JPS58151108A - プラグイン形抵抗減衰器 - Google Patents
プラグイン形抵抗減衰器Info
- Publication number
- JPS58151108A JPS58151108A JP3334382A JP3334382A JPS58151108A JP S58151108 A JPS58151108 A JP S58151108A JP 3334382 A JP3334382 A JP 3334382A JP 3334382 A JP3334382 A JP 3334382A JP S58151108 A JPS58151108 A JP S58151108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- holding plate
- side holding
- resistance attenuator
- input terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/01—Mounting; Supporting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/006—Thin film resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は通信機器等における伝送信号のプラグイン形の
抵抗減衰器に関するものである。
抵抗減衰器に関するものである。
（２）技術の背景
同一増幅器を有する伝送線路において減衰特性は均一と
はならず、常に減衰特性の均一化の補償を必要とする。
はならず、常に減衰特性の均一化の補償を必要とする。
この回路に減衰等化器を使用し、回線全体の減衰特性を
一様になるよう信号レベルを補正する。この減衰等化器
に４端子網による定抵抗回路網が一般に用いられ、対称
形の回路としてＴ形又はπ形が使用される。通常この抵
抗はセラミック基板上に薄膜又は厚膜により形成され、
精密なトリミングにより特性の均一化が針られている。
一様になるよう信号レベルを補正する。この減衰等化器
に４端子網による定抵抗回路網が一般に用いられ、対称
形の回路としてＴ形又はπ形が使用される。通常この抵
抗はセラミック基板上に薄膜又は厚膜により形成され、
精密なトリミングにより特性の均一化が針られている。
その基板の端部には入出力、接地の端子が金属電極で構
成され、この端子間の金属導体の結線で減衰量の調整を
行う。
成され、この端子間の金属導体の結線で減衰量の調整を
行う。
（３）従来技術と問題点
第１図はＴ形抵抗減衰器の基本的な回路図を示す。減衰
量調整のため抵抗部分は４区分され、この選択接続によ
り所定の減衰量を定める。今仮にこの４区分をＡ、ＢＳ
Ｃ，Ｄとするこの減衰量を１．２．３．４ｄＢとし、具
体例とて、いまｌｄＢを構成する場合、信号ラインの入
力端子ｌとへ区分の端子４を接続し、出力端子２と端子
５を接続する。尚共通線は接地端子３となる。
量調整のため抵抗部分は４区分され、この選択接続によ
り所定の減衰量を定める。今仮にこの４区分をＡ、ＢＳ
Ｃ，Ｄとするこの減衰量を１．２．３．４ｄＢとし、具
体例とて、いまｌｄＢを構成する場合、信号ラインの入
力端子ｌとへ区分の端子４を接続し、出力端子２と端子
５を接続する。尚共通線は接地端子３となる。
第２図は従来の抵抗減衰器の構造を示す斜視図である。
便宜上抵抗は回路記号をそのまま利用して一部表示して
いる。セラミック基板６の上にタンタル等を蒸着法等に
より薄膜抵抗を形成し、入力端子１１、出力端子１２、
端子１４．１５、接地端子１３等を折り曲げ、薄膜抵抗
と半田付けにより接続し、且つ保持枠７でセラミック基
板６を保持している。尚薄膜抵抗の面はシリコン樹脂等
のボンティング注形により保護されている。
いる。セラミック基板６の上にタンタル等を蒸着法等に
より薄膜抵抗を形成し、入力端子１１、出力端子１２、
端子１４．１５、接地端子１３等を折り曲げ、薄膜抵抗
と半田付けにより接続し、且つ保持枠７でセラミック基
板６を保持している。尚薄膜抵抗の面はシリコン樹脂等
のボンティング注形により保護されている。
第３図は従来の抵抗減衰器の上面より見た構造の斜視図
である。第２図の背面に相当する。第１図と対比して説
明すると、入力端子１１は入力端子１と、出力端子１２
は出力端子２と、端子１４．１５は端子４．５と一致す
る。第１図説明の接続例はこの入力端子１１、出力端子
１２、端子１４．１５の接続を意味する。具体的にはこ
の夫々の端子を銅線を以て半田付けする。
である。第２図の背面に相当する。第１図と対比して説
明すると、入力端子１１は入力端子１と、出力端子１２
は出力端子２と、端子１４．１５は端子４．５と一致す
る。第１図説明の接続例はこの入力端子１１、出力端子
１２、端子１４．１５の接続を意味する。具体的にはこ
の夫々の端子を銅線を以て半田付けする。
この作業は伝送機器の現地設置時において調整作業とし
て行うため手作業に依存し、工数と共に開通までの時間
を費やすことになる。更にこの構造では調整後使用しな
い回路が残り、機能、占有面積の損失がある。近時半導
体集積回路の使用量の増大に対して抵抗減衰器のプリン
ト配線板における占有面積が相対的に大きくなり、この
小型化の要望が強い。
て行うため手作業に依存し、工数と共に開通までの時間
を費やすことになる。更にこの構造では調整後使用しな
い回路が残り、機能、占有面積の損失がある。近時半導
体集積回路の使用量の増大に対して抵抗減衰器のプリン
ト配線板における占有面積が相対的に大きくなり、この
小型化の要望が強い。
（４）発明の目的
本発明の目的は前述の作業を部品化、短縮するためと同
時に小型化を実現するためプラグイン構造を導入するも
のである。
時に小型化を実現するためプラグイン構造を導入するも
のである。
（５）発明の構成
本発明はＴ形又はπ形構成の定抵抗回路網による減衰回
路に入力端子、出力端子、接地端子の３端子を設け、該
入力端子、出力端子、接地端子を露出させて該減衰回路
を合成樹脂により一体化成形を行ない、一方線入力端子
、出力端子、接地端子の３端子と電気的に接続し、且つ
該減衰回路を弾力をもって抱持するバネ部及び電気的接
続用端子部を具備する保持体よりなることを特徴とする
プラグイン形抵抗減衰器により前記目的を達成するもの
である。
路に入力端子、出力端子、接地端子の３端子を設け、該
入力端子、出力端子、接地端子を露出させて該減衰回路
を合成樹脂により一体化成形を行ない、一方線入力端子
、出力端子、接地端子の３端子と電気的に接続し、且つ
該減衰回路を弾力をもって抱持するバネ部及び電気的接
続用端子部を具備する保持体よりなることを特徴とする
プラグイン形抵抗減衰器により前記目的を達成するもの
である。
（６）発明の実施例
第４図は本発明に係る抵抗減衰器の回路部の斜視図であ
る。尚第４図より第９図迄図中の同一符号は同一物を示
す。セラミック基板２４の上にタンタル抵抗体２０が蒸
着法により薄膜をもって構成され抵抗体２０は予め精密
に調整されている。
る。尚第４図より第９図迄図中の同一符号は同一物を示
す。セラミック基板２４の上にタンタル抵抗体２０が蒸
着法により薄膜をもって構成され抵抗体２０は予め精密
に調整されている。
この端部に入力端子２１、出力端子２２、接地端子２３
が設けられている。尚ダミ一端子２５は単にセラミック
基板２４の支持用である。
が設けられている。尚ダミ一端子２５は単にセラミック
基板２４の支持用である。
第５図は本発明に係る抵抗減衰器の保持体の斜視図であ
る。３個に区分され、側面保持板３１．３２と中央保持
板３３とから構成されている。何れも金属製で半田付は
可能である。側面保持板３２は角形で中央下部にＬ字形
の切り起し３２ａが形成され、側面保持板３１も全く同
様である。
る。３個に区分され、側面保持板３１．３２と中央保持
板３３とから構成されている。何れも金属製で半田付は
可能である。側面保持板３２は角形で中央下部にＬ字形
の切り起し３２ａが形成され、側面保持板３１も全く同
様である。
中央保持板３３は口字形に矩形に曲げられ、その内幅Ｆ
はセラミック基板２４の幅Ｅが嵌る程度に形成され、両
側面には切り起し３３ａが形成されている。何れも切り
起し３３ａ半田付は可能である。
はセラミック基板２４の幅Ｅが嵌る程度に形成され、両
側面には切り起し３３ａが形成されている。何れも切り
起し３３ａ半田付は可能である。
第６図は本発明に係る抵抗減衰器の中間の組立状態の斜
視図である。保持体の３個の部品、側面保持板３１の切
り起し３１ａをセラミック基板２４の入力端子２１（図
省略）と、側面保持板３２の切り起し３２ａを出力端子
２２と、中央保持板３３の切り起し３３ａをセラミック
基板２４の接地端子２３ （図省略）と夫々半田付けさ
れ、保持体の中にセラミック基板２４を包むようにして
保持する。この状態では機能的に側面保持板３１は入力
端子となり、側面保持板３２は出力端子、中央保持板３
３は接地端子となる。
視図である。保持体の３個の部品、側面保持板３１の切
り起し３１ａをセラミック基板２４の入力端子２１（図
省略）と、側面保持板３２の切り起し３２ａを出力端子
２２と、中央保持板３３の切り起し３３ａをセラミック
基板２４の接地端子２３ （図省略）と夫々半田付けさ
れ、保持体の中にセラミック基板２４を包むようにして
保持する。この状態では機能的に側面保持板３１は入力
端子となり、側面保持板３２は出力端子、中央保持板３
３は接地端子となる。
第７図は本発明に係る抵抗減衰器の組立完成の斜視図で
ある。第６図説明の保持体とセラミ・ツク基板２４を共
に熱可塑性プラスチック、本実施例ではポリアセタール
樹脂４１を使用して全体をモールド成形しである。側面
保持板３１．３２、中央保持板３３は金属面を露出して
電気的接続が可能となっている。この状態の抵抗減衰器
４０は減衰値に応じて捺印が施され、減衰量調整に必要
な各種の減衰量の形が準備される。尚抵抗減衰器４０は
熱放散は少な（且つ特にタンタルは温度特性が良好のた
めモールド成形による特性劣化はない。
ある。第６図説明の保持体とセラミ・ツク基板２４を共
に熱可塑性プラスチック、本実施例ではポリアセタール
樹脂４１を使用して全体をモールド成形しである。側面
保持板３１．３２、中央保持板３３は金属面を露出して
電気的接続が可能となっている。この状態の抵抗減衰器
４０は減衰値に応じて捺印が施され、減衰量調整に必要
な各種の減衰量の形が準備される。尚抵抗減衰器４０は
熱放散は少な（且つ特にタンタルは温度特性が良好のた
めモールド成形による特性劣化はない。
第８図は本考案に係る抵抗減衰器用の保持器の構造を示
す斜視図である。絶縁板５０の孔５０ａには側面保持バ
ネ５１．５２と中央保持バネ５３の端子片５１ａ、５２
ａ、５３ａが矢印Ｇ方向に圧入されている。側面保持バ
ネ５２はＬ字形に曲げられ、先端部５２ｂを更に曲げ起
しである。側面のバネ部５２Ｃには反りをつけｔある。
す斜視図である。絶縁板５０の孔５０ａには側面保持バ
ネ５１．５２と中央保持バネ５３の端子片５１ａ、５２
ａ、５３ａが矢印Ｇ方向に圧入されている。側面保持バ
ネ５２はＬ字形に曲げられ、先端部５２ｂを更に曲げ起
しである。側面のバネ部５２Ｃには反りをつけｔある。
側面保持バネ５１も同一形状である。中央保持バネ５３
は端子片５３ａを点線図示のごとく曲げ起してあり、コ
字形バネ部５３Ｃは内側に反りをつけである。この３個
のバネの内側は抵抗減衰１４０を弾力をもって保持する
寸法に形成されている。
は端子片５３ａを点線図示のごとく曲げ起してあり、コ
字形バネ部５３Ｃは内側に反りをつけである。この３個
のバネの内側は抵抗減衰１４０を弾力をもって保持する
寸法に形成されている。
第９図は本発明に係る抵抗減衰器を保持器に実装した斜
視図である。側面保持バネ５１．５２の先端部５１ｂ、
５２ｂを指で開き、抵抗減衰器４０を押し込むと、側面
保持バネ５１は抵抗減衰器４０の入力端子となっている
側面保持板３１を押圧し、側面保持バネ５２は出力端子
となる側面保持板３２を押圧し、電気的に接続する。同
様に中央保持バネ５３は接地端子となる中央保持板３３
を押圧して接続する。
視図である。側面保持バネ５１．５２の先端部５１ｂ、
５２ｂを指で開き、抵抗減衰器４０を押し込むと、側面
保持バネ５１は抵抗減衰器４０の入力端子となっている
側面保持板３１を押圧し、側面保持バネ５２は出力端子
となる側面保持板３２を押圧し、電気的に接続する。同
様に中央保持バネ５３は接地端子となる中央保持板３３
を押圧して接続する。
この状態で抵抗減衰器等化器として装置内のプリント配
線板に組み込む。抵抗減衰器４０は装置を設置後容易に
交換が出来るため、回路条件に応じて選択挿入し減衰量
を調整する。
線板に組み込む。抵抗減衰器４０は装置を設置後容易に
交換が出来るため、回路条件に応じて選択挿入し減衰量
を調整する。
本実施例では抵抗体に薄膜抵抗を使用したが、チップ抵
抗を使用しても差し支えない。又本実施例では角形とし
たが製造の手段によっては円筒形も考慮し得る所であり
、又保持器の構造も板バネに限定されるものでなく、ワ
イヤー材により製作しても差支えない。
抗を使用しても差し支えない。又本実施例では角形とし
たが製造の手段によっては円筒形も考慮し得る所であり
、又保持器の構造も板バネに限定されるものでなく、ワ
イヤー材により製作しても差支えない。
（７）、発明の効果
本発明によれば抵抗減衰器の調整は単に選択交換により
実施することが出来、現地工事において半田付は作業を
除くことが出来る。更に工事期間も短縮され、機器の稼
働を早めることが可能となる。更に抵抗減衰器は従来に
比べて数分の−に小型化され、プリント配線板の有効搭
載面積が増大する。
実施することが出来、現地工事において半田付は作業を
除くことが出来る。更に工事期間も短縮され、機器の稼
働を早めることが可能となる。更に抵抗減衰器は従来に
比べて数分の−に小型化され、プリント配線板の有効搭
載面積が増大する。
第１図はＴ形抵抗減衰器の基本的な回路図、第２図は従
来の抵抗減衰器の構造を示す斜視図、第３図は従来の抵
抗減衰器の上面より見た構造の斜視図、第４図は本発明
に係る抵抗減衰器の回路部の斜視図、第５図は本発明に
係る抵抗減衰器の保持体の斜視図、第６図は本発明に係
る抵抗減衰器の中間の組立状態の斜視図、第７図は本発
明に係る抵抗減衰器の組立完成の斜視図、第８図は本発
明に係る抵抗減衰器用の保持器の構造を示す斜視図、第
９図は本発明に係る抵抗減衰器を保持器に実装した斜視
図である。 図において２０は薄膜抵抗、２１は入力端子２２は出力
端子、２３は接地端子、３１．３２は側面保持板、３３
は中央保持板、４０は抵抗減衰器、５０は絶縁板、５１
．５２は側面保持バネ、５３は中央保持バネである。 ５７ｍ
来の抵抗減衰器の構造を示す斜視図、第３図は従来の抵
抗減衰器の上面より見た構造の斜視図、第４図は本発明
に係る抵抗減衰器の回路部の斜視図、第５図は本発明に
係る抵抗減衰器の保持体の斜視図、第６図は本発明に係
る抵抗減衰器の中間の組立状態の斜視図、第７図は本発
明に係る抵抗減衰器の組立完成の斜視図、第８図は本発
明に係る抵抗減衰器用の保持器の構造を示す斜視図、第
９図は本発明に係る抵抗減衰器を保持器に実装した斜視
図である。 図において２０は薄膜抵抗、２１は入力端子２２は出力
端子、２３は接地端子、３１．３２は側面保持板、３３
は中央保持板、４０は抵抗減衰器、５０は絶縁板、５１
．５２は側面保持バネ、５３は中央保持バネである。 ５７ｍ
Claims (1)
- Ｔ形又はπ形構成の定抵抗回路網による減衰回路に入力
端子、出力端子、接地端子の３端子を設け、該入力端子
、出力端子、接地端子を露出させて該減衰回路を合成樹
脂により一体化成形を行ない、一方該入力端子、出力端
子、接地端子の３端子と電気的に接続し、且つ該減衰回
路を弾力をもって抱持するバネ部及び電気的接続用端子
部を具備する保持体よりなることを特徴とするプラグイ
ン形抵抗減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3334382A JPS58151108A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | プラグイン形抵抗減衰器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3334382A JPS58151108A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | プラグイン形抵抗減衰器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58151108A true JPS58151108A (ja) | 1983-09-08 |
Family
ID=12383915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3334382A Pending JPS58151108A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | プラグイン形抵抗減衰器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58151108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015516064A (ja) * | 2012-05-03 | 2015-06-04 | ローデ ウント シュワルツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディット ゲゼルシャフトＲｏｈｄｅ ＆ Ｓｃｈｗａｒｚ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ | 超広帯域測定ブリッジ |
-
1982
- 1982-03-03 JP JP3334382A patent/JPS58151108A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015516064A (ja) * | 2012-05-03 | 2015-06-04 | ローデ ウント シュワルツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディット ゲゼルシャフトＲｏｈｄｅ ＆ Ｓｃｈｗａｒｚ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ | 超広帯域測定ブリッジ |
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