JPS5815067A - 常温においてδ相を主体とするＢｉ↓２Ｏ↓３組成物特定用途とその製造法 - Google Patents
常温においてδ相を主体とするＢｉ↓２Ｏ↓３組成物特定用途とその製造法Info
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- JPS5815067A JPS5815067A JP56108248A JP10824881A JPS5815067A JP S5815067 A JPS5815067 A JP S5815067A JP 56108248 A JP56108248 A JP 56108248A JP 10824881 A JP10824881 A JP 10824881A JP S5815067 A JPS5815067 A JP S5815067A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は常温においてδ相を主体とするＢｉ２０ｇ組成
物、特定用途とその製造法並びにその製造装置に関する
。
物、特定用途とその製造法並びにその製造装置に関する
。
酸化ビスマスＢｉ２Ｏ３は多形を有し、通常α、β、γ
、δの４種の相が存在するとされている。このうちδ相
は欠陥蛍石構造をとり、その酸素空格子が存在するため
酸素イオン伝導性がある。一般に酸素イオン伝導体とし
て知られているＺｒＯ□−ＣａＯ系、Ｚ ｒ ０２−Ｙ
２Ｏ３系あるいはＺｒＯ２−８ｃ＋ＯＪの固体電解質と
比較するとＪ −Ｂ １２０ｓはイオン伝導性が高く、
したがってより低温域での酸素センサーなどに応用でき
ると考えられるが、無添加のδ−ＢｉｚＯｓはその安定
に存在する範囲が７３０℃からＢ ｌ ２０ｓの融点で
ある８２５℃ときわめて狭く、低温域での実用化は不可
能であった。
、δの４種の相が存在するとされている。このうちδ相
は欠陥蛍石構造をとり、その酸素空格子が存在するため
酸素イオン伝導性がある。一般に酸素イオン伝導体とし
て知られているＺｒＯ□−ＣａＯ系、Ｚ ｒ ０２−Ｙ
２Ｏ３系あるいはＺｒＯ２−８ｃ＋ＯＪの固体電解質と
比較するとＪ −Ｂ １２０ｓはイオン伝導性が高く、
したがってより低温域での酸素センサーなどに応用でき
ると考えられるが、無添加のδ−ＢｉｚＯｓはその安定
に存在する範囲が７３０℃からＢ ｌ ２０ｓの融点で
ある８２５℃ときわめて狭く、低温域での実用化は不可
能であった。
従来、Ｂｉ２Ｏ３のδ相を安定化させ、低温（３００〜
５００℃）の範囲で固体電解質として利用する試みがな
されてきた。すなわち、添加物としてＹ、０３、Ｌａ２
Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｎ ｂ２０．、ＭｏＯ３、ｗｏ、等
を加えて、プレスし加熱して焼結したものを常温まで放
冷して試料を作成し、その試料の相の同定とイオン伝導
度の測定がなされた。しかし、安定化に要する最小の添
加量はＹ２Ｏ，の場合で２０モル％、ＷＯ，で２２モル
％であり、イオン伝導度はδ相のイオン伝導度を低温ま
で補外した値と比較すると大＠（２桁程度）に低下して
しまうという欠点があった。
５００℃）の範囲で固体電解質として利用する試みがな
されてきた。すなわち、添加物としてＹ、０３、Ｌａ２
Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｎ ｂ２０．、ＭｏＯ３、ｗｏ、等
を加えて、プレスし加熱して焼結したものを常温まで放
冷して試料を作成し、その試料の相の同定とイオン伝導
度の測定がなされた。しかし、安定化に要する最小の添
加量はＹ２Ｏ，の場合で２０モル％、ＷＯ，で２２モル
％であり、イオン伝導度はδ相のイオン伝導度を低温ま
で補外した値と比較すると大＠（２桁程度）に低下して
しまうという欠点があった。
本発明は前記のごとき欠点を解消したものであって、比
較的低い温度（３５０’Ｃ以下）においてイオン伝導性
の高いδ相を主体とするＢｉ２Ｏ３組成物を提供するも
のである。
較的低い温度（３５０’Ｃ以下）においてイオン伝導性
の高いδ相を主体とするＢｉ２Ｏ３組成物を提供するも
のである。
即ち、本発明の要旨は、（１） Ｂ１２ｏ３を主成分
とし添加物としてＢ２Ｏ３，５ｉ０２、ｗｏ３、Ｇｅ０
ｔ、ｐ、ｏ、 、 Ｍｏ５ｓ、Ｖ、Ｏ，、ＴｅＯ２、Ｎ
ｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｑ５、ＴｉＯ□、Ｙ２Ｏ３およびＡｔ
２０３のうち少なくとも一種を２〜１５モル％含有し、
常温でδ相を主体とする組成物。（２） ＢｉｚＯｓを
主成分とし、添加物としてＢ２Ｏ３、Ｓ ｉｏｚ 、
ＷＯ３、Ｇ ｅ ０Ｈ１Ｐ２０．、ＭｏＯ３、■、０３
、Ｔｅ０１、Ｎｂ、Ｏ，、Ｔ ａｔ ＯＨ、Ｔ ｉ Ｏ
ｘ、Ｙ、Ｏ，およびＡ４２Ｑ、のうち少なくとも一種を
２〜１５モル％含有し、常温でδ相を主体とする組成物
より成る酸素センサー。（３） ＢｉｚＯｓと添加物と
してのＢ２Ｏ３，５ｉ０１、ＷＯ，、ＧｅＯ２、ｐ、ｏ
、、ＭｏＯ３、Ｐ２Ｏ３、ＴｅＯ２、Ｎｂ、０．、Ｔａ
２Ｏ，、ＴｉＯ２、Ｙ、Ｏ，およびＡｔ、Ｏ，の・うち
少なくとも一種を添加した混合物を溶融させ、その溶融
物を急冷させるようにしたことを特徴とする常温でδ相
を主体とする組成物の製造法。（４１Ｂｉ、０３と添加
物とし”てのＢ２Ｏ３、Ｓｉｎ、、ＷＯ，、ＧｅＯ２、
Ｐ２Ｏ３、ＭｏＯ３、Ｐ２Ｏ３、ＴｅＯ２、Ｎ ｂ、Ｏ
，、Ｔａ２０５、ＴｉＯ２、Ｙ、０３およびＡｔｔｏ、
のうち少なくきも一種を添加した混合物を溶融させる溶
融炉と、その溶融物を圧延しながら急冷させる一対の冷
却されたあるいは室温に放置されたローラより成ること
を特徴とする常温でδ相を主体とする組成物の製造装置
に関する。
とし添加物としてＢ２Ｏ３，５ｉ０２、ｗｏ３、Ｇｅ０
ｔ、ｐ、ｏ、 、 Ｍｏ５ｓ、Ｖ、Ｏ，、ＴｅＯ２、Ｎ
ｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｑ５、ＴｉＯ□、Ｙ２Ｏ３およびＡｔ
２０３のうち少なくとも一種を２〜１５モル％含有し、
常温でδ相を主体とする組成物。（２） ＢｉｚＯｓを
主成分とし、添加物としてＢ２Ｏ３、Ｓ ｉｏｚ 、
ＷＯ３、Ｇ ｅ ０Ｈ１Ｐ２０．、ＭｏＯ３、■、０３
、Ｔｅ０１、Ｎｂ、Ｏ，、Ｔ ａｔ ＯＨ、Ｔ ｉ Ｏ
ｘ、Ｙ、Ｏ，およびＡ４２Ｑ、のうち少なくとも一種を
２〜１５モル％含有し、常温でδ相を主体とする組成物
より成る酸素センサー。（３） ＢｉｚＯｓと添加物と
してのＢ２Ｏ３，５ｉ０１、ＷＯ，、ＧｅＯ２、ｐ、ｏ
、、ＭｏＯ３、Ｐ２Ｏ３、ＴｅＯ２、Ｎｂ、０．、Ｔａ
２Ｏ，、ＴｉＯ２、Ｙ、Ｏ，およびＡｔ、Ｏ，の・うち
少なくとも一種を添加した混合物を溶融させ、その溶融
物を急冷させるようにしたことを特徴とする常温でδ相
を主体とする組成物の製造法。（４１Ｂｉ、０３と添加
物とし”てのＢ２Ｏ３、Ｓｉｎ、、ＷＯ，、ＧｅＯ２、
Ｐ２Ｏ３、ＭｏＯ３、Ｐ２Ｏ３、ＴｅＯ２、Ｎ ｂ、Ｏ
，、Ｔａ２０５、ＴｉＯ２、Ｙ、０３およびＡｔｔｏ、
のうち少なくきも一種を添加した混合物を溶融させる溶
融炉と、その溶融物を圧延しながら急冷させる一対の冷
却されたあるいは室温に放置されたローラより成ること
を特徴とする常温でδ相を主体とする組成物の製造装置
に関する。
ここでＢｔｔＯ３への添加物としてはＢ、０３、ＳｉＯ
＋＋、ＷＯ８、ＧｅＯ２、Ｐ２Ｏ３、ＭｏＯ３、Ｐ２Ｏ
３、ＴｅＯ２、Ｎｂ、Ｏ，、Ｔａ２０５ 、 Ｔｉ１ｔ
、Ｙ２Ｏ３およびＡｊ２０．のうち一種のみであっても
、またこれらから選ばれた二種以上のものであってもよ
い。Ｂｉ２Ｏ，への添加物の割合としては、２〜１５モ
ル％含有されていることが好ましく、２モル％以下では
常温でＢ １２０３のδ相が得られなく、１５モル％以
上ではＢｉ□Ｏｓのδ相は得られるがイオン伝導度が低
くなり好ましくない。
＋＋、ＷＯ８、ＧｅＯ２、Ｐ２Ｏ３、ＭｏＯ３、Ｐ２Ｏ
３、ＴｅＯ２、Ｎｂ、Ｏ，、Ｔａ２０５ 、 Ｔｉ１ｔ
、Ｙ２Ｏ３およびＡｊ２０．のうち一種のみであっても
、またこれらから選ばれた二種以上のものであってもよ
い。Ｂｉ２Ｏ，への添加物の割合としては、２〜１５モ
ル％含有されていることが好ましく、２モル％以下では
常温でＢ １２０３のδ相が得られなく、１５モル％以
上ではＢｉ□Ｏｓのδ相は得られるがイオン伝導度が低
くなり好ましくない。
常温においてδ相を主体とするＢｉ２Ｏ３組成物を製造
する装置としては例えば第１図に示すように、原料を溶
融するるつぼ１、電気炉４、および水冷等により冷却さ
れたあるいは室温に放置された一対のローラ３等より構
成されている。
する装置としては例えば第１図に示すように、原料を溶
融するるつぼ１、電気炉４、および水冷等により冷却さ
れたあるいは室温に放置された一対のローラ３等より構
成されている。
前記のような装置において予めＢｉ２Ｏ５とＢ、Ｏ，、
Ｓ ｉ ０２、ｗｏ、、ＧｅＯ２等より選ばれた添加物
を混合し、溶融し小片状にした原料をるっぽ１に供給し
、電気炉４により例えば８００〜９００ ’Ｃに溶融し
、溶融物２とし、シャッター５を開き、例えば３０００
〜５０００ｒｐｍで回転する室温に放置されたローラ３
に供給し、圧延しながら急冷してδ相を主体とする組成
物を製造し、ガイド６に沿ってコレクター７に集める。
Ｓ ｉ ０２、ｗｏ、、ＧｅＯ２等より選ばれた添加物
を混合し、溶融し小片状にした原料をるっぽ１に供給し
、電気炉４により例えば８００〜９００ ’Ｃに溶融し
、溶融物２とし、シャッター５を開き、例えば３０００
〜５０００ｒｐｍで回転する室温に放置されたローラ３
に供給し、圧延しながら急冷してδ相を主体とする組成
物を製造し、ガイド６に沿ってコレクター７に集める。
実施例１
特級試薬Ｂｉ’２０３に特級試薬Ｂ ２０３を用い旧２
０３９５モル％ Ｂ、０．５モ／Ｉ／％の試料およびＢ
ｉ２０ｇ９０モル％、Ｂ、０．１０モル％の試料を作成
しそれぞれの試料をアルミするつぼにて約９００”Ｃで
溶融し、グラファイト製の型に流し込んで直径５龍程度
の棒状の試料とした。これら試料を第１図に示すような
電気炉で溶融した。この際図面中１としては先端部に白
金の丙ばりのある石英チューブを用い、石英チューブ中
の溶融物を空気圧で押し出してローラに供給しながら急
冷した。ローラはステンレスに硬質クロムメッキをした
もので直径５０關であり、３０００〜５０００ｒｐｍで
回転させた。液滴状でローラに供給した場合には、大き
さ１０ Ｘ １０ ｍｍ程度で厚さ１０〜４０μの薄膜
が得られ、その厚さはローラの回転数によりこの範囲内
で制御できた。
０３９５モル％ Ｂ、０．５モ／Ｉ／％の試料およびＢ
ｉ２０ｇ９０モル％、Ｂ、０．１０モル％の試料を作成
しそれぞれの試料をアルミするつぼにて約９００”Ｃで
溶融し、グラファイト製の型に流し込んで直径５龍程度
の棒状の試料とした。これら試料を第１図に示すような
電気炉で溶融した。この際図面中１としては先端部に白
金の丙ばりのある石英チューブを用い、石英チューブ中
の溶融物を空気圧で押し出してローラに供給しながら急
冷した。ローラはステンレスに硬質クロムメッキをした
もので直径５０關であり、３０００〜５０００ｒｐｍで
回転させた。液滴状でローラに供給した場合には、大き
さ１０ Ｘ １０ ｍｍ程度で厚さ１０〜４０μの薄膜
が得られ、その厚さはローラの回転数によりこの範囲内
で制御できた。
Ｂｉ２Ｏ３に５モル％の８２０３を添加した場合のＸ線
回折図形を第２図に示す。この回折図形はガラス製試料
ホルダに、得られた薄膜状試料をならべθ−θ型Ｘ線回
折計で測定したものである。この回折図形を指数付けし
てみるとδ相の（１１１）およびその高次の回折である
（２２２）、（３３３）のみが表われているこきが判明
し、薄膜の表面がほぼ（１１１）面に完全に配向してい
ることを示している。
回折図形を第２図に示す。この回折図形はガラス製試料
ホルダに、得られた薄膜状試料をならべθ−θ型Ｘ線回
折計で測定したものである。この回折図形を指数付けし
てみるとδ相の（１１１）およびその高次の回折である
（２２２）、（３３３）のみが表われているこきが判明
し、薄膜の表面がほぼ（１１１）面に完全に配向してい
ることを示している。
ＢｉｚＯｓに１０モル％のＢ２Ｏ３を添加した場合のＸ
線回折図形を第３図に示す。この回折図形には（３３３
）面に相当するピークが得られなかったが、はぼ完全に
配向していることがわかる。
線回折図形を第３図に示す。この回折図形には（３３３
）面に相当するピークが得られなかったが、はぼ完全に
配向していることがわかる。
この試料を実用に供する際、どのような温度範囲で使用
できるかを確認するため示差熱分析を行なった。第４図
にその結果を示す。３３５℃付近に大きな発熱ピーク、
さらに４６５℃付近に発熱ピークが得られた。これらの
ピークが何であるかを検討するために第４図中領域Ｉ、
■、璽においてそれぞれ２９０℃、３９０℃、４８０℃
の温度に各４５分間保持し熱処理をした場合のＸ線回折
像を第５図（ａ、ｂ、ｃ）に示す。領域■では試料中に
含まれているガラス相部分が一部結晶化し試料の配向性
は改良された（第５図−ａ）。領域■ではガラス相の一
部がδ相とγ相とに変化しく第５図−ｂ）、領域ｌでは
ほぼγ相となった（第５図−Ｃ）。したがって、試料の
実用範囲は３３５℃以下である。
できるかを確認するため示差熱分析を行なった。第４図
にその結果を示す。３３５℃付近に大きな発熱ピーク、
さらに４６５℃付近に発熱ピークが得られた。これらの
ピークが何であるかを検討するために第４図中領域Ｉ、
■、璽においてそれぞれ２９０℃、３９０℃、４８０℃
の温度に各４５分間保持し熱処理をした場合のＸ線回折
像を第５図（ａ、ｂ、ｃ）に示す。領域■では試料中に
含まれているガラス相部分が一部結晶化し試料の配向性
は改良された（第５図−ａ）。領域■ではガラス相の一
部がδ相とγ相とに変化しく第５図−ｂ）、領域ｌでは
ほぼγ相となった（第５図−Ｃ）。したがって、試料の
実用範囲は３３５℃以下である。
実施例２
添加物としてＷＯ５を用い、Ｂｉ２Ｏ３９５モル％、Ｗ
Ｏ３５モル％とし実施例１と同様にして薄膜状の試料を
作成した。そのＸ線回折図形を第６図に示す。この回折
図形よりほぼ完全に配向したδ相の薄膜状試料が得られ
たことがわかる。Ｂｉ２０３９０モル％、ｗｏｓ １０
モル％においても同様のものが得られた。
Ｏ３５モル％とし実施例１と同様にして薄膜状の試料を
作成した。そのＸ線回折図形を第６図に示す。この回折
図形よりほぼ完全に配向したδ相の薄膜状試料が得られ
たことがわかる。Ｂｉ２０３９０モル％、ｗｏｓ １０
モル％においても同様のものが得られた。
実施例３
添加物としてＳ ｉ Ｏｚを用い、Ｂｉ２０３９０モル
％、５ｉ０２１０モル％とし実施例１と一様にして薄膜
状の試料を作成した。そのＸ線回折図形を第７図に示す
。この回折図形よりほぼ完全に配向したδ相の薄膜状試
料が得られたことがわかる。Ｂｉ２０Ｂ９５モル％、５
ｉ０２５モル％のものについても同様のものが得られた
。
％、５ｉ０２１０モル％とし実施例１と一様にして薄膜
状の試料を作成した。そのＸ線回折図形を第７図に示す
。この回折図形よりほぼ完全に配向したδ相の薄膜状試
料が得られたことがわかる。Ｂｉ２０Ｂ９５モル％、５
ｉ０２５モル％のものについても同様のものが得られた
。
実施例１〜３において、各試料の３００℃におけるイオ
ン伝導度はｌＸｌ０−Ｉ〜ｌＸｌ０−”Ω−’ ｃｍ−
’の範囲に入り、これらは実用化されている酸素センサ
ー用固体電解質である（ Ｚ ｒＯ□）ｏ、ｏ （Ｙ２
Ｏ３）０．１の３００℃におけるイオン伝導度的２×１
Ｏ−ＩｌΩ−’ ６ｎ−’よりも１０００倍程良い値で
ある。その他派加物としてＧｅへ、Ｐ、０５、Ｙ０Ｏ８
、■、０４、ＴｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ，、Ｔａ１０Ｂ、Ｔ
ｉ ０２、Ｙ２Ｏ３、Ａ４．Ｏｓを２〜１５モル％含有
させたものについても同様の結果が得られた。
ン伝導度はｌＸｌ０−Ｉ〜ｌＸｌ０−”Ω−’ ｃｍ−
’の範囲に入り、これらは実用化されている酸素センサ
ー用固体電解質である（ Ｚ ｒＯ□）ｏ、ｏ （Ｙ２
Ｏ３）０．１の３００℃におけるイオン伝導度的２×１
Ｏ−ＩｌΩ−’ ６ｎ−’よりも１０００倍程良い値で
ある。その他派加物としてＧｅへ、Ｐ、０５、Ｙ０Ｏ８
、■、０４、ＴｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ，、Ｔａ１０Ｂ、Ｔ
ｉ ０２、Ｙ２Ｏ３、Ａ４．Ｏｓを２〜１５モル％含有
させたものについても同様の結果が得られた。
以上のとおり、本発明のＢｉ２０Ｂを主成分とするδ相
主体の組成物はイオン伝導性が高く、ローラにより薄膜
形状に成形することによりその表面はδ相の（１１１）
面に配向し、酸素センサー等として優れているという著
効を有するものである。
主体の組成物はイオン伝導性が高く、ローラにより薄膜
形状に成形することによりその表面はδ相の（１１１）
面に配向し、酸素センサー等として優れているという著
効を有するものである。
第１図は本発明の製造装置の１例である。
第２図および第３図は実施例１の８２０．を５モル％お
よび１０モル％添加した場合のＸａ回折図、第４図は第
３図の試料の示差熱分析図、第５図−ａ、第５図−ｂ、
第５図−Ｃは第３図の試料を夫々２９０’Ｃ１３９０℃
、４８０℃に４５分間熱処理した結果を示すＸ線回折図
、 第６図は実施例２のＷＯ３を添加した場合のＸ線回折図
、 第７図は実施例３の５ｉＯｚを添加した場合のＸ線回折
図である。 第１図中、 １・・る゛つぼ ５・・シャッター２・・・
溶融物 ６・・ガイド３・・ローラ
７・・コレクター４・・・電気炉 であ
る。 第１図 第３１２１ 第４回 ２／７０ ＤＴＡ Ｃ７１ｎ’ｅ Ｏｆ ｆｔ１ｅｎｃｈｅｄ Ｙ
（）Ｂｔ２０３−ＩＯ３ｆ竿５ ｍ −（１
よび１０モル％添加した場合のＸａ回折図、第４図は第
３図の試料の示差熱分析図、第５図−ａ、第５図−ｂ、
第５図−Ｃは第３図の試料を夫々２９０’Ｃ１３９０℃
、４８０℃に４５分間熱処理した結果を示すＸ線回折図
、 第６図は実施例２のＷＯ３を添加した場合のＸ線回折図
、 第７図は実施例３の５ｉＯｚを添加した場合のＸ線回折
図である。 第１図中、 １・・る゛つぼ ５・・シャッター２・・・
溶融物 ６・・ガイド３・・ローラ
７・・コレクター４・・・電気炉 であ
る。 第１図 第３１２１ 第４回 ２／７０ ＤＴＡ Ｃ７１ｎ’ｅ Ｏｆ ｆｔ１ｅｎｃｈｅｄ Ｙ
（）Ｂｔ２０３−ＩＯ３ｆ竿５ ｍ −（１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 旧２０３を主成分とし、添加物きしてＢ２０９．
５ｉ０２、ＷＯｓ、ＧｅＯ２、Ｐ２Ｏ３、Ｍｏ５ｓ 、
Ｖ２Ｏ５、ＴｅＯ２、Ｎ ｂ ２０！ｌ、Ｔａ２０
５、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ５およびＡ４０３のうち少なくと
も一′種を２〜１５モル％含有し、常温でδ相を主体と
する組成物。 ２、 ８ｉｚＯａを主成分とし、添加物としてＢ２Ｏ５
、Ｓｉｎ、 、ＷＯ３、ＧｅＯ２、Ｐ２Ｏ５、Ｍｏ０ｇ
、 Ｖ２０！Ｉ、ＴｅＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２０
１、Ｔ ｉ Ｏ２、Ｙ２Ｏ，および１２０、のうち少な
くとも一種を２〜１５モル％含有し、常温でδ相を主体
とする組成物より成る酸素センサー。 ３、 Ｂｉ２０ａと添加物としてのＢｔＯｓ、５ｉＣ
）＋、ＷＯ，、ＧｅＯ２、Ｐｔ０ａ 、 Ｍｏ５ｓ、
Ｐ２Ｏ３、ＴｅＯ２、Ｎｂ２０Ｂ 、 Ｔａ２０Ｂ 、
Ｔ ｉ０２、Ｙ２Ｏ，およびＡｔ２ｏ３のうち少な・
くとも一種を添加した混合物を溶融させ、その溶融物を
急冷させるようにしたことを特徴とする常温でδ相を主
体とする組成物の製造法。 ４、 Ｂ １２０ｓと添加物としての８２０３．５ｉ
０２、ＷＯ，、ＧｅＯ２、Ｐ２Ｏ５、Ｍｏ０Ｂ、■、０
３、Ｔ ｅ ０２、Ｎｂ２Ｏ，、Ｔａ２０６、ＴｉＯ２
、Ｙ２Ｏ３および１２０．のうち少なくとも一種を添加
した。混合物を溶融させる溶融炉と、その溶融物を圧延
しながら急冷させる一対の冷却されたあるいは室温に放
置されたローラより成ることを特徴とする常温でδ相を
主体とする組成物の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108248A JPS5815067A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | 常温においてδ相を主体とするＢｉ↓２Ｏ↓３組成物特定用途とその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108248A JPS5815067A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | 常温においてδ相を主体とするＢｉ↓２Ｏ↓３組成物特定用途とその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815067A true JPS5815067A (ja) | 1983-01-28 |
| JPS6159262B2 JPS6159262B2 (ja) | 1986-12-15 |
Family
ID=14479838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56108248A Granted JPS5815067A (ja) | 1981-07-13 | 1981-07-13 | 常温においてδ相を主体とするＢｉ↓２Ｏ↓３組成物特定用途とその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815067A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117058A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-25 | Nec Corp | 固体電解質薄膜ガス検知素子 |
| JPS6175255A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-17 | Nec Corp | 薄膜ガス検知素子 |
| JPS6177658A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-21 | 日本電気株式会社 | 薄膜ガス検知素子 |
| JPH02183151A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-17 | Nippon Pillar Packing Co Ltd | Ｐｈセンサー |
| JPH0632354A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-02-08 | Kazuhiko Ida | 飲料水用の缶容器 |
| JP2006151716A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | National Institute For Materials Science | ビスマス・エルビウム・タングステン酸化物固溶体からなる酸化物イオン伝導材料及びその製造方法 |
| JP2007197259A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | National Institute For Materials Science | ビスマス・エルビウム・モリブデン酸化物固溶体からなる酸化物イオン伝導材料及びその製造方法 |
| US7524779B2 (en) | 2003-06-11 | 2009-04-28 | 3M Innovative Properties Company | Microspheres having a high index of refraction |
-
1981
- 1981-07-13 JP JP56108248A patent/JPS5815067A/ja active Granted
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| Publication number | Publication date |
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