JPS58161157A - 光ディスク装置の光源駆動装置 - Google Patents
光ディスク装置の光源駆動装置Info
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- JPS58161157A JPS58161157A JP57042760A JP4276082A JPS58161157A JP S58161157 A JPS58161157 A JP S58161157A JP 57042760 A JP57042760 A JP 57042760A JP 4276082 A JP4276082 A JP 4276082A JP S58161157 A JPS58161157 A JP S58161157A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- voltage
- resistance
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザの駆動回路に係り、とくに光デイ
スク装置において半導体レーザをサージから保腫する回
路に関するものである。
スク装置において半導体レーザをサージから保腫する回
路に関するものである。
第１図はリード、ライト可能な光デイスク装置に於ける
半導体レーザの駆動回路を示す。
半導体レーザの駆動回路を示す。
半導体レーザ１０ｒｉ光学ヘツド１の一部に組込まれ、
これにリード電ｆＬを供給する電流源３およびライト電
流を供給する電流源４の駆動回路が接続される。リード
電流は一定電流であるがフィト電流はライト情報に対応
したパルス電流である。
これにリード電ｆＬを供給する電流源３およびライト電
流を供給する電流源４の駆動回路が接続される。リード
電流は一定電流であるがフィト電流はライト情報に対応
したパルス電流である。
高速のパルス電流を供給するため、電流源の代りに第２
図に示すように、電圧＃、４１と抵抗４２の直列回路に
高速スイッチ素子４３を用いライト情報に従ってスイッ
チ４３をオン・オフする方法も実際上よく用いられる。
図に示すように、電圧＃、４１と抵抗４２の直列回路に
高速スイッチ素子４３を用いライト情報に従ってスイッ
チ４３をオン・オフする方法も実際上よく用いられる。
第１図で１１は半導体レーザ１０の出力のモニタ用検出
器で、モニタ出力５０から所定のリード、ライトパワに
なるようにリード、ライト電源３．４を制御する。５３
゜５４はこのための制御信号でおる。
器で、モニタ出力５０から所定のリード、ライトパワに
なるようにリード、ライト電源３．４を制御する。５３
゜５４はこのための制御信号でおる。
半導体レーザはダイオードとしての順方向に電ｆｉを流
すことＫよりレーザ光を発生するものであるが、何らか
の原因で逆方向である値を越える電圧が印加されると素
子が破壊される。通常のダイオード等でも逆方向破壊は
あるが、半導体レーザに於ては、上記の逆方向電圧に対
する耐圧が非常に低い、すなわち通常のダイオードでは
数１０〜数１００ボルトの逆耐圧は容易に得られるが、
半導体レーザではこれが数ボルトである。従って第１図
、第２図等の駆動回路に於て、電源のオンオフ時、ある
いは他の装置等からの影響により、す−ド回路３０．ラ
イト回路４０の端子にプラスの電圧（サージ電圧）が生
じ、この値が上記逆耐圧を越えると、半導体レーザが破
壊されるという問題がある。リード電源３．ライト電源
４等の電源に、１０数ボルトの電源を用いると、この電
源のオンオフ時等に数ボルトのサージ、あるいはノイズ
電圧を発生することは容易に起りうる。さらに駆動回路
の近くに機械的接点がわり電流をオンオフするような場
合には数１００あるいは１０００ポル）１越えるサージ
電圧が発生し、回路の漂遊容量を通じても、上記破壊電
圧の発生は十分起りうるものである。とくに半導体レー
ザは極めて高速応答素子であるから、高速なサージ電圧
にも十分応答（破壊）するし、通常のサージ吸収素子を
半導体レーザに並列に接続したのでは、高速性のため保
ｉｌｊ素子より速く破壊する恐れもある。ま之保護累子
のもつ容量により本来の機能である順方向ライト電流波
形が劣化するなどの問題がある。
すことＫよりレーザ光を発生するものであるが、何らか
の原因で逆方向である値を越える電圧が印加されると素
子が破壊される。通常のダイオード等でも逆方向破壊は
あるが、半導体レーザに於ては、上記の逆方向電圧に対
する耐圧が非常に低い、すなわち通常のダイオードでは
数１０〜数１００ボルトの逆耐圧は容易に得られるが、
半導体レーザではこれが数ボルトである。従って第１図
、第２図等の駆動回路に於て、電源のオンオフ時、ある
いは他の装置等からの影響により、す−ド回路３０．ラ
イト回路４０の端子にプラスの電圧（サージ電圧）が生
じ、この値が上記逆耐圧を越えると、半導体レーザが破
壊されるという問題がある。リード電源３．ライト電源
４等の電源に、１０数ボルトの電源を用いると、この電
源のオンオフ時等に数ボルトのサージ、あるいはノイズ
電圧を発生することは容易に起りうる。さらに駆動回路
の近くに機械的接点がわり電流をオンオフするような場
合には数１００あるいは１０００ポル）１越えるサージ
電圧が発生し、回路の漂遊容量を通じても、上記破壊電
圧の発生は十分起りうるものである。とくに半導体レー
ザは極めて高速応答素子であるから、高速なサージ電圧
にも十分応答（破壊）するし、通常のサージ吸収素子を
半導体レーザに並列に接続したのでは、高速性のため保
ｉｌｊ素子より速く破壊する恐れもある。ま之保護累子
のもつ容量により本来の機能である順方向ライト電流波
形が劣化するなどの問題がある。
本発明は駆動回路わるいは附近の機器等からの電源オン
オフ時などに発生するサージにより半導坏レーザに逆電
圧が加わり、破壊することを防止するようにした半導体
レーザの駆動回路を得ることにある。
オフ時などに発生するサージにより半導坏レーザに逆電
圧が加わり、破壊することを防止するようにした半導体
レーザの駆動回路を得ることにある。
以下実施例により本発明の詳細な説明する。第３図は第
２図に対応した実施例を示す駆動回路図である。リード
電流源３はトラ／ジスタ３３．抵抗３２．制御電流源３
４．電源３１から成る。リード電流源の構成に制約はな
く他の方式あるいは構成でもよい。ライト電流源４は、
電圧源４１゜抵抗４２．スイッチトランジスタ４３から
成る。
２図に対応した実施例を示す駆動回路図である。リード
電流源３はトラ／ジスタ３３．抵抗３２．制御電流源３
４．電源３１から成る。リード電流源の構成に制約はな
く他の方式あるいは構成でもよい。ライト電流源４は、
電圧源４１゜抵抗４２．スイッチトランジスタ４３から
成る。
トランジスタ４３はライト信号源４５からドライバ（増
幅器）４４を経て駆動され、ライト情報に対応してスイ
ッチ４３ｔ−制御する。ライト信号源４５は、ライトデ
ータを記録フォーマットに従って変調した信号を発生す
る。電源３１．４１は、入力端子３６．４６から供給さ
れる電圧を安定化した出力を発生する。入力３６．４６
等へは、第４図の如き電源から供給される。第４図で入
カフは交流電源、７０は電源スィッチ、６はトランスお
よび整流回路等から成る電源回路で出力６０゜６１．６
２等を出す。゛−電源回路と′畦圧源３１゜４１等は同
一の電源回路とすることもできる。レーザ出力は、モニ
タ用検出器１１で電流に変換し、抵抗５１．増幅器５に
よりモニタ出力として制御電流源３４．ライト電圧源４
１へ人力され、それぞれリードパワおよびライトパワが
所定の値になるよう制御される。
幅器）４４を経て駆動され、ライト情報に対応してスイ
ッチ４３ｔ−制御する。ライト信号源４５は、ライトデ
ータを記録フォーマットに従って変調した信号を発生す
る。電源３１．４１は、入力端子３６．４６から供給さ
れる電圧を安定化した出力を発生する。入力３６．４６
等へは、第４図の如き電源から供給される。第４図で入
カフは交流電源、７０は電源スィッチ、６はトランスお
よび整流回路等から成る電源回路で出力６０゜６１．６
２等を出す。゛−電源回路と′畦圧源３１゜４１等は同
一の電源回路とすることもできる。レーザ出力は、モニ
タ用検出器１１で電流に変換し、抵抗５１．増幅器５に
よりモニタ出力として制御電流源３４．ライト電圧源４
１へ人力され、それぞれリードパワおよびライトパワが
所定の値になるよう制御される。
このような半導体レーザ駆動回路に於て、リード電流路
３０及びライト電流源４０にそれぞれ高い逆方向耐圧を
持つダイオード３００，４００ｔ−順方向に入れ、かつ
半導体レーザ１０と並列に抵抗１００を接続することが
本発明の特徴である。
３０及びライト電流源４０にそれぞれ高い逆方向耐圧を
持つダイオード３００，４００ｔ−順方向に入れ、かつ
半導体レーザ１０と並列に抵抗１００を接続することが
本発明の特徴である。
このようにした本発明による駆動回路に於ては、装置の
電源をオンオフしたり、第４図の電源スイッチ７０ｔ−
オンオフしたとき、電源３１，４１や、トランジスタ３
３，３４の電極等に、制御されないサージおるいはノイ
ズ電圧が発生し、電流路３０．４０の電位が半導体レー
ザ１０に対して逆電圧となるようになったとしても、こ
の電圧はダイオ−・ド３００，４００の非常に大きな逆
方向抵抗と、抵抗１００で分割されるから、レーザ１０
には破壊に至るようなサージは加わらない。抵抗１００
にはレーザＩＯＫ流れる電流をバイパスする電流が流れ
るが、通常のレーザ電流に対し十分小さな値（０，１％
程度）にしうるから、リート。
電源をオンオフしたり、第４図の電源スイッチ７０ｔ−
オンオフしたとき、電源３１，４１や、トランジスタ３
３，３４の電極等に、制御されないサージおるいはノイ
ズ電圧が発生し、電流路３０．４０の電位が半導体レー
ザ１０に対して逆電圧となるようになったとしても、こ
の電圧はダイオ−・ド３００，４００の非常に大きな逆
方向抵抗と、抵抗１００で分割されるから、レーザ１０
には破壊に至るようなサージは加わらない。抵抗１００
にはレーザＩＯＫ流れる電流をバイパスする電流が流れ
るが、通常のレーザ電流に対し十分小さな値（０，１％
程度）にしうるから、リート。
ライト電流への影響はない。一方ダイオード３００゜４
００には、１００〜数１ｏｏボルトの逆方向耐圧をもち
かつ高速応答の素子は容易に得られ、通常の動作時には
悪影響を与えることはない。
００には、１００〜数１ｏｏボルトの逆方向耐圧をもち
かつ高速応答の素子は容易に得られ、通常の動作時には
悪影響を与えることはない。
以上説明し九如く本発明によれば、電源のオンオフや他
の機器からの制御できないサージ電圧やノイズ電圧によ
り、半導体レーザに逆方向の電圧が加わることを防止し
、これらサージによる破壊をなくすことができる。とく
に装置で使われる種々の電源や、そのオンオフの順序す
るいはオンオフの速度等に対する条件は不要であり、サ
ージやノイズの他、瞬時の停電や電源異常等、・制御で
きない原因に対しても十分保護の効果が得られ実用上極
めて有用である。
の機器からの制御できないサージ電圧やノイズ電圧によ
り、半導体レーザに逆方向の電圧が加わることを防止し
、これらサージによる破壊をなくすことができる。とく
に装置で使われる種々の電源や、そのオンオフの順序す
るいはオンオフの速度等に対する条件は不要であり、サ
ージやノイズの他、瞬時の停電や電源異常等、・制御で
きない原因に対しても十分保護の効果が得られ実用上極
めて有用である。
第１図および第２図は光ディスクに於ける半導体レーザ
の駆動回路を示す図、第３図は本発明による半導体レー
ザ駆動回路の実施例を示す図、第１ＡＩ 図 第 ２ ロ
の駆動回路を示す図、第３図は本発明による半導体レー
ザ駆動回路の実施例を示す図、第１ＡＩ 図 第 ２ ロ
Claims (1)
- 半導体レーザに対し、一つまたは複数の駆動電流路を有
する半導体レーザ駆動回路に於て、上記半導体レーザと
並列に抵抗を接続し、かつ上記駆動電流路毎に該電流路
の上記半導体レーザ側に、順方向にダイオード會挿入し
たことｔ％黴とする半導体レーザの駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042760A JPH0727657B2 (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 光ディスク装置の光源駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57042760A JPH0727657B2 (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 光ディスク装置の光源駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161157A true JPS58161157A (ja) | 1983-09-24 |
| JPH0727657B2 JPH0727657B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=12644934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57042760A Expired - Lifetime JPH0727657B2 (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 光ディスク装置の光源駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727657B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4745610A (en) * | 1985-05-20 | 1988-05-17 | Olympus Optical Co., Ltd. | Semiconductor laser drive device with an abnormal voltage protection circuit |
| CN107769748A (zh) * | 2016-08-15 | 2018-03-06 | Abb技术有限公司 | 具有频率依赖电阻的电流导体结构 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381097A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS55143079A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Luminous source device with light emitting element |
| JPS56112766A (en) * | 1980-02-08 | 1981-09-05 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device |
-
1982
- 1982-03-19 JP JP57042760A patent/JPH0727657B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381097A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS55143079A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Luminous source device with light emitting element |
| JPS56112766A (en) * | 1980-02-08 | 1981-09-05 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4745610A (en) * | 1985-05-20 | 1988-05-17 | Olympus Optical Co., Ltd. | Semiconductor laser drive device with an abnormal voltage protection circuit |
| CN107769748A (zh) * | 2016-08-15 | 2018-03-06 | Abb技术有限公司 | 具有频率依赖电阻的电流导体结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0727657B2 (ja) | 1995-03-29 |
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