JPS58171024A - 光制御型光スイツチ - Google Patents
光制御型光スイツチInfo
- Publication number
- JPS58171024A JPS58171024A JP5233282A JP5233282A JPS58171024A JP S58171024 A JPS58171024 A JP S58171024A JP 5233282 A JP5233282 A JP 5233282A JP 5233282 A JP5233282 A JP 5233282A JP S58171024 A JPS58171024 A JP S58171024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electrode
- optical
- optical switch
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光通信又は光集積回路の分野で利用され、光
信号の変調、あるいは光信号の伝達方向を制御する光制
御型光スイッチに関するものであり、特に光により、信
号光を制御することの可能な光制御型光スイッチを提供
するものである。
信号の変調、あるいは光信号の伝達方向を制御する光制
御型光スイッチに関するものであり、特に光により、信
号光を制御することの可能な光制御型光スイッチを提供
するものである。
本発明はスイッチング時間、特に光制御型の光ヌイソチ
の遮断時間を改善することを目的とする。
の遮断時間を改善することを目的とする。
従来の光制御型光ヌイッチの構成は第１図に示すごとく
であり、Ｌｉ Ｎｂ Ｏ５を用いた全反射型の光スィッ
チと、Ｃｄ Ｔｏ斜め蒸着による光起電力膜により構成
されている。すなわち、１はＬｉ Ｗｂ Ｏ３よりなる
電気光学効果を有する誘電体基板、２はＴｉが拡散され
ることによ多形成された光導波路、３はＣｄ７ｅの光起
電力膜、４は金属電極である。
であり、Ｌｉ Ｎｂ Ｏ５を用いた全反射型の光スィッ
チと、Ｃｄ Ｔｏ斜め蒸着による光起電力膜により構成
されている。すなわち、１はＬｉ Ｗｂ Ｏ３よりなる
電気光学効果を有する誘電体基板、２はＴｉが拡散され
ることによ多形成された光導波路、３はＣｄ７ｅの光起
電力膜、４は金属電極である。
上記構成の光制御型光スイッチにおいて、信号光６が入
射された時、通常の状態、即ち制御光が入射されない時
には、信号光は直進して出路ｅに出射する。ところが制
御光７が光起電力素子３に入射されると金属電極４を通
じて、光導波路２の交叉部付近に光起電力による電界が
印加され、導波路２内に屈折率変化が生じ、入射光が交
叉部付近で全反射を受けて、出射光が出路８より出射す
るものである。
射された時、通常の状態、即ち制御光が入射されない時
には、信号光は直進して出路ｅに出射する。ところが制
御光７が光起電力素子３に入射されると金属電極４を通
じて、光導波路２の交叉部付近に光起電力による電界が
印加され、導波路２内に屈折率変化が生じ、入射光が交
叉部付近で全反射を受けて、出射光が出路８より出射す
るものである。
第１図の構成の従来の光制御型光スイッチにおいて、制
御光７を入射した時の入射光信号を第２図（ａ）に、変
調出力光８の光強度の時間的変化を第２図（ｂ）に示す
。
御光７を入射した時の入射光信号を第２図（ａ）に、変
調出力光８の光強度の時間的変化を第２図（ｂ）に示す
。
第２図（ｂ）よシ明らかな様に変調出力光の立ち上がり
時間は秒以下であるにもかかわらず、立ち下がシには、
数分要している。この遅い下が９時間は光起電力膜の高
い内部抵抗に起因しており、従来の光制御型光スイッチ
の大きな欠点であった。
時間は秒以下であるにもかかわらず、立ち下がシには、
数分要している。この遅い下が９時間は光起電力膜の高
い内部抵抗に起因しており、従来の光制御型光スイッチ
の大きな欠点であった。
このように従来において立ち下がり時間が立ち上がり時
間より大きい理由を考えてみる。光制御型光スイッチの
応答時間は、一般に、電極間の容量Ｃと、光起電力素子
の内部抵抗Ｈの積、すなわちＯＲ積でほぼ決定される。
間より大きい理由を考えてみる。光制御型光スイッチの
応答時間は、一般に、電極間の容量Ｃと、光起電力素子
の内部抵抗Ｈの積、すなわちＯＲ積でほぼ決定される。
制御光が入射された場合の光起電力の内部抵抗ＲＯＭと
、遮断された場合の光起電力の内部抵抗Ｒｏｙｙを比較
すると、光起電力層の光導法現象のだめに、一般にＲＯ
Ｍ （ＲＯＦＦの関係がある。従って、立ち上がり時間
τ。、（＝ＯＲＯＮ ）と立ち下がり時間τ。、、 （
＝ Ｃｉ’１ｏｙｙ ）を比較すると、一般にτ。Ｎ〈
τ０□である。しかも、τ。、ｒがτ。、の数十〜数万
倍となり、立ち下がり時間が長くなり、このことが、従
来の光制御型光スイッチの大きな欠１点であった。
、遮断された場合の光起電力の内部抵抗Ｒｏｙｙを比較
すると、光起電力層の光導法現象のだめに、一般にＲＯ
Ｍ （ＲＯＦＦの関係がある。従って、立ち上がり時間
τ。、（＝ＯＲＯＮ ）と立ち下がり時間τ。、、 （
＝ Ｃｉ’１ｏｙｙ ）を比較すると、一般にτ。Ｎ〈
τ０□である。しかも、τ。、ｒがτ。、の数十〜数万
倍となり、立ち下がり時間が長くなり、このことが、従
来の光制御型光スイッチの大きな欠１点であった。
本発明は、従来のかかる問題を解決し、出力光の遮断時
間の短い光制御型光スイッチを提供するものである。
間の短い光制御型光スイッチを提供するものである。
本発明の実施例における光制御型光スイッチを第３図に
示す。光スィッチの構造は第１図と同様であるが、光起
電力膜と電極の構造が異なる。すなわち、同図において
９はＬｉ Ｗｂ Ｏ３基板、１０はＴｉ拡散導波路、１
１，１２は同時に斜め蒸着されて形成された光起電力素
子、１３．１４は電極であり、第１の制御光１６は１１
に照射され、第２の制御光１６は１２に照射される。従
って電極１３を基準とした時、第一の制御光、第二の制
御光に対して、電極１４には異なる極性の光起電力が発
生することになる。このような構成によると第一の制御
光の照射によシ第１図に示す従来の光スイッチと同様に
、光スィッチを動作させ入力光１６の出力が出路１７か
ら１８に切しかわシ、一方遮断時には、第二の制御光の
照射によシ、逆極性の電圧を印加して遮断時間を短かく
することができる動作、を行なえる。
示す。光スィッチの構造は第１図と同様であるが、光起
電力膜と電極の構造が異なる。すなわち、同図において
９はＬｉ Ｗｂ Ｏ３基板、１０はＴｉ拡散導波路、１
１，１２は同時に斜め蒸着されて形成された光起電力素
子、１３．１４は電極であり、第１の制御光１６は１１
に照射され、第２の制御光１６は１２に照射される。従
って電極１３を基準とした時、第一の制御光、第二の制
御光に対して、電極１４には異なる極性の光起電力が発
生することになる。このような構成によると第一の制御
光の照射によシ第１図に示す従来の光スイッチと同様に
、光スィッチを動作させ入力光１６の出力が出路１７か
ら１８に切しかわシ、一方遮断時には、第二の制御光の
照射によシ、逆極性の電圧を印加して遮断時間を短かく
することができる動作、を行なえる。
第４図（＆）、 （ｂ）、 （０）はそれぞれ上記光制
御型光スイッチを動作させるときの、第一制御光信号、
第二制御光信号および出力信号光の時間に対する光強度
を示している。これらの図より明らかなように、第１制
御光信号を遮断した直後に、第２制御光信号を入射する
ことにより、出力信号光の立ち下が９時間が従来に比べ
て大幅に短縮されている。
御型光スイッチを動作させるときの、第一制御光信号、
第二制御光信号および出力信号光の時間に対する光強度
を示している。これらの図より明らかなように、第１制
御光信号を遮断した直後に、第２制御光信号を入射する
ことにより、出力信号光の立ち下が９時間が従来に比べ
て大幅に短縮されている。
なお、本実施例では、全反射型の光スィッチとＣｄ Ｔ
ｏ斜め蒸着による光起電力素子との複合素子を挙げたが
、電気光学効果を応用した光スイッチｌ、ＣｄＴｅ以外
の半導体による光起電力素子にも申用できるものである
。
ｏ斜め蒸着による光起電力素子との複合素子を挙げたが
、電気光学効果を応用した光スイッチｌ、ＣｄＴｅ以外
の半導体による光起電力素子にも申用できるものである
。
以上実施例を用いて説明した様に、本発明の光制御型光
スイッチは従来の光制御型光スイッチの遮断時間を、電
極の改造ともう一つの制御光を用いることにより、著し
く短縮できるものである。
スイッチは従来の光制御型光スイッチの遮断時間を、電
極の改造ともう一つの制御光を用いることにより、著し
く短縮できるものである。
本発明の光制御型光スイッチは、光通信、光計測、光制
御等の分野において特に有用であり、その価値を発揮す
るものであり、光技術、光産業の進展に大きく貢献でき
るものである。
御等の分野において特に有用であり、その価値を発揮す
るものであり、光技術、光産業の進展に大きく貢献でき
るものである。
第１図は従来の光制御型光スイッチの斜視図、第２図（
ａ）、 （ｂ）は同スイッチに診けるスイッチング特性
を示す図、第３図は本発明の実施例における光制御型光
スイッチの斜視図、第４図は同スイッチにおけるスイッ
チング特性を示す図である。 ９・・・・・・ＬＬＮｂＯｓ基板、１０・・・・・・Ｔ
ｉ拡散導波路、１１．１２・・・・・・光起電力素子、
１３，１４・・・・・・電極、１６・・・・・・第１の
制御光、１６・・・・・・第２の制御光。 特許出願人 工業技術院長 石 坂 誠 −第２ｍ （１１Ｎご） （彰゛） ３ 図 第４１Ａ
ａ）、 （ｂ）は同スイッチに診けるスイッチング特性
を示す図、第３図は本発明の実施例における光制御型光
スイッチの斜視図、第４図は同スイッチにおけるスイッ
チング特性を示す図である。 ９・・・・・・ＬＬＮｂＯｓ基板、１０・・・・・・Ｔ
ｉ拡散導波路、１１．１２・・・・・・光起電力素子、
１３，１４・・・・・・電極、１６・・・・・・第１の
制御光、１６・・・・・・第２の制御光。 特許出願人 工業技術院長 石 坂 誠 −第２ｍ （１１Ｎご） （彰゛） ３ 図 第４１Ａ
Claims (3)
- （１）電気光学効果を有する誘電体基板上に出射光側が
分岐部から複数本に枝分かれしてなる光導波路を形成し
、一方の端子と他方の端子が延在した第１電極と、所定
端子が延在した第２電極とを対向させて前記光導波路の
近傍に形成し、前記第１電極の一方の端子と前記第２電
極の所定端子間に光射照時に前記光導波路を横切る第１
電界を印加するための第１光起電力素子を形成し、前記
第１電極の他方の端子と前記第２電極の所定端子間に光
照射時に前記第１電界と逆方向の第２電界を印加するた
めの第２光起電力素子を形成し、前記第１起電力素子へ
の光照射の遮断の直後前記第２起電力素子へ光照射を行
なうことを特徴とする光制御型光スイッチ。 - （２）第１および第２光起電力素子が半導体の斜め蒸着
膜により形成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の光制御型光スイッチ。 - （３）第１および第２の光起電力素子がＣｄ Ｔｏの斜
め蒸着膜によ多形成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光制御型光ヌイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233282A JPS58171024A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 光制御型光スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233282A JPS58171024A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 光制御型光スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171024A true JPS58171024A (ja) | 1983-10-07 |
| JPS6161659B2 JPS6161659B2 (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=12911837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5233282A Granted JPS58171024A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 光制御型光スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171024A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138511A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Takashi Mori | 光情報マルチ装置 |
| JPS6191779A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 光情報処理装置 |
| JPS62299938A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光スイツチモジユ−ル |
| JPH02171728A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-03 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 光制御装置 |
| JP2007082693A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Ebisuya Kagaku Kogyo Kk | ヘアブラシ |
-
1982
- 1982-04-01 JP JP5233282A patent/JPS58171024A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138511A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Takashi Mori | 光情報マルチ装置 |
| JPS6191779A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 光情報処理装置 |
| JPS62299938A (ja) * | 1986-06-20 | 1987-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光スイツチモジユ−ル |
| JPH02171728A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-03 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 光制御装置 |
| JP2007082693A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Ebisuya Kagaku Kogyo Kk | ヘアブラシ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6161659B2 (ja) | 1986-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58171024A (ja) | 光制御型光スイツチ | |
| US5561549A (en) | Optical element | |
| EP0105693B1 (en) | Bipolar voltage controlled optical switch using intersecting waveguide | |
| JP2940141B2 (ja) | 導波型光制御デバイス | |
| JPS5735828A (en) | Integrated optical switch | |
| JPH0815657A (ja) | 導波路型電気光学素子 | |
| US20020067905A1 (en) | Electrochromic optical attenuator | |
| JPS59176730A (ja) | 光スイツチ | |
| JPS62245228A (ja) | 光−光制御素子 | |
| JP2002528888A (ja) | 透明な電極層をスタラクチャ化するための方法 | |
| JPS5917511A (ja) | 光スイツチ | |
| JPH07168042A (ja) | 光制御デバイスおよびその製造方法 | |
| JPH0361932B2 (ja) | ||
| JP3078395B2 (ja) | 光学素子 | |
| JPH0228501Y2 (ja) | ||
| JPS59198432A (ja) | 導波路型光スイツチ | |
| JPH0659289A (ja) | 導波型光機能装置 | |
| JPS6124687B2 (ja) | ||
| JPS588485B2 (ja) | コタイハクマクコウヘンチヨウソシ | |
| JPS6151775B2 (ja) | ||
| JPH11281831A (ja) | グレーティングカプラ | |
| JPS60123806A (ja) | 薄膜光導波路 | |
| JPH07287257A (ja) | 導波路型電気光学素子 | |
| JPH03164710A (ja) | 半導体光導波路部品 | |
| JPS6325631A (ja) | 導波型光スイツチ |