JPS58141595A - 回路板の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は回路板の形成方法に関し、とくにアルミニウム
基板にアルマイト皮膜を形成し、この皮１腐′＠：構成
する結晶体群のセルに、選択的に導電物質と非導電物質
を充填して、接触面が平滑かつ微細なパターンの直気回
路金形成する回路板の形成方法に関する。

従来接触式エンコータ用コードスイッチ基板などを形成
する場合、印刷や真空蒸着などの厚膜、＃膜形成技術と
転与法を併用して、接触子が摺動する面が平滑でかつ微
イ１１１な回路パターン金絶縁基板上に形成する方法が
知られている。しかし上記従来例にあって、ｒ６＋路の
最小パターン巾が１００趨以下の微細な回路を有し、か
つ１００万サイクル以上の摺動寿命を有する回路板の形
成は蒸着等の工程が面倒で高価になり、また薄膜のため
摺動寿命が短かくなる欠点が凌）−〕だ。

本発明は上記欠点を除去するものであり、アルミニウム
基板上に形成したアルマイト皮膜を利用して、長寿命か
つ微細な回路パターンを形成し、これをエンコーダ用ス
イッチ基板などに応用することを目的とする。

以下本発明を第１図〜第３図と共に説明する。

第１図（イ）〜（イ）は工程鯖明図で、（１）はアルミ
ニウムの金鴫基板、（２）はこの金風基板上に陽極酸化
法（アルミニウム基板を陽極としてショウ酸等の″電解
液中で電解酸化を行なう）によって形成されたアルマイ
ト皮膜である。この陽極酸化法で形成されたアルマイト
皮膜（２）は公知のごとく多孔質酸化皮膜よりなり、第
２図に示した部分拡大図のように、多くの微細な多角形
状の結晶体（２ａ）が密接・配置され、それぞれの結晶
体（２ａ）には最大寸法が３００部程度の微細なセル（
２ｂ）が基板（１）而にまで接続して形成される。次に
工程図（ハ）において、前ｈピアルマイト皮膜（２）上
にアクリル系の一感光性樹脂（例えばデュポン社製の商
品名リストン）皮膜（３）がコーティングされ、次のに
）（ホ）の工程ではこの感光性樹脂皮膜（３）に不要フ
ォトレジスト除去処理が施こされて＃樹脂皮膜（３）の
一部が除去される。このレジスト除去処理により残余の
皮膜（３ｍ）　＋　（３ａ）間に所望の回路のアルマイ
ト皮膜のネガパターン（２Ｃ）が形成される。次の（へ
）の工程ではこのネガパターン（２Ｃ）のアルマイト皮
膜（２）の上記結晶体（２＆）のセルト　５ （２ｂ）に二（ｉ化モリブデン（ＭＯ８２）　（６）な
どの非導電物質が充填されるが、この方法はアルマイト
処理したアルミニウム基板（１）ラブトラチオモリブデ
ン酸アンモニウムの水浴液中で二次電解し、アルマイト
皮ｌ１ＩＡ（２）のセル（２ｂ）内に二硫化モリブデン
（６）の絶縁層ｔ４）　？形成することによって行われ
る。次いで（ト）の工程では上記残余の感光性樹脂皮膜
（３ａ）が塩化メチレンなどの溶剤やパフなどの併用に
より化学約１たは！１）誠的に除去される。岐後の（男
の工程では残余のアルマイト皮膜（２）の結晶体（２ａ
）のセル（２ｂ）にメッキにより、金（７）などの導電
物質がセル（２ｂ）の出口上面（２ｂｌ）よね少し盛り
上がる程度に充填される。これにより第３図に示すよう
に、回路の各接点室＆　（５＆）　＋　（ｓｂ）＋（ｓ
ｃ）　、　（５ａ）　、　（５６）を構成する導Ｗ、層
（５）が形成される。

この場合絶縁層（４）と４重層（５）とが形成されるア
ルマイト皮膜（２）の各結晶％’　（２ａ）とセル（２
ｂ）とは、前記のようにきわめて＃却ｊでかつ相互に密
接しているので、各接点上を摺接する独立した各接触子
は各接点（５ａ）〜（５ｅ）において同時に多敷のセル
（２ｂ）Ｉ・６ 上を摺接し、セル（２ｂ）に充填されてか号？ル（２ｂ
）の出口上面（２ｂｌ）に少し盛り上がり被着形成され
た金（７）と相互に接触するので接点（５ａ）〜（５ｅ
）と接触子（図示せず）との屯気的接触不艮の恐れは全
くなく、更にセル（２ｂ）に光」資された金（７）など
の４１！物質はこのセル（２ｂ）によって保目侭される
ので耐摩耗性にすぐれた長寿命の回路板が得られム捷た
更に回路のネガパターン形成もフォト処Ｉによるので微
細かつ精度の高いものが容易に得られるなどの利点があ
り、こうして形成された回路板を用いることにより、従
来に叱して格段に小形のコードスイッチが供給できる等
の顕著な効果がある。

なお上記本発明の回路板では接点を構成する各導電層（
５）かアルミニウム基板＜１）上に形成されて、相互に
導通しているので、コード信号の拾い出しには各接点毎
にそれぞれ独立した接触子を用いるが、この場合上記コ
ードスイッチ基板を回転可能にスイッチケースに収納す
ると共に、スイッチケースに端子兼用の接点に対応した
複数の接触子をインサー）・成与りによって植設するな
どの手段を用いればよ（、す。塘た、アルマイト皮膜（
２）のセル（２ｂ）に充填される非褥′ｉに物・°４や
導１１ｔ勿買は実施例のものに限定されるものではなく
、回路のパターン形Ｈｖ、も任意〆こ設定できることば
耐°う擾でもない。

【図面の簡単な説明】 図面はいずれも本発明に係り、第１図（イ）〜（ホ）は
工作請四図、第２図（ｌ↑アルマイト皮膜の部分拡大図
、第３図（１コードスイツチ用基板の上面図である。 （１）アルミニウム基板 （２）アルマイト皮膜、　（２ａ）結晶体＋　（２ｂ）
セル（３）感光性樹脂皮膜 （４）絶縁層 （５）導電層＋　（５ａ）＋（５ｂ）＋（５０）＋（５
ｄ）＋（ｆＮｌ）接点第７図　　　（伯 にニーノ　　　　４ （す） 弗化　　　　イ・ 手続補正書（自瘉） 昭和５７士１１月１９日 特許庁長官敗 １、事件の表示 持顆昭５７〜２４１７６　　号 ２、発明の名称 回路板の形成方法 ３、補正をする者 事件との関係　　出願人 住　所東京都大田区雪谷大塚町１番７号〒１４５　　　
　　　　電話東京（７２６）　＋　２１１　（代表）名
　称　　　　　アルプス電気株式会社Ａ０９　　　　代
表者片岡勝太部 ４、補正の対象 明細書 ５、補正の内容 別紙のとおり 明細書第２頁】１「を目に「微細」とあるを「微細」ど
補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ａ　アルミニウム基板上にセルを有する結晶体より成る
   アルマイト皮膜を形成する第１の工程と、ｂ　上記アル
   マイト皮膜上に感光性＃脂皮膜を形成する第２の工程と
   、 Ｃ上記感光性樹脂皮膜の一部を除去して所望の回路のネ
   ガパターンを形成する第３の工程と、ｄ　上記ネガパタ
   ーンの上記アルマイト皮膜のセルに非導゛イ、物質を充
   填する第４の工程と、ｅ　上記残余のアルマイト皮膜上
   の感光性樹脂皮膜を除去する第５の工程と、 ｆ　上記感光性樹脂皮膜が除去されたアルマイト皮膜の
   セルに、導電物質を充填する第６の工程とより成ること
   を特徴とする回路板の形成勇気