JPS58118042A - 光デイスク装置 - Google Patents

光デイスク装置

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JPS58118042A
JPS58118042A JP57000337A JP33782A JPS58118042A JP S58118042 A JPS58118042 A JP S58118042A JP 57000337 A JP57000337 A JP 57000337A JP 33782 A JP33782 A JP 33782A JP S58118042 A JPS58118042 A JP S58118042A
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JP
Japan
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laser
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current
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semiconductor laser
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JP57000337A
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Kazuo Takasugi
高杉 和夫
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Publication date
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Priority to EP82112090A priority patent/EP0083452B1/en
Priority to US06/455,293 priority patent/US4507767A/en
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Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/06835Stabilising during pulse modulation or generation

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光デイスク装置に係り、特に情報を追加記録す
る光デイスク装置における記録保護装置に関するもので
ある。
記録・再生可能な光デイスク装置に於ては、記録・再生
ともに同一の光ヘッドで行なわれる。光源としては変調
が容易な点、小形軽量の点などから半導体レーザが適し
ている。
記録モードでは、記録情報に対応してレーザ出力をパル
ス的にPwのパフとし光ヘッドにて微少に絞り込まれた
光スポットをディスク上の記録膜に当て、記録膜を熱的
に溶解させて微少な穴をあけることで記録が行なわれる
。一方再生モードでは、レーザパワを一定値PRとする
。リードパワPRは絞シ込まれた光スポットによシ記録
膜の熱的変形が起らない程度のエネルギに制御される。
すなわち記録、再生の違いは単にレーザパワの大小とい
う差だけである。それ故再生モードに於てロジック回路
や素子の故障、誤動作など何らかの原因で、レーザパワ
が通常のリード時のパワにくらべて過大になったとする
と、誤ったd己録をしたり、すでに記録された情報を誤
らせたりする可能性がある。従って再生モードに於ては
、レーザパワが一定値より増大しないよう制限し、記録
モードにおいても記録パワの範囲を所定の値に制御する
必要がある。
一方、記録・再生可能な光デイスク装置では従来上のよ
うな保護手段は設けられていない。また読出し専用の光
デイスク装置の場合では上記のような問題は生じ得ない
。さらに半導体レーザが用いられるその他の装置に於て
も同様である。従って上記の問題は、記録・再生する光
デイスク装置に於てはじめて問題となる特有の新たな問
題であるということができる。
本発明は、記録モード、再生モードに対して、その各々
に対する半導体レーザのパワーが適正値からずれたこと
によって誤った記録がされないような保護装置N″ff
:得ることを目的とする。
本発明は半纏体レーザに保瞳素子を並列に接続する。保
護素子はその制御入力に所定の入力が加えられると短絡
状態となる特性を有する。制御入力には、リードおよび
ライトの各々のモードに対して一定のパワ閾値を設定し
、リードあるいはライトパワがこの閾値を越えると保護
素子への制御信号が生じるようにする。これにより異常
時にはレーザパワを零ま/こは小さい値とし誤った記録
がなされないようにする。
以下本発明を実施例によシ詳細に説明する。第1図は半
導体レーザの電流ILとレーザ出力パワる。リード時に
は′電流をIRに設定し、レーザパワPRとする。P 
Rでは光ティスフの記録11Xに何ら変形を生じさせる
ことなく、記録情報の再生に必要なすべての処理、制御
が行なえる。ライト時には記録信号に応じてレーザ電流
をパルス的に変調し、’ki、 流I wにして、Pw
のパワを発生させる。
記録膜は上i己うイトパワが発生されたとき、その光ス
ポットが轟った部分が変形して情報ピットが形成されて
誓込みがなされる。第2図は、レーザに加える電流(イ
)とこれにより記録されたピットの様子(ロ)を示す説
明図である。
正確なリード、ライト動作を実行するためにはレーザ電
流の正確な制御が必要である。すなわちリード時にはリ
ード処理に必要々パワを確保し、かつ記録膜の変形閾値
パワよシ十分低い安定なパワを保証する必要がある。ラ
イト時には形成される記録ピットを一定とするためライ
ト電流のパルス幅、振幅、波形等を正しく制御する必要
がある。
一方、素子特性の変動や、誤動作、誤操作などが生じ、
上記の条件からはずれる状態が発生したときには直ちに
保護処置が必要である。ところでリード、ライトいずれ
の場合でも、異常に対してはレーザパワを零とすること
が少なくとも誤った情報を書込まないという意味で安全
側になる。そこで異常検出4g号によシ入出力端子が短
続状、態となる特性をもつ素子をレーザと並列に接続し
ておけば異常時にはレーザへの′電流はバイパスされ、
閾値′電流以下とすることができる。
第3図は本発明の基本構成を示す。1は半導体レーザで
リード、ライトヘッドに組込まれる。リード電#f、I
 nおよびライト電流Iwは、それぞれ電流源3.4か
ら与えられる。なおIR,Ifの発生および制御回路は
省略している。5はレーザ1の電流をバイパスする保護
素子で、通常は十分高い抵抗を持ちレーザ1への電流に
影響を与えない。制御入力50が与えられると、短絡状
態となシレーザへの電流をバイパスする。6は異常状態
検出回路で、レーザパワをモニタして異常信号50を発
生する。ここで入力60はレーザパワのモニタ信号、3
0はリードあるいはライト等のモード信号である。なお
半導体レーザ1に直列に接続された抵抗2は、保護索子
5の安定動作のだめのもので省くこともできる。
第4図は異常検出回路の構成を示す。半導体レーザのパ
フモニタ信号60は一つは平均値61で時間的平均値を
得この値とリードパワの設定値PR64とを比較回路6
5で比較し、許容範囲を越えると論理u 1pp出力を
発生する。パワモニタ信号のもう一方はそのままライト
パワの設定値Pw62と比較回路63で比較し、許容範
囲を越えると論理tt 1 nを発生する。上記2つの
信号はオア回路66を通力フリップフロップ67をセッ
トする。出力50はレーザに並列に接続された保護素子
を駆動するための制御信号となる。第4図に於て、平均
値回路61.比較回路63.65゜オア回路66、フリ
ップフロップ6フ等はすべて特殊な特性を有する必要は
なく通常の回路手段で十分である。半導体レーザのパワ
モニタには、レーザの光出力の一部を光検出器たとえば
フォートダイオードで受けその出力電流でもよいし、簡
単には半導体レーザへの印加電流でもよい。比較回路6
3.65からの出力は、レーザのパワが増大し、誤記録
が発生する可能性が生ずるレベルを越えない点で論理°
′1″′を出力するように設定する。
なお第4図において、ライト時の保護回路62゜63と
リード時の保護回路61.64.65はいずれか一方を
用いてもそれなシの効果を有する。
特にリード時の保護回路61.64.65を用いる場合
には応答速度は速くはないがライト時の保護機能も持っ
ている。
第5図は具体的な本発明の一実施例を示す回路図である
。第5図では第4図の62.63のライト時の保護回路
は省略した形である。レーザパワのモニタ信号60には
レーザ1への駆動電流に比例した出力を用いる。平均値
回路61は抵抗611゜612、コンデンサ612から
成る回路を用いている。保護素子には5CR5を用い、
そのアノードとカソードを半導体レーザ回路1,2と並
列に接続する。SCRのゲート501には、平均値回路
出力をダイオード502を通して加える。平均値回路の
出力すなわち抵抗613.コンデンサ612の並列回路
の端子電圧は、通常のリードパワに対した値に保たれて
いる。リードパワが増大したり、あるいはライト時のパ
ルス波高値や、パルス幅が増大すると、上記平均値回路
の出力電圧は上る。この電圧がダイオード502および
SCR。
5のゲートから成るトリガ閾値を越えると、SCR,5
は導通状態となる。−たん導通ずるとトリガ入力が無く
なってもその状態を保持するからS CIL 5は第4
図のフリップフロップ67の機能も含んでいる。S C
It 5の導通により半導体レーザ1への電流はSCR
回路へバイパスされ、過大なパワによる誤記録が起るこ
と全防止する。5CR5の導通、すなわち第4図のフリ
ップフロップ67の出力が”1″になると、これを表示
または他の手段へ伝達し適当に対策をとることになる。
対策が完了すれば第4図の7リツプフロツプ67ヘリセ
ツト信号68を加え通常の動作にもどる。第5図の場合
では5CR5の電流を導通状態の自己保持電流以下とす
ることでリセットされる。80Rのゲート回路に入った
ダイオード502は上述の如くSCRのトリガ閾値を増
加させるものであるから抵抗器でもよいし、他の定数と
の関係で無くてもよい。上記説明で明らかなようにこの
部分は第4図に於ける比較回路650機能を有している
。なお第5図で8 CILのゲート501に接続された
抵抗503、スイッチ504からなる回路は、平均値回
路61以外からの制御信号でSCRを導通させるだめの
ものである。
第5図の実施例では保護素子としてSCRを用いたが、
オンオフ動作時にサージ電圧を生じる可能性をもつ機械
接点を除けば、保護素子として使用することができる。
ただし、保護素子によシレーザの高速変調動作をさ筺た
けるような特性、たとえば非常に大きな容量を持つなど
は望ましくない。
以上説明した如く本発明によれば、故障あるい(9) は誤動作など何らかの原因によシ、本来記録してはいけ
ない部分へ記録されてしまうような誤りの発生を防止す
ることができる。半導体レーザを光源とするリードライ
ト可能な光デイスク装置においては、リード、ライトと
もに同一ヘッドで行なうから、本発明で提起した問題、
すなわちリード時にレーザパワが過大となシ誤記録が発
生したりライト時ライトパワの過大によシ適正な情報が
記録できないという問題はさけられない。とくに一度記
録した内容を消去できない光デイスク装置にあっては上
記問題はシステムの信頼性を保持するうえで不可欠の機
能といえる。不発明による保護方式は、特別な特性や精
度を有する部品を必要とせず上記問題を解決しうる点で
実用化システムにおいて多大な効果を発揮するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体レーザの′耐流と光出力の関係を示す図
、第2図は半導体レーザの変調電流とディスク上への記
録情報を示す説明図、第3図は本発明の原理的構成を示
す図、第4図は本発明に於け(10) る異常検出回路の一実施例を示す構成図、第5図は具体
的実施例を示す回路図である。 代理人 弁理士 薄田利幸 (11) 第 1 図 n 第 27 吊 3 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体レーザを光源とし、該レーザの光出力の犬、小に
    よシ記録と再生を行なうようにした光デイスク装置に於
    て、上記半導体レーザの光出力に対応したモニタ信号を
    得る手段と、該モニタ信号があらかじめ定めた値を越え
    たことを検出する異常検出手段と、該異常検出手段の出
    力により二端子間が短絡状態となるような特性を有する
    保護手段を前記半導体レーザ回路に並列に接続した構成
    をもつことを特徴とする光デイスク装置。
JP57000337A 1982-01-06 1982-01-06 光デイスク装置 Granted JPS58118042A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57000337A JPS58118042A (ja) 1982-01-06 1982-01-06 光デイスク装置
DE8282112090T DE3275960D1 (en) 1982-01-06 1982-12-29 Control circuit for controlling light source in optical disc device
AT82112090T ATE26355T1 (de) 1982-01-06 1982-12-29 Regelkreis zur regelung der lichtquelle in einem optischen plattenspeicher.
EP82112090A EP0083452B1 (en) 1982-01-06 1982-12-29 Control circuit for controlling light source in optical disc device
US06/455,293 US4507767A (en) 1982-01-06 1983-01-03 Control circuit for controlling light source in optical disc device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57000337A JPS58118042A (ja) 1982-01-06 1982-01-06 光デイスク装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58118042A true JPS58118042A (ja) 1983-07-13
JPH0563846B2 JPH0563846B2 (ja) 1993-09-13

Family

ID=11471066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57000337A Granted JPS58118042A (ja) 1982-01-06 1982-01-06 光デイスク装置

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JP (1) JPS58118042A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61158033A (ja) * 1984-12-28 1986-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 消去可能な光学的記録再生装置
EP0405952A2 (en) * 1989-06-28 1991-01-02 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser driving circuit
JP2005078787A (ja) * 2003-09-04 2005-03-24 Hitachi-Lg Data Storage Inc 光ディスク装置及び光ディスク装置の制御方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5792884A (en) * 1980-12-01 1982-06-09 Mitsubishi Electric Corp Driving circuit for laser diode

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JPH0563846B2 (ja) 1993-09-13

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