JPS58139405A - 抵抗素子の製造方法 - Google Patents

抵抗素子の製造方法

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JPS58139405A
JPS58139405A JP57021270A JP2127082A JPS58139405A JP S58139405 A JPS58139405 A JP S58139405A JP 57021270 A JP57021270 A JP 57021270A JP 2127082 A JP2127082 A JP 2127082A JP S58139405 A JPS58139405 A JP S58139405A
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JP
Japan
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laser beam
coating
manufacturing
base layer
resistive
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Pending
Application number
JP57021270A
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English (en)
Inventor
豊 山本
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Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/20Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by pyrolytic processes

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電気回路や電子回路などにおいて用いられる抵
抗素子に係〕、特に有機物質を含有した基層にレーザー
ビームを照射して、増炭によって抵抗層を形成す石抵抗
素子の製造方法に関する。
レーザービームの照射で増員させて抵抗層を形成すゐ方
法は、他の抵抗素子の製造方法に比較して製造工程が簡
略化され、結果的に安価であるなどの特長を有している
。ところがこの種の従来の製造方法では、増炭によって
形成された抵抗層がそのまま表面に露出していゐため、
構造的に脆く、振動などによって脱落すゐことがあり、
しかも水分を吸着して抵抗値が変動する。このようなこ
とが起こらないようにするためには、抵抗層の形成後に
それを覆うための被膜を塗着形成する必要があや、前述
のように抵抗層が脆いことから被膜の形成作業が非常に
めんどうで、製造工程が簡略化されるというこの種の製
造方法の特長が十分に発揮されないことKn為。
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を鱗消し、
生型性が高く、しかも特性の安定した抵抗素子の製造方
法を提供すゐKあゐ。
この@的を遣嬌する九め、本発明は、レーザービームの
照射によって増炭する有機物質を含有した電気絶縁性基
層の1IIiK、レーザービームの照射によって増炭し
ない性質を有する電気絶縁性のレープ−ビー五透過被膜
を形成し、その被膜側の方から被膜を通して前記基層に
レーザービームを照射して、基層の被照射部分を増炭さ
せることによp抵抗層を形成す為ことを特徴とする。
本発明において前記基層としては、例えばポリイミド樹
脂、ポリスルホン樹脂、硫化ポリフェニレン樹脂、アミ
ド−イミド共重合体樹脂などが用いられ、特にポリイミ
ド樹脂(IC,1,デュポン社製 製品名カプトン60
0FO51)が好適であるOlたこれら有機材料と適宜
に選択された無機材料との混合あるいは積層などによる
複合材料であってもよい。
前記レーザービーム透過被膜の材料としては、例えばポ
リテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂やガラスな
どが用いられ、特に強い疎水性を有するフッ素樹脂が好
適である。
次に本発明の実施例を図とと−に説明する。第1図およ
び第2図は、第1実施例を説明するための図である。ポ
リイミド樹脂などからなる基層lの表面に1所定の膜厚
を有するポリテトラフルオロエチレンなどからなゐ透明
のレーザービーム透過被膜2をコーティング、印刷、接
着などの適宜な手段で形成す石。しかるのち透過被膜2
側から例えばアルゴンレーザーなどのレーザービーム5
を所定の走査速度で透過被膜2を通して前記基層IKj
ll射し、基層1の一部を増員処理して所望の大IIさ
O抵抗層3を基層1と透過被膜20間に形成せしめ為。
なお、増炭処理時に発熱するにめ、そO熱によって透過
被膜2の一部は溶融されるが、その後の急冷で硬化して
膜形状が保持で自るOこのようにして、基層1と透過被
膜2によって抵抗層30食体が覆われた抵抗素子が得ら
れ石0第3Eおよび第4WAは、本発明の第2実施例を
説明す為ための閣であゐ。この実施例の場合、基層10
111面に予め、印刷によ  隔をおいて両側に形成され、ついで電極4のそれヤれの
外儒端郁を残してそれら中央部がレーザービーム透過被
膜2によって覆われる。しかるのち透過着膜″2の上側
からレーザービーム5を照射すゐことにより、第4図に
示すように両電極4.4の間にそれらと接触するように
抵抗層3が形成され、これは透明被膜2によって覆われ
ている。
第allは、本発明の第3実施例を説明する危めの図で
Toゐ。この実施例の場合、基層10表面にレーザービ
ーム透過被膜2を形成したのち、その透過被膜2を通し
て基層lにレーザービームを入射する訳であゐが、この
際のレーザービームの走査速度を遅くすゐことにより入
射され為レーザービームのエネルギー密度を増す。する
と透過被膜2が溶融され、抵抗層3が露出した形に&ゐ
。なお、この抵抗層3には溶融した透過被膜2の一部が
含浸されるから、例えば透過被膜2としてフッ素樹脂な
ど疎水性のある材料を用いれば、形成された抵抗層3に
疎水性が付与され、そのため抵抗層3が露出しても水分
の吸着による抵抗値の変動が少ない。tた透過被膜2と
してフッ素樹脂やガラスなどのような熱溶融によって結
着性を発揮する材料を用いれば、機械的強度の高い抵抗
層3が得られ、そのなめ抵抗層3が露出しても亀裂や脱
落を生じるようなことはない。
第6図は、本発明の第4実施例を説明するための図であ
ゐ。仁の実施例の場合、基層10表面にレーザービーム
透過被膜2が形成され、さらKその表面の両側にそれぞ
れ所定の間隔をあけて例えば酸化インジウムなどからな
る透明な電極4.4が形成され石。そしてこの電極4側
からレーザービームを照射する訳であ石が、%に両電極
4の下を照射すゐ際には走査速度を遅くして、図に示す
ように増炭縄理によって形成された抵抗層30両端がそ
れぞれ電極4.4に接触するようにする。
本発明は前述のような構成になっており、従来の方法に
比べて製造工Sが畜らに簡略化され、生産性が高く、シ
かも性能の安定した抵抗素子の製造方法を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の第1実施例を、第3図お
よび第4図は本発明の[2実施例を、第SWAは本発明
の第3実施例を、第6図は本発明の第41I施例をそれ
ぞれ説明するための抵抗素子の断面図であゐ。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、レーザービームの照射によって増炭する有機物
    質を含有した電気絶縁性基層の表面にル−ザービームの
    照射によって増炭しない性質を有す石電気絶縁性のレー
    ザービーム透過被膜を形成し、その被膜側の方から被膜
    を通して前記基層にレーザービームを照射して、基層の
    普照射部分を増員させゐことによ〕抵抗層を形成すゐこ
    とを特徴とすゐ抵抗素子の製造方法。
  2. (2)  411許請求の範囲第(1)項記載において
    、前記レーず−ビーム透過被膜がポリテトラフルオロエ
    チレンからなっていゐことを特徴とする抵抗素子の製造
    方法。
  3. (3)  4’l許請求の範囲第(1)項記載において
    、前記レーず−ビーム透過被膜がガラスからなっている
    ことを特徴とすゐ抵抗素子の製造方法。
  4. (4)  ’Ili許請求の範囲第(1)項記載におい
    て、前記基層とレーザービーム透過被膜との間に電極部
    が設けられ、増炭によって形成された抵抗層がその電極
    部と接触すゐとともにレーザービーム透過被膜によって
    覆われていることを特徴とすゐ抵抗素子の製造方法。
  5. (5)0%許請求の範囲第(1)項記載において、前記
    レーザービーム透過被膜が疎水性の材料からなり、増炭
    によって形成された抵抗層がその疎水性材料の一部を含
    有していることを特徴とする抵抗素子の製造方法。
JP57021270A 1982-02-15 1982-02-15 抵抗素子の製造方法 Pending JPS58139405A (ja)

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