JPS58156597A - 炭化珪素結晶の成長装置 - Google Patents

炭化珪素結晶の成長装置

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Publication number
JPS58156597A
JPS58156597A JP57038271A JP3827182A JPS58156597A JP S58156597 A JPS58156597 A JP S58156597A JP 57038271 A JP57038271 A JP 57038271A JP 3827182 A JP3827182 A JP 3827182A JP S58156597 A JPS58156597 A JP S58156597A
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JP
Japan
Prior art keywords
crucible
rare earth
metal
silicon carbide
earth metal
Prior art date
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Pending
Application number
JP57038271A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Kawachi
河内　勝
Atsushi Kamata
鎌田　敦之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS58156597A publication Critical patent/JPS58156597A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は炭化珪素結晶の成長装置に関する。
〔発明の技術的背景とその間融点〕
炭化珪素（８ｉ０）は現在ｐ、ｔｔ導電型の制御が可能
である唯一の青色発光ダイオード材料として知られてい
る。
８ｉ０の結晶成長法としては、レーリー法や気相成長法
がよく知られているが、これらの方法では大型でかつ均
一な基板結晶は得られていない。
８１０の他の結晶成長方法として、希土類金属を溶媒と
しだ８ｉ０溶液を用いる方法が知られている。即ち８ｉ
０は、希土類金属元票のプラセオジウム（Ｐｒ）、ディ
プロ賢シウム（Ｄｙ）、イツトリウム（Ｙ）、スカンジ
ウム（８ｃ）、ネオジウム（Ｎｄ　）等に対して１７０
０″Ｃ，で３５〜６０モル％の溶解度を示す。
この性質を利用して、ルツボ内に希土類金属を溶媒とし
て８１０溶液を形成し、所定の温度勾配を与えて低温領
域において８１０結晶を析出成長させるものである。
しかしこの方法においては、通常この稀の結晶成長に用
いられるグラファイト製ルツボを使用すると、グラファ
イトが溶媒と反応をおこして大きな８ｉ０結晶が得られ
ないという欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は上記の点に１み、大型で均一な８ゑ０結晶を得
ることのできる成長装置を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明は、希土類金属を溶媒として８ｉ０溶液を形成す
るルツボの材料として、希土類金属に侵されにくい金属
または金属酸化物を用いる。
このような金属として例えばタンタル（Ｔａ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の高融点金属があ
り、また金属酸化物としてマグネシア（ＭｇＯ）がある
。ルツボは、これらの金属または金属酸化物により全体
を構成してもよいし、溶媒と接触する内壁部をこれらの
金属または金属酸化物で構成したものであってもよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ルツボが溶媒に侵されることなく、大
型で均一な８轟０結晶を得ることができる。
〔発明の実施例〕
第１図は一実施例の成長装置を示す断面図である。３は
Ｔａ製ルツボであって、この中に希土類金属であるＰｒ
、次いで８偽０粉末１が仕込まれる。このルツボ１を高
周波コイル６が巻かれた反応管５内に収納し、反応管５
内に矢印で示すように下から上に不活性ガスを済しなが
ら、反応系を昇温する。ルツボ１内に仕込んだＰｒが融
解すると、その融液に８ｉ０粉末１が溶は込んで８ｉ０
溶液２が形成される。ルツボ３の上下方向の温度分布を
第２図に示すように上部で高く、下部に行くに従って低
くなるように設定すると、ルツボ３の下部低温領域にＳ
ｔＯ結晶４が析出成長する。第２図に示す温度分布のと
き、８１０結晶４０析出速度はおよそα５ｕ／ｂｒとな
る。
この実施例による８１０結晶は、結晶粒界をとどめては
いるが、結晶系６Ｈで、発光ダイオード用基板として十
分大型かつ均一なものとなる。ちなみに、得られた８１
０結晶から切り出した基板の上に、８ｉ溶媒使用の８１
０液相成長を行ってｐｎ接合を形成した結果、明るい青
色発光素子が得られた。
ルツボ材としてＭｏ、Ｗ、ＭｇＯを用いた場合、また溶
媒としてＤｙ、Ｙ、８ｃを用いた場合にも同様の結果が
得られることが確認された。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の成長装置を示す断面図、第
２図はその上下方向の温度分布を示す図である。 １−８１０粉末、！−８１０溶液（Ｐｒ溶媒）、３・・
・Ｔａ製ルツボ、４・・・８量０結晶、５・・・反応管
、６・・・高周波コイル。 出願人代理人　弁理土鈴　江　武　彦 ６０ 第１図 第２ｍ ６０３

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　希土類金属を溶媒としてルツボに炭化珪素結
    晶を形成し、この溶液から炭化珪素結晶を成長させる装
    置において、前記ルツボな希土類金属に侵されにくい金
    属または金属酸化物により構成したことを特徴とする炭
    化珪素結晶の成長装置。
  2. （２）金属はメンタル、モリブデンまたはタングステン
    である特許請求の範囲第１項記載の炭化珪素結晶の成長
    装置。
  3. （３）金属酸化物はマグネシアである特許請求の範囲第
    １項記載の炭化珪素結晶の成長装置。
JP57038271A 1982-03-11 1982-03-11 炭化珪素結晶の成長装置 Pending JPS58156597A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012046384A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Sumitomo Metal Ind Ltd ＳｉＣ単結晶の製造方法

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