JPS58166347A - ホトマスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は密着露光時にウェハとのスティッキングを防止
できるホトマスクに関する。

一般に、牛導体製品の製造過程において、ウェハ（ｋＩ
ｐ導体基板）上にホトマスクを密着させてウェハにホト
リソグラフィ処理を總こす場合、ウェハとマスクとが露
光後もくっ付いたまま離れなくなるという、いわゆるス
ティッキング現象を生じることがある。

このようなスティッキングを防止するため、従来はウェ
ハとの密着露光を行う前にマスク表ｒＩＩＫ界面活性剤
を塗布することが行われている。

ところが、この従来方式では、１枚のマスクを用いて多
数のウェハに密着露光する関係上、界面活性剤の効果が
持続せず、スティッキングの発生頻度が比較的高くなる
ため、クエへの外観歩留りの低下を来たす要因とな−て
しまう、 本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、ホト
マスクとウェハの密着露光時におけるスティッキングを
防止できるホトマスクを提供するととにある。

この目的を達成するため１本発明は、ホトマスクのマス
ク基板自体にもパターンに合せ【エツチングを總こし、
ウェハとの密着時におけるホトマスクとウェハとの間の
接触面積をできるだけ小さくすることによりスティッキ
ングを阻止するものでちる。

以下、本発明を図面−示す一実施例にしたが−て詳細に
説明する。

第１図〜第３図ｆ工それぞれ本発明によるホトマスクの
一実施例を作成する過程を順次示す部分断Ｉｌ１図であ
る。

本実施例においては、ホトマスクのマスク基ｆｌのパタ
ーン形成向側には、クローム（Ｃｒ　）の如き金属膜で
作られるパターン２に合せてエツチング溝ＩＡがエツチ
ングされている（第３図参照）。

すなわち１本実施例によるホトマスクを作成する場合、
まず第１図に示すように、ガラス製のマスク基板ｌ上に
金属膜２を薄く形成し、さらにその上にホトレジスト３
を塗布した俵１図示しないリピータ−またはプリンター
で露光しかつ現像処理し、レジストパターンを形成する
。

次に、第２図に示すように、たとえば塩素系ガスを用い
たドライエツチングにより金属膜２をエツチングし、か
つマスク基１ｉ’ｌのパターン形成面側も金属膜２と同
じパターンで所望深さまでエツチングしてエツチング溝
ＩＡを形成する。

その後、ホトレジスト３ｔ−剥離するととＫより。

第３図に示すようｆ（、ｗスフ基板ｌ自体にもエツチン
グ溝ＩＡを形成したホトマスクの作成が完了する・ このようにして作成された本実總例のホトマスクは金属
膜２の表面からマスク基板１のエツチング溝ＩＡの底面
までの寸法Ｔが通常の金属膜の厚したがって１本実施例
のホトマスクをウェーハと密着させた場合、ウェハとホ
トマスクとの間には、金属膜２によるマスクパターンが
形成されていない部分すなわちエツチング溝ＩＡを形成
した部分において捻ぼ寸法ＴＫ相当する隙間が形成され
、ウェハ表面がエツチング溝ＩＡの底面Ｋまで密着する
ことはない。その結果、従来の薄い金属膜の入の場合の
ようにウェハ表面のレジストが金員膜のエツチング部分
く入り込んでホトマスク表面にも密着するようなことは
なくなるので、ウェハとホトマスクとの実質的な接触面
積が小さくなる。

それにより、本実ａｙｓでは、ウェハの密着露光後にウ
ェハとホトマスクとがくっ付いたまま離れなくなるとい
ラスティッキング現象を有効に防止できる。また、この
ようなスティッキングによりウェハ上のレジストが部分
的にホトマスク上に移ってウェハの外観不良を生じるこ
とも防止し、ウェハ外観歩留りを向上できる。

なお１本発明のホトマスクの作成方法は前記実施例にシ
定されるものではない。

以上説明したように１本発明によれば、ホトマスクとウ
ェハの密着露光時にスティッキングが発生することを防
止でき、ウニＩ−の外観不良による歩留り低下を防止す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図レエそれぞれ本発明によるホトマスクの
一実總例を作成する過程を順次示す部分−面図である。 １・・・マスク基板、ＩＡ・・・エツチング溝、２・・
・◆属膜、３・・・ホトレジスト。 第　　１　　図 第　　２　図 ＩＡ 第　　３　　図 ／／４　　　／

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. マスク基板上に形成されたパターンに合せてマスク基板
   自体もエツチングしたことを特徴とするホトマスク。