JPS6041036B2 - ＧａＡｓ浮遊帯融解草結晶製造装置 - Google Patents

ＧａＡｓ浮遊帯融解草結晶製造装置

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JPS6041036B2 JP57149747A JP14974782A JPS6041036B2 JP S6041036 B2 JPS6041036 B2 JP S6041036B2 JP 57149747 A JP57149747 A JP 57149747A JP 14974782 A JP14974782 A JP 14974782A JP S6041036 B2 JPS6041036 B2 JP S6041036B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、蒸気圧の高い枇素を含む化合物半導体である
ＧａＡｓ浮遊帯融解結晶製造装置に関するものである。
ＧａＡｓはＳｉに比べて電子の移動度が大きく、超高速
半導体素子及び集積回路用の材料として望ましい。これ
らの基板としてのＧａふ単結晶は、従来水平ブリッジマ
ン法、墨０３によりシールをしたＬＥＣ法により単結晶
成長が行なわれている。前者は、石英管を用いるために
大口径化が困難なことと、１１１方位に成長させるため
に、｛１’１００面の基板としては、不純物密度が不均
一である、■半絶縁性の基板は、Ｃｒないしは０、ある
いはＣｒ，０両者添加することによって得られるが、高
温（８００ｏｏ以上）で不安定である等の欠点を有して
いる。後者は、１０の苗の大口径の結晶を得ることがで
きるが、墨０３をシール材として用いる為に、Ｇａ偽藤
液と種結晶との間の温度勾配が１００〜３００℃／弧と
大きく、転位が発生し易いという欠点と化学量論的組成
の制御がされていないという欠点がある。
また、水平ブリッジマン法、ＬＥＣ法共に石英、カーボ
ン等のるつば材料によるＧａＡｓ単結晶への不純物の混
入が不可避であるという欠点を有している。
本発明は、上述のＧａＡｓ単結晶成長法の欠点をなくし
た新規なＧａＡｓ浮遊帯融解単結晶製造装置を提供する
ことにある。
以下本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明のＧａＡｓ浮遊帯融解単結晶製造装置の
一実施例である。
１は石英製筒、３はＧａ船の種結晶、４はＧａＡｓの単
結晶、５はＧａＡｓのメルト部、６はＧａ兆の多結晶、
８は６のＧａＡｓ多結晶の支持棒、７は６のＧａＡｓ多
結晶と８の支持棒との接続部分、９はＧａＡｓの種結晶
と支持棒１０との接続部、１１は枇素の石英製の収容容
器、１２は１１の枇素の収容容器と本体の石英製筒を接
続する石英製の紬管、１３は高純度枇素、１４，１５は
それぞれ石英製筒１の支持用のステンレス板、１６，１
７はそれぞれ○リングないしはガスケツト等のシール材
、２０はＧａＡｓ多結晶６を加熱してメルト５にするた
めの高周波誘導加熱用のワーキングコイルで２１は高周
波発振器等の高周波数の電源、２２は１３の枇素を加熱
する高周波誘導加熱用のワーキングコイルで、２３は２
１と同じく高周波発振器等の高周波数の電源、２４はメ
ルト部５の温度を測定するための温度計、２６は硯素１
３の蒸気圧を制御するための温度計、２５，２７はそれ
ぞれ２１，２３の高周波電源を制御するための温度調節
器、２８は温度計欄用の窓部である。
結晶成長は浮遊帯融解法で行なう。
ＧａＡｓ多結晶６を高周波譲導加熱で約１２４０ｑｏに
しメルト部５を作り、種結晶３により種付をし、適当に
ネツキングをした後に支持藤１０，８を回転し、メルト
部５を上方に移動するよう支持綾１０，８を下に移動す
ることにより単結晶４が育成される。枇素部１１の枇素
の温度は結晶育成中にメルト部５に最適枇素圧Ｐｏｐｔ
を加えるようにし、温度を設定しておく。最適班素圧は
おおよそＰｏｐｔ〜２．６×１ぴｅｘｐ（一１．０＆Ｖ
／ｋＴ）（Ｔｏｎ）で与えられる。硯秦部の温度Ｔ＾ｓ
は硯素部と石英製容器１との接続部分１２の直径が４・
さげればノＴ＾Ｓ／ＴＣ州ニＰ＾３／Ｐ払い と与えられる。
ここでＰ＾ｓは枇素部１１の枇素１３による蒸気圧、Ｔ
Ｇａ＾ｓはメルト部５の温度、ＰＧ岬はメルト部のＡｓ
の蒸気圧であってＰ。ｐｔと近い値をとる。ＴＧ小Ｓを
１２４０ｑｏ、Ｐｃａ＾Ｓを８２０ｒｏｍとすればノＴ
＾８／Ｐ＾ＳニノＴＧ小Ｓ／ＰＧ小Ｓニ〇，。
４７４となるようにＴ＾ｓとＰ＾ｓを決定すればよい。
Ｐ＾ｓはＴ＾ｓの値で決まるので温度Ｔ＾ｓを決めれば
よいことになる。硯素部の温度はＧａ偽の化学童論的組
成の完全性を保つためには精密に制御しおおよそ０．１
００以下の安定度を保つ必要がある。枇素部１１とメル
ト部５との温度は連続的に変化するようにし、特にメル
ト部と多結晶部６の部分の温度勾配は転移が導入されな
いようにゆるやかにする。枇素部１１とメルト部５の温
度分布は枇素１２の温度よりも常に高くなるようにして
枇素が石英製筒に付着しないようにした。完全性の高い
ＧａＡｓ単結晶を育成するためには、印加硯蓑圧の精密
な制御、ＧａＡｓメルト部を含む精密な温度制御、回転
、引き下げ速度等には充分に留意した。
最適な枇素圧を与える近傍の枇素圧力を加えて成長した
結晶は、従来のＬＥＣ法による結晶にくらべると、エッ
チビット密度は１桁以上減少し、純度と結晶性の良い結
晶が再現性良く得られた。育成結晶の直径制御は、２８
のメルト部の観察窓部より結晶生成状態を観測しながら
行なえばよい。
自動制御できることは言うまでもない。化学量論的組成
のＧａＡｓ単結晶を得るための枇素部１１の蒸気圧はお
およそ大気圧に近いので、実施例に示す成長葬直では、
シールはそれほど困難ではないが、外部への枇素蒸気の
リークを防ぐために成長装置自体を耐圧容器構造として
も良いことは言うまでもない。耐圧容器とした場合、加
圧のために窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス、
これらの不活性ガスと枇素蒸気の混合物を印加すること
ができる。第１図には図示していないが、温度上昇が望
ましくない部分を冷却することは言うまでもない。第２
図ａ，ｂは本発明の別の実施例であって、浮遊帯融解法
で、直径の大きなＧａＡｓ単結晶を得るためのものであ
る。
第２図ａはメルト部５のためのワーキングコイル３０を
上向に開いたものである。図ではワーキングコイル３０
とメルト部のみを示していて他の部分は第１図と同様で
ある。（第２図ｂも同様である。）ワーキングコイルを
上関きの椀型にまくと磁界と材料の中を流れる誘導亀流
との相互作用で浮力が生じ、直径の大きな単結晶が得ら
れる。第２図ｂは、メルト部の融解用のワーキングコイ
ル２０の下に更にワーキングコイル２０の高周波数源（
周波数ｆ，）よりも低周波数源３２（周波数ｆ２）によ
るワーキングコイル３１を設置した実施例である。
このようにすることにより浮力を生じさせて直径の大き
な単結晶が得られる。第３図に示すのは本発明の別の実
施例である。
メルト部５と枇素収容容器１１の間の温度分布をよくす
るためにカーボン製筒４１、石英筒４０，４２により容
器を構成している。４０，４２は場合によってはサファ
イアでも良い。
４３，４４，４５はそれぞれすり合せ構造を有する接触
部分である。
他の部分は第１図と同様であるので説明は省略する。枇
素が容器に付かないように硯秦部１１とメルト部の温度
は連続的に変化させる。４１のカーボン製容器を使うこ
とにより温度分布の改善ができた。
カーボン製容器は脱ガスによる結晶への不純物混入を防
ぐために高純度のものを真空加熱により充分に脱ガスを
する必要がある。以上説明してきたように本発明のＧａ
Ａｓ浮遊帯融解単結晶製造装置は、化学量論的組成を満
たすようにＧａＡｓメルトに最簿枇素圧を印加しながら
浮遊帯融解により単結晶育成をするので、従来の水平ブ
リッジマン法、ＬＥＣ法に比べて、不純物の混入が少な
くなるので高速トランジスタ、集積回路等、種々のマイ
クロ波用素子の基板として転位がなく、高純度で大□径
のＣａ公完全結晶を得ることができ、工業的価値の非常
に高いものである。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第３図は本発明のＧａＡｓ浮遊帯融解単結晶
製造装置、第２図ａ，ｂは直径の大きな結晶を得るため
のワーキングコイルの配置を示した実施例である。 ３・・・…種結晶、４…・・・単結晶、５・…・・メル
ト部、６・・・・・・多結晶、１１・・・・・・硯素収
容容器、１３・・・・・・硯素、４３，４４，４５・・
・・・・すり合せ部。 第２図第１図 第３図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ＧａＡｓの多結晶と単結晶を収容する容器、前記容
    器の一端には、前記容器内に砒素圧を印加するための砒
    素収容容器を有するＧａＡｓ浮遊帯融解結晶成長装置に
    おいて、前記ＧａＡｓ多結晶及び単結晶の融液部はＧａ
    Ａｓの融点ないしは融点よりも若干高い温度、砒素容器
    は、結晶の化学量論的組成を満たす最適砒素圧を与える
    温度として、前記ＧａＡｓ多結晶と単結晶部と砒素を収
    容する部分との温度は連続的に変化していることを特徴
    としたＧａＡｓ浮遊帯融解結晶成長装置。 ２ 前記ＧａＡｓ多結晶と種結晶及び砒素収容容器を高
    周波誘導加熱することを特徴とする前記特許請求の範囲
    第１項記載のＧａＡｓ浮遊帯融解結晶成長装置。 ３ 前記ＧａＡｓ多結晶と種結晶部及び砒素収容容器の
    一部に、石英ないしはサフアイアによる、すり合せ部分
    を有することを特徴とする前記特許請求の範囲第１項記
    載のＧａＡｓ浮遊帯融解結晶成長装置。 ４ 前記ＧａＡｓ多結晶と種結晶部の一部を加熱する第
    一の高周波数電源による誘導加熱コイルの下部に更に第
    二の前記第一の高周波数電源よりも周波数の低い高周波
    数電源による誘導加熱コイルを備えたことを特徴とする
    前記特許請求の範囲第１項記載のＧａＡｓ浮遊帯融解結
    晶成長装置。
JP57149747A 1982-08-27 1982-08-27 ＧａＡｓ浮遊帯融解草結晶製造装置 Expired JPS6041036B2 (ja)

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EP83108312A EP0102054B1 (en) 1982-08-27 1983-08-24 Method for growing gaas single crystal by using floating zone
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6345198A (ja) * 1986-04-23 1988-02-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 多元系結晶の製造方法
JPH0696478B2 (ja) * 1989-01-26 1994-11-30 科学技術庁無機材質研究所長 単結晶自動育成法
JPH0729874B2 (ja) * 1989-11-04 1995-04-05 コマツ電子金属株式会社 多結晶シリコン製造装置の芯線間接続用ブリッジ
JP2002005745A (ja) * 2000-06-26 2002-01-09 Nec Corp 温度測定装置、および温度測定方法
EP3253909B1 (en) * 2015-02-05 2018-12-19 Dow Silicones Corporation Furnace for seeded sublimation of wide band gap crystals
JP5926432B1 (ja) * 2015-10-01 2016-05-25 伸 阿久津 単結晶製造装置および単結晶製造方法
CN211999987U (zh) * 2020-04-17 2020-11-24 中国电子科技南湖研究院 一种制备大尺寸单晶的装置
JP2023524962A (ja) 2020-05-06 2023-06-14 眉山博雅新材料股▲ふん▼有限公司 結晶の製造装置及び成長方法
CN111254486A (zh) * 2020-05-06 2020-06-09 眉山博雅新材料有限公司 一种晶体制备装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1212495B (de) * 1955-07-28 1966-03-17 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen von Halbleiterstaeben und Verfahren zu deren Betrieb
US2897329A (en) * 1957-09-23 1959-07-28 Sylvania Electric Prod Zone melting apparatus
US2905798A (en) * 1958-09-15 1959-09-22 Lindberg Eng Co Induction heating apparatus
US3136876A (en) * 1960-10-26 1964-06-09 Clevite Corp Indicator and control system
FR1277869A (fr) * 1961-01-23 1961-12-01 Raytheon Co Procédé pour chauffer de la matière fondue et la maintenir suspendue sans contact étranger
BE626374A (ja) * 1961-12-22
FR1370638A (fr) * 1963-05-22 1964-08-28 Siemens Ag Procédé pour l'affinage d'arséniure de gallium et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé
US3260573A (en) * 1963-06-26 1966-07-12 Siemens Ag Zone melting gallium in a recycling arsenic atmosphere
US3446602A (en) * 1965-11-13 1969-05-27 Nippon Electric Co Flame fusion crystal growing employing vertically displaceable pedestal responsive to temperature
DE1519902C3 (de) * 1966-09-24 1975-07-10 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes
US3642443A (en) * 1968-08-19 1972-02-15 Ibm Group iii{14 v semiconductor twinned crystals and their preparation by solution growth
US3857990A (en) * 1972-04-06 1974-12-31 Massachusetts Inst Technology Heat pipe furnace
US4190486A (en) * 1973-10-04 1980-02-26 Hughes Aircraft Company Method for obtaining optically clear, high resistivity II-VI, III-V, and IV-VI compounds by heat treatment
US3936346A (en) * 1973-12-26 1976-02-03 Texas Instruments Incorporated Crystal growth combining float zone technique with the water cooled RF container method
JPS5122883A (en) * 1974-08-20 1976-02-23 Mitsubishi Chem Ind Ll22 amino 44 kuroro 44 pentensanno seizoho
DE3007377A1 (de) * 1980-02-27 1981-09-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines siliciumstabes
DE3007394A1 (de) * 1980-02-27 1981-09-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines siliciumstabes

Also Published As

Publication number Publication date
EP0102054B1 (en) 1987-07-08
DE3372383D1 (en) 1987-08-13
CA1228525A (en) 1987-10-27
JPS5939797A (ja) 1984-03-05
US4619811A (en) 1986-10-28
EP0102054A1 (en) 1984-03-07

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