JPS58139405A - 抵抗素子の製造方法 - Google Patents
抵抗素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS58139405A JPS58139405A JP57021270A JP2127082A JPS58139405A JP S58139405 A JPS58139405 A JP S58139405A JP 57021270 A JP57021270 A JP 57021270A JP 2127082 A JP2127082 A JP 2127082A JP S58139405 A JPS58139405 A JP S58139405A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- coating
- manufacturing
- base layer
- resistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/20—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by pyrolytic processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気回路や電子回路などにおいて用いられる抵
抗素子に係〕、特に有機物質を含有した基層にレーザー
ビームを照射して、増炭によって抵抗層を形成す石抵抗
素子の製造方法に関する。
抗素子に係〕、特に有機物質を含有した基層にレーザー
ビームを照射して、増炭によって抵抗層を形成す石抵抗
素子の製造方法に関する。
レーザービームの照射で増員させて抵抗層を形成すゐ方
法は、他の抵抗素子の製造方法に比較して製造工程が簡
略化され、結果的に安価であるなどの特長を有している
。ところがこの種の従来の製造方法では、増炭によって
形成された抵抗層がそのまま表面に露出していゐため、
構造的に脆く、振動などによって脱落すゐことがあり、
しかも水分を吸着して抵抗値が変動する。このようなこ
とが起こらないようにするためには、抵抗層の形成後に
それを覆うための被膜を塗着形成する必要があや、前述
のように抵抗層が脆いことから被膜の形成作業が非常に
めんどうで、製造工程が簡略化されるというこの種の製
造方法の特長が十分に発揮されないことＫｎ為。
法は、他の抵抗素子の製造方法に比較して製造工程が簡
略化され、結果的に安価であるなどの特長を有している
。ところがこの種の従来の製造方法では、増炭によって
形成された抵抗層がそのまま表面に露出していゐため、
構造的に脆く、振動などによって脱落すゐことがあり、
しかも水分を吸着して抵抗値が変動する。このようなこ
とが起こらないようにするためには、抵抗層の形成後に
それを覆うための被膜を塗着形成する必要があや、前述
のように抵抗層が脆いことから被膜の形成作業が非常に
めんどうで、製造工程が簡略化されるというこの種の製
造方法の特長が十分に発揮されないことＫｎ為。
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を鱗消し、
生型性が高く、しかも特性の安定した抵抗素子の製造方
法を提供すゐＫあゐ。
生型性が高く、しかも特性の安定した抵抗素子の製造方
法を提供すゐＫあゐ。
この＠的を遣嬌する九め、本発明は、レーザービームの
照射によって増炭する有機物質を含有した電気絶縁性基
層の１ＩＩｉＫ、レーザービームの照射によって増炭し
ない性質を有する電気絶縁性のレープ−ビー五透過被膜
を形成し、その被膜側の方から被膜を通して前記基層に
レーザービームを照射して、基層の被照射部分を増炭さ
せることによｐ抵抗層を形成す為ことを特徴とする。
照射によって増炭する有機物質を含有した電気絶縁性基
層の１ＩＩｉＫ、レーザービームの照射によって増炭し
ない性質を有する電気絶縁性のレープ−ビー五透過被膜
を形成し、その被膜側の方から被膜を通して前記基層に
レーザービームを照射して、基層の被照射部分を増炭さ
せることによｐ抵抗層を形成す為ことを特徴とする。
本発明において前記基層としては、例えばポリイミド樹
脂、ポリスルホン樹脂、硫化ポリフェニレン樹脂、アミ
ド−イミド共重合体樹脂などが用いられ、特にポリイミ
ド樹脂（ＩＣ，１，デュポン社製 製品名カプトン６０
０ＦＯ５１）が好適であるＯｌたこれら有機材料と適宜
に選択された無機材料との混合あるいは積層などによる
複合材料であってもよい。
脂、ポリスルホン樹脂、硫化ポリフェニレン樹脂、アミ
ド−イミド共重合体樹脂などが用いられ、特にポリイミ
ド樹脂（ＩＣ，１，デュポン社製 製品名カプトン６０
０ＦＯ５１）が好適であるＯｌたこれら有機材料と適宜
に選択された無機材料との混合あるいは積層などによる
複合材料であってもよい。
前記レーザービーム透過被膜の材料としては、例えばポ
リテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂やガラスな
どが用いられ、特に強い疎水性を有するフッ素樹脂が好
適である。
リテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂やガラスな
どが用いられ、特に強い疎水性を有するフッ素樹脂が好
適である。
次に本発明の実施例を図とと−に説明する。第１図およ
び第２図は、第１実施例を説明するための図である。ポ
リイミド樹脂などからなる基層ｌの表面に１所定の膜厚
を有するポリテトラフルオロエチレンなどからなゐ透明
のレーザービーム透過被膜２をコーティング、印刷、接
着などの適宜な手段で形成す石。しかるのち透過被膜２
側から例えばアルゴンレーザーなどのレーザービーム５
を所定の走査速度で透過被膜２を通して前記基層ＩＫｊ
ｌｌ射し、基層１の一部を増員処理して所望の大ＩＩさ
Ｏ抵抗層３を基層１と透過被膜２０間に形成せしめ為。
び第２図は、第１実施例を説明するための図である。ポ
リイミド樹脂などからなる基層ｌの表面に１所定の膜厚
を有するポリテトラフルオロエチレンなどからなゐ透明
のレーザービーム透過被膜２をコーティング、印刷、接
着などの適宜な手段で形成す石。しかるのち透過被膜２
側から例えばアルゴンレーザーなどのレーザービーム５
を所定の走査速度で透過被膜２を通して前記基層ＩＫｊ
ｌｌ射し、基層１の一部を増員処理して所望の大ＩＩさ
Ｏ抵抗層３を基層１と透過被膜２０間に形成せしめ為。
なお、増炭処理時に発熱するにめ、そＯ熱によって透過
被膜２の一部は溶融されるが、その後の急冷で硬化して
膜形状が保持で自るＯこのようにして、基層１と透過被
膜２によって抵抗層３０食体が覆われた抵抗素子が得ら
れ石０第３Ｅおよび第４ＷＡは、本発明の第２実施例を
説明す為ための閣であゐ。この実施例の場合、基層１０
１１１面に予め、印刷によ 隔をおいて両側に形成され、ついで電極４のそれヤれの
外儒端郁を残してそれら中央部がレーザービーム透過被
膜２によって覆われる。しかるのち透過着膜″２の上側
からレーザービーム５を照射すゐことにより、第４図に
示すように両電極４．４の間にそれらと接触するように
抵抗層３が形成され、これは透明被膜２によって覆われ
ている。
被膜２の一部は溶融されるが、その後の急冷で硬化して
膜形状が保持で自るＯこのようにして、基層１と透過被
膜２によって抵抗層３０食体が覆われた抵抗素子が得ら
れ石０第３Ｅおよび第４ＷＡは、本発明の第２実施例を
説明す為ための閣であゐ。この実施例の場合、基層１０
１１１面に予め、印刷によ 隔をおいて両側に形成され、ついで電極４のそれヤれの
外儒端郁を残してそれら中央部がレーザービーム透過被
膜２によって覆われる。しかるのち透過着膜″２の上側
からレーザービーム５を照射すゐことにより、第４図に
示すように両電極４．４の間にそれらと接触するように
抵抗層３が形成され、これは透明被膜２によって覆われ
ている。
第ａｌｌは、本発明の第３実施例を説明する危めの図で
Ｔｏゐ。この実施例の場合、基層１０表面にレーザービ
ーム透過被膜２を形成したのち、その透過被膜２を通し
て基層ｌにレーザービームを入射する訳であゐが、この
際のレーザービームの走査速度を遅くすゐことにより入
射され為レーザービームのエネルギー密度を増す。する
と透過被膜２が溶融され、抵抗層３が露出した形に＆ゐ
。なお、この抵抗層３には溶融した透過被膜２の一部が
含浸されるから、例えば透過被膜２としてフッ素樹脂な
ど疎水性のある材料を用いれば、形成された抵抗層３に
疎水性が付与され、そのため抵抗層３が露出しても水分
の吸着による抵抗値の変動が少ない。ｔた透過被膜２と
してフッ素樹脂やガラスなどのような熱溶融によって結
着性を発揮する材料を用いれば、機械的強度の高い抵抗
層３が得られ、そのなめ抵抗層３が露出しても亀裂や脱
落を生じるようなことはない。
Ｔｏゐ。この実施例の場合、基層１０表面にレーザービ
ーム透過被膜２を形成したのち、その透過被膜２を通し
て基層ｌにレーザービームを入射する訳であゐが、この
際のレーザービームの走査速度を遅くすゐことにより入
射され為レーザービームのエネルギー密度を増す。する
と透過被膜２が溶融され、抵抗層３が露出した形に＆ゐ
。なお、この抵抗層３には溶融した透過被膜２の一部が
含浸されるから、例えば透過被膜２としてフッ素樹脂な
ど疎水性のある材料を用いれば、形成された抵抗層３に
疎水性が付与され、そのため抵抗層３が露出しても水分
の吸着による抵抗値の変動が少ない。ｔた透過被膜２と
してフッ素樹脂やガラスなどのような熱溶融によって結
着性を発揮する材料を用いれば、機械的強度の高い抵抗
層３が得られ、そのなめ抵抗層３が露出しても亀裂や脱
落を生じるようなことはない。
第６図は、本発明の第４実施例を説明するための図であ
ゐ。仁の実施例の場合、基層１０表面にレーザービーム
透過被膜２が形成され、さらＫその表面の両側にそれぞ
れ所定の間隔をあけて例えば酸化インジウムなどからな
る透明な電極４．４が形成され石。そしてこの電極４側
からレーザービームを照射する訳であ石が、％に両電極
４の下を照射すゐ際には走査速度を遅くして、図に示す
ように増炭縄理によって形成された抵抗層３０両端がそ
れぞれ電極４．４に接触するようにする。
ゐ。仁の実施例の場合、基層１０表面にレーザービーム
透過被膜２が形成され、さらＫその表面の両側にそれぞ
れ所定の間隔をあけて例えば酸化インジウムなどからな
る透明な電極４．４が形成され石。そしてこの電極４側
からレーザービームを照射する訳であ石が、％に両電極
４の下を照射すゐ際には走査速度を遅くして、図に示す
ように増炭縄理によって形成された抵抗層３０両端がそ
れぞれ電極４．４に接触するようにする。
本発明は前述のような構成になっており、従来の方法に
比べて製造工Ｓが畜らに簡略化され、生産性が高く、シ
かも性能の安定した抵抗素子の製造方法を提供すること
ができる。
比べて製造工Ｓが畜らに簡略化され、生産性が高く、シ
かも性能の安定した抵抗素子の製造方法を提供すること
ができる。
第１図および第２図は本発明の第１実施例を、第３図お
よび第４図は本発明の［２実施例を、第ＳＷＡは本発明
の第３実施例を、第６図は本発明の第４１Ｉ施例をそれ
ぞれ説明するための抵抗素子の断面図であゐ。
よび第４図は本発明の［２実施例を、第ＳＷＡは本発明
の第３実施例を、第６図は本発明の第４１Ｉ施例をそれ
ぞれ説明するための抵抗素子の断面図であゐ。
Claims (5)
- （１）、レーザービームの照射によって増炭する有機物
質を含有した電気絶縁性基層の表面にル−ザービームの
照射によって増炭しない性質を有す石電気絶縁性のレー
ザービーム透過被膜を形成し、その被膜側の方から被膜
を通して前記基層にレーザービームを照射して、基層の
普照射部分を増員させゐことによ〕抵抗層を形成すゐこ
とを特徴とすゐ抵抗素子の製造方法。 - （２） ４１１許請求の範囲第（１）項記載において
、前記レーず−ビーム透過被膜がポリテトラフルオロエ
チレンからなっていゐことを特徴とする抵抗素子の製造
方法。 - （３） ４’ｌ許請求の範囲第（１）項記載において
、前記レーず−ビーム透過被膜がガラスからなっている
ことを特徴とすゐ抵抗素子の製造方法。 - （４） ’Ｉｌｉ許請求の範囲第（１）項記載におい
て、前記基層とレーザービーム透過被膜との間に電極部
が設けられ、増炭によって形成された抵抗層がその電極
部と接触すゐとともにレーザービーム透過被膜によって
覆われていることを特徴とすゐ抵抗素子の製造方法。 - （５）０％許請求の範囲第（１）項記載において、前記
レーザービーム透過被膜が疎水性の材料からなり、増炭
によって形成された抵抗層がその疎水性材料の一部を含
有していることを特徴とする抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021270A JPS58139405A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 抵抗素子の製造方法 |
| US06/430,602 US4489230A (en) | 1982-02-15 | 1982-09-30 | Manufacturing method for a resistance element |
| DE19823242157 DE3242157A1 (de) | 1982-02-15 | 1982-11-13 | Verfahren zur herstellung eines elektrischen widerstandes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57021270A JPS58139405A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 抵抗素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139405A true JPS58139405A (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=12050422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57021270A Pending JPS58139405A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 抵抗素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4489230A (ja) |
| JP (1) | JPS58139405A (ja) |
| DE (1) | DE3242157A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4560580A (en) * | 1982-09-30 | 1985-12-24 | Phillips Petroleum Company | Process for encapsulating articles with optional laser printing |
| JPS60167491A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | 株式会社東芝 | 導体路形成方法 |
| DE3411797A1 (de) * | 1984-03-30 | 1985-10-10 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur kennzeichnung von kunststoffteilen |
| US4785157A (en) * | 1986-01-09 | 1988-11-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for controlling electric resistance of a compound-type resistors |
| US4841099A (en) * | 1988-05-02 | 1989-06-20 | Xerox Corporation | Electrically insulating polymer matrix with conductive path formed in situ |
| US4970553A (en) * | 1989-12-04 | 1990-11-13 | Xerox Corporation | Electrical component with conductive path |
| US5233157A (en) * | 1990-09-11 | 1993-08-03 | Hughes Aircraft Company | Laser pattern ablation of fine line circuitry masters |
| US5107187A (en) * | 1990-12-06 | 1992-04-21 | Maxwell Laboratories, Inc. | High voltage protection resistor |
| DE10048244B4 (de) * | 2000-09-29 | 2004-07-08 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Lasertrimmen von Widerständen und Bauteil mit getrimmten Widerständen |
| US20050169346A1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-08-04 | Trw Automotive U.S. Llc | Method for monitoring quality of a transmissive laser weld |
| US7378936B2 (en) * | 2005-05-23 | 2008-05-27 | Tektronix, Inc. | Circuit element with laser trimmed component |
| US7547849B2 (en) * | 2005-06-15 | 2009-06-16 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions useful in electronic circuitry type applications, patternable using amplified light, and methods and compositions relating thereto |
| US7504150B2 (en) * | 2005-06-15 | 2009-03-17 | E.I. Du Pont De Nemours & Company | Polymer-based capacitor composites capable of being light-activated and receiving direct metalization, and methods and compositions related thereto |
| US20080213605A1 (en) * | 2006-12-07 | 2008-09-04 | Briney Gary C | Multi-functional circuitry substrates and compositions and methods relating thereto |
| US8475924B2 (en) | 2007-07-09 | 2013-07-02 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions and methods for creating electronic circuitry |
| US20170294252A1 (en) * | 2016-04-11 | 2017-10-12 | Lockheed Martin Corporation | Systems and Methods for Producing Tapered Resistive Cards and Capacitive Sheets |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148401A (en) * | 1979-05-04 | 1980-11-19 | New England Instr | Resistance element and method of fabricating same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4190759A (en) * | 1975-08-27 | 1980-02-26 | Hitachi, Ltd. | Processing of photomask |
| DE2611819A1 (de) * | 1976-03-19 | 1977-09-29 | Siemens Ag | Sicherungswiderstand |
| US4298855A (en) * | 1980-08-26 | 1981-11-03 | Honeywell Inc. | Conductive polymer film humidity sensor |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP57021270A patent/JPS58139405A/ja active Pending
- 1982-09-30 US US06/430,602 patent/US4489230A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-11-13 DE DE19823242157 patent/DE3242157A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55148401A (en) * | 1979-05-04 | 1980-11-19 | New England Instr | Resistance element and method of fabricating same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4489230A (en) | 1984-12-18 |
| DE3242157A1 (de) | 1983-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58139405A (ja) | 抵抗素子の製造方法 | |
| US4300153A (en) | Flat shaped semiconductor encapsulation | |
| JP2788968B2 (ja) | 回路保護デバイス | |
| KR890006768A (ko) | 도전성발열성도료와 이를 이용한 도전성가열장치 및 그 제조방법 | |
| JPS62230001A (ja) | Ｐｔｃ素子の製造法 | |
| JPH0147881B2 (ja) | ||
| US4892773A (en) | Preparation of amorphous metal core for use in transformer | |
| KR890004859A (ko) | 중합체- 세라믹 복합층 및 이의 제조방법 | |
| US5670251A (en) | Patternable particle filled adhesive matrix for forming patterned structures between joined surfaces | |
| WO2009104279A1 (ja) | チップヒューズ及びその製造方法 | |
| EP0105639B1 (en) | Production of resistor from insulating material by local heating | |
| GB1586265A (en) | Solder bonding of surfaces | |
| US6656304B2 (en) | Method for manufacturing a PTC element | |
| JPH09320808A (ja) | Ｐｔｃサーミスタ | |
| JPH09199302A (ja) | チップ型ｐｔｃサーミスタおよびその製造方法 | |
| JP3820825B2 (ja) | Ｐｔｃサーミスタ | |
| JP2619164B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP3417119B2 (ja) | 電気二重層コンデンサ | |
| JPS60250583A (ja) | 発熱体 | |
| JPS6084844A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2595612B2 (ja) | 耐熱性絶縁構造の形成方法 | |
| JPH09246013A (ja) | チップ形ｐｔｃサーミスタ | |
| JPS61109287A (ja) | コロナ放電器及びコロナ放電器のオゾン防止方法 | |
| JPH0851240A (ja) | 積層型圧電素子 | |
| JPS62125697A (ja) | 電気回路形成用基盤の製造方法 |