JPS58137280A - 光導波路スイツチ - Google Patents
光導波路スイツチInfo
- Publication number
- JPS58137280A JPS58137280A JP1873282A JP1873282A JPS58137280A JP S58137280 A JPS58137280 A JP S58137280A JP 1873282 A JP1873282 A JP 1873282A JP 1873282 A JP1873282 A JP 1873282A JP S58137280 A JPS58137280 A JP S58137280A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
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- optical
- switch
- type
- guides
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
- G02F1/3138—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions the optical waveguides being made of semiconducting materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光路の切替えを行う光導波路スイッチに関する
。
。
光ファイバ等の先導波路を用いた情報伝送システムにお
いては、情報伝送網のフレキンプルな構成を可能とする
ため、光信号を１本の導波路から複数本の導波路に高速
で切替える光スィッチが必要である。従来このような用
途に対しては光伝送媒質の音響光学効果による光の偏向
を用いたもの、媒質の電気光学効果による光の偏向を用
いたもの。
いては、情報伝送網のフレキンプルな構成を可能とする
ため、光信号を１本の導波路から複数本の導波路に高速
で切替える光スィッチが必要である。従来このような用
途に対しては光伝送媒質の音響光学効果による光の偏向
を用いたもの、媒質の電気光学効果による光の偏向を用
いたもの。
方向性結合器の結合係数を電気光学効果によ）変えるも
の、方向性結合器と先位相変ｉ１１幸を組み合わせたも
のなどが提案されているが、これらはいずれも低損失特
性、低漏話特性、高速性などの光導波路スイッチの基本
的な特性をすべて完全に満足するにはいたっていない。
の、方向性結合器と先位相変ｉ１１幸を組み合わせたも
のなどが提案されているが、これらはいずれも低損失特
性、低漏話特性、高速性などの光導波路スイッチの基本
的な特性をすべて完全に満足するにはいたっていない。
たとえば現在得られている導波路型スイッチの漏話レベ
ルは−１５〜−２５ｄＢ程度であり、光ファイバとの結
合損失も含めたそう大損失は数ｄ１３以上である。
ルは−１５〜−２５ｄＢ程度であり、光ファイバとの結
合損失も含めたそう大損失は数ｄ１３以上である。
本発明は上述の如き欠点をと９除くために、光の増巾作
用を備えた光導波路スイッチを提供することである。
用を備えた光導波路スイッチを提供することである。
半導体レーザがその発振しきい値電流よりもわずかに小
さな電流で駆動するとき、光増巾器とし０ＱＢ７９−１
２７によれば＊ ＡｔＧｔ’ａ Ａ ’／Ｇ ａ Ａ
ｓプレーナ減ダブルへテロ構造の半導体Ｖ−ザを用いて
、小林比は約２５ｄＢの実質的な増巾器利得が得られ九
ことを報告している。しかしながら、半導体Ｖ−ザ増巾
器に実質的な光路の切９換え機能を持たせることは雌か
しく、増巾機能を備えた光スイッチはこれまで実現して
いない。本発明は半導体レーザ増巾器の導波路を部分的
に励起することによって光路の切り換え機能を持たせた
ことを特徴としている。
さな電流で駆動するとき、光増巾器とし０ＱＢ７９−１
２７によれば＊ ＡｔＧｔ’ａ Ａ ’／Ｇ ａ Ａ
ｓプレーナ減ダブルへテロ構造の半導体Ｖ−ザを用いて
、小林比は約２５ｄＢの実質的な増巾器利得が得られ九
ことを報告している。しかしながら、半導体Ｖ−ザ増巾
器に実質的な光路の切９換え機能を持たせることは雌か
しく、増巾機能を備えた光スイッチはこれまで実現して
いない。本発明は半導体レーザ増巾器の導波路を部分的
に励起することによって光路の切り換え機能を持たせた
ことを特徴としている。
以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の光導波路スイッチを示す図で、（ａ）
は平面図、（切は正面図である。４１は主導波路であり
、４２．４３は分岐導波路である。本スイッチは”ｍＧ
ａＡｓ基板１の上にｎ蓋Ｇａｏ−ｓＡ／＝ｏ−４Ａ＄層
２ ｓ Ｐ ：ＷＧａ ｏ、ｅｓ Ａｔｏ−ｏｓ Ａ
８層３、Ｐ型ＧＪｉｏ−ｓ Ａｌｏ−ａ Ａ １層４％
”型ＧａＡ＠層５をエピタキシャル成長させた後８ｉ１
Ｎ４層６ｔ−堆璋させ、プラズマエッチによって第１図
（姉の４１．４２゜４３のような分岐路を持つ導波路の
形に８−Ｎ４を取り除いてｎ型ＧａＡｌｔ−露出させ、
７．ｎを約０．５μｍの深さまで拡散させ、その上にＣ
ｒ、Ａ１１Ｋの電極を堆積させた後、化学エッチによっ
て２１゜□ ２２の溝を形成し、４１，４２．４３の３つの部分を各
々絶縁をとった構造となっている。したがって本スイッ
チの裏面に設けた電極ｌＯと、３１゜３２．３３の各々
の部分との間に流す電流によって、４１，４２．４３の
各部分を独立に励起することが可能な構造となっている
。
は平面図、（切は正面図である。４１は主導波路であり
、４２．４３は分岐導波路である。本スイッチは”ｍＧ
ａＡｓ基板１の上にｎ蓋Ｇａｏ−ｓＡ／＝ｏ−４Ａ＄層
２ ｓ Ｐ ：ＷＧａ ｏ、ｅｓ Ａｔｏ−ｏｓ Ａ
８層３、Ｐ型ＧＪｉｏ−ｓ Ａｌｏ−ａ Ａ １層４％
”型ＧａＡ＠層５をエピタキシャル成長させた後８ｉ１
Ｎ４層６ｔ−堆璋させ、プラズマエッチによって第１図
（姉の４１．４２゜４３のような分岐路を持つ導波路の
形に８−Ｎ４を取り除いてｎ型ＧａＡｌｔ−露出させ、
７．ｎを約０．５μｍの深さまで拡散させ、その上にＣ
ｒ、Ａ１１Ｋの電極を堆積させた後、化学エッチによっ
て２１゜□ ２２の溝を形成し、４１，４２．４３の３つの部分を各
々絶縁をとった構造となっている。したがって本スイッ
チの裏面に設けた電極ｌＯと、３１゜３２．３３の各々
の部分との間に流す電流によって、４１，４２．４３の
各部分を独立に励起することが可能な構造となっている
。
本スイッチの電極３１と１０および３２と１０との間に
約２００ｍＡの電流を流した状態で主導波路４１に光を
入射したところ、４２よシ増巾され次光が出射し、入射
光と出射光との増巾率は約１８ｄＢであった。このとき
の出射端４３の漏話レベルは約−３８ｄＢであった。本
スイッチは上記状態においては分岐導波路４３は無励起
状態であるため、光の吸収体として作動するので、分岐
導波路４２の増°巾作用と相まって高い漏話レベルを比
較的容易に得ることができる。電極３２と１０との間に
電流ｔａすかわ）に３３とｌＯとの間に電流を流すと光
路が４２から４３に切り換わることは明らかである。
約２００ｍＡの電流を流した状態で主導波路４１に光を
入射したところ、４２よシ増巾され次光が出射し、入射
光と出射光との増巾率は約１８ｄＢであった。このとき
の出射端４３の漏話レベルは約−３８ｄＢであった。本
スイッチは上記状態においては分岐導波路４３は無励起
状態であるため、光の吸収体として作動するので、分岐
導波路４２の増°巾作用と相まって高い漏話レベルを比
較的容易に得ることができる。電極３２と１０との間に
電流ｔａすかわ）に３３とｌＯとの間に電流を流すと光
路が４２から４３に切り換わることは明らかである。
本実施例では光増巾器を構成する光共振器としては結晶
のへき開面を用いたファプリ・ペロ型共振器について説
明を行ったが、この他に分布帰還ＣＤＦＢ）型１．ブラ
ッグ反射（ＤＢｆ’Ｌ） ｍなどを用いても全く同様の
控来が得られることは明らかである。
のへき開面を用いたファプリ・ペロ型共振器について説
明を行ったが、この他に分布帰還ＣＤＦＢ）型１．ブラ
ッグ反射（ＤＢｆ’Ｌ） ｍなどを用いても全く同様の
控来が得られることは明らかである。
なおスイッチング速度は半導体レーザ励起状態のオフ・
オフを利用するため、本質的に高速である。
オフを利用するため、本質的に高速である。
以上本発明によれば低漏話レベルで、かつそう大損失の
無い高速スイッチを実現することができる。
無い高速スイッチを実現することができる。
第１図（荀は本発明による光導波路スイッチの平面図、
第１図（呻は正面図である。
第１図（呻は正面図である。
Claims (1)
- 一本の導波路を複数の先導波路に分岐する光分岐導波路
を持ち、これら導波路を部分的に励起する手段を備えて
構成され、実質的に光路を切り換える機能を有したこと
を特徴とｒる半導体レーザ増巾器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1873282A JPS58137280A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 光導波路スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1873282A JPS58137280A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 光導波路スイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137280A true JPS58137280A (ja) | 1983-08-15 |
Family
ID=11979838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1873282A Pending JPS58137280A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 光導波路スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58137280A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149030A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-08-06 | Nec Corp | 光スイツチ |
| JPS61151627A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Nec Corp | 光スイツチ |
| JPS61176913A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-08 | Nec Corp | 光スイツチ |
| JPS62217226A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-24 | Yokogawa Electric Corp | 光制御装置 |
| JPS62262834A (ja) * | 1986-05-10 | 1987-11-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 光線路スイツチ |
-
1982
- 1982-02-10 JP JP1873282A patent/JPS58137280A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149030A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-08-06 | Nec Corp | 光スイツチ |
| JPS61151627A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Nec Corp | 光スイツチ |
| JPS61176913A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-08 | Nec Corp | 光スイツチ |
| JPS62217226A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-24 | Yokogawa Electric Corp | 光制御装置 |
| JPH0511609B2 (ja) * | 1986-03-19 | 1993-02-16 | Yokogawa Electric Corp | |
| JPS62262834A (ja) * | 1986-05-10 | 1987-11-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 光線路スイツチ |
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