JPS58171042A - レーザー光用の光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、ＩＩＩ
Ｔ視光線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは傷形成分野における電子写真用僧
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電ｆｉ（ｌｐ
）／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングし九吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、史には
固体撮像装置においては、残骨を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用
時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８１と表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開＠　２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−８４で構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感屓、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、結合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部ＩｔＫ適用した場合に、嵩
光感度化、Ｉｌ＆暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従
来においては、その使用時において残雪電位が残る場合
が度々Ｉ！測され、ζ０種の光導電部材は長時間繰返し
使用し続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って
、残漬が生ずる所１胃ゴ・、−スト現象を発する様にな
る或いは、鳥速で繰返し使用すると応答性が次第に低下
する等の不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が先導を層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起つて、画像の「ボケ」が生ずる一豐因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−８４材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水＊ｉ＊
子或いは弗素原子中塩素原子等のハロゲン原子、及び電
気伝導ｍｌＯ制御の丸めに硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他Ｏ原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成し九腫の電気的或いは光
導電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成し走光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での置傘が充分でないこ
と、戚いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉ４
Ｃ就て電子写真用像形成部材や固体撮像Ｗ＆置、読取装
置等に使用される光導電部材としての適用性とその応用
性という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、
シリコン原（（８ｉ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）とを
母体とし、水素原子（ｌ又はハロゲン原子閃のいずれか
一方を少なくとも含有するアモルファス材料、Ｐ’ｒ饋
水素化アモルファスシリコンゲルマニウム、ハロゲン化
アモルファスシリコンゲルマニウム、或いは・・ロケン
含有水素化アモルファスシリコンゲルマニ？ム〔以後こ
れ等の総称的表記として［ａ−８ｉ（ｆｅ（Ｈ，Ｘ月を
使用する〕から構成される光導電性を示す非晶質層を有
する光導電部材の構成を以後に説明される様に特定化し
て作成された光導電部材は実用上着しく優れ走時性を示
すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあら
ゆる点において凌駕していること、殊に電子写真用の先
導ＩＥｓ材として看しく懺れえ時性を有していること及
び兼波兼側に於ける吸収スペクトル特性に優れているこ
とを兇出し九点に基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、兼波長側の光感ｆ時性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は咄んど一欄されない光導電部材を提供す
ることを生える目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が扁＜
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の連形成部材として適
用させた場合、通常の電子厚真法が極めて有効に適用さ
れ得る１１度に、靜電儂形威の為の帯電処理の際の電荷
保持能が充分あり、優れた電子写真特性を有する光導電
部材を提供することである。

本発明の更に他の、目的は、濃度が亮＜、ハーフトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質−偉を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高８Ｎ比特性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された、光導電性を示す非晶質層とを有し、該非晶質層
中には、伝導性を支配する物質が含有されており、前記
非晶質層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚
方向に不均一である事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計され九本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用傷形成部材として適用さぜた場合には
、−傷形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で１．ｔｆｌｉ８Ｎ比を有す
るものであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃
度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解＠［０１
１１６い、高品質の１儂を安定して繰返し得ることがで
きる。

匹に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が嵩く、殊に半導体レーダとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て絆細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材のＪ
ｌｍｌ−成を説明するために模式的に示した模式的構成
図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８ｉ　Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）から
成る光導電性を有する非晶質層１０２とを有する。非晶
質層１０２中に含有されるゲルマニウム原子は、該非晶
Ｉｊ＆［層１０２の層厚方向には連続的であって且つ前
記支持体１０１の設けらｒＬ−である−とは反対のｍ１
ｌｌ（非晶″［１（ｌｏ２の表面１０４側）の方に対し
て前記支持体＠（非晶質層１０２０表＄　１０５　Ｎ　
）の方に多く分布した状態となる様に前記非晶質−１０
２中に含有される。

本発明の光導電部材においては、非晶°ｊｔ−中に含有
されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向におい
ては、前記の様な分布状態を収り、支持体の表向と平行
な面内方間には均一な分布状態とされるのが望ましいも
のである。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される非晶質層中には、伝導特性を支配する物質を含
有させることにより、非晶質層の伝導特性を所望に従っ
て任意に制御することが出来る。

この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純切を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る非晶質１−を構成する？８ｉＬｉｅ　（Ｈ、Ｘ　）に
対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物及びｎ型伝導
特性を与えるｎｆｌｉ不純物を挙げることが出来る。具
体的には、Ｐ５１不純物としては周期律表第Ｖ族に属す
る原子（第閣族原子）、例えば、Ｂ（ｉｌｌ、Ｉ）、Ａ
７（アルン二゛ウム）、−（ガリウム）　、　Ｉｎ　（
インジウム）。

Ｔ／　（タリウム）等があ抄、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ、Ｑａ　　である。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族ｊ京子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、８ｂ
　（アンチ毫ン）、Ｂｉ（ビスマス）等であ抄、殊に、
好適に用いられるのは、Ｐ。

Ａ１である。

本発明に於いて、非晶質層中に含有される伝導特性を制
御する物質の含有量は、該非晶質層に要求される伝導特
性、或いは該非晶質層が直に接触して設けられる支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

父、前記の伝導特性を制御する重質を非晶質層中に含有
させるのに、該非晶質層の所望される相領域に局在的に
含有させる場合、殊に、非晶質層の支持体側一部層領域
に貧有させる場合には、該ｗＩ層領域直に接触して設け
られる他の一領域の軸性や、該他の層領域との接触界面
に於ける特性との関係も考慮されて、伝導特性を制御す
る物質の含有量が適宜選択される。゛本発明に於いて、
非晶質１−中に含有される伝導特性を制御する物質の含
＊１としては、通常の場合、０．０１−５Ｘ１０’　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　１０
’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には１〜５　Ｘ　１
０”　ａｔｏｍｉｃｐｐｍとされるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、伝導時性ケ支配する１實が含有される
一領域に於ける該物置の含有量が通常は３０　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｆ）Ｉ）ｍ以上、好適には５０　ａｔｏｍｉｃｐ
ｐｍ以上、最適には、１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上の場合には、前記重質は、非晶質Ｊ−の一部の層領域
に局所的に含有させるのが望ましく、殊に非晶質層の支
持体９１１４部層領域に偏在させるのが望ましい。

上記の中、非晶質層の支持体側端部一領域（ｇ）にｉｌ
ｌ記の数値以上の含有量となる様に前記の伝導材性を支
配する物質を含有させることによって、例えば該含有さ
せる物置が前記のＰ型不純物の場合には、非晶質層の自
由表面かの極性に帯電処理を受けた際に支持体側からの
非晶質層中への電子の注入を効果的に阻止することが出
来、又、前記含有させる重質が前記のｎ型不純物の場合
には、非晶ｖ！−の自由表面がθ極性に帯電処理を受け
た際に、支持体側から非晶質層中への正孔の注入を効果
的に阻止することが出来る。

この様に、前記４部層領域（ｇ）に一方の極性の伝４特
性を支配する硬質を含有させる場合には、非晶質層の残
りの層領域、即ち、前記端部層領域（ｇ）を除いた部分
の層領域（Ｚ）には、他゛の極性の伝４特性を支配する
物質を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導特性
を支配する＃質を、端部ｊ−一領域ｇ）に含有される実
際の童よりも一段と少ない量にして含有させても良いも
のである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される目ｉＪ
記伝導特性を支配するａｆｌｌＪ質の含有量としては、
４都層領域（ｇ）に含有される前記９！Ｊ′ｊ［の慢性
や含有量に応じて所望に従って適宜決定されるものであ
るが、通常の場合、０．００１〜１００１０００ａｔｏ
　ｐｐｍ、好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ　。

最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　　と
されるのが望ましい本のである。

本発明に於いて、端部層領域（Ｅ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、噛
領＊　（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは、３
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましいもの
である。上記した場合の他に、本発明に於いては、非、
ｆｌ＋ｌ麺質に、一方の慢性を有する伝導性を支配する
物質を含有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性
を支配するり買をき有させた一領域とを直に接触する様
に設けて、該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来
る。詰り、例えば、非晶質層中に、前記のＰ型不純物を
含有するノー領域と前記のｎ型不純−を含有する層領域
とを直に接触する様に設けて所＋１ｍ　ｐ　−ｎ接合を
形成して、空乏層を設ゆることが出来る。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導′＃を部
材の非晶質−中に含有されるゲルマニウム原子のＪ１１
ｉｉ１！Ｊｉ方回の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニウム原子
の含有ｔＣを縦軸は、光導電性を示す非晶質層の層厚を
示し、ｔｌは支持体側の非晶質層の表面の位置を、ｔ！
は支持体側とは反対側の非晶質層の表圓の位置を示す、
即ち、ゲルマニウム原子の含有される非晶Ｘ層は１．側
より１！側に向って層形成がなされる。

！２図には、非晶質層中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状−の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る非晶質層が形成される表向と該非晶′Ｊｉｔ層の表向
とが接する界面位ｌｔ論よりｔｌの位置までは、ゲルマ
ニウム１９子の分布濃度Ｃが０皿なる一定の値を取り乍
らゲルマニウム原子が形的に減少されている。界面位置
ｔｙにおいてはゲルマニウム原子の５）［１％度ＣはＣ
，とされる。

第３図に示される例においては、含有される置ｔ！にち
るまで＃度Ｃ４から徐々に連続的に減少（して位置ｔ〒
において濃度Ｃ襲となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位［ｈまではゲルマニ
ウム原子の分布＃度Ｃは濃度Ｃ−と一定値とされ、位置
型２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされ
ている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合で
ある）。

より連続的に徐々に減少され、位置型！において実質的
に零とされている。

菖６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
［Ｃは、位置１．と位ｌ１ｔｓ間においては、濃［Ｃ・
と一定値であり、位置ｔ！においてはと 濃［Ｃｔｅ７ｓされる。位１ｔ、と位置ｔ！との間では
、分布濃度Ｃは一次関数的に位＠１．よ秒位［ｔテに至
るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位１１１
ｍより位ＷＬｔａまでは濃ｆＣ１１の一定値をｌｌｌ１
抄、位置ｔ４より位置１！までは濃度Ｃ１嘗より濃ｔｃ
ｓｓまで一次関数的に減少する分布状態とされている。

は濃度ｅｔａ　より実質的に零に至る様に一次関数的に
減少している。

絽９図においては、位置ｔｌより位置ｔｌＫ至るまでは
ゲルマニウム原子の分布−［Ｃは、濃度ｅｌｌ　より濃
度−−まで−次間数的に減少され、位［ｔｌと位１１１
１ｔｔとの関においては、濃度Ｃｔａの一定値とされた
例が示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布＊［Ｃは位＠１．において−１［ｃｔｙでＴｏユ、
位ｌｆｔ−に至るまではこの濃ＦＩＣ１ｖ　より初めは
ゆつくねと減少され、書・の位置付近においては、急激
に減少されて位１１１ｔ・では貴ＷＬｃＩＩとされる。

位置ｔ・と位置ｔ１　　との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位＠１
マでａｆｃｔ＊となり、位置ｔ１と位置ｔ−との間では
、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔｓにおいて
、濃度Ｃ雪・に至丸る。位Ｉｔｓと位［ｔｙの間におい
ては、濃［Ｃ鉤より実質的に零になる様に図に示す如き
形状の曲−に従って減少されている。

以上、ａＫ２図乃至第１０図により、非晶質層中に含有
されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状轢の典型例
の幾つかを説明し丸様に、本発明においては、支持体側
において、ゲルマニウム原子の分布＊ＶｔＣの高い部分
を有し、界面ｔ！　鰻においては、前記分布層［Ｃは支
持体側に較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニ
ウム原子の分布状態が非晶質−に設けられている。

本発明に於ける光導電部材を構成する非晶質層は好まし
くは上記し先様に支持体側の方にゲルマニウム原子が比
較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ）　１に有す
るのが望まし一〇本発明に於いては局在領域（２）は、
−第２図乃至４１０図に示す記号を用いて説明すれば、
界−位［ｔｍより５μ以内に設けられるのが望ましいも
のである。

本発明においては、上記局在懺域＾社、界面位１１１ｍ
より５μ厚までの全層領域（Ｌりとされる場合もあるし
、父、層領域（Ｌりの一部とされる場合もある。

局在領域内を層領域（Ｌ？）の一部とするか又は全部と
するかは、形成される非晶質層に要求される特性に従っ
て適宜法められる。

局在領域内はその中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布＃度の
最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、通常は１００
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｒｎ　以上、好適Ｋ　＃′１５
０００ａｔｏｒｎｉｃ　ｐｐｒｎ以上、最適にはｌＸｌ
０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態と
なり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る非晶質層は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔｓｓ
から５μ厚の層領域）に分布濃度の般大値Ｃｍａｘ　が
存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明において、非晶質１−中に含有されるゲルマニウ
ム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成
される様に所望に従って適宜法められるが、通常は１〜
９．５Ｘ１０％ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ、好ましくは１
００〜８．ＯＸ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、　　鍛
適には、５００〜７　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
とされるツカ望ましいものである。

本発明において、必要に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子内としては、具体的にはフッ素、塩素、臭
素１ｗつ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なもの
として挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される
非晶質層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタ
リング法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象
を利用する真空堆積法によって成される。例えは、グロ
ー放電法によって、ａ−８ｉ　Ｇｅ　（Ｈ、Ｋ）で構成
される非晶質層を形成するには、基本的にはシリコン原
子（８１）を供給し得る８１供給用の原料ガスとゲルマ
ニウム原子（伽）を供給し得る伽供給用ｏＨ料ガスと必
要に♂じて水素原子０導入用の原料オス又は／及びハロ
ゲン原子Ｎ４入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆
積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグ
四−放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上に含有されるゲルマニウム原子の分布
濃度を所望の変化率曲線に従って制御し乍ら１−８ｉ　
（）ｅ　（）ｉ、Ｘ）からなる層を形成させれば喪い。

父、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
　、　Ｈｅ−１）の不活性ガス又はこれ等のオスをペー
スとし先混合ガスの雰囲気中で８４で構成され九ターゲ
ット、或いは該ターゲットとＧｅで構成され九ターゲッ
トの二枚を使用して、又祉、８ｉとｊの混合されたター
ゲットを使用して、必要に応じてＨｅ　ｅ　Ａｒ等の稀
釈ガスで稀釈され九Ｇｅ供給用の原料ガスを、必要に応
じて、水素原子（ｌ又は／及びハロゲン原子Ｎ４入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガス
プラズマ雰囲気を形成すると共に前記Ｇｅ供給用の原料
ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従って制御し乍ら
、萌紀のターゲットをスパッターリングしてやれば良い
。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッタ
リングの場合と同様にする事で行う事が出来る。

本発明において使用される８ｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、８ｉＨ４，８ｉ１Ｈ・、　ｓｉ、ｚ
。

８ｉ４Ｈ１・等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い島さ、８ｉ供給効率の良
さ等の点で８ｉＨ４、８ｉｍＨｓが好ましいものとして
挙げられる。伽供給用の原料ガスと成り得る物質として
は、ＧｅＨａ　、　Ｇ−島、Ｕｓ　ｓ　Ｈａ　。

Ｇｅ４Ｈｔｅ　、　ＧｅｓＨｘｍ　、　Ｇｏ＠Ｈ１４、
Ｇｅ４Ｈｔｅ　、　Ｇｅ５Ｈｔａ　、　（ｈ＊Ｈｓ＊等
のガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有
効に使用されるものとして挙げられ、殊に、鳩作成作業
時の取扱い易さ、伽供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４
、（ｈ＠Ｈ４、Ｏｓ＠Ｈ４が好ましい本のとして挙げら
れる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン原子１が挙げられ
、例えばハロゲン原子、ハロゲン、化物、ハロゲン間化
合物、ハロゲンで置換されたシラン酩導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

父、轍には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ン原子、ＢｒＦ’、　Ｃ／Ｆ　、　ＣＩＦＢ。

ＢｒＦ’ｌ、　ＢｒＦ’ｌ、　ＩＦＩ、　ＩＦ７．　ｌ
ｃ７．ｌＢｒ等のハＥｌｌゲン関化合齋を挙げることが
出来る。

ハロゲン原子をＳむ硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば８
ｉＦ４　、　Ｓｉｘ　Ｆ’ｓ　、　８１Ｃ１４、８ｉ１
３ｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げる
ことが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、伽供給用の原料ガスと共に８４を供給し得
る臓科ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉＧｅから
成る非晶質層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、／％Ｄゲン原子を含む非晶′ｌ
ｔ層を製造する場合、基本的には例えばＳｉ供給用の阜
料ガスとなるハロゲン化硅素と伽供給用の原料ガスとな
る水素化ゲルマニウムとＡｒ。

Ｈｌ、ｌ−１ｅ　等のガス等を所定０１％合比とガス流
量になる様にして非晶質層を形成する堆積室に導入し、
グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を
形成することによって、所望の支持体上に非晶質−を形
成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を−
ＩＩＩ容易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素
ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合
して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

父、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、ｌｌ雪、或いは前記したシラン類又は
／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、）ＩＰ、ＨＣ／。

）ｔａｒ、）ｌｌ　等のハロゲン化水素、ＳｉＨＩＦｇ
　、　８ｉＨ１１１。

ＳｋＨ＠Ｃ１Ｈ、５ｉｔ（ｃ／、　、　５ｉＨ１Ｂｒ２
　、５ｉＨＢｒ３専のハロゲン置換水素化硅素、及び（
ｋＨｋ’ｓ　、　（３ｅＨ＊　Ｆｓ　、　ＧｅＨｍＦ　
。

ＧｅＨＣｊｓ　、　ＧｅＨ２Ｃ１ｍ　、　ＧｅＨｓＣｌ
　、　ＧｅＨＢｒ１　、　□Ｈ＠　Ｂｒｌ　。

ＧｅＨｌ　Ｂｒ　、　（ｊｅＨｌＢ　、　ＧｅＨｓ　Ｉ
ｓ　、　ＧＩＩＨｓ　１等の水嵩化ハーゲン化ゲルマニ
ウム、等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン原
子、ＧｅＦ４　、　ＱｅＣｌａ　、伽Ｂｒ４ｅＧｅＩ４
　、　ＧｅＦｍ　、　（ｈｃｂ　、　ＧｅＢｒ５　、　
Ｇｅ１ｇ　等の２、。ゲ。

化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る
１質も有効な非晶質層形成用の出発物質として挙げる拳
が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むパーダン化物は、非晶
質層形成の際Ｋ１１ｌｌ中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原
子も導入されるので、本発明においては好適なハロゲン
導入用の原料として使用される。

水素原子を非ｔＪＳ質層中に構造的に導入するには、上
記の他にＢ２　、或いは８ｉＨ４、８ｉ１山、　５ｉｌ
Ｈ＠　。

８ｉ、）ｉ、・尋の水素化硅素をセを供給する為のゲル
マニウム又はゲルマニウム化合響と、或いは、ＱｅＨ４
、ＱｅｌＨ＠　、　Ｇｅ５Ｈ＠　、　Ｇｅ４Ｈｔｓ、　
　（）ｅ＠Ｈｕ　、　　Ｇ・＠’１４ｓＧｅ７Ｈ１＠　
、　Ｇｅ１）ｉｌｌ　、　Ｇｅ＠ＨＨ４＃０水素化ゲｋ
　ｆｆ　、＝　９゜とＳｔを供給する為のシリコン又は
シリコン化合−と、を堆積室中に共存させて放電を生起
させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導（部材の
非晶質１−中にぽ有される水素原子（１の緻、又はハロ
ゲン原子（Ｎの皺、又は水′１ｇ原子とハロゲン原子の
瞳の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合０．０１〜４０ａｔｏｍ
ｉｃ％、好適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　（４
。

鍛適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望
ましい。

非晶質層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）の瞳を制御するには、例えば支持体温度
又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）
を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ
導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

非晶質層中に、伝導特性を制御する物質、例えば、第■
族原子或いは第■族原子を構造的に導入するには、１−
形成の際に、第■族原子導入用の出発重質或いは第ｖ族
原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、非晶質
層を形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば真
い。

この様な第厘族原子導入用の出発物質と成り得るものと
しては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容島にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第厘族原子導入用の出発物質として具体的
には硼素庫子導入用としては、８ｍ”＠５Ｂ４Ｈｊ＠ｓ
Ｂｌ’ｌ　Ｂ１１（１１ｅＢ＠Ｈ１＠　＊　Ｂ＠Ｈ１ｌ
　ｅ　Ｂ＠”１４　’等の水素化硼素、＊　ＢＦｌ　ｍ
　ａｃｚ、ｅＢａｒｓ　等のハロゲン化硼素等が挙げら
れる。この他、ｋｌｃｌｓ　、　ＱａＣｌｓ　、　Ｇａ
（ＣＨｓ）ｓ　、　Ｉｎｃｌｓ　、　ＴｊＣｊｓ等も挙
げることが出来る。

第■族原子導入用の出発−質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、’ＰＨｓ
、　Ｐ、Ｈ４等の水素比隣、Ｐ）１４Ｉ　、　ＰＦ、　
。

ＰＦ５　、　ＰＣｌ３　、　ＰＣ／＠　、　ＰＢｒｌ　
、　ＰＢｒｌ　、　ＰＩＥ等の／％　ＩｃＩゲン化燐比
隣げられる。この他、ＡｓＨｌ　、ＡｓＦ５．　ＡｓＣ
ｊｌ　。

ＡｓＢｒ１．　ｋｓＦ＠、　８ｂＨ１、８ｂＦ１．Ｓｂ
Ｆ５．５ｂｃｚｓ、　８ｂＣ１＠。

ＢｉＨｌ　、　ＢｉＣ／１　、　Ｂ１Ｂｒ１％もＳＶ＊
ｔ＊子導入用の出発−貞の有効なものとして挙げること
が出来る。

本発明の光導電部材に於ける非晶質層の禰厚られ１、通
常は、１〜１００μ、好適には１〜８０μ、最適には２
〜５０μとされるのが望ましい。

本発明に於いて、非晶質層を構成し、伝導特性を支配す
る１貿を含有して支持体側に偏在して設けられる層領域
の層厚としては、該ｊ一層領域該層領域上に形成される
非晶質層を構成する他の層領域とに要求される特性に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、その下
限としては通常の場合には、３０ム以上、好適には４０
五以上、峡適には、５０λ以上とされるのが望ましいも
のである。

父、上記層領域中に含有される伝導特性を制御する物質
の含有駿が３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる場
合には、該層領域のＬ−厚の上限としては、通常５μ以
）、好適には４μ以下、最適には３μ以下とされるのが
望ましい。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても夷い、導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

ＡＺ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ
、　Ｔｉ　、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金
が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレノ、ポリカーボネート、セルー−ズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ボリア２ド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理され九表面賛に他の−が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。

ＡＺ　ｅ　　Ｃｒ　ｓ　　Ｍｏ　＊　　Ａｕ　＠　　Ｉ
ｒ　ｅ　　Ｎｂ　ｅ　　Ｔａ　ｅ　　Ｖ　ｅ　　’ｒ’
Ｋ　ｍ　　Ｐｔ　ｅ　　ＰｄｅｌｎｌｏＢ　、　８ｎＯ
１、ＩＴＯ（１ｓ雪Ｏｍ　＋８ｎＯｓ）　４から成る薄
膜を設けることによって導電性が付与され、或いはポリ
エステルフィルム◆の合成樹脂フィルムであれば、Ｎｉ
Ｃｒ　、　ＡＺ、　Ａｇ、　Ｐｂ、　ＺＩｌ、　Ｎｉ　
、ムｕ、Ｃｒ。

Ｍｏ、　ｌｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｊ、　Ｐｔ
等の金属４ＤｌｌＪｌｌ［を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付
与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、
板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、１８１図の光導電部材１００を電
子４真用像形成部材として使用するのであれば連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成
される様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮
される１！ｉ！囲内であれｄ可能な限り薄くされる。百
年ら、この様な場合支持体の製造−Ｌ及び取扱い上、機
械的強Ｉｆ等の点から、通常は、ｌＯμ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

。図中の１１０２〜１１０６のガスボンベ　には、本発
明の光導電部材を形成するため一０ＷＡ料ガスが密剥さ
れており、その１例として九とえば１１０２は、Ｈｅで
稀釈された８ｉＨａガス（純度９９．９９９唾。

以下８ｉＨ４／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨａ
で希釈されたＧｅＨ４ガス（純１ｆＬ９９．９９９％、
以下ＧｅＨ４／Ｈｅと略す、）ボンベ、１１０４はＨｅ
で希釈されたＳｉＦ、ガス（純［９９９！１％、以下８
　ｉ　Ｆ４／Ｈａと略す、）ボンベ、１１０５はＨｅで
稀釈され九へ１カス（純［９９，９９９％　、以下、　
Ｂ１Ｈ４／Ｈｅと略す）ボンベ、１１０６はＨ３ガス（
純度９９．９９９鴫）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１　に流入させるにはガス
ボンベ１１０２〜１１０６　のパルプ１１２２−１１２
６゜リークパルプ１１３５が閉じられていることを確認
し、父、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出パルプ１
１１７〜１１２１、補助パルプ１１３２．１１３３が開
かれていることを確認して、先づメインパルプ１１３４
をる。／Ｘｖｃ具！１ｔｔ１１３６のｌｌｌ−’％＞ｆ
１５　Ｘ　１０”ｔｕｒｆ　Ｋなっ九時点で補助パルプ
１１３２．１１３３、流出パルプ１１１７〜１１２１を
閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に非晶質層を形成する
場合の１例をあげると、ガスポ／・べ１１０２よりＳｉ
Ｈ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３より（ｈ市４　／
Ｈｅガス、ガスボンベ１１０５より８．Ｈ・／Ｈｅガス
をパルプ１１２２．１１２３．１１２５を夫々間いて出
口圧ゲージ１１２７．１１２８．１１３０の圧を１ｋｇ
／（１ｍ”ＫＪ整Ｌ、ｍ入ハル７’１ｌ１２．１１１３
，１１１５ヲ徐々に開ケて、マスフロコントローフ１１
０７゜１１０８、１１１０内に夫々流入させる。引き続
いて流出パルプ１１１７．１１１８．１１２０．　　補
助パルプ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１
１０１に流入させる。このときの８ｉＨ４／Ｈｅガス流
敏とＱｅＨ４／ＨｅガスｔｌｔｔとＢ２Ｈ４／１−１ｅ
　ｌｊ　スｔｌｔ　ｔ　トｃＤ　比カ所望の値になるよ
うに流出パルプ１１１７．１１１８゜１１２０を調整し
、又、反応室１１０１内の圧力が所望の埴になるように
真空計１１３６の読みを見ながらメインパルプ１１３４
の開口を調整する。

そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８によ
り５０〜４００℃の範囲の温［Ｋ設定されていることを
Ｍ認された後、電源１１４０を所望の電力に設置して反
応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあらか
じめ設計され圧変化率曲線に従ってＧｅＨ４／Ｈｅガス
の流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によって
パルプ１１１Ｂの開口を漸次変化させる操作を行なって
形成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分布濃
度を制御する。この様にして、基体１１３７上に非晶質
層を形成する。

又、層形成を打っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示し九製造装置にょシ、シリンダー状のムＩ
基体上に１第１１ｉｌ！に示す条件で第１２図に示すガ
ス流量比の変化率−纏に従って、０・Ｉ４／Ｈ・ガスと
８１１１４／）Ｉ・ガスのガス流量比を層作成経過時間
と共に変化させて層形成を行って電子写真用＊形成部材
を得九。

こうして得られえ像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しΦ５．ＯＫマで０．５−・０間コロナ帯電を行い、
直ちに光量を照射し走光儂はタングステンランプ光源を
用い、２１１１ｘ・１・Ｃの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させ丸。

その後直ちに、　Ｃ）荷電性の現俸剤（トナーとキャリ
アーを含む）を僧形成部材表面をカスケードすることく
よって、僧形成部材表面上ＫＩＬ好なトナー画像を得た
。傷形成部材上のトナー１ｉ１ｉ儂を、＠５．ＯＫＶの
コロナ帯電で転写紙上に転写した所、解僚力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 第１１図に示し丸製造装置によ）、第２１１に示す条件
で第１Ｓ図に示すガス流量比の変化率−纏に従って、Ｇ
＠ＩＩ４／Ｉ・ガスと１１１ｍ４／Ｉ・ＩスＯガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、そＯ他の条件杜ｌ
！論例１と同様にして、層形成を行って電子１真用像形
成部材を得え。

こうして得られた像形成Ｉ１１Ｋｍいて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上Ｋ１１ｌｌを形成し九とこ
ろ極めて鮮ｗＡｉｋ画質が得られえ。

実施例Ｓ 第１１図に示し丸製造装置によ）、ｌＩｉ％ｌ！に示す
条件で第１４図に示すｊス滝量比Ｏ変化率―線に従って
、Ｇ・１１４／Ｈ・ガスと１ｉＩ４／Ｉ＠ｌ　Ｊ　ｅｊ
オス流量比層作成経過時間と共に変化畜せ、その他の条
件は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写真用
惨形成部材を得え。

こうして得られ九倫形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に両会を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られえ。

実施例４ 第１１図に示し友製造装置によシ、第４表に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率−纏に従って、Ｇ＠
Ｉ４／Ｈ・ガスと８１Ｈ４／Ｂ・ガスのオス流量比を層
作成経過時間と共に変化さぜ、その他の条件は実施例１
と同様にして、層形成を行って電子写真用僧形成部材を
得た。

こうして得られ九儂形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例５ 第１１図に示し丸製造装置によシ、第５ＩＪ＆に示す条
件で第１６図に示すガス流量比の変化率−線に従って、
Ｇ・Ｈ４／Ｈ・ガスとＢ１１１４／ＩＩ・ガスのずス流
量比を層作友経過時間と共に変化させ、その他の条件は
実施例１と同様にして、層形成を行って電子写真用僧形
成部材を得丸。

ζうして得られた僧形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られ友。

実施−６ 第１１図に示し丸贋造装置（よ）、第４表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、０・
ＩＩ４／Ｈ・ガスとａｉ１４／Ｉ・５ＸＯｌス流量比を
層作成経過時間と共に変化さぜ、その他の条件は実施例
１と同様にして、層形成を行って電子写真用＊＊＊＊１
１替を得え。

ζうして得られ九儂形成ｔｔに就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上（−像を拳成し九とζろ極め
て岬ｌｉ＆画質が得られ友。

実施例７ 第１１図に示し丸製造装置によ）、第７表に示す条件で
４Ｉｓ１１１図に示すガス流量比の変化率―纏に１Ｍっ
て、（）＠Ｈａ　／１１＠　ｊｌスとれＩ４／ＩＩ＠、
（スＯガス流量比を層作成経過時閾と共に変化させ、そ
の他の条件は実施例１と同様（して、層形成を行って電
子写真用儂形成部材を得え。

こうして得られ九偉形成薄材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られ友。

実施例８ 実施例１ＫＩＩｋ−で、Ｂ１ｌＩ４／Ｈ・ガスの代りに
１１２ｍ、／ＩＩ・ガスを使用し、第８表に示す条件に
し走風外は、実施例１と同様の条件にして層形成を行っ
て電子写真用１形成部材を得た。

ζうして得られ九偉形成部材に就いて、実施例１−と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し友とζろ極
めて鮮明な画質が得られ九。

＊＊例９ 実施例１に於いて、８１Ｈａ／勤ガスの代ヤに１１ν４
／Ｈ・ガスを使用し、第９表に示す条件にし走風外は、
実施例１と同様の条件にして層形成を行って電子写真用
儂形成部材を得九。

こうして得られた儂形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られ丸。

実施例１０ 実施例１に於いて、５ｉｎ４／ａ・ガスの代）Ｋ（８１
Ｈ４／Ｉ！＠　＋８１１４／１１＠　）ガスを使用し、
第１０表に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条
件にして層形成を行って電子写真用１ａ形成部材を得え
。

ζうして得られ九儂形威部＃に就−て、実施例１と同様
Ｏ条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極め
て鮮明な画質が得られえ。

実施例１１ 第１１１１に示し丸製造装置によ）、シ！ンダー状ＯＡ
４基体上に１第１１表に示す条件で第１２図に示すｊス
流量比り＊化率−纏ＫＩ！つて、Ｇ＠１４／Ｉ・ガスと
！１１Ｈ４／Ｉ・ガスＯガス流量比を層作成経過時間と
共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成Ｓ＃を
得え。

こうして得られ九儂形成部材を、帯電露党夷験装置に設
置しθ５．０にマで０１Ｓ−・０間：１０ナ膏電を行い
、直ちに光量を慝射し九党像はタングステンランプ光源
を用−１２１ｕｘ・−・Ｃの光量を透過ＩＩのテストチ
ャートを通して照射させえ。

その後直ちに、■荷電性の現像ＩＮ（）ナーとキャ呼ア
ーを含む）をＩＩ形形部部材表面カスケードすることに
よって、ｌＩ形成部曽表−上ＫＪＩＬ好なトナー画像を
得え、ｓｌｌｌｌ材部材上ナー１１ｇＩＩを、Ｏｓ、ｏ
ｃｖのコロナ帯電で転写紙上に転写し死所、解偉力に優
れ、階調再現性のよい鮮明な１ｌｌＩＩｉ濃度の一儂が
得られた。

実施例１２ 第１１図に示し友製造装置によりシリンダー状Ｏム１基
体上に、第１２表に示す条件で第１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従って、Ｇ　＠１４　／Ｂ・ガスと８
１Ｈａ／Ｈ＠ガスのガス流量比を層作成経過時間と共に
変化させて層形成を行って電子写真用儂形成部材を得え
。

こうして得られ九儂形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し０５．０にＶで０４　ｓｅａ間コロナ帯電を行い、
直ちに光量を照射し走光量はタングステンランプ光源を
用い、２１ｕｘ１・ａの光量を透過型のテストチャート
を通して照射させ友。

その後直ちに、■荷電性の現儂剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、傷形成部材表面上ＫＪＩＬ好なトナー画像を得九。

像形成部材上のトナー画像を、θ５．０にＶのコロナ帯
電で転写紙上に転、　写し死所、解儂力ＫＩＩれ、階調
再現性のよい鮮明な高一度の画像が得られえ。

実施例１ｓ 第１１図に示した製造装置によ）、第１ｓｌＩ！に示す
条件で第１Ｓ図に示すｌス流量比Ｏ変化率−纏に従って
、Ｇ・Ｉ４／Ｈ・ガスと８１１１・ガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１２と同様にして、層形成を行って電子写真用ｆＩＩ！
形成部材を得た。

こうして得られ九＊形成１１＃に就いて、実施例１２と
同様の条件及び手順で転写紙上ＫＷＩｍを形成し九とζ
ろ極めて鱒Ｗ１４１ｋｉ１１ｉ質が得られえ。

実施例１４ 第１１図に示し丸製造装置によ〉、第１４表に示す条件
で第１４図に示すガス流量比Ｏ変化率−纏に従って、Ｇ
ｅＨ４／Ｉ・ガスと８１１１４／ｉｆ・ガスのガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１！・と同様にして、層形成を行って電子写真用１
ｍ形成１１１＃を得え。

ζうして得られ丸像形威＊ｔに就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１５ 第１１図に示し友製造装置によ）、第１５表に示す条件
で第１５図に示すガス流量比Ｏ変化率−一に従って、Ｇ
ｅｌ１４／ＩＩ・ガスと８１１１４７１１・ガスのガス
流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例１２と同様にして、層形成を行って電子写真用
像形成部材を得え。

こうして得られ九僚形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極
めて鮮明な画質が得られ丸。

実施例１６ 第１１図に示した製造装置により、第１４９１に示す条
件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、
Ｇ＠ｌｌＩ４／Ｈｅガスと８１１４　／ＩＩ＠＃　スＯ
ガス滝量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の
条件は実施例１２と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られ九像形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し大とζろ極
めて鮮明１ｋｌｉｉｌｌ＆が得られえ。

実施ｆ１１７ 第１１図に示した製造装置によ）、第１７ＩＩＩＫ示す
条件で第１７図に示すガス流量・比の変化率ｍ５ｔｃ従
って、Ｇｅｍ４／Ｍ＠　＃　Ｊ　ト１ｉｌＫ４／Ｉ＠　
ｌ　Ｊのガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、
その他の条件は実施例１！と同様にして、層形成を行っ
て電子写真用儂形成Ｓ＃を得え。

むうして得られ九會形成部材に就いて、１１１ＩＩＡ例
１２と同様の条件及び手順て転写紙上に画像を形成し九
とζろ極めて鮮明な画質が得られえ。

実施例１８ １３１１図に示し友製造装置によ）、第１８表に示す条
件で第１８図に示すガス流量比Ｏ変化率−纏に従って、
Ｇｅｍ４／Ｈａ　、ｉｆ　ｘ　トａｉ１４／Ｍｅ　カｘ
のガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他
の条件状実施例１２と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得え。

こうして得られ九ｇＩ！形成部材に就いて、実施例１２
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとζ
ろ極めて鮮明な画質が得られえ。

実施例１９ 実施例１２に於いて、ＢＡＨ，／１１・ガスの代りに８
１２１１４／Ｈ・ガスを使用し、第１９表に示す条件に
し走風外は、実施例１２と同様の条件にして層形成を行
って電子写真用像形成部材を得友。

こうして得られた僧形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し九ところ極
めて鮮明な画質が得られ丸。

実施例２０ 実施例１２に於いて、８１Ｈ４／Ｈ・ガスの代シに８１
１４／ｌＩ・ガスを使用し、第２０表に示す条件にした
以外は、実施例１２と同様の条件にして層形成を行って
電子写真用像形成部材を得た。

ζうして得られた傷形成部材に就いて、５Ｊ！施例１２
と同様の条件及び手順で転写紙上ＫＷｉｌｌｊｌを形成
したところ極めて鮮明な画質が得られ九−０実施例２１ ｉｌＩ施例１２に於いて、８ｉＨ４／Ｈ・ガスの代〕に
（１１１Ｈ４／Ｉ・＋Ｂ１ｔ４／Ｈ・）ガスを使用し、
第２１表に示す条件にした以外は、実施例１２と同様の
条件にして層形成を行って電子写真用像形成部材を得え
。

ζうして得られ九ｇＲ形成部＃に就−て、実施例１２と
同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し友とζろ
極めて鮮明な画質が得られえ。

１ｌｔＩＩＡ例２２ 第１１図に示し友製造装置によ〉、シダンダー状ＯＡｊ
基体上に、第２２％ｐｃ示す条件で第１２図に示すガス
流量比の賓化率―纏に従って、Ｇ＠Ｈ４／ｉｔ・ガスと
８１Ｈ４／菖・−ｔｔｘｏｓス流量比を層作成経過時間
と共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材
を得え。

こうして得られ九Ｉｌ形成部材を、帯電露党夷験装置に
設置し■ｓ、ｏｃｖでＯ，Ｓ−・６間コーナ帯電を行−
１直ちに光會を照射し走光量はタングステンランプ党源
を用−１２１ｕｘ−・００党量を透過型のテストチャー
トを通して照射させえ。

その後直ちに、θ荷電性の現像剤（トナーとヤヤリアー
を含む）を僧形成部材＊画をカスケードすることＫよっ
て、僧形成部材表面上に良好なトナー画像を得え、儂形
成部材上のトナー−像を、＠５，０にＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写し死所、解儂力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高饅度の画像が得られた。

実施例２３ 実施例１及び１２に於いて光源をタングステンランプの
代りに８１０　ｎｍのＧ１ム８系半導体レー写真用儂形
成部材に就いてトナー転写ｌｉｉｇＩの画質評価を行つ
九ところ、解儂力に優れ、階調再現性の曳い鮮明な高品
位の画像が得られた。

以りの本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：　ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有層−一一一
一約２００”０ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層−一
一約２５０”Ｃ放電周波数：　　１３．５８　ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明Ｏ光導電ｌ１ｌＯ層構威を説。 明すゐ為の模式的層構成図、第２−乃至第１ｅ図は夫々
非晶質層中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為
の説明図、第１１図は、本発明で使用され丸装置の模式
的説明図で、第１２図乃至第１８図は夫々本発明の実施
例Ｋｍけゐガス流量比の変化率−線を示す説明図である
。 １００・・・光導電部材 １０１　・・・支持体 １０２・・・非晶質層 出願人　キャノン株式壷状 １凪ｊ°゛・ Ｃ Ｃ ＯＣ８ 乃１ス５１ｔｆｋ：シ ヵ・・λ流量ｔし

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲルマ
   ニウム原子とを含む非晶質材料で構成され丸、光導電性
   を示す非晶質層とを有し、該非晶質層中には、伝導性を
   支配する物質が含有されてお抄、前記非晶質層中に於け
   るゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一であ
   る事を特徴とする光導電部材。
2. （２）非晶質層中に水素原子が含有されている特許請求
   の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）非晶質層中にハロゲン原子が含有されている特許
   請求の範囲１ｍ２項に記載の光導電部材。
4. （４）　　非晶質層中に於けるゲルマニウム原子の分分
   布状態である特許請求の範囲Ｊｉ　１．に記載の光導電
   部材。
5. （５）伝導性を支配する物質が崗期俸表嬉厘族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
6. （６）伝導性を支配する物質が胤期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。