JPS58159388A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS58159388A JPS58159388A JP4318182A JP4318182A JPS58159388A JP S58159388 A JPS58159388 A JP S58159388A JP 4318182 A JP4318182 A JP 4318182A JP 4318182 A JP4318182 A JP 4318182A JP S58159388 A JPS58159388 A JP S58159388A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- active layer
- buried
- active
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の述術分野〕
本発明は、端ｌ１ｌｉ渥め込み型半導体レーデ装−の改
良に関する。
良に関する。
半導体レーずは、元通傷用光源や元ディスク用光源等へ
の広い応用が期待されている。しかし、半導体レーデは
一般に過電流に対して極めて弱く、例えそれがノ譬ルス
的なもＯでありても素子の破壊につながることが知られ
ている。このａ貞は半褥体し−ｆＣ）光出力の電流依存
性に起因しており、避は難い−のである。すなわち。
の広い応用が期待されている。しかし、半導体レーデは
一般に過電流に対して極めて弱く、例えそれがノ譬ルス
的なもＯでありても素子の破壊につながることが知られ
ている。このａ貞は半褥体し−ｆＣ）光出力の電流依存
性に起因しており、避は難い−のである。すなわち。
半導体レーザでは第１図に示す如く発振しきい値電流ｔ
ｔｈより大愈な電流領域、つ壕）発振状態において、僅
かな駆動電流増加に対し光出力が大きく増加する。半導
体シー１０発振しきい慎１１ｋＬｆｉｌ、ｈは通常数１
０ （ｒｍ ）であるが、その数倍種度の過電流によっ
て発生する光出力は半導体レーデの活性領域端面に回復
不可能な損傷を与えるＯＫ十分であ〕、これによって素
子の破壊を招くのである。この現像は１％にＧ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｍ糸の半導体レーデにおいて顕著であシ、活
性領域端面における光出力密＊が１０’（Ｗ／ｍ”）種
度になると素子の破壊が起こることが知られている。
ｔｈより大愈な電流領域、つ壕）発振状態において、僅
かな駆動電流増加に対し光出力が大きく増加する。半導
体シー１０発振しきい慎１１ｋＬｆｉｌ、ｈは通常数１
０ （ｒｍ ）であるが、その数倍種度の過電流によっ
て発生する光出力は半導体レーデの活性領域端面に回復
不可能な損傷を与えるＯＫ十分であ〕、これによって素
子の破壊を招くのである。この現像は１％にＧ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｍ糸の半導体レーデにおいて顕著であシ、活
性領域端面における光出力密＊が１０’（Ｗ／ｍ”）種
度になると素子の破壊が起こることが知られている。
このような、過電流によって破壊され易いと言う半導体
レーデの特性は、半導体レーデｔｌ−取プ扱う上で極め
て不便であ）、半尋体し−ずの実用化に際して大きな問
題となっていた。
レーデの特性は、半導体レーデｔｌ−取プ扱う上で極め
て不便であ）、半尋体し−ずの実用化に際して大きな問
題となっていた。
本発明の目的は、過電流に対して壊れ難い半導体レーデ
装装置を提供することにある。
装装置を提供することにある。
半導体レーデにおける前述した問題を解決するものとし
て、活性領域端面を埋め込み層にて埋め込んだｍ１ｉｉ
埋め込み型レーデが開発されている。しかし、半導体レ
ーデの光出力が注入電流の増加に対して極めて急峻に増
加するため、単にレーデ共振器端面が光損傷を受ける光
出力の大きさを大きくして４．半導体レーデが破壊に至
る電流値の値の増加は小さく、その効果は薄い。十分な
効果を得るためには、活性領域端向會置め込み槃にする
と共に、＋損傷出力よりも小さな光出力レベルにおいて
、注入電流に対して光出力が飽和するような特性を持た
せれはよい。
て、活性領域端面を埋め込み層にて埋め込んだｍ１ｉｉ
埋め込み型レーデが開発されている。しかし、半導体レ
ーデの光出力が注入電流の増加に対して極めて急峻に増
加するため、単にレーデ共振器端面が光損傷を受ける光
出力の大きさを大きくして４．半導体レーデが破壊に至
る電流値の値の増加は小さく、その効果は薄い。十分な
効果を得るためには、活性領域端向會置め込み槃にする
と共に、＋損傷出力よりも小さな光出力レベルにおいて
、注入電流に対して光出力が飽和するような特性を持た
せれはよい。
本発明はこのような点に着目し、半導体基板上に油性層
をクラ、ド層で挾んだダブルへゾロ嵌合構造金膜は喪半
導体レーデ装置において、上記活性層を含む活性領域端
面を該活性層より禁制帯幅の大きな埋め込み層によりて
レーデ共伽器端１釦より奥に埋め込み、かつ上記活性層
より人さく上配王り２．ドよシ小さい禁制帯ａｔ有する
補助クラッド層を上記活性層とクラッド１−との間の少
なくとも一方に形成するようにしたものである。
をクラ、ド層で挾んだダブルへゾロ嵌合構造金膜は喪半
導体レーデ装置において、上記活性層を含む活性領域端
面を該活性層より禁制帯幅の大きな埋め込み層によりて
レーデ共伽器端１釦より奥に埋め込み、かつ上記活性層
より人さく上配王り２．ドよシ小さい禁制帯ａｔ有する
補助クラッド層を上記活性層とクラッド１−との間の少
なくとも一方に形成するようにしたものである。
牛傳捧レーザ端面の光損傷は、レーデ光が活性−城Ｖｒ
Ａ圓で再吸収され、それによって発熱や、雰囲気中に存
在する酸素或いは水分との化学反応等が促進されること
が王畳な原因である。したがって、本発明のように趨′
面埋め込み構造とすることは、共ＴｉＬ器趨向において
レーデ光の吸収がないこと、および活性領域がｌ囲気中
の酸素や水分婢の影響を全く受けないことから、光（ハ
盪出力を大きくする上で極めて有利である。
Ａ圓で再吸収され、それによって発熱や、雰囲気中に存
在する酸素或いは水分との化学反応等が促進されること
が王畳な原因である。したがって、本発明のように趨′
面埋め込み構造とすることは、共ＴｉＬ器趨向において
レーデ光の吸収がないこと、および活性領域がｌ囲気中
の酸素や水分婢の影響を全く受けないことから、光（ハ
盪出力を大きくする上で極めて有利である。
実際、端面埋め込み構造とすることによって。
光損傷出力を約−桁程度増大させることが可能である。
また、通常のダブルへテロ接合レーザでは。
活性層とこれ【挾む王クラ、ド層とＯＮＮ制御輪差１ｇ
はＱ、４（・Ｖ）程度で６９、これによって生ずるヘテ
ロ接合界面０１デンシヤル障壁によｐ注入され九キャリ
アは活性層中に略児全に閉じ込められる０本発明でヰ、
活性層と王クラッド層との間に補助クラッド層を形成し
、活性層と補助クラッド層との禁制帯幅の差Ｅ、 ／
（、小さくしているので、補助タラ、ド層への注入キャ
リアのオーバフローによって、＾注入レベルにおいて光
出力を飽和させることができる。すなわち、禁制帯幅の
差Ｅｇ′を小さくした状態で注入電ｔＩＬｔ増していく
と、活性層に注入されたキャリアの一部はポテンシャル
障壁に越えて活性層の外−にオーバフローするようにな
り、注入電ｔＩｔｏ増加が発光出力に寄与しなくなる。
はＱ、４（・Ｖ）程度で６９、これによって生ずるヘテ
ロ接合界面０１デンシヤル障壁によｐ注入され九キャリ
アは活性層中に略児全に閉じ込められる０本発明でヰ、
活性層と王クラッド層との間に補助クラッド層を形成し
、活性層と補助クラッド層との禁制帯幅の差Ｅ、 ／
（、小さくしているので、補助タラ、ド層への注入キャ
リアのオーバフローによって、＾注入レベルにおいて光
出力を飽和させることができる。すなわち、禁制帯幅の
差Ｅｇ′を小さくした状態で注入電ｔＩＬｔ増していく
と、活性層に注入されたキャリアの一部はポテンシャル
障壁に越えて活性層の外−にオーバフローするようにな
り、注入電ｔＩｔｏ増加が発光出力に寄与しなくなる。
このため、注入電流に対する光出力の関係は、纂２図に
示す如く飽和特性【示すようになる。この飽和特性が現
われる光出力の大きさは、活性層と補助クラ、ド層との
禁制帯幅の差Ｅｇ／の大きさおよび半導体レーデの構造
によプ決まるレーずとしての損失の大きさに依存する。
示す如く飽和特性【示すようになる。この飽和特性が現
われる光出力の大きさは、活性層と補助クラ、ド層との
禁制帯幅の差Ｅｇ／の大きさおよび半導体レーデの構造
によプ決まるレーずとしての損失の大きさに依存する。
ここで、飽和し走光出力の大きさを半導体レーずの光損
傷出力よ〕小さくしておけは、過電俺による半導体レー
デの破壊限界【該レーデが抵抗成分による発熱によって
破壊する限界まで引き上げることができる。趨Ｉ１１埋
め込み構造の場合、曲常の半導体レーデに比較して光損
傷が′１：じる光出力レベルが約１桁大きい良め、上記
飽和出力の大きさは、光ディスク書盲込み等の尚出力の
賛求に対しても十分な値とすることができる。
傷出力よ〕小さくしておけは、過電俺による半導体レー
デの破壊限界【該レーデが抵抗成分による発熱によって
破壊する限界まで引き上げることができる。趨Ｉ１１埋
め込み構造の場合、曲常の半導体レーデに比較して光損
傷が′１：じる光出力レベルが約１桁大きい良め、上記
飽和出力の大きさは、光ディスク書盲込み等の尚出力の
賛求に対しても十分な値とすることができる。
し発明の効果〕
本究明によれは、過電流による半導体レーデの級象限界
會、光損傷による破壊限界から熱的な破壊限界まで引き
上けることか１能となる。
會、光損傷による破壊限界から熱的な破壊限界まで引き
上けることか１能となる。
このため、半導体レーデ装置の過電流に対する１１ｉ１
４性全大−に向上させることができる。また、破壊限界
が熱的なものであるため、夾用土最も多く発生する・豐
ルス的な過電流に対して極めて壊れ難い等の効果を奏す
る。
４性全大−に向上させることができる。また、破壊限界
が熱的なものであるため、夾用土最も多く発生する・豐
ルス的な過電流に対して極めて壊れ難い等の効果を奏す
る。
ｊ１３ＦｊＡ（ａ）は本発明の一実施剥に係わる趨向埋
め込み牛導体し−ザ装置Ｏ概略構造會示す斜視−であ１
Ｎ４３図（ｂ）は同図（ａ）の矢視ムーＡＩＩＴ向図で
ある０図中１はＮ−ＧａＡｓ基板（半尋体基板ンでアル
、この基板Ｊ上にｕ ）Ｊ−Ｇａ’０，４５Ａｚ ｏ、
５ＳＡ ６層（王クラッド層） Ｊ 、 Ｎ−Ｇａｏ、
７５Ａｊｇ４３ Ａｓ層（補助クラッド層） Ｊ ｒ
Ｐ−ＧａＡｓ層（活性層）４゜Ｐ−Ｇａｏ、７５ Ａｊ
Ｏ，２５ム膳層（補助り２ ｙ Ｙ階）５ 、Ｐ −Ｇ
ＩＯｊＳＡｊＯ，ｌＳ人ｉ層（主クラッド層） ｇ 、
Ｐ−Ｇ−ム―層（オー１ツタコンタクト層）１を上記順
に積層してなるメサストライプ部が設けられている。
め込み牛導体し−ザ装置Ｏ概略構造會示す斜視−であ１
Ｎ４３図（ｂ）は同図（ａ）の矢視ムーＡＩＩＴ向図で
ある０図中１はＮ−ＧａＡｓ基板（半尋体基板ンでアル
、この基板Ｊ上にｕ ）Ｊ−Ｇａ’０，４５Ａｚ ｏ、
５ＳＡ ６層（王クラッド層） Ｊ 、 Ｎ−Ｇａｏ、
７５Ａｊｇ４３ Ａｓ層（補助クラッド層） Ｊ ｒ
Ｐ−ＧａＡｓ層（活性層）４゜Ｐ−Ｇａｏ、７５ Ａｊ
Ｏ，２５ム膳層（補助り２ ｙ Ｙ階）５ 、Ｐ −Ｇ
ＩＯｊＳＡｊＯ，ｌＳ人ｉ層（主クラッド層） ｇ 、
Ｐ−Ｇ−ム―層（オー１ツタコンタクト層）１を上記順
に積層してなるメサストライプ部が設けられている。
そして、メサストライプ部のｇａ向および端面は。
ｃａｏ、ｉｓム１Ｇ、ｓ５ム１層（埋め込み＠ａによっ
て埋め込まれている。なお、Ｊ１１３１１５７中９は電
流狭窄のためＯ１ｌ１５Ｎ４４ｅｌｌ膜、１ ＃ ｊ
１１Ｆｉ電極をそれぞれ示している。
て埋め込まれている。なお、Ｊ１１３１１５７中９は電
流狭窄のためＯ１ｌ１５Ｎ４４ｅｌｌ膜、１ ＃ ｊ
１１Ｆｉ電極をそれぞれ示している。
明する。ます、１１１４図（典）に示す如く前記基板１
上に王クラッド層２．補助タ２ツド層１．活性Ｊ−４．
補助クラ、ド層５．主りツッド層ｄおよびオーミックコ
ンタク１層１【上記Ｏ順にエピタキシャル成長する。次
いで、＄４１ｉ／（ｂ）に示す如くオーオックコンタク
ト層ｉ上にストライブ状の８１．Ｎ４膜（マスク）１１
を被着し、 ＨｓＰＯ４： Ｈ２Ｏ： ＣＨ，ＯＨ軍］
：１：３のエツチング液を用い、Ｌ記８１．Ｎ４膜１２
ｆマスクとして前記各１−２．〜．１を基板１に至る深
さ壜でメ賃工。
上に王クラッド層２．補助タ２ツド層１．活性Ｊ−４．
補助クラ、ド層５．主りツッド層ｄおよびオーミックコ
ンタク１層１【上記Ｏ順にエピタキシャル成長する。次
いで、＄４１ｉ／（ｂ）に示す如くオーオックコンタク
ト層ｉ上にストライブ状の８１．Ｎ４膜（マスク）１１
を被着し、 ＨｓＰＯ４： Ｈ２Ｏ： ＣＨ，ＯＨ軍］
：１：３のエツチング液を用い、Ｌ記８１．Ｎ４膜１２
ｆマスクとして前記各１−２．〜．１を基板１に至る深
さ壜でメ賃工。
ナングする。その後、上記８１ 、Ｎ４膜１１會再びマ
スクとして用い、纂４図１＊） Ｋ示す如（ＬＩＰ法に
よりメサ領域を埋め込み層１によって埋め込む。次いで
、８１ｉＮ４ＩＩＩ Ｊ Ｊを除去し九〇ち、埋め込み
層８上のみに前記絶縁膜ｇを形成し、その抜書域電他１
０．ＪＪｔ蒸着形成することに１って第３図（ａ） （
ｂ）に示す構造の半導体レーデ装置が書られる。
スクとして用い、纂４図１＊） Ｋ示す如（ＬＩＰ法に
よりメサ領域を埋め込み層１によって埋め込む。次いで
、８１ｉＮ４ＩＩＩ Ｊ Ｊを除去し九〇ち、埋め込み
層８上のみに前記絶縁膜ｇを形成し、その抜書域電他１
０．ＪＪｔ蒸着形成することに１って第３図（ａ） （
ｂ）に示す構造の半導体レーデ装置が書られる。
かくして得られた半導体レーデ装置は１ｍ配補助クラッ
ド層ｓ 、ｉｔ影形成ない従来の〆プルへテロ接合半導
体レーず装置に比して、過電流に対する耐性が遥かに大
きいものであった。
ド層ｓ 、ｉｔ影形成ない従来の〆プルへテロ接合半導
体レーず装置に比して、過電流に対する耐性が遥かに大
きいものであった。
なお１本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その費旨を逸脱しない範囲で。
く、その費旨を逸脱しない範囲で。
種々変形して実施することができる。例えは、前記補助
クラッド層は必すし４ｈ活性への内情にある必ＩＨなく
、活性層Ｏバーに設けるようにしてもよい。さらに、補
助り＞、ド層の餓制帝幅は、活性層のそれより大きく王
クラッド層のそれよ〕小さい範囲で、所望する飽和出力
勢に応じて適宜定めれはよい、また、実施例では活性領
域１ＩＩｆ１４１１ＪＬめ込み層により埋め込まれた構
造であるが、活性領域１４１山は必すし４ｈ埋め込まれ
てなくともよい。さらに、用いる半導体材料はＧａＡｊ
Ａｓ−ＧａＡｓ系に限るものではな（、ｌｍＧａ＾−Ｐ
−ＩｍＰ系、その他各棟の半導体【用いることが可能で
ある。
クラッド層は必すし４ｈ活性への内情にある必ＩＨなく
、活性層Ｏバーに設けるようにしてもよい。さらに、補
助り＞、ド層の餓制帝幅は、活性層のそれより大きく王
クラッド層のそれよ〕小さい範囲で、所望する飽和出力
勢に応じて適宜定めれはよい、また、実施例では活性領
域１ＩＩｆ１４１１ＪＬめ込み層により埋め込まれた構
造であるが、活性領域１４１山は必すし４ｈ埋め込まれ
てなくともよい。さらに、用いる半導体材料はＧａＡｊ
Ａｓ−ＧａＡｓ系に限るものではな（、ｌｍＧａ＾−Ｐ
−ＩｍＰ系、その他各棟の半導体【用いることが可能で
ある。
＠１図は従来装置におする駆動電流とｊｔ、出力との関
保會示す特性図、第２図は本発明装置における駆動電流
と光出力との関係を示す特性図、第３図（１）は本発明
の一実施例に係わる端面埋め込み型半導体装置の概略構
Ｉ！Ｌｔ示す斜視□□□、第３図（ｂｌは同図（ａ）の
矢視ムーム断面図、第４図（ａ）〜（ｅｌは−Ｆ記実施
例快装の製造工程を示す断面図である。 １・・・Ｎ −ＧａＡｓ基板（半導体基板）、２・・・
Ｎ−Ｇａｏ、６５Ａｔｏ、ｓｓ＾一層（主クラッド層）
、１・・・Ｎ−Ｇｔｏ、７５ Ａ１０，２５ Ａｓ層（
補助クラッド層）、４・・・Ｐ−ＧｍＡｍ Ｉｎ （活
性層）、ｊ・・・ｐ −Ｇａ６，７６Ａｊｇ、２５Ａｓ
層（補助クラ、ド層）、ｇ−・・Ｐ−ＧａＯｊｌｌＡＪ
Ｏｊ５ム１層（王クラ、ド鳩）、１・・・Ｐ−ＧａＡ１
層（オーミックコンタクを層） 、 ａ ・ＧＩＯｊＳ
ＡｊＯ，１ｌｓＡ１層（埋め込＋鳩）、９・・・８１．
Ｎ４膜（絶縁１１）、１０１１１・・・電極、Ｊｌ・・
・８１１Ｎ４換（マスタ）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 Ｎ動電汽（ｍＡ）− 第２図 満ｉし電花（ｍＡ）− 第３図 （ａ） （ｂ） １０ 第４図 ６
保會示す特性図、第２図は本発明装置における駆動電流
と光出力との関係を示す特性図、第３図（１）は本発明
の一実施例に係わる端面埋め込み型半導体装置の概略構
Ｉ！Ｌｔ示す斜視□□□、第３図（ｂｌは同図（ａ）の
矢視ムーム断面図、第４図（ａ）〜（ｅｌは−Ｆ記実施
例快装の製造工程を示す断面図である。 １・・・Ｎ −ＧａＡｓ基板（半導体基板）、２・・・
Ｎ−Ｇａｏ、６５Ａｔｏ、ｓｓ＾一層（主クラッド層）
、１・・・Ｎ−Ｇｔｏ、７５ Ａ１０，２５ Ａｓ層（
補助クラッド層）、４・・・Ｐ−ＧｍＡｍ Ｉｎ （活
性層）、ｊ・・・ｐ −Ｇａ６，７６Ａｊｇ、２５Ａｓ
層（補助クラ、ド層）、ｇ−・・Ｐ−ＧａＯｊｌｌＡＪ
Ｏｊ５ム１層（王クラ、ド鳩）、１・・・Ｐ−ＧａＡ１
層（オーミックコンタクを層） 、 ａ ・ＧＩＯｊＳ
ＡｊＯ，１ｌｓＡ１層（埋め込＋鳩）、９・・・８１．
Ｎ４膜（絶縁１１）、１０１１１・・・電極、Ｊｌ・・
・８１１Ｎ４換（マスタ）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 Ｎ動電汽（ｍＡ）− 第２図 満ｉし電花（ｍＡ）− 第３図 （ａ） （ｂ） １０ 第４図 ６
Claims (1)
- 半導体基板上に活性層を主タラ、ド層で挾んだ〆ツルへ
テロ接合構造を設は九半導坏レーデ装置において、上記
活性層を含む活性領域端面を該活性層より禁制＊ｅｉｉ
の大暑な置め込み層によってレーデ共振器端面よ〉奥に
埋め込み、かつ上記活性層より大きく上記王クラッド層
よｐ小さい禁制帯幅を有する補助クラ、ド層會上紀活性
層と王クラッド層との間の少なくとも一万に形成してな
ることｔ−％像とする半導体レーデ装置、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4318182A JPS58159388A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4318182A JPS58159388A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58159388A true JPS58159388A (ja) | 1983-09-21 |
| JPH03795B2 JPH03795B2 (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=12656720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4318182A Granted JPS58159388A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58159388A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0170481A2 (en) * | 1984-07-24 | 1986-02-05 | Nec Corporation | Semiconductor light emitting device |
| JPS63263787A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| US5345460A (en) * | 1991-09-06 | 1994-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device with window regions |
| KR100493639B1 (ko) * | 2002-10-25 | 2005-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 화합물 반도체 레이저 다이오드 |
| JP2014139966A (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Seiko Epson Corp | 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9755402B2 (en) | 2010-06-28 | 2017-09-05 | Iulian Basarab Petrescu-Prahova | Edge emitter semiconductor laser type of device with end segments for mirrors protection |
-
1982
- 1982-03-18 JP JP4318182A patent/JPS58159388A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0170481A2 (en) * | 1984-07-24 | 1986-02-05 | Nec Corporation | Semiconductor light emitting device |
| JPS63263787A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| JPH0831652B2 (ja) * | 1987-04-22 | 1996-03-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体レ−ザ |
| US5345460A (en) * | 1991-09-06 | 1994-09-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device with window regions |
| KR100493639B1 (ko) * | 2002-10-25 | 2005-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 화합물 반도체 레이저 다이오드 |
| JP2014139966A (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Seiko Epson Corp | 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03795B2 (ja) | 1991-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06232494A (ja) | 面発光素子およびその製造方法 | |
| US4280108A (en) | Transverse junction array laser | |
| JPS58159388A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS5831592A (ja) | 埋め込み構造半導体レ−ザ | |
| JPH03237784A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JP3344096B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS62291987A (ja) | 光集積化素子 | |
| JP2706316B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH0137873B2 (ja) | ||
| JP3208177B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS5831591A (ja) | 埋め込み構造半導体レ−ザ | |
| JP2563994B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JP3144821B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0682888B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPS6244440B2 (ja) | ||
| JPS641072B2 (ja) | ||
| JP2804533B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH01189982A (ja) | 半導体レーザとその製造方法 | |
| JP2628638B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| USRE34356E (en) | Semiconductor laser array | |
| JPH06350188A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS60198792A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2855887B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPS63263790A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS61168982A (ja) | 半導体光増幅素子 |