JPS58148914A - パルスコ−ダ - Google Patents
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- JPS58148914A JPS58148914A JP57031687A JP3168782A JPS58148914A JP S58148914 A JPS58148914 A JP S58148914A JP 57031687 A JP57031687 A JP 57031687A JP 3168782 A JP3168782 A JP 3168782A JP S58148914 A JPS58148914 A JP S58148914A
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- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G01D5/245—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing characteristics of pulses or pulse trains; generating pulses or pulse trains using a variable number of pulses in a train
- G01D5/2451—Incremental encoders
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/12—Analogue/digital converters
- H03M1/22—Analogue/digital converters pattern-reading type
- H03M1/24—Analogue/digital converters pattern-reading type using relatively movable reader and disc or strip
- H03M1/28—Analogue/digital converters pattern-reading type using relatively movable reader and disc or strip with non-weighted coding
- H03M1/287—Analogue/digital converters pattern-reading type using relatively movable reader and disc or strip with non-weighted coding using gradually changing slit width or pitch within one track; using plural tracks having slightly different pitches, e.g. of the Vernier or nonius type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗素子（ｌｋ気センナ）を用い九・臂ル
スコーダに関し、４＄に、−転基準位置の検出のための
磁気記憶ノｌターンの改爽に関する。
スコーダに関し、４＄に、−転基準位置の検出のための
磁気記憶ノｌターンの改爽に関する。
・９ルスコー〆はサーＩモータ等の回転角を検出する亀
のであって、通常、スリ、ト円板を用い九光学式が用い
られているが、最近、汚れの影響が少なく且つ信頼性が
高い磁気抵抗素子を用い九ノ豐ルスコーダが注目されつ
つある。
のであって、通常、スリ、ト円板を用い九光学式が用い
られているが、最近、汚れの影響が少なく且つ信頼性が
高い磁気抵抗素子を用い九ノ豐ルスコーダが注目されつ
つある。
一般に、磁気抵抗素子を用いた・ダルスコーダは、磁気
記憶パターンが形成された磁気ディスク、磁気ドラム等
の回転部材と、回転部材上の磁気記憶ノリーンからの磁
束を電気信号に変換するための磁気抵抗素子・リーンが
形成された固定部材とを含んで構成されている。磁気記
憶・母ターンとして、大別して回転部材の回転数および
位置の検出のためのＡ相、Ｂ相信号発生用の・ヤターン
と、回転部材の基準位置（原点）の検出のための２相信
号発生用の・やターンとがある。本発明は後者の２相信
号発生用のＡＩエタノン関するものである。
記憶パターンが形成された磁気ディスク、磁気ドラム等
の回転部材と、回転部材上の磁気記憶ノリーンからの磁
束を電気信号に変換するための磁気抵抗素子・リーンが
形成された固定部材とを含んで構成されている。磁気記
憶・母ターンとして、大別して回転部材の回転数および
位置の検出のためのＡ相、Ｂ相信号発生用の・ヤターン
と、回転部材の基準位置（原点）の検出のための２相信
号発生用の・やターンとがある。本発明は後者の２相信
号発生用のＡＩエタノン関するものである。
従来、２相信号発生用の磁気記憶・ｆターンは、回転部
材の一円周の一部分にのみに強磁場発生領域と弱磁場発
生領域とを交互に且つ規則的に配列することによ多構成
されている。この磁気記憶・やターンが固定部材上の磁
気抵抗素子・ぜターンに−散し九ときに、該磁気抵抗素
子パターンの抵抗値変化よシ得られる出力信号に最大ピ
ーク点が発生する。従って、この最大ピーク点を検出す
ることによｐ回転部材の基準位置を検出できる。
材の一円周の一部分にのみに強磁場発生領域と弱磁場発
生領域とを交互に且つ規則的に配列することによ多構成
されている。この磁気記憶・やターンが固定部材上の磁
気抵抗素子・ぜターンに−散し九ときに、該磁気抵抗素
子パターンの抵抗値変化よシ得られる出力信号に最大ピ
ーク点が発生する。従って、この最大ピーク点を検出す
ることによｐ回転部材の基準位置を検出できる。
しかしながら、上述の従来形においては、−転部材の検
出位置が最大ピーク点を離れても強磁場発生領域と弱磁
場発生領域の周期毎にピーク点が発生し、しかもこれら
のピーク点と最大ピーク点との差が顕著でなく、従って
、最大ピーク点と他のピーク点の識別が困難となり、回
転ｓ＃の基準位置の検出エラーが発生するという間―点
がありた。
出位置が最大ピーク点を離れても強磁場発生領域と弱磁
場発生領域の周期毎にピーク点が発生し、しかもこれら
のピーク点と最大ピーク点との差が顕著でなく、従って
、最大ピーク点と他のピーク点の識別が困難となり、回
転ｓ＃の基準位置の検出エラーが発生するという間―点
がありた。
本発明の目的は、磁気記憶・豐ターンの強磁場発生領域
と弱磁場発生領域とを交互に且つ不規則に配列すること
によ多構成するという構纏にもとづき、回転部材の検出
位置が最大ピータ点を離れた場合に発生するピークレベ
ルを低減させて、最大ピーク点と他のピーク点との差を
顕著にし、従って、最大ピーク点の識別を容易にして回
＆部材の基準位置の検出エラーを防止し、両速の従来形
における間亀点を解決することにある。
と弱磁場発生領域とを交互に且つ不規則に配列すること
によ多構成するという構纏にもとづき、回転部材の検出
位置が最大ピータ点を離れた場合に発生するピークレベ
ルを低減させて、最大ピーク点と他のピーク点との差を
顕著にし、従って、最大ピーク点の識別を容易にして回
＆部材の基準位置の検出エラーを防止し、両速の従来形
における間亀点を解決することにある。
以下、固自により本発明をに＊形と比較して説明する。
第１図は一般的な磁気抵抗素子を用い九ノｆルスコーダ
の概ｌＩＥである。第１図において、回転部材１には磁
性膜２が塗布され、この磁性膜２には所定の磁気記憶・
ダターンが形成されている。固定部材３には磁気記憶パ
ターンに対応した磁気抵抗素子パターン４が形成されて
いる。なお、一般に磁気抵抗素子の抵抗値は磁束の影響
によりその方向に関係なく増加する。次Ｋ、磁気記憶・
母ターンおよび磁気抵抗素子ノ譬ターフ４について説明
する。
の概ｌＩＥである。第１図において、回転部材１には磁
性膜２が塗布され、この磁性膜２には所定の磁気記憶・
ダターンが形成されている。固定部材３には磁気記憶パ
ターンに対応した磁気抵抗素子パターン４が形成されて
いる。なお、一般に磁気抵抗素子の抵抗値は磁束の影響
によりその方向に関係なく増加する。次Ｋ、磁気記憶・
母ターンおよび磁気抵抗素子ノ譬ターフ４について説明
する。
＃１２−は第ｉｍｌの磁気記憶・譬ターンおよび磁気抵
抗素子・ｆターフを示す図である。すなわち、磁性ｊＩ
！Ｉ［２上には、Ｎ極およびＳ極とが交互に且つ規則的
に（等間隔に）配列された２つの磁気記憶・すターン２
１．２２が設けられている。この場合、Ｎ極およびＳ極
の真上の部分が強磁場発生領域であり、従って、磁気抵
抗素子がこの部分に対向して位置すると、その抵抗値は
小さくなる。他方、Ｎ極と８極の径方向境界部分は弱磁
場発生領域であり、従って、磁気抵抗素子がこの部分に
対向して位置すると、その抵抗値は大きくなる。
抗素子・ｆターフを示す図である。すなわち、磁性ｊＩ
！Ｉ［２上には、Ｎ極およびＳ極とが交互に且つ規則的
に（等間隔に）配列された２つの磁気記憶・すターン２
１．２２が設けられている。この場合、Ｎ極およびＳ極
の真上の部分が強磁場発生領域であり、従って、磁気抵
抗素子がこの部分に対向して位置すると、その抵抗値は
小さくなる。他方、Ｎ極と８極の径方向境界部分は弱磁
場発生領域であり、従って、磁気抵抗素子がこの部分に
対向して位置すると、その抵抗値は大きくなる。
磁気記憶・ｆターン２１はＡ相、１相信号発生用であっ
て回転部材１０全周に渡って形成されているのに対し、
磁気記憶・皆ターフ２２は２相信号発生用であって回転
部材１の一円周の一部分Ｋｍ！威されている。このよう
な磁気記憶ノ４ターンに対向して固定部材３（第１図）
上に磁気抵抗童子／４ターンが形成される。すなわち、
ム相償号尭生用−気抵抗素子・ぐターンは磁気抵抗素子
ＭＲＩ〜Ｍ］１４により構成され、Ｂａ１１号発生用磁
気抵抗嵩子ノ曹ター／は磁気抵抗素子ＭＲＩ’〜Ｍ１４
’によ）構成されている。この場合、Ｎｌ１ｉもしくは
８＠０長さを１波長（λ）＝３６０＠ とすれば、磁
気錘杭麿子ＭＨＩと磁気抵抗素子Ｍ１２との位相差は１
８０＠（λ／２）であｎ、ｑ＊に磁気抵抗素子ＭＲ３と
磁気抵抗素子ＭＩ１４との位相差は１８０’（λ／２）
である、オた、磁気抵抗素子Ｍ凰１゜ＭＲ２ｍ体と磁気
抵抗素子Ｍ鼠３．ＭＲ４金体との位相差も１８０’ （
λ／２）である、磁気抵抗素子ＭＲＩ’〜ＭＲ４’も壕
九磁気抵抗票子Ｍｌｌ〜ＭＲ４と同一構成であるが、磁
気抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４全Ｒ４全体抵抗素子ＭＨＩ’
〜ＭＲ４’全体との位相差は９０°（λ／４）である。
て回転部材１０全周に渡って形成されているのに対し、
磁気記憶・皆ターフ２２は２相信号発生用であって回転
部材１の一円周の一部分Ｋｍ！威されている。このよう
な磁気記憶ノ４ターンに対向して固定部材３（第１図）
上に磁気抵抗童子／４ターンが形成される。すなわち、
ム相償号尭生用−気抵抗素子・ぐターンは磁気抵抗素子
ＭＲＩ〜Ｍ］１４により構成され、Ｂａ１１号発生用磁
気抵抗嵩子ノ曹ター／は磁気抵抗素子ＭＲＩ’〜Ｍ１４
’によ）構成されている。この場合、Ｎｌ１ｉもしくは
８＠０長さを１波長（λ）＝３６０＠ とすれば、磁
気錘杭麿子ＭＨＩと磁気抵抗素子Ｍ１２との位相差は１
８０＠（λ／２）であｎ、ｑ＊に磁気抵抗素子ＭＲ３と
磁気抵抗素子ＭＩ１４との位相差は１８０’（λ／２）
である、オた、磁気抵抗素子Ｍ凰１゜ＭＲ２ｍ体と磁気
抵抗素子Ｍ鼠３．ＭＲ４金体との位相差も１８０’ （
λ／２）である、磁気抵抗素子ＭＲＩ’〜ＭＲ４’も壕
九磁気抵抗票子Ｍｌｌ〜ＭＲ４と同一構成であるが、磁
気抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４全Ｒ４全体抵抗素子ＭＨＩ’
〜ＭＲ４’全体との位相差は９０°（λ／４）である。
なお、２相信号発生用磁気抵抗素子パターンは第２図に
おいては省略してＴｏり、第５図（４）、第５図（Ｂ）
に図示しである。また、■ｃｃは電源電圧である。
おいては省略してＴｏり、第５図（４）、第５図（Ｂ）
に図示しである。また、■ｃｃは電源電圧である。
第３ｒｊＡ（Ａ）、第３図個）は、それぞれ第２図の人
相信号、Ｂ相信号発生用磁気抵抗素子を含む人相信号、
Ｂ相信号発生回路の回路図である。第３図囚において、
磁気抵抗素子ＭＲＩ、ＭＲ２の接続点の電圧Ｐ、と磁気
抵抗素子ＭＲ３，ＭＲ４のＷＩ！続点の電圧ｉ、とを比
較して人相信号Ｓ、を発生する比較器ＣＯＭ １が設け
られ、他方、第３図（Ｂ）において磁気抵抗素子ＭＲＩ
’、ＭＲ２’の接続点の電圧Ｐ、と磁気抵抗素子ＭＲ３
、ＭＢ２の接続点の電圧ｉ、とを比較してｌＩｍ信号信
号音発生する比較＠ ＣＯＭ ２が設けられている。
相信号、Ｂ相信号発生用磁気抵抗素子を含む人相信号、
Ｂ相信号発生回路の回路図である。第３図囚において、
磁気抵抗素子ＭＲＩ、ＭＲ２の接続点の電圧Ｐ、と磁気
抵抗素子ＭＲ３，ＭＲ４のＷＩ！続点の電圧ｉ、とを比
較して人相信号Ｓ、を発生する比較器ＣＯＭ １が設け
られ、他方、第３図（Ｂ）において磁気抵抗素子ＭＲＩ
’、ＭＲ２’の接続点の電圧Ｐ、と磁気抵抗素子ＭＲ３
、ＭＢ２の接続点の電圧ｉ、とを比較してｌＩｍ信号信
号音発生する比較＠ ＣＯＭ ２が設けられている。
回転部材１（第１図）が回転すると、電圧ＰＡ。
Ｐ、は、それぞれ第４図囚、第４図（Ｂ）に示すごとく
なり、従って、人相信号ＳＡは第４図（Ｃ）に示すごと
くなる。他方、電圧ｐ、、ｐ、は、それぞれ第４図（ロ
）、第４図（ト）に示すごとくな如、従って、Ｂ相信号
Ｓ、は第４図（社）に示すごとくなる。すなわち、人相
信号Ｓ、とＢ相信号８１とは位相差９０”（λ／４）で
ある。従って、人相信号８ＡシよびＢ相信号Ｓ、を、位
相弁別囲路、ア、ｆ〆クンカウンタ等を含む回路（図示
せず）Ｋ供給することにより、回転部材ｌ（第１図）の
固転角度を検知することかで色る。
なり、従って、人相信号ＳＡは第４図（Ｃ）に示すごと
くなる。他方、電圧ｐ、、ｐ、は、それぞれ第４図（ロ
）、第４図（ト）に示すごとくな如、従って、Ｂ相信号
Ｓ、は第４図（社）に示すごとくなる。すなわち、人相
信号Ｓ、とＢ相信号８１とは位相差９０”（λ／４）で
ある。従って、人相信号８ＡシよびＢ相信号Ｓ、を、位
相弁別囲路、ア、ｆ〆クンカウンタ等を含む回路（図示
せず）Ｋ供給することにより、回転部材ｌ（第１図）の
固転角度を検知することかで色る。
第５図囚、第５図（Ｂ）は第２図ｏｚｍｍ＋ｖｓ生用磁
気記憶・ｆターンとこれに対向する磁気抵抗素子パター
ンとを示す図である。ＩＩ気抵抗素子／ｆターンは、磁
気抵抗素子ＭＲ５，ＭＲ６よ）構成される。磁気抵抗素
子ＭＲ５と磁気抵抗素子Ｍ凰６との位相差は１８０°（
λ／２）であｐ、従って、嬉５図囚に示すようＫ、磁気
抵抗素子ＭＲ５がＮｆｉ部分もしくは８極部分である強
磁場発生領域に対向して位置するときには、鼻気抵抗素
子Ｍ凰６がＮ極と８極との境界部分である弱磁場発生領
域に対向して位置することになる。この請果、−気紙抗
素子ＭＲ５の抵抗値は最小、他方、磁気抵抗素子ＭＲ６
ｅ）抵抗値は最大となる。従って、この場合素子ＭＲ５
、ＭＢ２の接続点電圧Ｐ２は最大ピーク点に到達する。
気記憶・ｆターンとこれに対向する磁気抵抗素子パター
ンとを示す図である。ＩＩ気抵抗素子／ｆターンは、磁
気抵抗素子ＭＲ５，ＭＲ６よ）構成される。磁気抵抗素
子ＭＲ５と磁気抵抗素子Ｍ凰６との位相差は１８０°（
λ／２）であｐ、従って、嬉５図囚に示すようＫ、磁気
抵抗素子ＭＲ５がＮｆｉ部分もしくは８極部分である強
磁場発生領域に対向して位置するときには、鼻気抵抗素
子Ｍ凰６がＮ極と８極との境界部分である弱磁場発生領
域に対向して位置することになる。この請果、−気紙抗
素子ＭＲ５の抵抗値は最小、他方、磁気抵抗素子ＭＲ６
ｅ）抵抗値は最大となる。従って、この場合素子ＭＲ５
、ＭＢ２の接続点電圧Ｐ２は最大ピーク点に到達する。
しかしながら、第５図（Ｂ） Ｋ示すように、回転部材
１（第１図）が回転して磁気記憶・９ターンが１波長（
λ）進んでも、磁気抵抗素子ＭＲ５は強磁場発生領域に
対向して位置すると共に、磁気抵抗素子ＭＲ６も部分的
ＫＩＮ磁場発生領域に対向して位置する・従って、この
場合にも電圧Ｐ、はピーク点に到達する。すなわち、第
６図に示すように、最大ピーク点近傍において鋏最大ピ
ーク点よシ小さいピーク点が周期（λ）毎に出現する。
１（第１図）が回転して磁気記憶・９ターンが１波長（
λ）進んでも、磁気抵抗素子ＭＲ５は強磁場発生領域に
対向して位置すると共に、磁気抵抗素子ＭＲ６も部分的
ＫＩＮ磁場発生領域に対向して位置する・従って、この
場合にも電圧Ｐ、はピーク点に到達する。すなわち、第
６図に示すように、最大ピーク点近傍において鋏最大ピ
ーク点よシ小さいピーク点が周期（λ）毎に出現する。
しかも、これらのピーク点レベルと最大ピーク点レベル
との差は小さく、従って、これらを識別するための基準
レベルｖｌの設定マージンは小さくなる。
との差は小さく、従って、これらを識別するための基準
レベルｖｌの設定マージンは小さくなる。
＠７図は第５図（４）、第５図（Ｂ）の２相信号発生用
磁気抵抗素子を含む２相信号発生回路の回路図である。
磁気抵抗素子を含む２相信号発生回路の回路図である。
ＪＩ７図において、磁気抵抗素子ＭＲ５。
ＭＢ２の接続点電圧Ｐ８と抵抗Ｒ１，Ｒ２の接続点電圧
Ｖｌ（第ａｍｏ基準レベル）とを比較して２相信号８．
を発生する比較器Ｃ０Ｍ３−Ｉｌｘ設けられている。こ
の場合、接続点電圧ｖ１は抵抗翼１゜Ｒ２の比によって
固定されている。しかしながらｊｌｌＩ６図に示すよう
に、ｖ１０設定マージンが小さいために、磁気配憶ノ量
ターン２２と磁気抵抗素子ＭＲ５、ＭＢ２の相対的位置
関係の変化によ）電圧Ｐ８がゆらいだシ、あるいは抵抗
Ｂ１と１１絖Ｒ２との比が、温度変化および固体差によ
１変動し電圧ｖｌが変化すると、比較量ＣＯＭ ３は最
大ピーク点以外に他のピーク点をも検出する恐れ′ｔ１
１あり、この結果回転部材１（第１図）の基準位置の検
出エラーが発生する恐れがある。
Ｖｌ（第ａｍｏ基準レベル）とを比較して２相信号８．
を発生する比較器Ｃ０Ｍ３−Ｉｌｘ設けられている。こ
の場合、接続点電圧ｖ１は抵抗翼１゜Ｒ２の比によって
固定されている。しかしながらｊｌｌＩ６図に示すよう
に、ｖ１０設定マージンが小さいために、磁気配憶ノ量
ターン２２と磁気抵抗素子ＭＲ５、ＭＢ２の相対的位置
関係の変化によ）電圧Ｐ８がゆらいだシ、あるいは抵抗
Ｂ１と１１絖Ｒ２との比が、温度変化および固体差によ
１変動し電圧ｖｌが変化すると、比較量ＣＯＭ ３は最
大ピーク点以外に他のピーク点をも検出する恐れ′ｔ１
１あり、この結果回転部材１（第１図）の基準位置の検
出エラーが発生する恐れがある。
本発明によれば、磁気抵抗索子ＭＲ５，Ｍ凰６の接続点
電圧Ｐ８において最大ピーク点と偽のピーク点との差を
顕著にし、これにょ夛、基準レベルｖ１の設定マージン
を大きくしである一第８図は本発明のｊＩｌＯ実施例と
してのｚ相信号発生用磁気記憶・ナタ−７および磁気抵
抗素子・ナターンを示、す図である。第８図において、
−気記憶／４＃−ン２２ハＪＩＩｌ （Ｄ／＋１−７２
２１ ＆！ヒ縞２の／ｌＦターン２２２より構成され、
各パターン２２１．２２２においては、Ｎ極とＳ極とが
交互に且つ不規則に配列されている。従って、この場合
Ｎ極とＳ極との径方向境界部分が弱磁場発生領域として
作用し、境界部分を除くＮ極部分およびＳ極部分が強磁
場発生領域として作用する。
電圧Ｐ８において最大ピーク点と偽のピーク点との差を
顕著にし、これにょ夛、基準レベルｖ１の設定マージン
を大きくしである一第８図は本発明のｊＩｌＯ実施例と
してのｚ相信号発生用磁気記憶・ナタ−７および磁気抵
抗素子・ナターンを示、す図である。第８図において、
−気記憶／４＃−ン２２ハＪＩＩｌ （Ｄ／＋１−７２
２１ ＆！ヒ縞２の／ｌＦターン２２２より構成され、
各パターン２２１．２２２においては、Ｎ極とＳ極とが
交互に且つ不規則に配列されている。従って、この場合
Ｎ極とＳ極との径方向境界部分が弱磁場発生領域として
作用し、境界部分を除くＮ極部分およびＳ極部分が強磁
場発生領域として作用する。
磁気抵抗素子ＭＲ５，ＭＲ６は、それぞれ磁気記憶・ｆ
ターン２２１．２２２に対応して構成されておシ、しか
も磁気抵抗素子ＭＲ５が磁気記憶／１ターン２２１の強
磁場発生領域に対向して位置するときに、磁気抵抗素子
ＭＲ６は磁気記憶・ｆターン２２２の弱磁場発生領域に
対向して位置するように構成されている。従って、第８
図の状態において、素子ＭＲ５、ＭＢ２の接続点電圧Ｐ
２は最大ピーク点に到達する・ 回転部材ｌ（第１！Ｅｌ）が回転して磁気記憶ｉ４ター
フ２２が移動した場合、電圧Ｐ２において最大ピーク点
以外にピーク点は発生するが、第９図に示すように、こ
れらのピーク点のレベルは最大ピーク点レベルに比べて
極端に小さい。これは、磁気記憶ノ譬ターン２２１，２
２２の不規則性配列によるものである。従って、基準レ
ベルｖ１の設定マージンが大きくなる。
ターン２２１．２２２に対応して構成されておシ、しか
も磁気抵抗素子ＭＲ５が磁気記憶／１ターン２２１の強
磁場発生領域に対向して位置するときに、磁気抵抗素子
ＭＲ６は磁気記憶・ｆターン２２２の弱磁場発生領域に
対向して位置するように構成されている。従って、第８
図の状態において、素子ＭＲ５、ＭＢ２の接続点電圧Ｐ
２は最大ピーク点に到達する・ 回転部材ｌ（第１！Ｅｌ）が回転して磁気記憶ｉ４ター
フ２２が移動した場合、電圧Ｐ２において最大ピーク点
以外にピーク点は発生するが、第９図に示すように、こ
れらのピーク点のレベルは最大ピーク点レベルに比べて
極端に小さい。これは、磁気記憶ノ譬ターン２２１，２
２２の不規則性配列によるものである。従って、基準レ
ベルｖ１の設定マージンが大きくなる。
なお、第８図に示す第１の実施例において、第１の磁気
記憶・１ターン２２１の不規則性と第２の磁気記憶パタ
ーン２２２の不規則性とは独立に且つ任意に設定される
。を九、第８図においては、第１の磁気記憶・リーフ２
２１と磁気記憶パターン２２２とを、回転部材ｌに対し
て同−円周上且つ隣接して形成されているが、２つの異
なる円周上に形成することも可能である。
記憶・１ターン２２１の不規則性と第２の磁気記憶パタ
ーン２２２の不規則性とは独立に且つ任意に設定される
。を九、第８図においては、第１の磁気記憶・リーフ２
２１と磁気記憶パターン２２２とを、回転部材ｌに対し
て同−円周上且つ隣接して形成されているが、２つの異
なる円周上に形成することも可能である。
第１０図は本発明の第２０実施例としての２相信号発生
用磁気記憶パターンおよび磁気抵抗素子・９ターンを示
す図である。第１０ａｉｌｌにおいて、磁気記憶パター
ン２２は異なる２つの円周上に形成された第１の／ＩＦ
ターン２２１′および第２のＩり一７２２２′より構成
され、各／中ターン２２１’。
用磁気記憶パターンおよび磁気抵抗素子・９ターンを示
す図である。第１０ａｉｌｌにおいて、磁気記憶パター
ン２２は異なる２つの円周上に形成された第１の／ＩＦ
ターン２２１′および第２のＩり一７２２２′より構成
され、各／中ターン２２１’。
２２２′においては、Ｎｆｉおよび８１１の対が不、ｌ
１ｌＬ１１（千尋間隔）Ｋｋ！、判されている。従って
、この場合Ｎ極と８極の円周方向境界部分が強磁場発生
領域として作用し、Ｎ極およびＳ極の対が形成されてい
ない部分が無磁場領域として作用する。
１ｌＬ１１（千尋間隔）Ｋｋ！、判されている。従って
、この場合Ｎ極と８極の円周方向境界部分が強磁場発生
領域として作用し、Ｎ極およびＳ極の対が形成されてい
ない部分が無磁場領域として作用する。
＃！１の磁気記憶・やターン２２１′に対応する第１の
磁気抵抗素子・中ターンは磁気抵抗素子ＭＲ５−１〜Ｍ
Ｒ５−５より構成され、第２の磁気記憶パターン２２２
′に対応する第２の磁気抵抗素子・臂ターンは磁気抵抗
素子ＭＲ６−１〜ＭＲ６−５より構成されておシ、各磁
気抵抗素子は磁束の影響を受けない導線（ワイヤ）によ
って接続されている。
磁気抵抗素子・中ターンは磁気抵抗素子ＭＲ５−１〜Ｍ
Ｒ５−５より構成され、第２の磁気記憶パターン２２２
′に対応する第２の磁気抵抗素子・臂ターンは磁気抵抗
素子ＭＲ６−１〜ＭＲ６−５より構成されておシ、各磁
気抵抗素子は磁束の影響を受けない導線（ワイヤ）によ
って接続されている。
この場合にも、第１の磁気抵抗素子パターンが第１の磁
気記憶・ずターン２２１′に対向して位置するときに、
第２の磁気抵抗素子・す―ンが第２の磁気記憶パターン
２２２′に対向して位置する。すなわち、第２の磁気抵
抗素子・中ターン（ＭＢ２−１〜ＭＲ６−５）の抵抗値
が最小のときに、第１の磁気抵抗素子ノ臂ターン（ＭＢ
５−１〜ＭＲ５−５）の抵抗値は最大となシ、電圧Ｐ８
は最大ピーク点に祠達する。
気記憶・ずターン２２１′に対向して位置するときに、
第２の磁気抵抗素子・す―ンが第２の磁気記憶パターン
２２２′に対向して位置する。すなわち、第２の磁気抵
抗素子・中ターン（ＭＢ２−１〜ＭＲ６−５）の抵抗値
が最小のときに、第１の磁気抵抗素子ノ臂ターン（ＭＢ
５−１〜ＭＲ５−５）の抵抗値は最大となシ、電圧Ｐ８
は最大ピーク点に祠達する。
また、回転部材１（第１図）が回転して磁気記憶パター
ン２２が移動した場合、電圧Ｐ２において、最大ピーク
点以外にピーク点が発生するが、この場合にも、やはり
第９図に示すように磁気記憶パターン２２の不規則性配
列により他のげ−ク点レベルは最大ピーク点レベルに比
べて極端に小さくなる。
ン２２が移動した場合、電圧Ｐ２において、最大ピーク
点以外にピーク点が発生するが、この場合にも、やはり
第９図に示すように磁気記憶パターン２２の不規則性配
列により他のげ−ク点レベルは最大ピーク点レベルに比
べて極端に小さくなる。
なお、第１０図に示す第２の実施例において、第１の磁
気記憶・譬ターン２２１′と第２の磁気記憶パターン２
２２′とが相互に関係して形成されているが、必ずしも
２つのノ臂ターンの不規則性配列を関係させることはな
い。ｉ九、第１０１ｍ気記憶Δターン２２１′と第２の
磁気記憶ノ譬ターフ２！２′とを回転部材１（第１図）
上の２つの異なる円周上に形成しているが、これら２つ
のパターンを同一円周上に形成することも可能である。
気記憶・譬ターン２２１′と第２の磁気記憶パターン２
２２′とが相互に関係して形成されているが、必ずしも
２つのノ臂ターンの不規則性配列を関係させることはな
い。ｉ九、第１０１ｍ気記憶Δターン２２１′と第２の
磁気記憶ノ譬ターフ２！２′とを回転部材１（第１図）
上の２つの異なる円周上に形成しているが、これら２つ
のパターンを同一円周上に形成することも可能である。
以上説明したように本発明によれば、磁気記憶パターン
を不規則に配列することによ如、磁気抵抗素子・リーン
よシ得られる信号電圧において最大ピーク点と他のピー
ク点とのレベル差を顕著にすることができ、従って、最
大♂−り点な容重に検出でき、回転部材の基準位置検出
エラーを防止できる。
を不規則に配列することによ如、磁気抵抗素子・リーン
よシ得られる信号電圧において最大ピーク点と他のピー
ク点とのレベル差を顕著にすることができ、従って、最
大♂−り点な容重に検出でき、回転部材の基準位置検出
エラーを防止できる。
第１図は一般的な磁気抵抗素子を用い九ノｆルスコーダ
の概要図、第２図は第１図の磁気記憶ノ臂ターンおよび
磁気抵抗素子・ダターンを示す図、第３図囚、第３図（
Ｂ）はそれぞれ第２図の人相信号、Ｂ相信号発生用磁気
抵抗素子を含むＡ相信号、Ｂ相信号発生回路の回路図、
第４図囚〜第４図（ト）は第３図囚、１ｇａ図（Ｂ）の
回路内に現われる信号のタイミング図、第５図（４）、
第５図（Ｂ）は第２図の２相信号発生用磁気記憶パター
ンとこれに対向する磁気抵抗素子・ｆターンとを示す図
、第６図は＄６図囚、第５図儂）における電圧Ｐ８のタ
イミング図、ＩＮ７図は第５図（４）、第５図（Ｂ）の
２相信号発生用磁気抵抗素子を含む２相信号発生回路の
回路図、第８図は本発明の第１の実施例としての２相信
号発生用磁気記憶・臂ターンおよび磁気抵抗素子ノター
ンを示す図、第９図は第８図における電圧Ｐ７のタイミ
ング図、第１０図は本発明の第２の実施例としての２相
信号発生用磁気記憶・母ターンおよび磁気抵抗素子ツタ
ターンを示す図である。 １：回転部材、２：磁性膜、３；固定部材、４：磁気抵
抗素子／４’ターン、２１．人相、８４＠儒号発生用磁
気配憶ノリーン、２２；Ｚ相信号尭生用磁気抵抗嵩子ノ
臂ターン、２２１．２２１’：＄ｌ１１０磁気記憶・リ
ーン、２２２．２２２’：第２０謙気記憶パターン、Ｍ
Ｂ２ 、ＭＢ２−１〜ＭＢ５−５：磁気抵抗素子（第１
の磁気抵抗素子・ダターン）、ＭＢ２ 、ＭＢ２−１〜
ＭＲ６−５：磁気抵抗素子（第２の磁気抵抗素子ツクタ
ーン）。 特許出願人 富士通ファナ、り株式金社 特許出願代理人 弁理士 青 木 網 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 山 口 昭 之 第１ＴＩ！Ｊ ■ 第２ＷＪ 第３図 Ｖ。Ｃ 第４濶 第５図 （Ａ） 率６１１り 第７ｙ！Ｊ ｃｃ 第８図 手続補正書（自発） 昭和５７年ｌ／月２０日 特許庁長官 着杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許顧 第０３１６８７号２、発明の名
称 パルスコーダ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 富士通ファナック株式会社 ４、代理人 ５、補正の対象 （１）明細書の「特許請求の範囲」の欄（２）明細書の
「発明の詳細な説明」の欄（３） １ｌ１１細書の「
図面の簡単な説明」の欄６、補正の内容 （１）別紙の通り。 （２）（７）明細書第５頁第７行、８行目。 「その方向に関係なく増加する」を ｒＮ極あるいはＳ極に関係なく減少する」と補正する。 （イ）明細書第７頁第１４行目 ｒＭＲ３，ＭＲ４Ｊｔ−ｒＭＲ３’、 ＭＲ４’Ｊ 色
補正する。 （つ）明細書第１Ｏ頁第８行Ｉ。 ［比が、Ｊｔ−ｒ比が１と補正する。 に）明細書路１２頁１８８行目、９デテ目「２２１と」
と「磁気記憶パターン」との間に。 「第２の」を挿入する。 （９）明細書第１２頁第２０行目 「の円周方向境界」をｒが形成され九ｊと補正する。 （３） 明細書第１６頁籐５行目 「抵抗素子Ｊｔｒ記憶」と補正する。 ７、添付書類の０鎌 補正特許請求の範囲 １通 １、第１１第２の磁気記憶パターンが形成された回転部
材と、前記各第１１第２の磁気記憶パターンに対応して
第１１第２の磁気抵抗素子パターンが直列接続されて形
成された固定部材とを具備し、前記第１．籐２の磁気記
憶パターンが前記第１１籐２の磁気抵抗素子パターンに
それぞれ一致したときに前記＠ｌ、第２の磁飯抵抗素子
パターンの各抵抗値がそれぞれ最小、最大となるように
したパルスコーダにおいて、前記各館１、第２の磁気記
憶パターンを、強磁場発生領域と弱磁場発生領域と全交
互に且つ不規則に配列することにより構成したこと１に
％黴とするパルスコーダ。 ２、前記各第１１第２の磁気記憶パターンを前記回転部
材の同一円周上に設けた特許請求の範囲８１項に記載の
パルスコーダ。 ３、前記第１、第２の磁気記憶パターンを前記回転部材
の異なる２つの円周上にそれぞれ設けた特許請求の範囲
第１項に記載のパルスコーダ。 ４、前記強磁場発生領域を前記回転部材の円周上に配列
され九Ｎ極部分およびＳ極部分により構成し、前記弱磁
場発生領域を前記Ｎ極部分およびＳ極部分の径方向境界
部分によ〕構成した特許請求の範囲第１項に記載のパル
スコーダ。 ５、前記強磁場発生領域を前記回転部材の円周上に配列
された少なくとも一対のＮ［ｉおよびＳ極により構成し
、前記弱磁場発生領域を着磁されていない領域により構
成し九特許請求の範Ｓ第１項に記載のパルスコーダ。
の概要図、第２図は第１図の磁気記憶ノ臂ターンおよび
磁気抵抗素子・ダターンを示す図、第３図囚、第３図（
Ｂ）はそれぞれ第２図の人相信号、Ｂ相信号発生用磁気
抵抗素子を含むＡ相信号、Ｂ相信号発生回路の回路図、
第４図囚〜第４図（ト）は第３図囚、１ｇａ図（Ｂ）の
回路内に現われる信号のタイミング図、第５図（４）、
第５図（Ｂ）は第２図の２相信号発生用磁気記憶パター
ンとこれに対向する磁気抵抗素子・ｆターンとを示す図
、第６図は＄６図囚、第５図儂）における電圧Ｐ８のタ
イミング図、ＩＮ７図は第５図（４）、第５図（Ｂ）の
２相信号発生用磁気抵抗素子を含む２相信号発生回路の
回路図、第８図は本発明の第１の実施例としての２相信
号発生用磁気記憶・臂ターンおよび磁気抵抗素子ノター
ンを示す図、第９図は第８図における電圧Ｐ７のタイミ
ング図、第１０図は本発明の第２の実施例としての２相
信号発生用磁気記憶・母ターンおよび磁気抵抗素子ツタ
ターンを示す図である。 １：回転部材、２：磁性膜、３；固定部材、４：磁気抵
抗素子／４’ターン、２１．人相、８４＠儒号発生用磁
気配憶ノリーン、２２；Ｚ相信号尭生用磁気抵抗嵩子ノ
臂ターン、２２１．２２１’：＄ｌ１１０磁気記憶・リ
ーン、２２２．２２２’：第２０謙気記憶パターン、Ｍ
Ｂ２ 、ＭＢ２−１〜ＭＢ５−５：磁気抵抗素子（第１
の磁気抵抗素子・ダターン）、ＭＢ２ 、ＭＢ２−１〜
ＭＲ６−５：磁気抵抗素子（第２の磁気抵抗素子ツクタ
ーン）。 特許出願人 富士通ファナ、り株式金社 特許出願代理人 弁理士 青 木 網 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 山 口 昭 之 第１ＴＩ！Ｊ ■ 第２ＷＪ 第３図 Ｖ。Ｃ 第４濶 第５図 （Ａ） 率６１１り 第７ｙ！Ｊ ｃｃ 第８図 手続補正書（自発） 昭和５７年ｌ／月２０日 特許庁長官 着杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許顧 第０３１６８７号２、発明の名
称 パルスコーダ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 富士通ファナック株式会社 ４、代理人 ５、補正の対象 （１）明細書の「特許請求の範囲」の欄（２）明細書の
「発明の詳細な説明」の欄（３） １ｌ１１細書の「
図面の簡単な説明」の欄６、補正の内容 （１）別紙の通り。 （２）（７）明細書第５頁第７行、８行目。 「その方向に関係なく増加する」を ｒＮ極あるいはＳ極に関係なく減少する」と補正する。 （イ）明細書第７頁第１４行目 ｒＭＲ３，ＭＲ４Ｊｔ−ｒＭＲ３’、 ＭＲ４’Ｊ 色
補正する。 （つ）明細書第１Ｏ頁第８行Ｉ。 ［比が、Ｊｔ−ｒ比が１と補正する。 に）明細書路１２頁１８８行目、９デテ目「２２１と」
と「磁気記憶パターン」との間に。 「第２の」を挿入する。 （９）明細書第１２頁第２０行目 「の円周方向境界」をｒが形成され九ｊと補正する。 （３） 明細書第１６頁籐５行目 「抵抗素子Ｊｔｒ記憶」と補正する。 ７、添付書類の０鎌 補正特許請求の範囲 １通 １、第１１第２の磁気記憶パターンが形成された回転部
材と、前記各第１１第２の磁気記憶パターンに対応して
第１１第２の磁気抵抗素子パターンが直列接続されて形
成された固定部材とを具備し、前記第１．籐２の磁気記
憶パターンが前記第１１籐２の磁気抵抗素子パターンに
それぞれ一致したときに前記＠ｌ、第２の磁飯抵抗素子
パターンの各抵抗値がそれぞれ最小、最大となるように
したパルスコーダにおいて、前記各館１、第２の磁気記
憶パターンを、強磁場発生領域と弱磁場発生領域と全交
互に且つ不規則に配列することにより構成したこと１に
％黴とするパルスコーダ。 ２、前記各第１１第２の磁気記憶パターンを前記回転部
材の同一円周上に設けた特許請求の範囲８１項に記載の
パルスコーダ。 ３、前記第１、第２の磁気記憶パターンを前記回転部材
の異なる２つの円周上にそれぞれ設けた特許請求の範囲
第１項に記載のパルスコーダ。 ４、前記強磁場発生領域を前記回転部材の円周上に配列
され九Ｎ極部分およびＳ極部分により構成し、前記弱磁
場発生領域を前記Ｎ極部分およびＳ極部分の径方向境界
部分によ〕構成した特許請求の範囲第１項に記載のパル
スコーダ。 ５、前記強磁場発生領域を前記回転部材の円周上に配列
された少なくとも一対のＮ［ｉおよびＳ極により構成し
、前記弱磁場発生領域を着磁されていない領域により構
成し九特許請求の範Ｓ第１項に記載のパルスコーダ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１．第２の磁気記憶／ｅターンが形成され先回転
部材と、前記各第１、第２の磁気記憶／？ターンに対応
して＃１１、第２の磁気抵抗素子・９ターンが直列接続
されて形成された固定部材とを具備し、前記第１、第２
の磁気紀億ノリーンが前記第１、第２の磁気抵抗素子パ
ターンにそれぞれ一致し九と龜に前記第１、第２の磁気
抵抗素子・譬り一ンの各抵抗値がそれぞれ最小、最大と
なるようにしたノヤルスコーダにおいて、前記各Ｊ１１
１、第２の一気記憶・ｆターンを、強磁場発生領域と弱
磁場発生領域とを交互に且つ不規則に配列することによ
如構成し友ことを特徴とする・ンルスコーダ。 に記載の７々ルスコー〆。 ３、前記第１、纂２の磁気記憶パターンを前記回転部材
の異なる２つの円周上にそれぞれ設けた特許請求の範Ｗ
５１ｓ１項に記載の・臂ルスコー〆。 ４、前記強磁場発生領域を前記回転部材の円周上に配列
され九ＮｆｉとＳ極との径方向境界部分により構成し、
前記弱磁場発生領域を前記Ｎ極部分およびＳ極部分によ
〕構成し九特許請求の範ｌＩ嬉１項に記載のノｆルスコ
ー〆。 ５、前記強磁場発生領域を前記−転部材の円周上に配列
され九Ｎ極と８Ｉｉとの円周方崗墳拝−分により構成し
、前記弱磁場発生領域を着１に−Ｊｒれていない領域に
より構成し九譬許請求のＩＩＩＩＩ嬉１項ニｋｆｌｌｔ
（Ｄ）４ルスコーダ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57031687A JPS58148914A (ja) | 1982-03-02 | 1982-03-02 | パルスコ−ダ |
| EP82306281A EP0087536A3 (en) | 1982-03-02 | 1982-11-25 | Pulse coder |
| US06/448,206 US4551676A (en) | 1982-03-02 | 1982-12-09 | Pulse coder using magnetoresistance elements having an improved z-phase signal pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57031687A JPS58148914A (ja) | 1982-03-02 | 1982-03-02 | パルスコ−ダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58148914A true JPS58148914A (ja) | 1983-09-05 |
Family
ID=12337993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57031687A Pending JPS58148914A (ja) | 1982-03-02 | 1982-03-02 | パルスコ−ダ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4551676A (ja) |
| EP (1) | EP0087536A3 (ja) |
| JP (1) | JPS58148914A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH02287210A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-27 | Sokkisha Co Ltd | インクリメンタル方式の磁気エンコーダの零点検出方式 |
| JP2014235105A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 株式会社デンソー | 回転検出装置 |
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| JPS6086412A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | Hitachi Ltd | 磁気検出装置 |
| NL8400169A (nl) * | 1984-01-18 | 1985-08-16 | Stichting Ct Voor Micro Elektr | Opnemer voor absolute positie. |
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