JPS58153775A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS58153775A JPS58153775A JP3509382A JP3509382A JPS58153775A JP S58153775 A JPS58153775 A JP S58153775A JP 3509382 A JP3509382 A JP 3509382A JP 3509382 A JP3509382 A JP 3509382A JP S58153775 A JPS58153775 A JP S58153775A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substrate
- temp
- phase
- temperature
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空蒸着法、スパッタリング法などの薄膜形成
技術を用いて薄膜を基板上に形成する際、レーザ光の加
熱により高温安定相の薄膜を製造する方法に関する。
技術を用いて薄膜を基板上に形成する際、レーザ光の加
熱により高温安定相の薄膜を製造する方法に関する。
薄膜の製造方法としては、従来周知のように真空蒸着法
やスパッタリング法などがある。スＴｏｒｒの雰囲気の
下で、所望の材料全ターゲット電極とし、ターゲｙト電
極に高周波あるいＶｉ直流電圧七印加することにより、
正に帯電した不活性ガス原子を負にバイアスされたター
ゲット電極表面に衝突させ、その衝撃によってターゲラ
）！極の材料原子を飛び出させ、その原子をターゲラ）
１極と対抗し次位置にある基板上に堆積させて薄膜を形
成する方法である。壕だ真空蒸着法は高真空中において
、所望の材料（化合物や合金の作製の場合は複数個）ｋ
加熱して気化させ、その原子１分子會蒸発源と対抗する
位置にある基板上に堆積させて薄膜全書る方法である。
やスパッタリング法などがある。スＴｏｒｒの雰囲気の
下で、所望の材料全ターゲット電極とし、ターゲｙト電
極に高周波あるいＶｉ直流電圧七印加することにより、
正に帯電した不活性ガス原子を負にバイアスされたター
ゲット電極表面に衝突させ、その衝撃によってターゲラ
）！極の材料原子を飛び出させ、その原子をターゲラ）
１極と対抗し次位置にある基板上に堆積させて薄膜を形
成する方法である。壕だ真空蒸着法は高真空中において
、所望の材料（化合物や合金の作製の場合は複数個）ｋ
加熱して気化させ、その原子１分子會蒸発源と対抗する
位置にある基板上に堆積させて薄膜全書る方法である。
これらの方法で、非平衡状態の高温安定相の薄膜全形成
す右場合には、堆積中、基板上５００℃〜２０００℃の
高温に加熱保持するのが一般的である。例えばＮｂｍＧ
ｅ、Ｎｂ５Ｓ ｉ等のＡ１５構造化合物は非平衡状態の
超伝導体であり、超伝導転移温度（Ｔｃ ）が約２０に
と高いために、ジョセフソン素子等への応用が期待され
ているが、これらの薄膜ケ作製する場合には基板温度と
して７００℃〜１０００℃が必要であり、それ以下の基
板温度ではＴｃ の低い非晶質薄膜とガってしまう。
す右場合には、堆積中、基板上５００℃〜２０００℃の
高温に加熱保持するのが一般的である。例えばＮｂｍＧ
ｅ、Ｎｂ５Ｓ ｉ等のＡ１５構造化合物は非平衡状態の
超伝導体であり、超伝導転移温度（Ｔｃ ）が約２０に
と高いために、ジョセフソン素子等への応用が期待され
ているが、これらの薄膜ケ作製する場合には基板温度と
して７００℃〜１０００℃が必要であり、それ以下の基
板温度ではＴｃ の低い非晶質薄膜とガってしまう。
しかし基板を高温保持した場合には基板と薄膜の界面で
両物質の相互拡散が生じ、界面での薄膜の純度が低下す
る。またスパッタリング法では真空槽内へ導入した不活
性ガスの不純物として、また真空蒸着法では真空槽内の
残留不純物として０２ 、 Ｎ２． ＣＯ，ＣＯ２等が
微量に存在するため、基板加熱系からの不純物の放出と
相乗して、薄膜中の不純物濃度が更に高くガってしまう
。このため高い基板温度で作製した薄膜は、その種々の
特性が劣化する。例えば前述のＡ１５構造化合物では、
不純物の濃度が高くなったためにＴｃが低下する。この
ように基板全高温加熱すると、不純物の混入が生じ更に
高いＴｃｋ有する薄膜を製造することは困離である。
両物質の相互拡散が生じ、界面での薄膜の純度が低下す
る。またスパッタリング法では真空槽内へ導入した不活
性ガスの不純物として、また真空蒸着法では真空槽内の
残留不純物として０２ 、 Ｎ２． ＣＯ，ＣＯ２等が
微量に存在するため、基板加熱系からの不純物の放出と
相乗して、薄膜中の不純物濃度が更に高くガってしまう
。このため高い基板温度で作製した薄膜は、その種々の
特性が劣化する。例えば前述のＡ１５構造化合物では、
不純物の濃度が高くなったためにＴｃが低下する。この
ように基板全高温加熱すると、不純物の混入が生じ更に
高いＴｃｋ有する薄膜を製造することは困離である。
更に基板の高温加熱全必要とする方法では耐熱性の良い
基板しか使用できないので、基板はサファイヤや８１ウ
エハー等に制限さね、フレキ１ ：、 シブルな有機材料やＭのように低融点の材料は使用でき
ないという不都合な点もある。
基板しか使用できないので、基板はサファイヤや８１ウ
エハー等に制限さね、フレキ１ ：、 シブルな有機材料やＭのように低融点の材料は使用でき
ないという不都合な点もある。
また上述の非平衡状態の高温相の薄膜が堆積後の基板の
冷却過程において、容易に他の平衡相へ相転移する性質
を有する物質の場合には、非平衡状態の高温相を形成後
、直ちに基板全急冷して、高温相全クエンチしなければ
ならない。
冷却過程において、容易に他の平衡相へ相転移する性質
を有する物質の場合には、非平衡状態の高温相を形成後
、直ちに基板全急冷して、高温相全クエンチしなければ
ならない。
しかし、真空槽内で基板を急冷するためには、基板ホル
ダーに特殊でかつ複雑な急冷機構を追加する必要がある
など極めて不都合である。
ダーに特殊でかつ複雑な急冷機構を追加する必要がある
など極めて不都合である。
本発明は基板全高温加熱せずに基板上に形成される薄膜
をレーザ光によって直接加熱して。
をレーザ光によって直接加熱して。
上述した欠点を解消することを目的とするものであって
、その構成は真空槽内の基板上に粒子を堆積させて薄膜
を形成する方法において、該薄膜を形成する間、レーザ
光を形成過程中の薄膜表面に断続的に照射して、形成過
程中の薄膜表面を加熱することを特徴とする。
、その構成は真空槽内の基板上に粒子を堆積させて薄膜
を形成する方法において、該薄膜を形成する間、レーザ
光を形成過程中の薄膜表面に断続的に照射して、形成過
程中の薄膜表面を加熱することを特徴とする。
本発明はスパッタリング法、真空蒸着法等の薄膜形成技
術において、基板上へ粒子を堆積さ、’、、Ｉｌｌ・ せ薄膜を形成する過程中に、その薄膜表面ヘレーサ光を
断続的に照射して、形成過程中の薄膜表面を順次加熱し
、薄膜の成長に伴い薄膜全体會高温安定相に移行させる
。この場合におけるレーザ光のエネルギー密度、パルス
幅レーザ光の照射間隔は次のように選定される。すなわ
ち。
術において、基板上へ粒子を堆積さ、’、、Ｉｌｌ・ せ薄膜を形成する過程中に、その薄膜表面ヘレーサ光を
断続的に照射して、形成過程中の薄膜表面を順次加熱し
、薄膜の成長に伴い薄膜全体會高温安定相に移行させる
。この場合におけるレーザ光のエネルギー密度、パルス
幅レーザ光の照射間隔は次のように選定される。すなわ
ち。
エネルギー密度Ｆ（Ｗ／ｉ）、パルス幅△ｔ（ｓｂｃ）
のレーザ光が照射された膜の表面温度の上昇Ｔ（℃）は
０式で表わされ、またその膜内の温度の深さ、時間依存
性は０式で表わされる。
のレーザ光が照射された膜の表面温度の上昇Ｔ（℃）は
０式で表わされ、またその膜内の温度の深さ、時間依存
性は０式で表わされる。
Ｔ（△ｔ、Ｆ）＝２（１−β）Ｆ（△ｔ／πＣｐρα色
、・■Ｔ（Ｘ、ｔ）−２（１−β）Ｆ（ｔ／Ｃｐ・ρ−
α月ｅｒｆ−ｃ（ｘ／２（Ｃｐρ／αｔ ｒ２）・・・
■ 友だしＣｐは膜物質の定圧比熱（Ｊ／ｆ−ｄｅｒ）、ρ
は膜物質の密度（ｆ／ｍ）、αは膜物質の熱伝導率（Ｗ
／＋１−ｄ ｅ ｆ ）、βは膜表面の反射率、Ｘは表
面を０とする深さ方向の距離、１ｅｒｆｃは誤差余関数
の積分である。■及び０式によシ定性的表面温度と、高
温相の深ざ（Ｘｏ）が与えられるので、この値に基づい
てエネルギー密度、パルス幅が適宜選定される。更に、
実験的データに基づき各種条件の影響會考慮した値が設
定される。
、・■Ｔ（Ｘ、ｔ）−２（１−β）Ｆ（ｔ／Ｃｐ・ρ−
α月ｅｒｆ−ｃ（ｘ／２（Ｃｐρ／αｔ ｒ２）・・・
■ 友だしＣｐは膜物質の定圧比熱（Ｊ／ｆ−ｄｅｒ）、ρ
は膜物質の密度（ｆ／ｍ）、αは膜物質の熱伝導率（Ｗ
／＋１−ｄ ｅ ｆ ）、βは膜表面の反射率、Ｘは表
面を０とする深さ方向の距離、１ｅｒｆｃは誤差余関数
の積分である。■及び０式によシ定性的表面温度と、高
温相の深ざ（Ｘｏ）が与えられるので、この値に基づい
てエネルギー密度、パルス幅が適宜選定される。更に、
実験的データに基づき各種条件の影響會考慮した値が設
定される。
一方、レーザ光の照射間隔（Ｓ）は堆積速度（ｒ（１）
と高温相の深さく狗）に応じて選定する。例えば堆積速
度（ｒｏ）がｘｏｏＡ／ｍ−で４が１０００Ａ″の場合
には−Ｘａ／ ｒｏ ＝１０分カので、レーザ光の照射
間隔（Ｓ）は１０分とすることができる。また高温相の
深さくＮ４）以上の薄膜が形成された以降はレーザ光の
照射間隔（Ｓ）ｖｒｔｏ分以下とすることも可能である
。実際にはこの照射間隔（Ｓ）は作製される非平衡状態
の高温相の性質音調べながら実験的に選定されるのが好
ましい。
と高温相の深さく狗）に応じて選定する。例えば堆積速
度（ｒｏ）がｘｏｏＡ／ｍ−で４が１０００Ａ″の場合
には−Ｘａ／ ｒｏ ＝１０分カので、レーザ光の照射
間隔（Ｓ）は１０分とすることができる。また高温相の
深さくＮ４）以上の薄膜が形成された以降はレーザ光の
照射間隔（Ｓ）ｖｒｔｏ分以下とすることも可能である
。実際にはこの照射間隔（Ｓ）は作製される非平衡状態
の高温相の性質音調べながら実験的に選定されるのが好
ましい。
尚薄膜表面の温度上昇、冷却に要する時間は例えばパル
ス幅１０ｎｓｅｃの場合、それぞれ数百ｎ５ｅｅ程度（
１０００℃の温度上昇の場合〜１０ｄｅｆ／ｓｅｅ ）
と見積られ温度上昇速度、冷却速度は極めて速い。
ス幅１０ｎｓｅｃの場合、それぞれ数百ｎ５ｅｅ程度（
１０００℃の温度上昇の場合〜１０ｄｅｆ／ｓｅｅ ）
と見積られ温度上昇速度、冷却速度は極めて速い。
上述した本発明の薄膜の製造方法は次の効果を有する。
すなわち、レーザ光により高温相に形成される深さくＸ
、）程度に膜が堆積した後に。
、）程度に膜が堆積した後に。
パルスレーザ光音照射するので、基板の温度を比較的低
温に保つことが可能である。従って非平衡状態の高温和
會プラスチックや低融点金属さらにはＮａＣ１等のよう
なイオン結晶材料・・）に形成できるので、その薄膜の
応用分野が大きく拡がる。また薄膜表面の温度の上昇冷
却は極めて早いので不安定な高温相でも相転移すること
がない。更にパルスレーザ照射は一般に大気中で行って
も不純物の取り込みが小ないのが普通であるが、これ音
大気中よりもはるかにガス分圧の低い真空槽内で行うの
で、薄膜内への不純物の取り込みは更に小さい。また基
板ケ高温に加熱する必要がないので、一層不純物の取り
込みが小さい。
温に保つことが可能である。従って非平衡状態の高温和
會プラスチックや低融点金属さらにはＮａＣ１等のよう
なイオン結晶材料・・）に形成できるので、その薄膜の
応用分野が大きく拡がる。また薄膜表面の温度の上昇冷
却は極めて早いので不安定な高温相でも相転移すること
がない。更にパルスレーザ照射は一般に大気中で行って
も不純物の取り込みが小ないのが普通であるが、これ音
大気中よりもはるかにガス分圧の低い真空槽内で行うの
で、薄膜内への不純物の取り込みは更に小さい。また基
板ケ高温に加熱する必要がないので、一層不純物の取り
込みが小さい。
次にスパッタリング法に対して本発明會適用した装置を
第１図に示す。同図に示される装置はスパッタリング装
置とパルスレーザ発生装置２を有している。該スパッタ
リング装置は真空槽１を備え、該真空槽１には該槽内ｋ
１０ Ｔｏｒｒ程度の真空度まで排気する真空排気ポ
ンプ３がぴ 接続されており、その接続筒内には排気コンダクタンス
調節弁６が設けられている。更に該真空槽１・全排気し
た後Ａｒガスを槽内に導入するＡｒガスボンベ５が接続
されると共に接続筒内には流量調整弁４が設けられてい
る。そして該流量調整弁４と上記排気コンダクタンス調
節弁６により導入鯖と排出量を調節し、 Ａｒガス圧’
（ｒ 一定にする。この時Ａｒガス圧は通常１０〜１Ｏ
ＴｏｒｒＯ間に調整される。真空槽１・−内にはターゲ
ット電極７と陽極８とが設けられると共にこれらは電源
１２と接続されており、直流電流が印加されるようにな
っている。更に陽極８と対向した位置の基板支持機構１
１上に基板９が載置されており、陽極８と基板９との間
にはシャッター１０が設けられている。陽極８とターゲ
ット電極７との間に直流電流を印加するとＡｒイオンの
スパッター効果によりターゲット電極７よシ原子が飛び
出し、シャッター１０１に間けると基板９上に該原子が
堆積する。一方、真空槽１・には該基板９を外部か１観
察するビューボート１３が設けてあり、該ビューボート
１３を通じてパルスレーザ光會該基板９に照射するパル
スレーザ発生装置２が設けられている。
第１図に示す。同図に示される装置はスパッタリング装
置とパルスレーザ発生装置２を有している。該スパッタ
リング装置は真空槽１を備え、該真空槽１には該槽内ｋ
１０ Ｔｏｒｒ程度の真空度まで排気する真空排気ポ
ンプ３がぴ 接続されており、その接続筒内には排気コンダクタンス
調節弁６が設けられている。更に該真空槽１・全排気し
た後Ａｒガスを槽内に導入するＡｒガスボンベ５が接続
されると共に接続筒内には流量調整弁４が設けられてい
る。そして該流量調整弁４と上記排気コンダクタンス調
節弁６により導入鯖と排出量を調節し、 Ａｒガス圧’
（ｒ 一定にする。この時Ａｒガス圧は通常１０〜１Ｏ
ＴｏｒｒＯ間に調整される。真空槽１・−内にはターゲ
ット電極７と陽極８とが設けられると共にこれらは電源
１２と接続されており、直流電流が印加されるようにな
っている。更に陽極８と対向した位置の基板支持機構１
１上に基板９が載置されており、陽極８と基板９との間
にはシャッター１０が設けられている。陽極８とターゲ
ット電極７との間に直流電流を印加するとＡｒイオンの
スパッター効果によりターゲット電極７よシ原子が飛び
出し、シャッター１０１に間けると基板９上に該原子が
堆積する。一方、真空槽１・には該基板９を外部か１観
察するビューボート１３が設けてあり、該ビューボート
１３を通じてパルスレーザ光會該基板９に照射するパル
スレーザ発生装置２が設けられている。
上記構造の装置を用い１表１の製造条件によって非平衡
状態の超伝導物質でちるＡ １５ Ｎ ｂｑＧ ｅ薄膜
を形成した。
状態の超伝導物質でちるＡ １５ Ｎ ｂｑＧ ｅ薄膜
を形成した。
表 １
※尚、レーザ発生器においては、
レーザーと真空槽のビューポー
トの間にイコーライザーを入れ、
レーザ光の試料面内でのエネル
ギー密度の均一化を図っている。
■、０式及び予備実験により１表面温度は１０００℃、
高温相に形成される深さく狗）は１０００λと推定され
た。そして薄膜の最終厚さｉ １００ＯＱＡに設定しＴ
−６”−ｏ 二１０００λ、 ｒｏ ＝２００１７−
より、スパッタリング開始５分後に第１回のレーザ光照
射上行い、以降５分間隔で計１０回レーザ光の照射を行
った。得られた薄膜は微量の非晶質と目的とするＡ１５
相の混合相であることがＸ線回折法により判った。また
４端子電気抵抗法によシ超電動転移温度を測定したとこ
ろ１８．５にであった。次にオージェ電子分光法（ＡＥ
Ｓ）で、薄膜ｔスパッターエッチしなから膜厚方向での
酸素の分析を行った。この結果を第２図に示す。第２図
のグラフにおいて薄膜の表面付近と基板付近では、ア７
・リル基板表面に付着していたものと膜形成後火気中で
表面酸化されたものが検出されえため酸素が多くなって
いるが、膜の内部では、 ＡＥＳの検出感度以下で酸素
は検出されなかった。また第２図には従来のスパッタリ
ング法により製造された薄膜を比較のために示してあり
、図から明らかなように本発明の方が従来のスパッタリ
ング法よシ酸素の取り込み量が極めて少ない。またこの
従来のスパッタリング法ではサファイヤ基板を用いて基
板温度８５０℃の条件で同一スパッタリングを行い、膜
厚ｘｏｏｏｉのＡ１５ Ｎｂ３Ｇｅ薄膜ケ形成した。
高温相に形成される深さく狗）は１０００λと推定され
た。そして薄膜の最終厚さｉ １００ＯＱＡに設定しＴ
−６”−ｏ 二１０００λ、 ｒｏ ＝２００１７−
より、スパッタリング開始５分後に第１回のレーザ光照
射上行い、以降５分間隔で計１０回レーザ光の照射を行
った。得られた薄膜は微量の非晶質と目的とするＡ１５
相の混合相であることがＸ線回折法により判った。また
４端子電気抵抗法によシ超電動転移温度を測定したとこ
ろ１８．５にであった。次にオージェ電子分光法（ＡＥ
Ｓ）で、薄膜ｔスパッターエッチしなから膜厚方向での
酸素の分析を行った。この結果を第２図に示す。第２図
のグラフにおいて薄膜の表面付近と基板付近では、ア７
・リル基板表面に付着していたものと膜形成後火気中で
表面酸化されたものが検出されえため酸素が多くなって
いるが、膜の内部では、 ＡＥＳの検出感度以下で酸素
は検出されなかった。また第２図には従来のスパッタリ
ング法により製造された薄膜を比較のために示してあり
、図から明らかなように本発明の方が従来のスパッタリ
ング法よシ酸素の取り込み量が極めて少ない。またこの
従来のスパッタリング法ではサファイヤ基板を用いて基
板温度８５０℃の条件で同一スパッタリングを行い、膜
厚ｘｏｏｏｉのＡ１５ Ｎｂ３Ｇｅ薄膜ケ形成した。
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明
はスパッタリング法、真空蒸着法などで基板上に粒子を
堆積させて薄膜を形成する際に、レーザ光管断続的に照
射して、薄膜を加熱するので、排平衡状態の高温相の薄
膜全製造することが可能である。そのため、高い超伝導
転移温度會有する薄膜全製造することが容易である。
はスパッタリング法、真空蒸着法などで基板上に粒子を
堆積させて薄膜を形成する際に、レーザ光管断続的に照
射して、薄膜を加熱するので、排平衡状態の高温相の薄
膜全製造することが可能である。そのため、高い超伝導
転移温度會有する薄膜全製造することが容易である。
第１図は本発明の薄膜の製造方法を適用したスパッタリ
ング法の装置の概略図、第２図は薄膜の深さに対する酸
素の取り込みｓ−’を示すグラフである。 図面中。 １は真空槽、 ２はパルスレーザ″発生装置。 ３は真空排気ポンプ。 ４は流量調節弁、 ５はＡｒガスボンベ、 ６は排気コンダクタンス調節弁、 ７は陰極ターゲット、 ８は陽極、 ９は基板、 １０ｉ！シヤツター、 １１は基板支持機構、 １２は電源、 １３はビューポート、 ａは本発明方法により製造された薄膜、ｂｉｉ従来のス
パッタリンク法により製造された薄膜である。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 や 石 士 部 （他１名） 力１図 第２図
ング法の装置の概略図、第２図は薄膜の深さに対する酸
素の取り込みｓ−’を示すグラフである。 図面中。 １は真空槽、 ２はパルスレーザ″発生装置。 ３は真空排気ポンプ。 ４は流量調節弁、 ５はＡｒガスボンベ、 ６は排気コンダクタンス調節弁、 ７は陰極ターゲット、 ８は陽極、 ９は基板、 １０ｉ！シヤツター、 １１は基板支持機構、 １２は電源、 １３はビューポート、 ａは本発明方法により製造された薄膜、ｂｉｉ従来のス
パッタリンク法により製造された薄膜である。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 や 石 士 部 （他１名） 力１図 第２図
Claims (1)
- 真空槽内の基板上に粒子を堆積させて薄膜を形成する方
法処おいて、該薄膜を形成する間レーザ光を形成過程中
の薄膜表面に断続的に照射して、形成過程中の薄膜表面
を加熱することを特徴とする薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3509382A JPS58153775A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3509382A JPS58153775A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | 薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153775A true JPS58153775A (ja) | 1983-09-12 |
Family
ID=12432333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3509382A Pending JPS58153775A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58153775A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147056A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-08 | Eiko Eng:Kk | 真空薄膜形成装置 |
| WO2005100631A1 (de) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Bestcoating S.A.R.L. | Verfahren zur beschichtung eines grundkörpers, vorrichtung zur durchführung des verfahrens und beschichteter grundkörper |
| JP2007139016A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Saginomiya Seisakusho Inc | 電動式コントロールバルブおよび冷凍サイクル装置 |
-
1982
- 1982-03-08 JP JP3509382A patent/JPS58153775A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147056A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-08 | Eiko Eng:Kk | 真空薄膜形成装置 |
| JPH0246666B2 (ja) * | 1987-11-30 | 1990-10-16 | Eikoo Enjiniaringu Kk | |
| WO2005100631A1 (de) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Bestcoating S.A.R.L. | Verfahren zur beschichtung eines grundkörpers, vorrichtung zur durchführung des verfahrens und beschichteter grundkörper |
| JP2007139016A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Saginomiya Seisakusho Inc | 電動式コントロールバルブおよび冷凍サイクル装置 |
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