JPS58158924A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JPS58158924A
JPS58158924A JP57041170A JP4117082A JPS58158924A JP S58158924 A JPS58158924 A JP S58158924A JP 57041170 A JP57041170 A JP 57041170A JP 4117082 A JP4117082 A JP 4117082A JP S58158924 A JPS58158924 A JP S58158924A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
stage
piezoelectric effect
spring
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57041170A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Katsumi Umeda
梅田　克己
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP57041170A priority Critical patent/JPS58158924A/ja
Publication of JPS58158924A publication Critical patent/JPS58158924A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 半導体装置等の製造工程において基板上に微細パターン
を形成する霧光装置にあって、前工程のパターンに次工
程のパターンを重ね合せ形成する為に基板とマスク、又
はレチクルの相対位置合せを精度良く行なう必要がある
。１１は良く知られている所である。
従来の嚢光装置にあっては第１図に示す例の如く、スラ
イドベアリングによって保持されたステージを、精密ボ
ールネジ等とパルスモータをギヤを介して駆動する事に
よりステージの移動を行なわしめる機構がとられている
。
しかしながら、素子のパターンの微細化に伴い電ね合せ
精度の要求レベルが厳しくなシ、従来よシ採用されてき
た第１図の様な機構では充分な精度を得る拳は徐々に困
難になってきている。ま九移動精度の高精度化と共に高
速化の要求も強まってきており、従来採用されてきた機
構の限界が指摘されてきた所である。
本発明はかかる問題点を解決する為に考案されたもので
あ）、以下に実施例に従い本発明の詳細な説明を行なう
。
第２図に本発明による露光装置の微動ステージの外観を
示す。
図中で従来の方式によるＸＹステージ３上に微動ＸＹス
テージ４ｔ−圧電効果素子を用いた微動機構７　、８ｆ
ｔ介し、エアーベアリングにより浮動状態に保持された
構造とな・つている。第３図に圧電効果素子を用いた微
動機構７，８の概略を示す。
第３図中の１はＸＹステージ２上にエヤーベアリングに
よシフリクションレスに保持された微動ＸＹステージで
あり、スプリング３と圧電□効！Ｉ１．Ｘ子４によって
左右への動きを規制された構造となり。
ている。また圧電効果素子４には、電極が表面に設けら
れてお夛、外部よシミ界を印加する事によシ横方向への
変形を生せしめる加工がなされている。本実施例におい
ては、圧電効果素子として、チタン酸バリウムを、バネ
鋼表面に貼り付けた構造をとシ、第３図中４をバネ状に
形成し外部よシミ界を印加する事によシ、スプリング８
とのバランスが変化し、微動ステージ１０位首が定まっ
た。
以上述べた様な構造を有する露光装置によシ、ステージ
の高速、高精度な位置決めを行なう事が可能となった０
本実施例においては、圧電効果、機械的強度、構造上の
制約等から、チタン酸バリウムと鋼材との組み合せＫよ
る複合材を使用したが、他の材料（水晶、ロッシェル塩
、他圧電効果を有する物質）を単独で、または他の材料
と組み合せて使用する事も可能である。
本発明による方法をとれば、従来の装置では得る事が困
難であった０、ＩＡオーダー以上の位置決め精度を比較
的簡単な機構により達成する事ができた。また、圧電効
果素子に印加する電界の制御をステージ位置測定機構と
連動させる事により、高精度な位置決めと、速さとを比
較的容易に得る事ができ、非常に有用性のある事が明ら
かとなつ丸。
以上述べえ如く、微小位置決め機構として、本発明によ
る方法の有位性は明らかであル、単に実施例において述
べた様なステージの位置決めに限らず、マスクを九は基
板、さらＫは露光の為の光学的部品の精密位置決めにも
応用できるものであ）、その利用範囲は非常に広いと言
える。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の露光装置機構を、第２図は本発明による
露光装置機構を示す。 第１図Ｃａ−従来の方式によるステージｌ・・・基台 ２・・・Ｙ軸移動ステージ ３・、＠ＸＹ軸移動ステージ ４・−・Ｙ軸移動パルスモータ− ５・・・ｘｔａｓｍパルスモータ− ＃Ｉ２図・・・本発明の方式によるステージ１・・−基
台 ２・・・Ｙ軸移動ステージ ３・−・Ｉ、Ｙ軸移動ステージ ４・φ・Ｘ、Ｙ動機動ステージ ５・・・Ｙ　１１１移動パルスモータ−６・φ、Ｘ軸移
動パルスモーター ７・参・Ｘ動機動機構（圧電素子） ８・・・Ｙ細微動機構（圧電素子） ＠３図・−・実施例による微動機構の概略図１・・・Ｘ
、Ｙ動機動ステージ ２１・・Ｘ。！軸移動ステージ ３・・・バランススフリング ４・・・電極を有する圧電効果素子 以　　　上 出願人　株式会社１ｌＩ７ｊ精工舎 代理人　弁理士最　上　　務 多；Ｓ２図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、写真食刻技術を用いて基板上に微細パターンを形成
    する露光装置において、マスクと基板の精密な位蓋合わ
    せを行なう為の徐動ステージの駆動部に圧電効果を有す
    る物質を用いて、適当な電界を印加する事によシ、微少
    なアライメントを高速、高精度に行なう機構を有する事
    を特徴とする庭先装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の露光装置において、基
    板ま九社マスクをステップ移動させ、分割露光を行なう
    形式の装置にあって、ステップ移動の最終段階における
    微少な位置決めに上記圧電効果を有する物質を用いた機
    構を使用する宵光装＊。 ３、電子ビーム、イオンビーム等の荷電粒子束を制御し
    て、直接、基板上に微細なパターン描画を行なう露光装
    置において、基板を載置したステークの微少な変−位の
    補正、最終位置決めに、上記圧電効果を有する物質を用
    いた機構を使用する側光装ｆ。
JP57041170A 1982-03-16 1982-03-16 露光装置 Pending JPS58158924A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6066950U (ja) * 1983-10-13 1985-05-13 大阪瓦斯株式会社 炎検出機能を有するガスバーナ装置
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JPS5372466A (en) * 1976-12-10 1978-06-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Exposing unit for electron

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