JPS58142B2 - ガスホウデンヒヨウジパネル - Google Patents

ガスホウデンヒヨウジパネル

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Publication number
JPS58142B2
JPS58142B2 JP49145356A JP14535674A JPS58142B2 JP S58142 B2 JPS58142 B2 JP S58142B2 JP 49145356 A JP49145356 A JP 49145356A JP 14535674 A JP14535674 A JP 14535674A JP S58142 B2 JPS58142 B2 JP S58142B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
discharge
concentration
display panel
panel
Prior art date
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Expired
Application number
JP49145356A
Other languages
English (en)
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JPS5171669A (ja
Inventor
浦出俊則
家守敏明
山本博
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5171669A publication Critical patent/JPS5171669A/ja
Publication of JPS58142B2 publication Critical patent/JPS58142B2/ja
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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はガス放電パネルの改良に係り、さらに詳しくは
螢光体層を付設したガス放電表示パネルの新しい構造に
関するものである。
一般にブラスマディスプレイパネルの名称で知られるガ
ス放電表示パネルの発光色は通常Neを主成分とした放
電用ガスが用いられる関係上橙色であってそれ以外にた
とえば緑色とか黄色とか、青色などの任意の発光色を放
電用ガス組成の選択だけで得ることは困難である。
しだがってこのような要求に対しては放電用ガスとして
紫外線を多く出す、たとえはヘリウム、クセノン、水銀
等のガスを用いてこの放電光を螢光体層にあてて所望の
色を出すことが行われていた。
他方、このようなガス放電表示パネルに適した形の螢光
体層として、一般に電極被覆用の絶縁層を保護するため
に放電用ガスに接して設けられる酸化マグネシウム(M
gO)等の保護膜材料に少量の酸化セリウム(Ce02
)を添加して保護膜としての機能と螢光体層としての機
能とを兼ねそなえた保護膜螢光体を用いることがすでに
知られている。
第1図はこのような保護膜螢光体を付加したガス放電表
示パネルの装部断面図を示し、1は紫外線を出す放電用
ガスを満たした放電空間、2は1対の基板、3は両基板
上にあって互いに交差する方向に配列された電極、4は
夫々前記電極を放電空間から絶縁するよう被覆した低融
点ガラスの絶縁層4上に形成支持された前述の保護膜螢
光体である。
しかしながらこのような従来の保護膜螢光体の発光効率
はあまりよくなく、付活材として添加させる成分の濃度
をいろいろ変えても2〜3ft−L(放電維持パネルの
繰返し周波数40KHzの場合)の明るさしか得ること
ができなかった。
ここにおいて本発明の目的は螢光体の発光効率を向上さ
せるべく、新しい構造の螢光体層を採用したガス放電表
示パネルを提供することにある。
本発明によれば少なくとも一方に複数の電極を配列した
1対の基板間に放電用ガスを密封し、かついずれか少な
くとも一方の基板内壁に前記放電用ガスに接して該放電
用ガスの放電光によって螢光を発する螢光体層を形成支
持せしめてなるガス放電表示パネルにおいて、前記螢光
体層の母材に対する付活材の添加濃度をその厚み方向に
段階的または連続的に異ならせたことを特徴とするガス
放電表示パネルが提案される。
以下本発明にかかるガス放電表示パネルの実施例につい
て図面により詳細に説明する。
本発明は、第1図に示すような従来の保護膜螢光体の輝
度の暗さが母材すなわち酸化マグネシウム(MgO)に
対して発光中心となる付活材すなわち酸化セリウム(C
e02)の濃度および結晶状態が必ずしも最適に制御さ
れていないことを基因しているとの認識から螢光体の組
成に適当な範囲内で濃度勾配をもたせるようにしたもの
で、この結果必ず最高効率を示す濃度および結晶状態の
位置または遷移層が存在するためその部分において効率
の良い螢光発光が行われ、輝度が上昇することとなる。
前述のような酸化セリウム(Ce02)を添加した酸化
マグネシウム(MgO)からなる保護膜螢光体の場合に
はCeO2の濃度が0.01〜3係の範囲内で青白色の
発光を発する。
そして従来のような均一組成膜では濃度01〜0.3%
付近で最大効率を示していた。
そこで本発明においては0.1〜0.3係の濃度をはさ
んでこれより濃度の高いものおよび低いものの2種類の
蒸着材料を夫々混合、プレス、焼結して用意しこれらを
ガス放電表示パネルの電極被覆用絶縁層上にその保護膜
として交互に100Aづつ全体で300Aの厚さになる
まで電子ビーム蒸着を行なった。
この場合、濃度の高いものとしてはMgOに重量比で0
.4%のCeO2を添加したものを用い、また濃度の低
いものとしてはCeO2添加量0%すなわちMgO単体
を使用することができ、このような多重構造の保護膜螢
光体を形成した後、パネルに組立ててこれを封じ、排気
、ガス充填したところ均一組成膜を用いた上記従来の場
合に比べて5割増の輝度が得られた。
なおこの場合放電用ガスにはヘリウムHeを主成分とす
る希ガスを用いているだめ放電自体の可視発光は殆どな
い。
第2図は本発明にかかる放電表示パネルの1実施例構成
を示す要部断面図であって、第1図と同じ部分は同じ記
号をもって示す。
第2図に示すととく、本発明においては絶縁層4の上に
酸化セリウムの添加濃度の高い酸化マグネシウム層6a
と、酸化セリウムの添加濃度の低い酸化マグネシウム層
6bとが電子ビーム蒸着により積層して形成されている
なおこの場合1例として各層の厚さは300Aで、層6
aは0.4%のCeO2を含み、層6bは0.01%の
CeO2を含むものである。
なお以上の実施例においては保護膜螢光体6は電子ビー
ム蒸着によって形成したが他の蒸着法、スパッタ、スプ
レィ、気相反応法、沈降法などその方法を問わないこと
は勿論である。
寸だ濃度の種類は2種類以上でもよく、濃度範囲はMg
O単体およびCeO2単体の組合せでもよいことも勿論
であり、また複層構造を多数繰返してもよい外、濃度勾
配を段階的のみならず連続的に変化させて同じ効果を得
ることができる。
また保護膜螢光体の下に別材料の中間層、例えは酸化ア
ルミニウムAl2O3の厚さ3000〜3000Aの中
間層を挿入することも可能である。
さらに本発明は適用するガス放電パネルの形状、構造を
問うものではなく、図面に例示したマトリックス形の表
示パネル以外に、セグメント構成の電極配列を有する数
字表示パネルや一方の基板上にのみ電極を配列した面放
電形の表示パネルに対してもカバー側基板のみへの螢光
体付設に当って同様に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のガス放電表示パネル、第2図は本発明に
かかるガス放電表示パネルである。 第2図においてbが螢光保護膜である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 少なくとも一方に複数の電極を配列した1対の基板
    間に放電用ガスを密封し、かついずれか少なくとも一方
    の基板内壁に前記放電用ガスに接して該放電用ガスの放
    電によって螢光を発する螢光体層を形成支持せしめてな
    るガス放電表示パネルにおいて、前記螢光体層の母材に
    対する付活材の添加濃度をその厚み方向に段階的または
    連続的に異ならせたことを特徴とするガス放電表示パネ
    ル。
JP49145356A 1974-12-18 1974-12-18 ガスホウデンヒヨウジパネル Expired JPS58142B2 (ja)

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JP49145356A JPS58142B2 (ja) 1974-12-18 1974-12-18 ガスホウデンヒヨウジパネル

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JP49145356A JPS58142B2 (ja) 1974-12-18 1974-12-18 ガスホウデンヒヨウジパネル

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JPS5171669A JPS5171669A (ja) 1976-06-21
JPS58142B2 true JPS58142B2 (ja) 1983-01-05

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