JPH07287257A - 導波路型電気光学素子 - Google Patents
導波路型電気光学素子Info
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- JPH07287257A JPH07287257A JP7763494A JP7763494A JPH07287257A JP H07287257 A JPH07287257 A JP H07287257A JP 7763494 A JP7763494 A JP 7763494A JP 7763494 A JP7763494 A JP 7763494A JP H07287257 A JPH07287257 A JP H07287257A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気光学効果を有する基板に形成された光導
波路と、基板との間にバッファ層を介して光導波路に近
接させて取り付けられた少なくとも１対の電極と、これ
らの電極間に電圧を印加する駆動回路とを有する導波路
型電気光学素子において、ＤＣドリフトを低減し、光損
傷を防止し、また電極対向部分における光の入出力効率
も高くする。 【構成】 光導波路11をプロトン交換／アニールにより
形成し、バッファ層12をＳｎＯ2 から形成する。
波路と、基板との間にバッファ層を介して光導波路に近
接させて取り付けられた少なくとも１対の電極と、これ
らの電極間に電圧を印加する駆動回路とを有する導波路
型電気光学素子において、ＤＣドリフトを低減し、光損
傷を防止し、また電極対向部分における光の入出力効率
も高くする。 【構成】 光導波路11をプロトン交換／アニールにより
形成し、バッファ層12をＳｎＯ2 から形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気光学効果を有する
基板に形成された光導波路と、この光導波路に近接して
配された少なくとも１対の電極とを有し、これらの電極
間に電圧を印加することによって導波光の変調や、スイ
ッチング等を行なうようにした導波路型電気光学素子に
関するものである。
基板に形成された光導波路と、この光導波路に近接して
配された少なくとも１対の電極とを有し、これらの電極
間に電圧を印加することによって導波光の変調や、スイ
ッチング等を行なうようにした導波路型電気光学素子に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開平２−９３１号公報に示され
るように、電気光学効果を有する基板に形成された薄膜
光導波路と、その上に形成されて該光導波路に電気光学
的回折格子（Electro-Optic Grating ）を形成する格子
状電極（以下ＥＯＧ電極と称する）と、このＥＯＧ電極
に電圧を印加する駆動回路とからなり、上記光導波路を
導波する導波光を、ＥＯＧ電極への電圧印加状態に応じ
て選択的に回折させるようにした導波路型電気光学素子
が公知となっている。
るように、電気光学効果を有する基板に形成された薄膜
光導波路と、その上に形成されて該光導波路に電気光学
的回折格子（Electro-Optic Grating ）を形成する格子
状電極（以下ＥＯＧ電極と称する）と、このＥＯＧ電極
に電圧を印加する駆動回路とからなり、上記光導波路を
導波する導波光を、ＥＯＧ電極への電圧印加状態に応じ
て選択的に回折させるようにした導波路型電気光学素子
が公知となっている。
【０００３】このような導波路型電気光学素子を用いれ
ば、回折光と非回折光（０次光）のいずれか一方を使用
光としたとき、その使用光を回折の有無あるいは程度に
応じて変調することができる。また、上記回折の有無に
応じて導波光の光路を切り換える光スイッチを構成する
こともできる。
ば、回折光と非回折光（０次光）のいずれか一方を使用
光としたとき、その使用光を回折の有無あるいは程度に
応じて変調することができる。また、上記回折の有無に
応じて導波光の光路を切り換える光スイッチを構成する
こともできる。
【０００４】さらに、例えばJAPANESE JOURNAL OF APPL
IED PHYSICS （ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス）Vol.20, No.4, April, 1981 p
p.733〜737 に示されるように、電気光学効果を有する
基板に方向性結合器を構成する２本のチャンネル光導波
路を形成し、各チャンネル光導波路の上に平板状電極を
配し、一方のチャンネル光導波路を導波する導波光を上
記電極への電圧印加状態に応じて選択的に他方のチャン
ネル光導波路に移行させるようにした導波路型電気光学
素子も知られている。
IED PHYSICS （ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス）Vol.20, No.4, April, 1981 p
p.733〜737 に示されるように、電気光学効果を有する
基板に方向性結合器を構成する２本のチャンネル光導波
路を形成し、各チャンネル光導波路の上に平板状電極を
配し、一方のチャンネル光導波路を導波する導波光を上
記電極への電圧印加状態に応じて選択的に他方のチャン
ネル光導波路に移行させるようにした導波路型電気光学
素子も知られている。
【０００５】このような導波路型電気光学素子を用いれ
ば、上記他方のチャンネル光導波路から出射する光を使
用光として、その使用光を電極への電圧印加状態に基づ
いて変調することができるし、また、導波光の光路を切
り換える光スイッチを構成することもできる。
ば、上記他方のチャンネル光導波路から出射する光を使
用光として、その使用光を電極への電圧印加状態に基づ
いて変調することができるし、また、導波光の光路を切
り換える光スイッチを構成することもできる。
【０００６】ところで、上記のような導波路型電気光学
素子においては、電極による光散乱や光吸収を避けるた
めに、電極と基板との間に光学バッファ層を形成するこ
とが必要である。従来このバッファ層は、ＳｉＯ2 ある
いはＡｌ2 Ｏ3 から形成されていた。
素子においては、電極による光散乱や光吸収を避けるた
めに、電極と基板との間に光学バッファ層を形成するこ
とが必要である。従来このバッファ層は、ＳｉＯ2 ある
いはＡｌ2 Ｏ3 から形成されていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
なバッファ層を設けた導波路型電気光学素子において
は、いわゆるＤＣドリフトすなわち、電圧を加えるのに
従って動作点が変動する現象が生じやすいことが認めら
れている。
なバッファ層を設けた導波路型電気光学素子において
は、いわゆるＤＣドリフトすなわち、電圧を加えるのに
従って動作点が変動する現象が生じやすいことが認めら
れている。
【０００８】このようなＤＣドリフトを防止するために
従来より、上記のJAPANESE JOURNALOF APPLIED PHYSICS
（ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フ
ィジックス）Vol.20, No.4, April, 1981 pp.733〜737
にも示されているように、バッファ層の電極間の部分を
取り除いて、バッファ層を電極毎に分離させることが提
案されている。
従来より、上記のJAPANESE JOURNALOF APPLIED PHYSICS
（ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フ
ィジックス）Vol.20, No.4, April, 1981 pp.733〜737
にも示されているように、バッファ層の電極間の部分を
取り除いて、バッファ層を電極毎に分離させることが提
案されている。
【０００９】またAPPLIED PHYSICS LETTER（アプライド
・フィジックス・レター）Vol.47,No.3 1 August 1985
pp.211 〜213 に記載されているように、バッファ層を
比較的抵抗の低い材料であるＩＴＯ（インジウム・スズ
酸化物）から形成して、ＤＣドリフトを低減させること
も提案されている。
・フィジックス・レター）Vol.47,No.3 1 August 1985
pp.211 〜213 に記載されているように、バッファ層を
比較的抵抗の低い材料であるＩＴＯ（インジウム・スズ
酸化物）から形成して、ＤＣドリフトを低減させること
も提案されている。
【００１０】なお、従来、これらのＤＣドリフト低減の
ための構成は、すべてＴｉ拡散光導波路を有する導波路
型電気光学素子において採用されていた。
ための構成は、すべてＴｉ拡散光導波路を有する導波路
型電気光学素子において採用されていた。
【００１１】しかし、上述したＤＣドリフト低減のため
の構成を有する従来の導波路型電気光学素子は、入力光
が短波長であったりあるいは高強度であると、光損傷
（基板結晶の屈折率が不均一になる現象）のために光入
力が困難になる、という問題が認められている。
の構成を有する従来の導波路型電気光学素子は、入力光
が短波長であったりあるいは高強度であると、光損傷
（基板結晶の屈折率が不均一になる現象）のために光入
力が困難になる、という問題が認められている。
【００１２】また、特にバッファ層をＩＴＯから形成し
た導波路型電気光学素子においては、ＩＴＯの吸収端が
可視域に存在するために、電極対向部分における光の入
出力効率（入力光の強度に対する出力光の強度比）が低
くなるという問題も認められている。
た導波路型電気光学素子においては、ＩＴＯの吸収端が
可視域に存在するために、電極対向部分における光の入
出力効率（入力光の強度に対する出力光の強度比）が低
くなるという問題も認められている。
【００１３】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、ＤＣドリフトを十分に低減可能で、しかも光損
傷を防止し、また電極対向部分における光の入出力効率
も高い導波路型電気光学素子を提供することを目的とす
るものである。
であり、ＤＣドリフトを十分に低減可能で、しかも光損
傷を防止し、また電極対向部分における光の入出力効率
も高い導波路型電気光学素子を提供することを目的とす
るものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明による導波路型電
気光学素子は、先に述べたように、電気光学効果を有す
る基板に形成された光導波路と、上記基板との間にバッ
ファ層を介して、上記該光導波路に近接させて取り付け
られた少なくとも１対の電極と、これらの電極間に電圧
を印加する駆動回路とを有する導波路型電気光学素子に
おいて、光導波路がプロトン交換／アニール光導波路で
あり、また、バッファ層がＳｎＯ2 から形成されている
ことを特徴とするものである。
気光学素子は、先に述べたように、電気光学効果を有す
る基板に形成された光導波路と、上記基板との間にバッ
ファ層を介して、上記該光導波路に近接させて取り付け
られた少なくとも１対の電極と、これらの電極間に電圧
を印加する駆動回路とを有する導波路型電気光学素子に
おいて、光導波路がプロトン交換／アニール光導波路で
あり、また、バッファ層がＳｎＯ2 から形成されている
ことを特徴とするものである。
【００１５】
【作用および発明の効果】従来の導波路型電気光学素子
において、光損傷の問題が起きやすいのは、光導波路が
Ｔｉ拡散光導波路であることに起因している。それに対
して、本発明の導波路型電気光学素子においてプロトン
交換／アニール光導波路を採用すると、耐光損傷性が高
くなる。
において、光損傷の問題が起きやすいのは、光導波路が
Ｔｉ拡散光導波路であることに起因している。それに対
して、本発明の導波路型電気光学素子においてプロトン
交換／アニール光導波路を採用すると、耐光損傷性が高
くなる。
【００１６】一方、本発明の導波路型電気光学素子にお
いては、バッファ層が低抵抗のＳｎＯ2 から形成されて
いるために、ＤＣドリフトが確実に低減する。以下、そ
の点について詳しく説明する。
いては、バッファ層が低抵抗のＳｎＯ2 から形成されて
いるために、ＤＣドリフトが確実に低減する。以下、そ
の点について詳しく説明する。
【００１７】図３に示すように、基板１の上に薄膜光導
波路２が形成され、さらにその上にバッファ層３を介し
て交差櫛形のＥＯＧ電極４が形成された構造を考える。
この構造の等価回路は図４のようなものとなる。なお、
Ｃ1 およびＲ1 はそれぞれバッファ層３の容量と抵抗、
Ｃ2 およびＲ2 はそれぞれ光導波路２の容量と抵抗であ
る。ここで、ＥＯＧ電極４の１対の電極片４ａと４ｂと
の間にＶ0 の電圧を印加したとすると、光導波路２にか
かる有効電圧Ｖは以下のように印加時間ｔの関数とな
る。
波路２が形成され、さらにその上にバッファ層３を介し
て交差櫛形のＥＯＧ電極４が形成された構造を考える。
この構造の等価回路は図４のようなものとなる。なお、
Ｃ1 およびＲ1 はそれぞれバッファ層３の容量と抵抗、
Ｃ2 およびＲ2 はそれぞれ光導波路２の容量と抵抗であ
る。ここで、ＥＯＧ電極４の１対の電極片４ａと４ｂと
の間にＶ0 の電圧を印加したとすると、光導波路２にか
かる有効電圧Ｖは以下のように印加時間ｔの関数とな
る。
【００１８】 Ｖ＝Ｖ0 ｛Ａ＋（Ｂ−Ａ）ｅｘｐ-t/τ｝ ……(1) ただしＡ＝Ｒ2 ／（Ｒ2 ＋４Ｒ1 ） Ｂ＝Ｃ1 ／（Ｃ1 ＋４Ｃ2 ） τ＝Ｒ1 Ｒ2 （Ｃ1 ＋４Ｃ2 ）／（Ｒ2 ＋４Ｒ1 ） すなわち、Ｖ0 の電圧が印加された瞬間の有効電圧Ｖは
Ｂ・Ｖ0 で、この有効電圧Ｖは時間τをかけてＡ・Ｖ0
に収れんする。ここでバッファ層３の抵抗Ｒ1が非常に
小さいと、上記τの値も非常に小さいものとなる。つま
り上記有効電圧Ｖは、当初のＢ・Ｖ0 の値から極めて短
い時間内にＡ・Ｖ0 に移行し、そのまま収れんするの
で、あたかも有効電圧Ｖが最初からＡ・Ｖ0 の値を取っ
て安定しているように観測される。
Ｂ・Ｖ0 で、この有効電圧Ｖは時間τをかけてＡ・Ｖ0
に収れんする。ここでバッファ層３の抵抗Ｒ1が非常に
小さいと、上記τの値も非常に小さいものとなる。つま
り上記有効電圧Ｖは、当初のＢ・Ｖ0 の値から極めて短
い時間内にＡ・Ｖ0 に移行し、そのまま収れんするの
で、あたかも有効電圧Ｖが最初からＡ・Ｖ0 の値を取っ
て安定しているように観測される。
【００１９】バッファ層がＳｎＯ2 から形成されて、そ
の抵抗Ｒ1 が極めて低くなっていれば、以上のようにし
てＤＣドリフトが低減されることになる。
の抵抗Ｒ1 が極めて低くなっていれば、以上のようにし
てＤＣドリフトが低減されることになる。
【００２０】なお、以上は、薄膜光導波路の上にバッフ
ァ層を介して交差櫛形のＥＯＧ電極が形成された構造に
ついて述べたが、平板状電極を用いてチャンネル光導波
路に電圧を印加する導波路型電気光学素子においては、
前述の(1) 式における４Ｒ1、、４Ｃ2 がそれぞれ２Ｒ
1 、２Ｃ2 に変わるだけである。そこでこの場合も、バ
ッファ層を低抵抗のＳｎＯ2 から形成すれば、上記と同
様にしてＤＣドリフトを十分に低減できるようになる。
ァ層を介して交差櫛形のＥＯＧ電極が形成された構造に
ついて述べたが、平板状電極を用いてチャンネル光導波
路に電圧を印加する導波路型電気光学素子においては、
前述の(1) 式における４Ｒ1、、４Ｃ2 がそれぞれ２Ｒ
1 、２Ｃ2 に変わるだけである。そこでこの場合も、バ
ッファ層を低抵抗のＳｎＯ2 から形成すれば、上記と同
様にしてＤＣドリフトを十分に低減できるようになる。
【００２１】また上記のＳｎＯ2 は、前述のＩＴＯと比
べると可視域での吸収が著しく低いので、このＳｎＯ2
をバッファ層材料として用いた本発明の導波路型電気光
学素子においては、電極対向部分における光の入出力効
率も高く確保されるようになる。
べると可視域での吸収が著しく低いので、このＳｎＯ2
をバッファ層材料として用いた本発明の導波路型電気光
学素子においては、電極対向部分における光の入出力効
率も高く確保されるようになる。
【００２２】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１および図２はそれぞれ、本発明の
第１実施例による導波路型電気光学素子の平面形状およ
び側面形状を示すものである。この導波路型電気光学素
子は光変調器として構成されたものであり、ＭｇＯがド
ープされたＬｉＮｂＯ3 基板10上に形成された薄膜光導
波路11と、その上に形成されたＳｎＯ2 膜からなるバッ
ファ層12と、このバッファ層12の上に形成されたＥＯＧ
電極13と、このＥＯＧ電極13を間において互いに離れる
状態で光導波路11の表面に形成された光入力用線状回折
格子（LinearGrating Coupler：以下ＬＧＣと称する）1
4および光出力用ＬＧＣ15と、上記ＥＯＧ電極13に所定
の電圧を印加する駆動回路16とを有している。
詳細に説明する。図１および図２はそれぞれ、本発明の
第１実施例による導波路型電気光学素子の平面形状およ
び側面形状を示すものである。この導波路型電気光学素
子は光変調器として構成されたものであり、ＭｇＯがド
ープされたＬｉＮｂＯ3 基板10上に形成された薄膜光導
波路11と、その上に形成されたＳｎＯ2 膜からなるバッ
ファ層12と、このバッファ層12の上に形成されたＥＯＧ
電極13と、このＥＯＧ電極13を間において互いに離れる
状態で光導波路11の表面に形成された光入力用線状回折
格子（LinearGrating Coupler：以下ＬＧＣと称する）1
4および光出力用ＬＧＣ15と、上記ＥＯＧ電極13に所定
の電圧を印加する駆動回路16とを有している。
【００２３】この導波路型電気光学素子の要部の作製方
法は、以下の通りである。まず、ＭｇＯがドープされた
ＬＩＮｂＯ3 基板（Ｘ板）10をピロリン酸中に浸漬して
140〜150 ℃でプロトン交換を行ない、さらに大気中で3
00 〜400 ℃×１時間のアニール処理を施して、光導波
路11を形成した。この場合は、400 〜800 ｎｍの光に対
して導波光の伝搬モードがシングルモードとなる光導波
路11が得られた。
法は、以下の通りである。まず、ＭｇＯがドープされた
ＬＩＮｂＯ3 基板（Ｘ板）10をピロリン酸中に浸漬して
140〜150 ℃でプロトン交換を行ない、さらに大気中で3
00 〜400 ℃×１時間のアニール処理を施して、光導波
路11を形成した。この場合は、400 〜800 ｎｍの光に対
して導波光の伝搬モードがシングルモードとなる光導波
路11が得られた。
【００２４】次いで、光導波路11上にフォトリソグラフ
ィーによりＥＯＧ電極のレジストパターンを形成した。
電極形状は、図３に示した電極４と同様の交差櫛形であ
り、櫛歯状部分の周期Λ＝6.9 μｍである。
ィーによりＥＯＧ電極のレジストパターンを形成した。
電極形状は、図３に示した電極４と同様の交差櫛形であ
り、櫛歯状部分の周期Λ＝6.9 μｍである。
【００２５】その後この電極パターンの上にバッファ層
12となるＳｎＯ2 を、スパッタリング法により成膜し
た。このスパッタリングは、ＡｒガスとＯ2 ガスの混合
雰囲気中でＳｎＯ2 焼結体をターゲットにして行ない、
全圧中のＡｒガスおよびＯ2 ガスの分圧比はそれぞれ80
％と20％、混合ガス圧は５ｍTorr、基板温度は150 ℃に
設定した。また、このときの成膜速度は12ｎｍ／min で
あり、バッファ層としてのＳｎＯ2 膜の膜厚が、上記レ
ジストパターンよりも薄い200 〜300 ｎｍとなるように
スパッタ時間を制御した。
12となるＳｎＯ2 を、スパッタリング法により成膜し
た。このスパッタリングは、ＡｒガスとＯ2 ガスの混合
雰囲気中でＳｎＯ2 焼結体をターゲットにして行ない、
全圧中のＡｒガスおよびＯ2 ガスの分圧比はそれぞれ80
％と20％、混合ガス圧は５ｍTorr、基板温度は150 ℃に
設定した。また、このときの成膜速度は12ｎｍ／min で
あり、バッファ層としてのＳｎＯ2 膜の膜厚が、上記レ
ジストパターンよりも薄い200 〜300 ｎｍとなるように
スパッタ時間を制御した。
【００２６】ＳｎＯ2 膜を成膜した後、その上に電極材
料であるＡｌを蒸着し、次いでレジストをリフトオフす
ることにより、ＥＯＧ電極13が得られる。なおこの場
合、バッファ層12は各電極部分毎に分離したものとな
る。
料であるＡｌを蒸着し、次いでレジストをリフトオフす
ることにより、ＥＯＧ電極13が得られる。なおこの場
合、バッファ層12は各電極部分毎に分離したものとな
る。
【００２７】以下、この導波路型電気光学素子の動作を
説明する。変調される光ビーム20を発する例えばＨｅ−
Ｎｅレーザー等のレーザー光源21は、平行光であるこの
光ビーム20が、基板10の斜めにカットされた端面10ａを
通過し、光導波路11を透過してＬＧＣ14の部分に入射す
るように配置されている。それにより、光ビーム20はこ
のＬＧＣ14で回折して光導波路11内に入射し、該光導波
路11を導波モードで矢印Ａ方向に進行する。
説明する。変調される光ビーム20を発する例えばＨｅ−
Ｎｅレーザー等のレーザー光源21は、平行光であるこの
光ビーム20が、基板10の斜めにカットされた端面10ａを
通過し、光導波路11を透過してＬＧＣ14の部分に入射す
るように配置されている。それにより、光ビーム20はこ
のＬＧＣ14で回折して光導波路11内に入射し、該光導波
路11を導波モードで矢印Ａ方向に進行する。
【００２８】この光ビーム（導波光）20は、ＥＯＧ電極
13に対応する部分を通って導波するが、ＥＯＧ電極13に
電圧が印加されていない状態では、この導波光20は直進
する。一方、ＥＯＧ電極13に駆動回路16から所定の電圧
が印加されると、電気光学効果を有する光導波路11の屈
折率が変化して光導波路11に回折格子が形成され、導波
光20はその回折格子により回折する。以上のようにして
回折した光ビーム20Ａおよび回折しない光ビーム20Ｂ
は、ＬＧＣ15において基板10側に回折し、この基板10の
斜めにカットされた端面10ｂから素子外に出射する。
13に対応する部分を通って導波するが、ＥＯＧ電極13に
電圧が印加されていない状態では、この導波光20は直進
する。一方、ＥＯＧ電極13に駆動回路16から所定の電圧
が印加されると、電気光学効果を有する光導波路11の屈
折率が変化して光導波路11に回折格子が形成され、導波
光20はその回折格子により回折する。以上のようにして
回折した光ビーム20Ａおよび回折しない光ビーム20Ｂ
は、ＬＧＣ15において基板10側に回折し、この基板10の
斜めにカットされた端面10ｂから素子外に出射する。
【００２９】そこでこの素子外に出射した例えば光ビー
ム20Ａを使用光とすれば、前記駆動回路16による電圧印
加の有無に応じてこの光ビーム20Ａを変調することがで
きる。例えば所定の画像信号に基づいてこの光ビーム20
Ａを変調する場合は、その画像信号に基づいて駆動回路
16による電圧印加を制御すればよい。
ム20Ａを使用光とすれば、前記駆動回路16による電圧印
加の有無に応じてこの光ビーム20Ａを変調することがで
きる。例えば所定の画像信号に基づいてこの光ビーム20
Ａを変調する場合は、その画像信号に基づいて駆動回路
16による電圧印加を制御すればよい。
【００３０】次に、本実施例の導波路型電気光学素子に
おけるＤＣドリフトについて説明する。ＤＣドリフトを
観測するために、波長514.5 ｎｍの光ビーム20を光導波
路11に入射させ、ＥＯＧ電極13に８分間一定電圧Ｖ0 を
印加し、そのとき回折した光ビーム20Ａの光強度を連続
的に測定した。この印加電圧Ｖ0 は、最大回折光量を得
るために必要な電圧Ｖπの１／２とした。
おけるＤＣドリフトについて説明する。ＤＣドリフトを
観測するために、波長514.5 ｎｍの光ビーム20を光導波
路11に入射させ、ＥＯＧ電極13に８分間一定電圧Ｖ0 を
印加し、そのとき回折した光ビーム20Ａの光強度を連続
的に測定した。この印加電圧Ｖ0 は、最大回折光量を得
るために必要な電圧Ｖπの１／２とした。
【００３１】この測定に供した導波路型電気光学素子の
ＥＯＧ電極13の電極指周期Λ＝6.9μｍ、電極指長Ｌ
（図３参照）＝6.9 ｍｍであり、バッファ層12の厚さは
200 ｎｍである。また、本例のバッファ層12の材料であ
るＳｎＯ2 の比抵抗は、４端子法で測定したところ0.1
Ωｃｍであり、光導波路11の比抵抗１×108 〜１×1010
Ωｃｍと比べて著しく低くなっている。
ＥＯＧ電極13の電極指周期Λ＝6.9μｍ、電極指長Ｌ
（図３参照）＝6.9 ｍｍであり、バッファ層12の厚さは
200 ｎｍである。また、本例のバッファ層12の材料であ
るＳｎＯ2 の比抵抗は、４端子法で測定したところ0.1
Ωｃｍであり、光導波路11の比抵抗１×108 〜１×1010
Ωｃｍと比べて著しく低くなっている。
【００３２】光ビーム20Ａの光強度測定結果を図５に示
す。なお、同図の（１）、（２）、（３）は、導波光の
パワー密度がそれぞれ５Ｗ／ｃｍ2 、0.5 Ｗ／ｃｍ2 、
0.05Ｗ／ｃｍ2 の各場合の光強度測定結果を示してい
る。また光強度は相対値で示してあるが、相対値１が示
す絶対値は、この図５と後述する図６、図７においてす
べて共通である。図５に示される通り、導波光のパワー
密度が低い場合も、また５Ｗ／ｃｍ2 とかなり高い場合
も、回折した光ビーム20Ａの光強度は８分間ほとんど変
動することがなく、顕著なＤＣドリフトは発生していな
い。
す。なお、同図の（１）、（２）、（３）は、導波光の
パワー密度がそれぞれ５Ｗ／ｃｍ2 、0.5 Ｗ／ｃｍ2 、
0.05Ｗ／ｃｍ2 の各場合の光強度測定結果を示してい
る。また光強度は相対値で示してあるが、相対値１が示
す絶対値は、この図５と後述する図６、図７においてす
べて共通である。図５に示される通り、導波光のパワー
密度が低い場合も、また５Ｗ／ｃｍ2 とかなり高い場合
も、回折した光ビーム20Ａの光強度は８分間ほとんど変
動することがなく、顕著なＤＣドリフトは発生していな
い。
【００３３】一方、ＥＯＧ電極13に対向する光導波路部
分における光の入出力効率は85％と十分高かった。ま
た、導波光のパワー密度が上記の５〜0.05Ｗ／ｃｍ2 の
範囲では、光導波路11の光損傷は観測されなかった。そ
して、バッファ層12の下を導波する光の散乱をＣＣＤカ
メラで観測し、その減衰曲線から伝搬損失を求めたとこ
ろ、５ｄＢ／ｃｍであった。
分における光の入出力効率は85％と十分高かった。ま
た、導波光のパワー密度が上記の５〜0.05Ｗ／ｃｍ2 の
範囲では、光導波路11の光損傷は観測されなかった。そ
して、バッファ層12の下を導波する光の散乱をＣＣＤカ
メラで観測し、その減衰曲線から伝搬損失を求めたとこ
ろ、５ｄＢ／ｃｍであった。
【００３４】次に、本発明に対する比較例１として、バ
ッファ層を従来装置におけるのと同様にＳｉＯ2 から形
成した導波路型電気光学素子について説明する。この比
較例１の導波路型電気光学素子は、図１および図２に示
した導波路型電気光学素子と比較すると、基本的にはバ
ッファ層材料が異なるだけであり、以下では適宜図１お
よび図２中の番号を引用して説明する。
ッファ層を従来装置におけるのと同様にＳｉＯ2 から形
成した導波路型電気光学素子について説明する。この比
較例１の導波路型電気光学素子は、図１および図２に示
した導波路型電気光学素子と比較すると、基本的にはバ
ッファ層材料が異なるだけであり、以下では適宜図１お
よび図２中の番号を引用して説明する。
【００３５】この比較例１の導波路型電気光学素子の作
製方法は、ＭｇＯがドープされたＬＩＮｂＯ3 基板（Ｘ
板）10に光導波路11を形成し、その上にＥＯＧ電極のレ
ジストパターンを形成するところまでは、前記実施例に
おけるのと同様である。また、電極形状も前記実施例と
同様である。
製方法は、ＭｇＯがドープされたＬＩＮｂＯ3 基板（Ｘ
板）10に光導波路11を形成し、その上にＥＯＧ電極のレ
ジストパターンを形成するところまでは、前記実施例に
おけるのと同様である。また、電極形状も前記実施例と
同様である。
【００３６】そして、ＥＯＧ電極のレジストパターンを
形成した後、この電極パターンの上にバッファ層12とな
るＳｉＯ2 を、スパッタリング法により成膜した。この
スパッタリングは、ＡｒガスとＯ2 ガスの混合雰囲気中
でＳｉＯ2 焼結体をターゲットにして行ない、全圧中の
Ｏ2 ガスの分圧比は10％、混合ガス圧は５ｍTorr、基板
温度は150 ℃に設定した。また、このときの成膜速度は
10ｎｍ／min であり、バッファ層としての膜厚が上記レ
ジストパターンよりも薄い100 〜200 ｎｍとなるように
スパッタ時間を制御した。
形成した後、この電極パターンの上にバッファ層12とな
るＳｉＯ2 を、スパッタリング法により成膜した。この
スパッタリングは、ＡｒガスとＯ2 ガスの混合雰囲気中
でＳｉＯ2 焼結体をターゲットにして行ない、全圧中の
Ｏ2 ガスの分圧比は10％、混合ガス圧は５ｍTorr、基板
温度は150 ℃に設定した。また、このときの成膜速度は
10ｎｍ／min であり、バッファ層としての膜厚が上記レ
ジストパターンよりも薄い100 〜200 ｎｍとなるように
スパッタ時間を制御した。
【００３７】このＳｉＯ2 膜を成膜した後、その上に電
極材料であるＡｌを蒸着し、次いでレジストをリフトオ
フすることにより、ＥＯＧ電極13が得られる。
極材料であるＡｌを蒸着し、次いでレジストをリフトオ
フすることにより、ＥＯＧ電極13が得られる。
【００３８】次に、この比較例１の導波路型電気光学素
子におけるＤＣドリフトについて説明する。ＤＣドリフ
トの観測は、前記第１実施例の場合と同様にして行なっ
た。なおこの場合も、ＥＯＧ電極13の電極指周期Λ＝6.
9 μｍ、電極指長Ｌ＝6.9 ｍｍであり、バッファ層12の
厚さは100 ｎｍである。
子におけるＤＣドリフトについて説明する。ＤＣドリフ
トの観測は、前記第１実施例の場合と同様にして行なっ
た。なおこの場合も、ＥＯＧ電極13の電極指周期Λ＝6.
9 μｍ、電極指長Ｌ＝6.9 ｍｍであり、バッファ層12の
厚さは100 ｎｍである。
【００３９】また、本比較例１のバッファ層材料である
ＳｉＯ2 の比抵抗は１×1012〜１×1015Ωｃｍであり、
光導波路11の比抵抗１×108 〜１×1010Ωｃｍよりも大
となっている。
ＳｉＯ2 の比抵抗は１×1012〜１×1015Ωｃｍであり、
光導波路11の比抵抗１×108 〜１×1010Ωｃｍよりも大
となっている。
【００４０】回折した光ビーム20Ａの光強度を測定した
結果を図６に示す。なお、同図の（１）、（２）、
（３）は、導波光のパワー密度がそれぞれ５Ｗ／ｃ
ｍ2 、0.5 Ｗ／ｃｍ2 、0.05Ｗ／ｃｍ2 の各場合の光強
度測定結果を示している。図示される通りこの比較例１
においては、回折光の光強度は電圧印加を開始してから
時間が経過するのにつれて徐々に低下し、顕著なＤＣド
リフトが生じていることが分かる。特に、導波光のパワ
ー密度が５Ｗ／ｃｍ2 と大きい場合は、その傾向が大で
ある。
結果を図６に示す。なお、同図の（１）、（２）、
（３）は、導波光のパワー密度がそれぞれ５Ｗ／ｃ
ｍ2 、0.5 Ｗ／ｃｍ2 、0.05Ｗ／ｃｍ2 の各場合の光強
度測定結果を示している。図示される通りこの比較例１
においては、回折光の光強度は電圧印加を開始してから
時間が経過するのにつれて徐々に低下し、顕著なＤＣド
リフトが生じていることが分かる。特に、導波光のパワ
ー密度が５Ｗ／ｃｍ2 と大きい場合は、その傾向が大で
ある。
【００４１】前述の図５に示した測定結果を、この図６
の測定結果と照らし合わせれば、本発明により明らかな
ＤＣドリフト低減効果が得られていることが分かる。
の測定結果と照らし合わせれば、本発明により明らかな
ＤＣドリフト低減効果が得られていることが分かる。
【００４２】一方、ＥＯＧ電極13に対向する光導波路部
分における光の入出力効率は95％と十分高かった。ま
た、導波光のパワー密度が上記の５〜0.05Ｗ／ｃｍ2 の
範囲では、光導波路11の光損傷は観測されなかった。そ
して、バッファ層12の下を導波する光の散乱をＣＣＤカ
メラで観測し、その減衰曲線から伝搬損失を求めたとこ
ろ、0.3 ｄＢ／ｃｍであった。
分における光の入出力効率は95％と十分高かった。ま
た、導波光のパワー密度が上記の５〜0.05Ｗ／ｃｍ2 の
範囲では、光導波路11の光損傷は観測されなかった。そ
して、バッファ層12の下を導波する光の散乱をＣＣＤカ
メラで観測し、その減衰曲線から伝搬損失を求めたとこ
ろ、0.3 ｄＢ／ｃｍであった。
【００４３】上述の通り、この比較例１の導波路型電気
光学素子は、ＥＯＧ電極13に対向する光導波路部分にお
ける光の入出力効率および伝搬損失の点では上記第１実
施例の導波路型電気光学素子よりも優れているが、大き
なＤＣドリフトが生じているため、実用的価値は上記第
１実施例の導波路型電気光学素子よりも低いものとなっ
てしまう。
光学素子は、ＥＯＧ電極13に対向する光導波路部分にお
ける光の入出力効率および伝搬損失の点では上記第１実
施例の導波路型電気光学素子よりも優れているが、大き
なＤＣドリフトが生じているため、実用的価値は上記第
１実施例の導波路型電気光学素子よりも低いものとなっ
てしまう。
【００４４】次に、本発明に対する比較例２として、バ
ッファ層をＩＴＯから形成した導波路型電気光学素子に
ついて説明する。この比較例２の導波路型電気光学素子
は、図１および図２に示した導波路型電気光学素子と比
較すると、基本的にはバッファ層材料が異なるだけであ
り、ここでも、適宜図１および図２中の番号を引用して
説明する。
ッファ層をＩＴＯから形成した導波路型電気光学素子に
ついて説明する。この比較例２の導波路型電気光学素子
は、図１および図２に示した導波路型電気光学素子と比
較すると、基本的にはバッファ層材料が異なるだけであ
り、ここでも、適宜図１および図２中の番号を引用して
説明する。
【００４５】この比較例２の導波路型電気光学素子の作
製方法は、ＭｇＯがドープされたＬＩＮｂＯ3 基板（Ｘ
板）10に光導波路11を形成し、その上にＥＯＧ電極のレ
ジストパターンを形成するところまでは、前記実施例に
おけるのと同様である。また、電極形状も前記実施例と
同様である。
製方法は、ＭｇＯがドープされたＬＩＮｂＯ3 基板（Ｘ
板）10に光導波路11を形成し、その上にＥＯＧ電極のレ
ジストパターンを形成するところまでは、前記実施例に
おけるのと同様である。また、電極形状も前記実施例と
同様である。
【００４６】そして、ＥＯＧ電極のレジストパターンを
形成した後、この電極パターンの上にバッファ層12とな
るＩＴＯを、スパッタリング法により成膜した。このス
パッタリングは、ＡｒガスとＯ2 ガスの混合雰囲気中
で、Ｉｎ2 Ｏ3 ：90ｗｔ％、ＳｎＯ2 ：10ｗｔ％の組成
のインジウム・スズ酸化物をターゲットにして行ない、
全圧中のＯ2 ガスの分圧比は20％、混合ガス圧は５ｍTo
rr、基板温度は150 ℃に設定した。また、このときの成
膜速度は12ｎｍ／min であり、バッファ層としての膜厚
が上記レジストパターンよりも薄い200 〜300 ｎｍとな
るようにスパッタ時間を制御した。
形成した後、この電極パターンの上にバッファ層12とな
るＩＴＯを、スパッタリング法により成膜した。このス
パッタリングは、ＡｒガスとＯ2 ガスの混合雰囲気中
で、Ｉｎ2 Ｏ3 ：90ｗｔ％、ＳｎＯ2 ：10ｗｔ％の組成
のインジウム・スズ酸化物をターゲットにして行ない、
全圧中のＯ2 ガスの分圧比は20％、混合ガス圧は５ｍTo
rr、基板温度は150 ℃に設定した。また、このときの成
膜速度は12ｎｍ／min であり、バッファ層としての膜厚
が上記レジストパターンよりも薄い200 〜300 ｎｍとな
るようにスパッタ時間を制御した。
【００４７】このＩＴＯ膜を成膜した後、その上に電極
材料であるＡｌを蒸着し、次いでレジストをリフトオフ
することにより、ＥＯＧ電極13が得られる。
材料であるＡｌを蒸着し、次いでレジストをリフトオフ
することにより、ＥＯＧ電極13が得られる。
【００４８】次に、この比較例２の導波路型電気光学素
子におけるＤＣドリフトについて説明する。ＤＣドリフ
トの観測は、前記第１実施例の場合と同様にして行なっ
た。なおこの場合も、ＥＯＧ電極13の電極指周期Λ＝6.
9 μｍ、電極指長Ｌ＝6.9 ｍｍであり、バッファ層12の
厚さは100 ｎｍである。
子におけるＤＣドリフトについて説明する。ＤＣドリフ
トの観測は、前記第１実施例の場合と同様にして行なっ
た。なおこの場合も、ＥＯＧ電極13の電極指周期Λ＝6.
9 μｍ、電極指長Ｌ＝6.9 ｍｍであり、バッファ層12の
厚さは100 ｎｍである。
【００４９】また、本比較例２のバッファ層材料である
ＩＴＯの比抵抗は、４端子法で測定したところ3.5 ×10
-4Ωｃｍであり、光導波路11の比抵抗１×108 〜１×10
10Ωｃｍと比べて著しく低くなっている。
ＩＴＯの比抵抗は、４端子法で測定したところ3.5 ×10
-4Ωｃｍであり、光導波路11の比抵抗１×108 〜１×10
10Ωｃｍと比べて著しく低くなっている。
【００５０】回折した光ビーム20Ａの光強度を測定した
結果を図７に示す。なお、同図の（１）、（２）、
（３）は、導波光のパワー密度がそれぞれ５Ｗ／ｃ
ｍ2 、0.5 Ｗ／ｃｍ2 、0.05Ｗ／ｃｍ2 の各場合の光強
度測定結果を示している。図示される通りこの比較例２
においても、ＤＣドリフト低減効果が得られている。ま
た、導波光のパワー密度が上記の５〜0.05Ｗ／ｃｍ2 の
範囲では、光導波路11の光損傷は観測されなかった。
結果を図７に示す。なお、同図の（１）、（２）、
（３）は、導波光のパワー密度がそれぞれ５Ｗ／ｃ
ｍ2 、0.5 Ｗ／ｃｍ2 、0.05Ｗ／ｃｍ2 の各場合の光強
度測定結果を示している。図示される通りこの比較例２
においても、ＤＣドリフト低減効果が得られている。ま
た、導波光のパワー密度が上記の５〜0.05Ｗ／ｃｍ2 の
範囲では、光導波路11の光損傷は観測されなかった。
【００５１】しかしこの比較例２の導波路型電気光学素
子においては、ＥＯＧ電極13に対向する光導波路部分に
おける光の入出力効率は65％とかなり低くなっている。
これは、ＩＴＯの吸収端が可視域に存在するためであ
る。そして、バッファ層12の下を導波する光の散乱をＣ
ＣＤカメラで観測し、その減衰曲線から伝搬損失を求め
たところ15ｄＢ／ｃｍであり、第１実施例における５ｄ
Ｂ／ｃｍよりもかなり高くなっている。
子においては、ＥＯＧ電極13に対向する光導波路部分に
おける光の入出力効率は65％とかなり低くなっている。
これは、ＩＴＯの吸収端が可視域に存在するためであ
る。そして、バッファ層12の下を導波する光の散乱をＣ
ＣＤカメラで観測し、その減衰曲線から伝搬損失を求め
たところ15ｄＢ／ｃｍであり、第１実施例における５ｄ
Ｂ／ｃｍよりもかなり高くなっている。
【００５２】上述の通り、この比較例２の導波路型電気
光学素子は、第１実施例の導波路型電気光学素子と同様
にＤＣドリフト低減効果が得られるものであるが、ＥＯ
Ｇ電極13に対向する光導波路部分における光の入出力効
率および伝搬損失の点では、第１実施例の導波路型電気
光学素子よりも明らかに劣っている。
光学素子は、第１実施例の導波路型電気光学素子と同様
にＤＣドリフト低減効果が得られるものであるが、ＥＯ
Ｇ電極13に対向する光導波路部分における光の入出力効
率および伝搬損失の点では、第１実施例の導波路型電気
光学素子よりも明らかに劣っている。
【００５３】次に、本発明に対する比較例３として、光
導波路11をＴｉ拡散により形成し、またバッファ層をＩ
ＴＯから形成した導波路型電気光学素子について説明す
る。ここでも、適宜図１および図２中の番号を引用して
説明する。
導波路11をＴｉ拡散により形成し、またバッファ層をＩ
ＴＯから形成した導波路型電気光学素子について説明す
る。ここでも、適宜図１および図２中の番号を引用して
説明する。
【００５４】この比較例３の導波路型電気光学素子を作
製するに当たり、まず、ＭｇＯがドープされたＬＩＮｂ
Ｏ3 基板（Ｘ板）10にＴｉを25ｎｍの厚さに蒸着し、次
いで950 〜1000℃×５時間の熱処理を施してＴｉを基板
10に拡散させ、Ｔｉ拡散光導波路11を形成する。
製するに当たり、まず、ＭｇＯがドープされたＬＩＮｂ
Ｏ3 基板（Ｘ板）10にＴｉを25ｎｍの厚さに蒸着し、次
いで950 〜1000℃×５時間の熱処理を施してＴｉを基板
10に拡散させ、Ｔｉ拡散光導波路11を形成する。
【００５５】次いでその上に、ＥＯＧ電極のレジストパ
ターンを形成し、以下比較例２と同様にしてＩＴＯ膜か
らなるバッファ層12を形成し、ＡｌからなるＥＯＧ電極
13を形成する。
ターンを形成し、以下比較例２と同様にしてＩＴＯ膜か
らなるバッファ層12を形成し、ＡｌからなるＥＯＧ電極
13を形成する。
【００５６】この比較例３の導波路型電気光学素子にお
いて、波長514.5 ｎｍの光ビーム20を光導波路11に入射
させたが、導波光のパワー密度が30ｍＷ／ｃｍ2 とかな
り低い場合でも光損傷が生じ、光変調器として機能しな
かった。
いて、波長514.5 ｎｍの光ビーム20を光導波路11に入射
させたが、導波光のパワー密度が30ｍＷ／ｃｍ2 とかな
り低い場合でも光損傷が生じ、光変調器として機能しな
かった。
【００５７】次に、図８を参照して本発明の第２実施例
について説明する。この第２実施例の導波路型電気光学
素子は、ＭｇＯがドープされたＬＩＮｂＯ3 基板10と、
該基板10に形成された、Ｙ分岐光導波路を２つ接続した
形のチャンネル光導波路30と、このチャンネル光導波路
30の一方の分岐部分30ａを挟むようにして基板10上に形
成された１対の平板状電極31，31と、これらの平板状電
極31，31に所定の電圧を印加する駆動回路32とを有して
いる。またこの場合も、各平板状電極31と基板10との間
には、ＳｎＯ2 膜からなるバッファ層33が介設されてい
る。
について説明する。この第２実施例の導波路型電気光学
素子は、ＭｇＯがドープされたＬＩＮｂＯ3 基板10と、
該基板10に形成された、Ｙ分岐光導波路を２つ接続した
形のチャンネル光導波路30と、このチャンネル光導波路
30の一方の分岐部分30ａを挟むようにして基板10上に形
成された１対の平板状電極31，31と、これらの平板状電
極31，31に所定の電圧を印加する駆動回路32とを有して
いる。またこの場合も、各平板状電極31と基板10との間
には、ＳｎＯ2 膜からなるバッファ層33が介設されてい
る。
【００５８】上記構成の導波路型電気光学素子におい
て、入力光34はチャンネル光導波路30の図中左端から入
力され、１番目のＹ分岐で分岐され、分岐部分30ａおよ
び30ｂを導波してから２番目のＹ分岐で再度合成され
る。この合成された光は、チャンネル光導波路30の図中
右端から出力光34Ａとして出力される。
て、入力光34はチャンネル光導波路30の図中左端から入
力され、１番目のＹ分岐で分岐され、分岐部分30ａおよ
び30ｂを導波してから２番目のＹ分岐で再度合成され
る。この合成された光は、チャンネル光導波路30の図中
右端から出力光34Ａとして出力される。
【００５９】チャンネル光導波路30の一方の分岐部分30
ａに電極31，31を介して所定電圧が印加されると、この
分岐部分30ａの屈折率が変化するので、分岐部分30ａを
導波する光はこの電圧印加の有無に応じて位相変調され
る。そして、この分岐部分30ａを導波した光と、分岐部
分30ｂを導波した光は合成されたとき干渉するので、出
力光34Ａは上記電圧印加の有無に応じて強度変調され
る。
ａに電極31，31を介して所定電圧が印加されると、この
分岐部分30ａの屈折率が変化するので、分岐部分30ａを
導波する光はこの電圧印加の有無に応じて位相変調され
る。そして、この分岐部分30ａを導波した光と、分岐部
分30ｂを導波した光は合成されたとき干渉するので、出
力光34Ａは上記電圧印加の有無に応じて強度変調され
る。
【００６０】この第２実施例の導波路型電気光学素子に
おいても、第１実施例と同様にバッファ層33がＳｎＯ2
膜から形成されているので、ＤＣドリフト低減効果が得
られる。
おいても、第１実施例と同様にバッファ層33がＳｎＯ2
膜から形成されているので、ＤＣドリフト低減効果が得
られる。
【００６１】次に、図９を参照して本発明の第３実施例
について説明する。この第３実施例の導波路型電気光学
素子は、ＭｇＯがドープされたＬＩＮｂＯ3 基板10と、
該基板10に形成された、方向性結合器を構成する２つの
チャンネル光導波路40Ａ、40Ｂと、一方のチャンネル光
導波路40Ａを挟むようにして基板10上に形成された１対
の平板状電極41，41と、これらの平板状電極41，41に所
定の電圧を印加する駆動回路42とを有している。またこ
の場合も、各平板状電極41と基板10との間には、ＳｎＯ
2 膜からなるバッファ層43が介設されている。
について説明する。この第３実施例の導波路型電気光学
素子は、ＭｇＯがドープされたＬＩＮｂＯ3 基板10と、
該基板10に形成された、方向性結合器を構成する２つの
チャンネル光導波路40Ａ、40Ｂと、一方のチャンネル光
導波路40Ａを挟むようにして基板10上に形成された１対
の平板状電極41，41と、これらの平板状電極41，41に所
定の電圧を印加する駆動回路42とを有している。またこ
の場合も、各平板状電極41と基板10との間には、ＳｎＯ
2 膜からなるバッファ層43が介設されている。
【００６２】上記構成の導波路型電気光学素子におい
て、入力光44は一方のチャンネル光導波路40Ａに入力さ
れてそこを導波し、両光導波路40Ａ、40Ｂが近接してい
る部分において他方のチャンネル光導波路40Ｂに浸み出
し、そこを導波して該光導波路40Ｂから出力光44Ａとし
て出力される。
て、入力光44は一方のチャンネル光導波路40Ａに入力さ
れてそこを導波し、両光導波路40Ａ、40Ｂが近接してい
る部分において他方のチャンネル光導波路40Ｂに浸み出
し、そこを導波して該光導波路40Ｂから出力光44Ａとし
て出力される。
【００６３】チャンネル光導波路40Ａに電極41，41を介
して所定電圧が印加されると、この光導波路40Ａの屈折
率が変化するので、該光導波路40Ａから光導波路40Ｂへ
の導波光の浸み出しの大きさが変化する。そこで出力光
44Ａは、上記電圧印加の有無に応じて強度変調される。
して所定電圧が印加されると、この光導波路40Ａの屈折
率が変化するので、該光導波路40Ａから光導波路40Ｂへ
の導波光の浸み出しの大きさが変化する。そこで出力光
44Ａは、上記電圧印加の有無に応じて強度変調される。
【００６４】この第３実施例の導波路型電気光学素子に
おいても、第１、２実施例と同様にバッファ層43がＳｎ
Ｏ2 膜から形成されているので、ＤＣドリフト低減効果
が得られる。
おいても、第１、２実施例と同様にバッファ層43がＳｎ
Ｏ2 膜から形成されているので、ＤＣドリフト低減効果
が得られる。
【図１】本発明の第１実施例による導波路型電気光学素
子を示す平面図
子を示す平面図
【図２】上記第１実施例の導波路型電気光学素子の側面
図
図
【図３】本発明に用いられる電極の一例を示す斜視図
【図４】図３の構造の等価回路を示す電気回路図
【図５】上記第１実施例の導波路型電気光学素子のＤＣ
ドリフト量測定結果を示すグラフ
ドリフト量測定結果を示すグラフ
【図６】本発明に対する比較例１の導波路型電気光学素
子のＤＣドリフト量測定結果を示すグラフ
子のＤＣドリフト量測定結果を示すグラフ
【図７】本発明に対する比較例２の導波路型電気光学素
子のＤＣドリフト量測定結果を示すグラフ
子のＤＣドリフト量測定結果を示すグラフ
【図８】本発明の第２実施例による導波路型電気光学素
子を示す斜視図
子を示す斜視図
【図９】本発明の第３実施例による導波路型電気光学素
子を示す斜視図
子を示す斜視図
１ 基板 ２ 薄膜光導波路 ３ バッファ層 ４ ＥＯＧ電極 10 ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板 11 薄膜光導波路 12 バッファ層 13 ＥＯＧ電極 16 駆動回路 20 光ビーム 20Ａ 回折した光ビーム 20Ｂ 回折しない光ビーム 30 チャンネル光導波路 31 平板状電極 32 駆動回路 33 バッファ層 40Ａ、40Ｂ チャンネル光導波路 41 平板状電極 42 駆動回路 43 バッファ層
Claims (1)
- 【請求項１】 電気光学効果を有する基板に形成された
光導波路と、 前記基板との間にバッファ層を介して、前記光導波路に
近接させて取り付けられた少なくとも１対の電極と、 これらの電極間に電圧を印加する駆動回路とを有する導
波路型電気光学素子において、 前記光導波路がプロトン交換／アニール光導波路であ
り、 前記バッファ層がＳｎＯ2 から形成されていることを特
徴とする導波路型電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7763494A JPH07287257A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 導波路型電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7763494A JPH07287257A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 導波路型電気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07287257A true JPH07287257A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=13639336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7763494A Withdrawn JPH07287257A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 導波路型電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07287257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004287281A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光素子およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-04-15 JP JP7763494A patent/JPH07287257A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004287281A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光素子およびその製造方法 |
| JP4506088B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2010-07-21 | 富士ゼロックス株式会社 | 光素子の製造方法 |
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|---|---|---|---|
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