステンレス。
電気絶縁性であっても夷い、導電性支持体としては、例
えば、NiCr、ステンレス。
AZ、 Cr、 Mo、 Au、 Nb、 Ta、 V
、 Ti 、 Pt、 Pd等の金属又はこれ等の合金
が挙げられる。
、 Ti 、 Pt、 Pd等の金属又はこれ等の合金
が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。
ポリエチレノ、ポリカーボネート、セルー−ズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。
ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ボリア2ド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。
セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理され九表面賛に他の−が設けられ
るのが望ましい。
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理され九表面賛に他の−が設けられ
るのが望ましい。
例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr。
AZ e Cr s Mo * Au @ I
r e Nb e Ta e V e ’r’
K m Pt e PdelnloB 、 8nO
1、ITO(1s雪Om +8nOs) 4から成る薄
膜を設けることによって導電性が付与され、或いはポリ
エステルフィルム◆の合成樹脂フィルムであれば、Ni
Cr 、 AZ、 Ag、 Pb、 ZIl、 Ni
、ムu、Cr。
r e Nb e Ta e V e ’r’
K m Pt e PdelnloB 、 8nO
1、ITO(1s雪Om +8nOs) 4から成る薄
膜を設けることによって導電性が付与され、或いはポリ
エステルフィルム◆の合成樹脂フィルムであれば、Ni
Cr 、 AZ、 Ag、 Pb、 ZIl、 Ni
、ムu、Cr。
Mo、 lr、 Nb、 Ta、 V、 Tj、 Pt
等の金属4DllJll[を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付
与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、181図の光導電部材100を電
子4真用像形成部材として使用するのであれば連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成
される様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮
される1!i!囲内であれd可能な限り薄くされる。百
年ら、この様な場合支持体の製造−L及び取扱い上、機
械的強If等の点から、通常は、lOμ以上とされる。
等の金属4DllJll[を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付
与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、181図の光導電部材100を電
子4真用像形成部材として使用するのであれば連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成
される様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮
される1!i!囲内であれd可能な限り薄くされる。百
年ら、この様な場合支持体の製造−L及び取扱い上、機
械的強If等の点から、通常は、lOμ以上とされる。
次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。
て説明する。
第11図に光導電部材の製造装置の一例を示す。
。図中の1102〜1106のガスボンベ には、本発
明の光導電部材を形成するため一0WA料ガスが密剥さ
れており、その1例として九とえば1102は、Heで
稀釈された8iHaガス(純度99.999唾。
明の光導電部材を形成するため一0WA料ガスが密剥さ
れており、その1例として九とえば1102は、Heで
稀釈された8iHaガス(純度99.999唾。
以下8iH4/Heと略す。)ボンベ、1103はHa
で希釈されたGeH4ガス(純1fL99.999%、
以下GeH4/Heと略す、)ボンベ、1104はHe
で希釈されたSiF、ガス(純[999!1%、以下8
i F4/Haと略す、)ボンベ、1105はHeで
稀釈され九へ1カス(純[99,999% 、以下、
B1H4/Heと略す)ボンベ、1106はH3ガス(
純度99.999鴫)ボンベである。
で希釈されたGeH4ガス(純1fL99.999%、
以下GeH4/Heと略す、)ボンベ、1104はHe
で希釈されたSiF、ガス(純[999!1%、以下8
i F4/Haと略す、)ボンベ、1105はHeで
稀釈され九へ1カス(純[99,999% 、以下、
B1H4/Heと略す)ボンベ、1106はH3ガス(
純度99.999鴫)ボンベである。
これらのガスを反応室1101 に流入させるにはガス
ボンベ1102〜1106 のパルプ1122−112
6゜リークパルプ1135が閉じられていることを確認
し、父、流入パルプ1112〜1116、流出パルプ1
117〜1121、補助パルプ1132.1133が開
かれていることを確認して、先づメインパルプ1134
をる。/Xvc具!1tt1136のlll−’%>f
15 X 10”turf Kなっ九時点で補助パルプ
1132.1133、流出パルプ1117〜1121を
閉じる。
ボンベ1102〜1106 のパルプ1122−112
6゜リークパルプ1135が閉じられていることを確認
し、父、流入パルプ1112〜1116、流出パルプ1
117〜1121、補助パルプ1132.1133が開
かれていることを確認して、先づメインパルプ1134
をる。/Xvc具!1tt1136のlll−’%>f
15 X 10”turf Kなっ九時点で補助パルプ
1132.1133、流出パルプ1117〜1121を
閉じる。
次にシリンダー状基体1137上に非晶質層を形成する
場合の1例をあげると、ガスポ/・べ1102よりSi
H4/Heガス、ガスボンベ1103より(h市4 /
Heガス、ガスボンベ1105より8.H・/Heガス
をパルプ1122.1123.1125を夫々間いて出
口圧ゲージ1127.1128.1130の圧を1kg
/(1m”KJ整L、m入ハル7’1l12.1113
,1115ヲ徐々に開ケて、マスフロコントローフ11
07゜1108、1110内に夫々流入させる。引き続
いて流出パルプ1117.1118.1120. 補
助パルプ1132を徐々に開いて夫々のガスを反応室1
101に流入させる。このときの8iH4/Heガス流
敏とQeH4/HeガスtlttとB2H4/1−1e
lj スtlt t トcD 比カ所望の値になるよ
うに流出パルプ1117.1118゜1120を調整し
、又、反応室1101内の圧力が所望の埴になるように
真空計1136の読みを見ながらメインパルプ1134
の開口を調整する。
場合の1例をあげると、ガスポ/・べ1102よりSi
H4/Heガス、ガスボンベ1103より(h市4 /
Heガス、ガスボンベ1105より8.H・/Heガス
をパルプ1122.1123.1125を夫々間いて出
口圧ゲージ1127.1128.1130の圧を1kg
/(1m”KJ整L、m入ハル7’1l12.1113
,1115ヲ徐々に開ケて、マスフロコントローフ11
07゜1108、1110内に夫々流入させる。引き続
いて流出パルプ1117.1118.1120. 補
助パルプ1132を徐々に開いて夫々のガスを反応室1
101に流入させる。このときの8iH4/Heガス流
敏とQeH4/HeガスtlttとB2H4/1−1e
lj スtlt t トcD 比カ所望の値になるよ
うに流出パルプ1117.1118゜1120を調整し
、又、反応室1101内の圧力が所望の埴になるように
真空計1136の読みを見ながらメインパルプ1134
の開口を調整する。
そして基体1137の温度が加熱ヒーター1138によ
り50〜400℃の範囲の温[K設定されていることを
M認された後、電源1140を所望の電力に設置して反
応室1101内にグロー放電を生起させ、同時にあらか
じめ設計され圧変化率曲線に従ってGeH4/Heガス
の流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によって
パルプ111Bの開口を漸次変化させる操作を行なって
形成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分布濃
度を制御する。この様にして、基体1137上に非晶質
層を形成する。
り50〜400℃の範囲の温[K設定されていることを
M認された後、電源1140を所望の電力に設置して反
応室1101内にグロー放電を生起させ、同時にあらか
じめ設計され圧変化率曲線に従ってGeH4/Heガス
の流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によって
パルプ111Bの開口を漸次変化させる操作を行なって
形成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分布濃
度を制御する。この様にして、基体1137上に非晶質
層を形成する。
又、層形成を打っている間は層形成の均一化を計るため
基体1137はモータ1139により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。
基体1137はモータ1139により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。
以下実施例について説明する。
実施例1
第11図に示し九製造装置にょシ、シリンダー状のムI
基体上に1第11il!に示す条件で第12図に示すガ
ス流量比の変化率−纏に従って、0・I4/H・ガスと
81114/)I・ガスのガス流量比を層作成経過時間
と共に変化させて層形成を行って電子写真用*形成部材
を得九。
基体上に1第11il!に示す条件で第12図に示すガ
ス流量比の変化率−纏に従って、0・I4/H・ガスと
81114/)I・ガスのガス流量比を層作成経過時間
と共に変化させて層形成を行って電子写真用*形成部材
を得九。
こうして得られえ像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しΦ5.OKマで0.5−・0間コロナ帯電を行い、
直ちに光量を照射し走光儂はタングステンランプ光源を
用い、2111x・1・Cの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させ丸。
置しΦ5.OKマで0.5−・0間コロナ帯電を行い、
直ちに光量を照射し走光儂はタングステンランプ光源を
用い、2111x・1・Cの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させ丸。
その後直ちに、 C)荷電性の現俸剤(トナーとキャリ
アーを含む)を僧形成部材表面をカスケードすることく
よって、僧形成部材表面上KIL好なトナー画像を得た
。傷形成部材上のトナー1i1i儂を、@5.OKVの
コロナ帯電で転写紙上に転写した所、解僚力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。
アーを含む)を僧形成部材表面をカスケードすることく
よって、僧形成部材表面上KIL好なトナー画像を得た
。傷形成部材上のトナー1i1i儂を、@5.OKVの
コロナ帯電で転写紙上に転写した所、解僚力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。
実施例2
第11図に示し丸製造装置によ)、第211に示す条件
で第1S図に示すガス流量比の変化率−纏に従って、G
@II4/I・ガスと111m4/I・IスOガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、そO他の条件杜l
!論例1と同様にして、層形成を行って電子1真用像形
成部材を得え。
で第1S図に示すガス流量比の変化率−纏に従って、G
@II4/I・ガスと111m4/I・IスOガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、そO他の条件杜l
!論例1と同様にして、層形成を行って電子1真用像形
成部材を得え。
こうして得られた像形成I11Kmいて、実施例1と同
様の条件及び手順で転写紙上K11llを形成し九とこ
ろ極めて鮮wAik画質が得られえ。
様の条件及び手順で転写紙上K11llを形成し九とこ
ろ極めて鮮wAik画質が得られえ。
実施例S
第11図に示し丸製造装置によ)、lIi%l!に示す
条件で第14図に示すjス滝量比O変化率―線に従って
、G・114/H・ガスと1iI4/I@l J ej
オス流量比層作成経過時間と共に変化畜せ、その他の条
件は実施例1と同様にして、層形成を行って電子写真用
惨形成部材を得え。
条件で第14図に示すjス滝量比O変化率―線に従って
、G・114/H・ガスと1iI4/I@l J ej
オス流量比層作成経過時間と共に変化畜せ、その他の条
件は実施例1と同様にして、層形成を行って電子写真用
惨形成部材を得え。
こうして得られ九倫形成部材に就いて、実施例1と同様
の条件及び手順で転写紙上に両会を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られえ。
の条件及び手順で転写紙上に両会を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られえ。
実施例4
第11図に示し友製造装置によシ、第4表に示す条件で
第15図に示すガス流量比の変化率−纏に従って、G@
I4/H・ガスと81H4/B・ガスのオス流量比を層
作成経過時間と共に変化さぜ、その他の条件は実施例1
と同様にして、層形成を行って電子写真用僧形成部材を
得た。
第15図に示すガス流量比の変化率−纏に従って、G@
I4/H・ガスと81H4/B・ガスのオス流量比を層
作成経過時間と共に変化さぜ、その他の条件は実施例1
と同様にして、層形成を行って電子写真用僧形成部材を
得た。
こうして得られ九儂形成部材に就いて、実施例1と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られた。
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られた。
実施例5
第11図に示し丸製造装置によシ、第5IJ&に示す条
件で第16図に示すガス流量比の変化率−線に従って、
G・H4/H・ガスとB1114/II・ガスのずス流
量比を層作友経過時間と共に変化させ、その他の条件は
実施例1と同様にして、層形成を行って電子写真用僧形
成部材を得丸。
件で第16図に示すガス流量比の変化率−線に従って、
G・H4/H・ガスとB1114/II・ガスのずス流
量比を層作友経過時間と共に変化させ、その他の条件は
実施例1と同様にして、層形成を行って電子写真用僧形
成部材を得丸。
ζうして得られた僧形成部材に就いて、実施例1と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られ友。
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られ友。
実施−6
第11図に示し丸贋造装置(よ)、第4表に示す条件で
第17図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、0・
II4/H・ガスとai14/I・5XOlス流量比を
層作成経過時間と共に変化さぜ、その他の条件は実施例
1と同様にして、層形成を行って電子写真用****1
1替を得え。
第17図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、0・
II4/H・ガスとai14/I・5XOlス流量比を
層作成経過時間と共に変化さぜ、その他の条件は実施例
1と同様にして、層形成を行って電子写真用****1
1替を得え。
ζうして得られ九儂形成ttに就いて、実施例1と同様
の条件及び手順で転写紙上(−像を拳成し九とζろ極め
て岬li&画質が得られ友。
の条件及び手順で転写紙上(−像を拳成し九とζろ極め
て岬li&画質が得られ友。
実施例7
第11図に示し丸製造装置によ)、第7表に示す条件で
4Is111図に示すガス流量比の変化率―纏に1Mっ
て、()@Ha /11@ jlスとれI4/II@、
(スOガス流量比を層作成経過時閾と共に変化させ、そ
の他の条件は実施例1と同様(して、層形成を行って電
子写真用儂形成部材を得え。
4Is111図に示すガス流量比の変化率―纏に1Mっ
て、()@Ha /11@ jlスとれI4/II@、
(スOガス流量比を層作成経過時閾と共に変化させ、そ
の他の条件は実施例1と同様(して、層形成を行って電
子写真用儂形成部材を得え。
こうして得られ九偉形成薄材に就いて、実施例1と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られ友。
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られ友。
実施例8
実施例1KIIk−で、B1lI4/H・ガスの代りに
112m、/II・ガスを使用し、第8表に示す条件に
し走風外は、実施例1と同様の条件にして層形成を行っ
て電子写真用1形成部材を得た。
112m、/II・ガスを使用し、第8表に示す条件に
し走風外は、実施例1と同様の条件にして層形成を行っ
て電子写真用1形成部材を得た。
ζうして得られ九偉形成部材に就いて、実施例1−と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し友とζろ極
めて鮮明な画質が得られ九。
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し友とζろ極
めて鮮明な画質が得られ九。
**例9
実施例1に於いて、81Ha/勤ガスの代ヤに11ν4
/H・ガスを使用し、第9表に示す条件にし走風外は、
実施例1と同様の条件にして層形成を行って電子写真用
儂形成部材を得九。
/H・ガスを使用し、第9表に示す条件にし走風外は、
実施例1と同様の条件にして層形成を行って電子写真用
儂形成部材を得九。
こうして得られた儂形成部材に就いて、実施例1と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られ丸。
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られ丸。
実施例10
実施例1に於いて、5in4/a・ガスの代)K(81
H4/I!@ +8114/11@ )ガスを使用し、
第10表に示す条件にした以外は、実施例1と同様の条
件にして層形成を行って電子写真用1a形成部材を得え
。
H4/I!@ +8114/11@ )ガスを使用し、
第10表に示す条件にした以外は、実施例1と同様の条
件にして層形成を行って電子写真用1a形成部材を得え
。
ζうして得られ九儂形威部#に就−て、実施例1と同様
O条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られえ。
O条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られえ。
実施例11
第1111に示し丸製造装置によ)、シ!ンダー状OA
4基体上に1第11表に示す条件で第12図に示すjス
流量比り*化率−纏KI!つて、G@14/I・ガスと
!11H4/I・ガスOガス流量比を層作成経過時間と
共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成S#を
得え。
4基体上に1第11表に示す条件で第12図に示すjス
流量比り*化率−纏KI!つて、G@14/I・ガスと
!11H4/I・ガスOガス流量比を層作成経過時間と
共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成S#を
得え。
こうして得られ九儂形成部材を、帯電露党夷験装置に設
置しθ5.0にマで01S−・0間:10ナ膏電を行い
、直ちに光量を慝射し九党像はタングステンランプ光源
を用−121ux・−・Cの光量を透過IIのテストチ
ャートを通して照射させえ。
置しθ5.0にマで01S−・0間:10ナ膏電を行い
、直ちに光量を慝射し九党像はタングステンランプ光源
を用−121ux・−・Cの光量を透過IIのテストチ
ャートを通して照射させえ。
その後直ちに、■荷電性の現像IN()ナーとキャ呼ア
ーを含む)をII形形部部材表面カスケードすることに
よって、lI形成部曽表−上KJIL好なトナー画像を
得え、sllll材部材上ナー11gIIを、Os、o
cvのコロナ帯電で転写紙上に転写し死所、解偉力に優
れ、階調再現性のよい鮮明な1llIIi濃度の一儂が
得られた。
ーを含む)をII形形部部材表面カスケードすることに
よって、lI形成部曽表−上KJIL好なトナー画像を
得え、sllll材部材上ナー11gIIを、Os、o
cvのコロナ帯電で転写紙上に転写し死所、解偉力に優
れ、階調再現性のよい鮮明な1llIIi濃度の一儂が
得られた。
実施例12
第11図に示し友製造装置によりシリンダー状Oム1基
体上に、第12表に示す条件で第12図に示すガス流量
比の変化率曲線に従って、G @14 /B・ガスと8
1Ha/H@ガスのガス流量比を層作成経過時間と共に
変化させて層形成を行って電子写真用儂形成部材を得え
。
体上に、第12表に示す条件で第12図に示すガス流量
比の変化率曲線に従って、G @14 /B・ガスと8
1Ha/H@ガスのガス流量比を層作成経過時間と共に
変化させて層形成を行って電子写真用儂形成部材を得え
。
こうして得られ九儂形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し05.0にVで04 sea間コロナ帯電を行い、
直ちに光量を照射し走光量はタングステンランプ光源を
用い、21ux1・aの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させ友。
置し05.0にVで04 sea間コロナ帯電を行い、
直ちに光量を照射し走光量はタングステンランプ光源を
用い、21ux1・aの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させ友。
その後直ちに、■荷電性の現儂剤(トナーとキャリアー
を含む)を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、傷形成部材表面上KJIL好なトナー画像を得九。
を含む)を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、傷形成部材表面上KJIL好なトナー画像を得九。
像形成部材上のトナー画像を、θ5.0にVのコロナ帯
電で転写紙上に転、 写し死所、解儂力KIIれ、階調
再現性のよい鮮明な高一度の画像が得られえ。
電で転写紙上に転、 写し死所、解儂力KIIれ、階調
再現性のよい鮮明な高一度の画像が得られえ。
実施例1s
第11図に示した製造装置によ)、第1slI!に示す
条件で第1S図に示すlス流量比O変化率−纏に従って
、G・I4/H・ガスと8111・ガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
12と同様にして、層形成を行って電子写真用fII!
形成部材を得た。
条件で第1S図に示すlス流量比O変化率−纏に従って
、G・I4/H・ガスと8111・ガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
12と同様にして、層形成を行って電子写真用fII!
形成部材を得た。
こうして得られ九*形成11#に就いて、実施例12と
同様の条件及び手順で転写紙上KWImを形成し九とζ
ろ極めて鱒W141ki11i質が得られえ。
同様の条件及び手順で転写紙上KWImを形成し九とζ
ろ極めて鱒W141ki11i質が得られえ。
実施例14
第11図に示し丸製造装置によ〉、第14表に示す条件
で第14図に示すガス流量比O変化率−纏に従って、G
eH4/I・ガスと81114/if・ガスのガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例1!・と同様にして、層形成を行って電子写真用1
m形成111#を得え。
で第14図に示すガス流量比O変化率−纏に従って、G
eH4/I・ガスと81114/if・ガスのガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例1!・と同様にして、層形成を行って電子写真用1
m形成111#を得え。
ζうして得られ丸像形威*tに就いて、実施例12と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極
めて鮮明な画質が得られた。
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極
めて鮮明な画質が得られた。
実施例15
第11図に示し友製造装置によ)、第15表に示す条件
で第15図に示すガス流量比O変化率−一に従って、G
el14/II・ガスと81114711・ガスのガス
流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例12と同様にして、層形成を行って電子写真用
像形成部材を得え。
で第15図に示すガス流量比O変化率−一に従って、G
el14/II・ガスと81114711・ガスのガス
流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例12と同様にして、層形成を行って電子写真用
像形成部材を得え。
こうして得られ九僚形成部材に就いて、実施例12と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極
めて鮮明な画質が得られ丸。
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極
めて鮮明な画質が得られ丸。
実施例16
第11図に示した製造装置により、第1491に示す条
件で第16図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、
G@llI4/Heガスと8114 /II@# スO
ガス滝量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の
条件は実施例12と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。
件で第16図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、
G@llI4/Heガスと8114 /II@# スO
ガス滝量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の
条件は実施例12と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。
こうして得られ九像形成部材に就いて、実施例12と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し大とζろ極
めて鮮明1kliill&が得られえ。
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し大とζろ極
めて鮮明1kliill&が得られえ。
実施f117
第11図に示した製造装置によ)、第17IIIK示す
条件で第17図に示すガス流量・比の変化率m5tc従
って、Gem4/M@ # J ト1ilK4/I@
l Jのガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、
その他の条件は実施例1!と同様にして、層形成を行っ
て電子写真用儂形成S#を得え。
条件で第17図に示すガス流量・比の変化率m5tc従
って、Gem4/M@ # J ト1ilK4/I@
l Jのガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、
その他の条件は実施例1!と同様にして、層形成を行っ
て電子写真用儂形成S#を得え。
むうして得られ九會形成部材に就いて、111IIA例
12と同様の条件及び手順て転写紙上に画像を形成し九
とζろ極めて鮮明な画質が得られえ。
12と同様の条件及び手順て転写紙上に画像を形成し九
とζろ極めて鮮明な画質が得られえ。
実施例18
1311図に示し友製造装置によ)、第18表に示す条
件で第18図に示すガス流量比O変化率−纏に従って、
Gem4/Ha 、if x トai14/Me カx
のガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他
の条件状実施例12と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得え。
件で第18図に示すガス流量比O変化率−纏に従って、
Gem4/Ha 、if x トai14/Me カx
のガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他
の条件状実施例12と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得え。
こうして得られ九gI!形成部材に就いて、実施例12
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとζ
ろ極めて鮮明な画質が得られえ。
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとζ
ろ極めて鮮明な画質が得られえ。
実施例19
実施例12に於いて、BAH,/11・ガスの代りに8
12114/H・ガスを使用し、第19表に示す条件に
し走風外は、実施例12と同様の条件にして層形成を行
って電子写真用像形成部材を得友。
12114/H・ガスを使用し、第19表に示す条件に
し走風外は、実施例12と同様の条件にして層形成を行
って電子写真用像形成部材を得友。
こうして得られた僧形成部材に就いて、実施例12と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極
めて鮮明な画質が得られ丸。
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極
めて鮮明な画質が得られ丸。
実施例20
実施例12に於いて、81H4/H・ガスの代シに81
14/lI・ガスを使用し、第20表に示す条件にした
以外は、実施例12と同様の条件にして層形成を行って
電子写真用像形成部材を得た。
14/lI・ガスを使用し、第20表に示す条件にした
以外は、実施例12と同様の条件にして層形成を行って
電子写真用像形成部材を得た。
ζうして得られた傷形成部材に就いて、5J!施例12
と同様の条件及び手順で転写紙上KWilljlを形成
したところ極めて鮮明な画質が得られ九−0実施例21 ilI施例12に於いて、8iH4/H・ガスの代〕に
(111H4/I・+B1t4/H・)ガスを使用し、
第21表に示す条件にした以外は、実施例12と同様の
条件にして層形成を行って電子写真用像形成部材を得え
。
と同様の条件及び手順で転写紙上KWilljlを形成
したところ極めて鮮明な画質が得られ九−0実施例21 ilI施例12に於いて、8iH4/H・ガスの代〕に
(111H4/I・+B1t4/H・)ガスを使用し、
第21表に示す条件にした以外は、実施例12と同様の
条件にして層形成を行って電子写真用像形成部材を得え
。
ζうして得られ九gR形成部#に就−て、実施例12と
同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し友とζろ
極めて鮮明な画質が得られえ。
同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し友とζろ
極めて鮮明な画質が得られえ。
1ltIIA例22
第11図に示し友製造装置によ〉、シダンダー状OAj
基体上に、第22%pc示す条件で第12図に示すガス
流量比の賓化率―纏に従って、G@H4/it・ガスと
81H4/菖・−ttxosス流量比を層作成経過時間
と共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材
を得え。
基体上に、第22%pc示す条件で第12図に示すガス
流量比の賓化率―纏に従って、G@H4/it・ガスと
81H4/菖・−ttxosス流量比を層作成経過時間
と共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材
を得え。
こうして得られ九Il形成部材を、帯電露党夷験装置に
設置し■s、ocvでO,S−・6間コーナ帯電を行−
1直ちに光會を照射し走光量はタングステンランプ党源
を用−121ux−・00党量を透過型のテストチャー
トを通して照射させえ。
設置し■s、ocvでO,S−・6間コーナ帯電を行−
1直ちに光會を照射し走光量はタングステンランプ党源
を用−121ux−・00党量を透過型のテストチャー
トを通して照射させえ。
その後直ちに、θ荷電性の現像剤(トナーとヤヤリアー
を含む)を僧形成部材*画をカスケードすることKよっ
て、僧形成部材表面上に良好なトナー画像を得え、儂形
成部材上のトナー−像を、@5,0にVのコロナ帯電で
転写紙上に転写し死所、解儂力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高饅度の画像が得られた。
を含む)を僧形成部材*画をカスケードすることKよっ
て、僧形成部材表面上に良好なトナー画像を得え、儂形
成部材上のトナー−像を、@5,0にVのコロナ帯電で
転写紙上に転写し死所、解儂力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高饅度の画像が得られた。
実施例23
実施例1及び12に於いて光源をタングステンランプの
代りに810 nmのG1ム8系半導体レー写真用儂形
成部材に就いてトナー転写liigIの画質評価を行つ
九ところ、解儂力に優れ、階調再現性の曳い鮮明な高品
位の画像が得られた。
代りに810 nmのG1ム8系半導体レー写真用儂形
成部材に就いてトナー転写liigIの画質評価を行つ
九ところ、解儂力に優れ、階調再現性の曳い鮮明な高品
位の画像が得られた。
以りの本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。
に示す。
基体温度: ゲルマニウム原子(Ge)含有層−一一一
一約200”0ゲルマニウム原子(Ge)非含有層−一
一約250”C放電周波数: 13.58 MHz 反応時反応室内圧: 0.3 Torr
一約200”0ゲルマニウム原子(Ge)非含有層−一
一約250”C放電周波数: 13.58 MHz 反応時反応室内圧: 0.3 Torr
第1図は、本発明O光導電l1lO層構威を説。
明すゐ為の模式的層構成図、第2−乃至第1e図は夫々
非晶質層中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為
の説明図、第11図は、本発明で使用され丸装置の模式
的説明図で、第12図乃至第18図は夫々本発明の実施
例Kmけゐガス流量比の変化率−線を示す説明図である
。 100・・・光導電部材 101 ・・・支持体 102・・・非晶質層 出願人 キャノン株式壷状 1凪j°゛・ C C OC8 乃1ス51tfk:シ ヵ・・λ流量tし
非晶質層中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為
の説明図、第11図は、本発明で使用され丸装置の模式
的説明図で、第12図乃至第18図は夫々本発明の実施
例Kmけゐガス流量比の変化率−線を示す説明図である
。 100・・・光導電部材 101 ・・・支持体 102・・・非晶質層 出願人 キャノン株式壷状 1凪j°゛・ C C OC8 乃1ス51tfk:シ ヵ・・λ流量tし
Claims (6)
- (1)光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲルマ
ニウム原子とを含む非晶質材料で構成され丸、光導電性
を示す非晶質層とを有し、該非晶質層中には、伝導性を
支配する物質が含有されてお抄、前記非晶質層中に於け
るゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一であ
る事を特徴とする光導電部材。 - (2)非晶質層中に水素原子が含有されている特許請求
の範囲第1項に記載の光導電部材。 - (3)非晶質層中にハロゲン原子が含有されている特許
請求の範囲1m2項に記載の光導電部材。 - (4) 非晶質層中に於けるゲルマニウム原子の分分
布状態である特許請求の範囲Ji 1.に記載の光導電
部材。 - (5)伝導性を支配する物質が崗期俸表嬉厘族に属する
原子である特許請求の範囲第1項に記載の光導電部材。 - (6)伝導性を支配する物質が胤期律表第V族に属する
原子である特許請求の範囲第1項に記載の光導電部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57053603A JPS58171042A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | レーザー光用の光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57053603A JPS58171042A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | レーザー光用の光導電部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58171042A true JPS58171042A (ja) | 1983-10-07 |
JPH0450585B2 JPH0450585B2 (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=12947452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57053603A Granted JPS58171042A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | レーザー光用の光導電部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58171042A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55121239U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-28 | ||
JPS56121041A (en) * | 1980-02-27 | 1981-09-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor and its manufacture |
JPS56150753A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
JPS5723544U (ja) * | 1980-07-09 | 1982-02-06 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5460171A (en) * | 1977-10-18 | 1979-05-15 | Ueda Noki Kk | Waste *hoda* treating machine |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57053603A patent/JPS58171042A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55121239U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-28 | ||
JPS56121041A (en) * | 1980-02-27 | 1981-09-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor and its manufacture |
JPS56150753A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
JPS5723544U (ja) * | 1980-07-09 | 1982-02-06 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0450585B2 (ja) | 1992-08-14 |
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