JPS58135687A - 圧電材料 - Google Patents
圧電材料Info
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- JPS58135687A JPS58135687A JP57017578A JP1757882A JPS58135687A JP S58135687 A JPS58135687 A JP S58135687A JP 57017578 A JP57017578 A JP 57017578A JP 1757882 A JP1757882 A JP 1757882A JP S58135687 A JPS58135687 A JP S58135687A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
- H10N30/092—Forming composite materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は圧電材料に関するものである。
一般に圧電材料はオーディオ用トランスジェー?(ヘッ
ドホーン、マイクロホーン)、医療用ト2ンスジェーナ
、超音波用トランスジ凰−す、物理計醐用トランスジ為
−サ、感圧素子などの圧電性を応用した工業分野に広く
利用されている。斯かる圧電材料の圧電性線、対称中心
のない結晶体のもつ性質として知られており、現在実用
化されている圧電材料は、主として、水晶、ロッシェル
塩、PZT (ジルモノ駿鉛系セラミックス)などの
無機材料より成るものであるが、これらの無機材料は硬
くてしかも脆いので成形加工に限度があり、それゆえ、
これらの無機材料によりては薄い大面積の圧電材料を得
ることが非常に困難であ?。
ドホーン、マイクロホーン)、医療用ト2ンスジェーナ
、超音波用トランスジ凰−す、物理計醐用トランスジ為
−サ、感圧素子などの圧電性を応用した工業分野に広く
利用されている。斯かる圧電材料の圧電性線、対称中心
のない結晶体のもつ性質として知られており、現在実用
化されている圧電材料は、主として、水晶、ロッシェル
塩、PZT (ジルモノ駿鉛系セラミックス)などの
無機材料より成るものであるが、これらの無機材料は硬
くてしかも脆いので成形加工に限度があり、それゆえ、
これらの無機材料によりては薄い大面積の圧電材料を得
ることが非常に困難であ?。
まして柔軟性のある圧電材料を得ることは不可能である
。
。
これに対し、特定の高分子材料をエレクトレット化する
ことにより、薄くて柔軟性のある大面積の圧電材料を製
造することができる。例えばコラーゲン、セルローズな
どの天然高分子及びポリーr〜メチルーL−グルタメー
)K代表される合成高分子の鷺伸フィルムが圧電性を示
す。また、これらとは別のボリフ7化ビニリデン、ポリ
フッ化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネー
トなどの合成高分子の虱伸フィルムを高温下で電界を印
加し、その状態で冷却すると圧電性を示すものとなるこ
とが明らかにされている。
ことにより、薄くて柔軟性のある大面積の圧電材料を製
造することができる。例えばコラーゲン、セルローズな
どの天然高分子及びポリーr〜メチルーL−グルタメー
)K代表される合成高分子の鷺伸フィルムが圧電性を示
す。また、これらとは別のボリフ7化ビニリデン、ポリ
フッ化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネー
トなどの合成高分子の虱伸フィルムを高温下で電界を印
加し、その状態で冷却すると圧電性を示すものとなるこ
とが明らかにされている。
しかし以上のようにして得られる高分子圧電材料におい
て扛、製造上駕伸処理を行なうために圧電*に異方性が
生ずる上、Toto高い圧電率を得ることができず、例
えば、最も圧電率の高いポリフッ化ビニIJデンの鷺伸
方向の圧電率(dsl) さえ、約4 X 10
cgs、csu にすぎない。しかもその圧電率の大
きさも温度や温度の影響を受け、不安定で耐久性に問題
がある。また、これらの高分子材料祉射出成形、押出成
形、カレンダリング、プレス成形等の溶融成形法を用い
ることが不可能なため、任意の形状の圧電材料を得るこ
とができない。
て扛、製造上駕伸処理を行なうために圧電*に異方性が
生ずる上、Toto高い圧電率を得ることができず、例
えば、最も圧電率の高いポリフッ化ビニIJデンの鷺伸
方向の圧電率(dsl) さえ、約4 X 10
cgs、csu にすぎない。しかもその圧電率の大
きさも温度や温度の影響を受け、不安定で耐久性に問題
がある。また、これらの高分子材料祉射出成形、押出成
形、カレンダリング、プレス成形等の溶融成形法を用い
ることが不可能なため、任意の形状の圧電材料を得るこ
とができない。
以上の如き無機及び有機材料による圧電材料の欠点を改
良するため、高分子物質単独又は複合系に強誘電体微粒
子を混合し、成形したのち、分極処理を施すことにより
、成形性、加工性及び可撓性のある圧電材料が開発され
ているが、これらの圧電材料はその圧電率か充分に高い
とはいえないものである。
良するため、高分子物質単独又は複合系に強誘電体微粒
子を混合し、成形したのち、分極処理を施すことにより
、成形性、加工性及び可撓性のある圧電材料が開発され
ているが、これらの圧電材料はその圧電率か充分に高い
とはいえないものである。
本発vA名らは、可撓性に富み、大きな圧電効果を備え
た圧電材料を開発することを目的として、鋭意研究の結
果、本発明を完成するに至った。
た圧電材料を開発することを目的として、鋭意研究の結
果、本発明を完成するに至った。
本発明の特徴とするところ祉、その表面をプラズマ重合
膜により被覆した強誘電体微粒子をその全体に対する割
合が30〜90容量嘩となるよう高分子物質中に分散せ
しめた分散物をエレクトレット化して成る点にある。
膜により被覆した強誘電体微粒子をその全体に対する割
合が30〜90容量嘩となるよう高分子物質中に分散せ
しめた分散物をエレクトレット化して成る点にある。
以下本発明を具体的に説明する。
本発明圧電材料は、強誘電体微粒子の表面をプラズマ重
合剤モノマーガス導入口中で励起発生せしめたプラズマ
に接触せしめることKより、プラズマ重合膜によって被
覆された被覆強誘電体微粒子を形成し、この被覆強誘電
体微粒子を高分子物質中に混合分散せしめて分散物を得
、これを材料として、成形した上でエレクトレット化処
理を行なうことによって製造される。
合剤モノマーガス導入口中で励起発生せしめたプラズマ
に接触せしめることKより、プラズマ重合膜によって被
覆された被覆強誘電体微粒子を形成し、この被覆強誘電
体微粒子を高分子物質中に混合分散せしめて分散物を得
、これを材料として、成形した上でエレクトレット化処
理を行なうことによって製造される。
以上において、プラズマ重合jlKより被覆すべき強誘
電体微粒子の例としては、圧電セラミックスとして知ら
れているPbZr0s−PbTiOs 系の固溶体を
主成分とする、PZT と略称されるセラミックス、
ロッシェル塩などの微粉末を挙げることができる。これ
らの微粒子の粒径は、加工性及び最終製品における圧電
性の点から通常0.2〜100 ミクロンであるが、%
にこれに限定されるものではない。
電体微粒子の例としては、圧電セラミックスとして知ら
れているPbZr0s−PbTiOs 系の固溶体を
主成分とする、PZT と略称されるセラミックス、
ロッシェル塩などの微粉末を挙げることができる。これ
らの微粒子の粒径は、加工性及び最終製品における圧電
性の点から通常0.2〜100 ミクロンであるが、%
にこれに限定されるものではない。
斯かる強誘電体微粒子の表面を被覆するプラズマ重合膜
を形成するためのプラズマ重合用七ツマ−としては、例
えばメタン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン
、ベンゼン、スチレン、ナフタレン等の炭化水素類、ア
ニリン、アクリロニトリル、ピリジン等の窒素を含む有
機化合物、テトラフルオロエチレン、ジフルオロエチレ
ン等のハロゲンを含む有機化合物、テトラメチルスズ。
を形成するためのプラズマ重合用七ツマ−としては、例
えばメタン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン
、ベンゼン、スチレン、ナフタレン等の炭化水素類、ア
ニリン、アクリロニトリル、ピリジン等の窒素を含む有
機化合物、テトラフルオロエチレン、ジフルオロエチレ
ン等のハロゲンを含む有機化合物、テトラメチルスズ。
シラン、テトラメチルシラン等の有機金属化合物等のグ
ツズi重合可能な七ノi−の何れをも用いることができ
る。
ツズi重合可能な七ノi−の何れをも用いることができ
る。
プラズマ重合膜を形成するためには、通常10ミリトー
ル〜lトールの圧力となるようプラズマ重合用反応容器
内にプラズマ重合用モノマーガスを送抄、ラジオ波、オ
ーディオ帯域波、マイクロ波等の交流電圧を九は直流電
圧を励起用電力としてプラズマを発生せしめ、この反応
容器内に予め収容せしめ九強誘電体微粒子を攪拌しなが
ら仁れにプラズマを作用せしめればよい。
ル〜lトールの圧力となるようプラズマ重合用反応容器
内にプラズマ重合用モノマーガスを送抄、ラジオ波、オ
ーディオ帯域波、マイクロ波等の交流電圧を九は直流電
圧を励起用電力としてプラズマを発生せしめ、この反応
容器内に予め収容せしめ九強誘電体微粒子を攪拌しなが
ら仁れにプラズマを作用せしめればよい。
第1図にプラズマ重合用反応容器の一例を示す。
この例においては、モノマーガス導入口1及び真空排気
口2を有するペルジャー3内において、ガラス製円筒4
の両端開口がガス流通用貫通孔ムを有する金属板5,5
によって塞がれた構成の回転容器6が、前記金属板5
,5 及び円筒4の中心を貫通して凰びる絶縁材製の支
軸7及びこれを支承する支枠8,8によって、水平な軸
の周りに回転自在に支持されており、前記支軸7はペル
ジャー3外に設けたモータ9によす暴動される駆動軸1
0を介して回転暴動され、また前記金属板5,5の外面
に4、プラズマ励起電1111に接続された接触プシン
12 、12 がそれぞれ接触されている。
口2を有するペルジャー3内において、ガラス製円筒4
の両端開口がガス流通用貫通孔ムを有する金属板5,5
によって塞がれた構成の回転容器6が、前記金属板5
,5 及び円筒4の中心を貫通して凰びる絶縁材製の支
軸7及びこれを支承する支枠8,8によって、水平な軸
の周りに回転自在に支持されており、前記支軸7はペル
ジャー3外に設けたモータ9によす暴動される駆動軸1
0を介して回転暴動され、また前記金属板5,5の外面
に4、プラズマ励起電1111に接続された接触プシン
12 、12 がそれぞれ接触されている。
この反応容器においては、前記回転容器6内に強誘電体
微粒子が収容され、回転容器6を回転して強誘電体微粒
子を攪拌しながら、接触ブラシ12 、12を介して金
属板5,5にプラズマ励起電源11よりの電力を加える
ことにより、金属板5゜5を電極として回転容器6内に
プラズマを発生させることにより、モノマーガス導入口
lよりペルジャー3内に導入され更にガス流通用貫通孔
Aを介しテ回転容器6内に導入された七ツマーガスがプ
ラズマ重合して強誘電体微粒子の表面にプラズマ重合膜
が形成される。そしてこの場合においては、七ノi−ガ
スの導入量FiO,S〜数百cc(8TP)/分、励起
電力は5〜歇百ワツトが好ましい。
微粒子が収容され、回転容器6を回転して強誘電体微粒
子を攪拌しながら、接触ブラシ12 、12を介して金
属板5,5にプラズマ励起電源11よりの電力を加える
ことにより、金属板5゜5を電極として回転容器6内に
プラズマを発生させることにより、モノマーガス導入口
lよりペルジャー3内に導入され更にガス流通用貫通孔
Aを介しテ回転容器6内に導入された七ツマーガスがプ
ラズマ重合して強誘電体微粒子の表面にプラズマ重合膜
が形成される。そしてこの場合においては、七ノi−ガ
スの導入量FiO,S〜数百cc(8TP)/分、励起
電力は5〜歇百ワツトが好ましい。
1に2図は倫のプラズマ重合用反応容器の例を示し、こ
の例においては、容器本体21内に、振動源22に支持
された振動すンブル台2が設けられ、容器本体21の外
周に1例れ1JRF電源スに接続されたグツズ−V#起
用コイルbが41に回されている。そして強誘電体微粒
子社振動サンプル台り上に置かれ、振動11122によ
る振動によりて強誘電体微粒子の運動と共Kll拌が行
なわれ、容器本体21内に励 −起されたプラズマによ
って強誘電体微粒子の表面上に7’シズ!重合膜が形成
される。26Uモノマ一ガス導入口、nは真空排気口で
ある。
の例においては、容器本体21内に、振動源22に支持
された振動すンブル台2が設けられ、容器本体21の外
周に1例れ1JRF電源スに接続されたグツズ−V#起
用コイルbが41に回されている。そして強誘電体微粒
子社振動サンプル台り上に置かれ、振動11122によ
る振動によりて強誘電体微粒子の運動と共Kll拌が行
なわれ、容器本体21内に励 −起されたプラズマによ
って強誘電体微粒子の表面上に7’シズ!重合膜が形成
される。26Uモノマ一ガス導入口、nは真空排気口で
ある。
以上のように、グツズi重合用反応容器内においては、
強誘電体微粒子を攪拌することが重要であるが、気相に
面している各強誘電体微粒子表面が時間と共に変わるよ
う攪拌が行なわれさえすればどのような攪拌方法をとり
てもよい。
強誘電体微粒子を攪拌することが重要であるが、気相に
面している各強誘電体微粒子表面が時間と共に変わるよ
う攪拌が行なわれさえすればどのような攪拌方法をとり
てもよい。
このようにして強誘電体微粒子に形成されるプラズマ重
合膜の厚さは30〜1000 A が好ましい。
合膜の厚さは30〜1000 A が好ましい。
この厚さが3OA より小さいときは、後述する高分
子物質との接着性が低く、圧電性の向上が小さくなる。
子物質との接着性が低く、圧電性の向上が小さくなる。
また1000A以上とすると、プラズマ重合膜に亀裂が
入るようになり、強誘電体微粒子の表面のプラズマ重合
属が不均一のものとなるため、高分子物質に対する強誘
電体微粒子のなじみが低くなり、圧電性の向上が小さく
なる。
入るようになり、強誘電体微粒子の表面のプラズマ重合
属が不均一のものとなるため、高分子物質に対する強誘
電体微粒子のなじみが低くなり、圧電性の向上が小さく
なる。
以上のようにして得られるプラズマ重合属により被覆さ
れた被覆強誘電・体黴粒子は、高分子物質に混合分散せ
しめて分散物とする。ここに用いられる高分子物質扛、
一般に樹脂、ゴム等と呼ばれているもので、熱可臘性の
ものでも或い紘熱硬化性のものでもどちらでもよい。具
体例としてはポリ 1□7ツ化ビニリデン、フッ
化ビニリデン−三フッ化エチレン共重合体、ポリフッ化
ビニル、?(ロン、ポリオレフィンビニールアルコール
、ウレタン樹脂、アクリロニトリル−ブタジェン共重合
体、フッ素ゴム、ウレタンゴム、ポリアクリロニトリル
、ポリオキシエチレン、アセタールam、エビクロルヒ
ドリ/ゴム、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂などを
挙けることができ、これらの高分子物質紘単独または組
み合せて用いられるが、好ましいものは、アクリロニト
リル−ブタジェン共重合体、ポリフッ化ビニリデンとア
クリロニトリル−ブタジェン共重合体との混合物である
。
れた被覆強誘電・体黴粒子は、高分子物質に混合分散せ
しめて分散物とする。ここに用いられる高分子物質扛、
一般に樹脂、ゴム等と呼ばれているもので、熱可臘性の
ものでも或い紘熱硬化性のものでもどちらでもよい。具
体例としてはポリ 1□7ツ化ビニリデン、フッ
化ビニリデン−三フッ化エチレン共重合体、ポリフッ化
ビニル、?(ロン、ポリオレフィンビニールアルコール
、ウレタン樹脂、アクリロニトリル−ブタジェン共重合
体、フッ素ゴム、ウレタンゴム、ポリアクリロニトリル
、ポリオキシエチレン、アセタールam、エビクロルヒ
ドリ/ゴム、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂などを
挙けることができ、これらの高分子物質紘単独または組
み合せて用いられるが、好ましいものは、アクリロニト
リル−ブタジェン共重合体、ポリフッ化ビニリデンとア
クリロニトリル−ブタジェン共重合体との混合物である
。
上記の高分子物質による分散物における、被覆強誘電体
微粒子の割合は、30〜90容量−であり、IIK 4
0〜80容量−であることが好ましい。
微粒子の割合は、30〜90容量−であり、IIK 4
0〜80容量−であることが好ましい。
この割合が3011量−未満では圧電効果が充分でなく
、90容量−を越えると成形加工が困難であると同時に
成形物の力学的物性が低下するようになる場合が多い。
、90容量−を越えると成形加工が困難であると同時に
成形物の力学的物性が低下するようになる場合が多い。
大きな圧電性を示す圧電材料を得る九めKFi、プラズ
マ重合属の原料であるモノマーと高分子物質の綴合せを
考慮することが必要であり、例えば、高分子物質として
ポリフッ化ビニリデン系ポリマー及びアクリロニトリル
−ブタジェン共重合体を用いる場合には、プラズマ重合
膜の原料としてはメタン、エタン、ジフルオロエチレン
、テトラフルオロエチレンで1り9、これらのうちメタ
ン、ジフルオロエチレンが特に好ましい。
マ重合属の原料であるモノマーと高分子物質の綴合せを
考慮することが必要であり、例えば、高分子物質として
ポリフッ化ビニリデン系ポリマー及びアクリロニトリル
−ブタジェン共重合体を用いる場合には、プラズマ重合
膜の原料としてはメタン、エタン、ジフルオロエチレン
、テトラフルオロエチレンで1り9、これらのうちメタ
ン、ジフルオロエチレンが特に好ましい。
なお高分子物質と被覆強誘電体微粒子との分散物に蝶、
更に樹脂またはゴムに添加される加硫剤、加硫促進剤、
老化防止剤、軟化剤、顔料、光安定剤などを配合しても
よい。
更に樹脂またはゴムに添加される加硫剤、加硫促進剤、
老化防止剤、軟化剤、顔料、光安定剤などを配合しても
よい。
高分子物質と被覆強誘電体微粒子との混合方法としては
溶融法、溶解法、ラテックス状態で混合する方法等があ
り、好ましくは溶融法、溶解法である。ここに溶融法と
は高分子物質と被覆強誘電体微粒子とを当該高分子物質
の軟化点以上の温度で、ニーダ−、ロール、まえはバン
バリー等で温練りする方法であって、その後、例えば押
出機。
溶融法、溶解法、ラテックス状態で混合する方法等があ
り、好ましくは溶融法、溶解法である。ここに溶融法と
は高分子物質と被覆強誘電体微粒子とを当該高分子物質
の軟化点以上の温度で、ニーダ−、ロール、まえはバン
バリー等で温練りする方法であって、その後、例えば押
出機。
プレス機などの成形機によって所定のサイズのフィルム
に成形する。溶解法とは極性基をもつ#l5Kji轟な
温度のもとに高分子物質を溶解させた状鳳で被覆強誘電
体微粒子を攪拌機により充分混合する方法であって、そ
の後所定の厚さのフィルムを作る丸めキャスティングす
る。
に成形する。溶解法とは極性基をもつ#l5Kji轟な
温度のもとに高分子物質を溶解させた状鳳で被覆強誘電
体微粒子を攪拌機により充分混合する方法であって、そ
の後所定の厚さのフィルムを作る丸めキャスティングす
る。
以上のようにして、例えばフィルム状に成形し良材料が
得られるが、これらのフィルムに圧電性を付与するため
にエレクトレット化処理が行なわれる。例えば成形フィ
ルムの表裏両画に金属膜を密着させて電極を作り、恒温
槽中てこのフィルムを所定の温[1で加熱し、フィルム
の電極間に直流電界を一定時間印加し、その後電界を印
加したままの状態で冷却し、室温以下になりた時点で電
界を堆0除くととKよりフィルムをエレクトレット化す
る。エレクトレット化部11における最適温には、高分
子物質が結晶性のものである場合はその融点付近の温度
、非晶性のものである場合はそのガラス転移点以上の温
度が好ましいが、一般的には4G −120’Cが好ま
しい。
得られるが、これらのフィルムに圧電性を付与するため
にエレクトレット化処理が行なわれる。例えば成形フィ
ルムの表裏両画に金属膜を密着させて電極を作り、恒温
槽中てこのフィルムを所定の温[1で加熱し、フィルム
の電極間に直流電界を一定時間印加し、その後電界を印
加したままの状態で冷却し、室温以下になりた時点で電
界を堆0除くととKよりフィルムをエレクトレット化す
る。エレクトレット化部11における最適温には、高分
子物質が結晶性のものである場合はその融点付近の温度
、非晶性のものである場合はそのガラス転移点以上の温
度が好ましいが、一般的には4G −120’Cが好ま
しい。
なお、分散物を加硫して使用する場合は、120〜18
0°Cの温度で加硫し先後エレクトレット化してもよい
が、加硫と同時にエレクトレット化スル方が好ましい。
0°Cの温度で加硫し先後エレクトレット化してもよい
が、加硫と同時にエレクトレット化スル方が好ましい。
またフィルム両面Kl極を形成するためには、真空蒸着
、化学メッキ、金属塗膜、導電ペースト、金属箔、金属
板の接着などの種々の方法を利用することができる。エ
レクトレフト化における印加電圧は通常10〜100O
KV/、であり、印加時間には籍にm限はないが、30
分間以上が好ましい。
、化学メッキ、金属塗膜、導電ペースト、金属箔、金属
板の接着などの種々の方法を利用することができる。エ
レクトレフト化における印加電圧は通常10〜100O
KV/、であり、印加時間には籍にm限はないが、30
分間以上が好ましい。
本発明圧電材料は以上のようなものであるから、後述す
る実施例の説明からも明らかなようK、高い圧電率を有
すると共に、高分子体の分散物より成るため大きな可撓
性を有すると共に成形加工における自由度が大きく、ま
た分散されている強誘電体微粒子がプラズマ重合膜で被
覆されている丸め、高分子物質とのなじみがよいため耐
久性が大きくて長い使用寿命が得られる。
る実施例の説明からも明らかなようK、高い圧電率を有
すると共に、高分子体の分散物より成るため大きな可撓
性を有すると共に成形加工における自由度が大きく、ま
た分散されている強誘電体微粒子がプラズマ重合膜で被
覆されている丸め、高分子物質とのなじみがよいため耐
久性が大きくて長い使用寿命が得られる。
以下本発明の実施例について説明するが、これらによっ
て本発明が限定されるものではない。 −゛実施
例11・ 第1m1k示した構成のプラズマ重合反応容器を用い、
強誘電体微粒子である400メツシエバスのPZT黴粒
子粒子テック21」(東北金属社製)のlI画をメタン
のプラズマ重合INKより被覆して被覆強誘電体微粒子
を製造した。即ち、メタンガスをモノマーガスとしてI
Qcc (8TP)7分の割合で供給し、反応容器内の
圧力を50ミlj )−ルに維持した条件下で周波数2
0 KHz、電力80ワツトの高周波電源により約2時
間プラズマ重合を行ない、PZT黴粒子粒子面に約50
大のプラズマ重合膜を形成した。
て本発明が限定されるものではない。 −゛実施
例11・ 第1m1k示した構成のプラズマ重合反応容器を用い、
強誘電体微粒子である400メツシエバスのPZT黴粒
子粒子テック21」(東北金属社製)のlI画をメタン
のプラズマ重合INKより被覆して被覆強誘電体微粒子
を製造した。即ち、メタンガスをモノマーガスとしてI
Qcc (8TP)7分の割合で供給し、反応容器内の
圧力を50ミlj )−ルに維持した条件下で周波数2
0 KHz、電力80ワツトの高周波電源により約2時
間プラズマ重合を行ない、PZT黴粒子粒子面に約50
大のプラズマ重合膜を形成した。
斯くして得られた被覆微粒子と、ポリフッ化ビニリデン
「Kynar 820 J (Penwalt社製)と
を容量で60 : 4Gの割合で3インチロールにより
温度180°Cで温練りして均一分散物を得た。
「Kynar 820 J (Penwalt社製)と
を容量で60 : 4Gの割合で3インチロールにより
温度180°Cで温練りして均一分散物を得た。
次にこの分散物を加熱プレス機を用いて、温度200°
C1圧力150!/−で成形して厚さ100ミクロンの
フィルムを得、このフィルムの両面に金を蒸着して電極
とし、温度110°Cで150KV/3の直流電界を1
時間印加し、エレクトレット化して本発明圧電材料を%
丸。これを試料lとし、圧電調定装置(東洋精機社m>
を用いてその圧電率を摺電した。
C1圧力150!/−で成形して厚さ100ミクロンの
フィルムを得、このフィルムの両面に金を蒸着して電極
とし、温度110°Cで150KV/3の直流電界を1
時間印加し、エレクトレット化して本発明圧電材料を%
丸。これを試料lとし、圧電調定装置(東洋精機社m>
を用いてその圧電率を摺電した。
比較例1
PZT微粒子にプラズマ重合膜を形成せずにそのまま用
いた他は実施例1と同様にして比較用圧電材料を得た。
いた他は実施例1と同様にして比較用圧電材料を得た。
これを比較試料1とし、その圧電率を同様にして観定し
た。
た。
以上の試料l及び比較試料1の圧電率はIF5表に示す
通りである。
通りである。
第 1 !!
実施f4A2〜5
実施例1におけるメタンガスの流量トプラズマ重合処理
時間を変化させてプラズマ重合膜の厚さの真なる被覆強
誘電体微粒子を製造し、その各々を用いて実施例1と同
様にして合計4種の本発明圧電材料を製造した。これら
を試料2〜試料5として、それらの圧電率を同様にして
求めた。結果U第2表に示す通りである。
時間を変化させてプラズマ重合膜の厚さの真なる被覆強
誘電体微粒子を製造し、その各々を用いて実施例1と同
様にして合計4種の本発明圧電材料を製造した。これら
を試料2〜試料5として、それらの圧電率を同様にして
求めた。結果U第2表に示す通りである。
jI2表
実施例6〜9
実施例IKおけると同様の被覆強誘電体微粒子とポリフ
ッ化ビニリデンの容量比を変化させて分散物を作製し九
倫は実施例1と同様にして合計4種の本発明圧電材料を
製造した。これらを試料6〜試料9としてそれらの圧電
率を同様にして求め友。
ッ化ビニリデンの容量比を変化させて分散物を作製し九
倫は実施例1と同様にして合計4種の本発明圧電材料を
製造した。これらを試料6〜試料9としてそれらの圧電
率を同様にして求め友。
比較f12
実施fllKおけると同様の被覆強誘電体微粒子tその
全体に対する割合が10容量チとなるようポリフッ化ビ
ニリゾ/に分散させて分散物を作製した他は実施例1と
同様にして比較用圧電材料を得た。これを比較試料2と
してその圧電率を同様にして求めた。
全体に対する割合が10容量チとなるようポリフッ化ビ
ニリゾ/に分散させて分散物を作製した他は実施例1と
同様にして比較用圧電材料を得た。これを比較試料2と
してその圧電率を同様にして求めた。
比較例3
高分子物質を用いずに被覆強誘電体微粒子のみを成形し
た他は実施例1と同様にして比較用圧電材料を得た。こ
れを比較試料3とし、その圧電率を同様にして求めた。
た他は実施例1と同様にして比較用圧電材料を得た。こ
れを比較試料3とし、その圧電率を同様にして求めた。
以上の試料6〜試料9及び比較試料2及び比較試料3の
圧電率は743表に示す通りである。
圧電率は743表に示す通りである。
第 3 表
実施例10
第211に示し九構成のプラズマ重合反応容器を用い、
強誘電体微粒子である400メツシーバスのPZT@粒
子「ネテック21」(東北金属社製)の***をジフル
オロエチレンのプラズマ重合属により被覆して被覆強誘
電体微粒子を製造した。即ち、ジフルオロエチレンガス
を七ツマーガスとして3o cc(87P)7分の割合
で供給し、反応容器内の圧力を20ミリトールKJII
持した条件下で、電力40ワツトのRIPIE源により
約20分間プラズマ重合ヲ行ナイ、P Z T 1k1
2 子tvllIiK 約100Aのプラズマ重合属を
形成し九。
強誘電体微粒子である400メツシーバスのPZT@粒
子「ネテック21」(東北金属社製)の***をジフル
オロエチレンのプラズマ重合属により被覆して被覆強誘
電体微粒子を製造した。即ち、ジフルオロエチレンガス
を七ツマーガスとして3o cc(87P)7分の割合
で供給し、反応容器内の圧力を20ミリトールKJII
持した条件下で、電力40ワツトのRIPIE源により
約20分間プラズマ重合ヲ行ナイ、P Z T 1k1
2 子tvllIiK 約100Aのプラズマ重合属を
形成し九。
斯くして得られ九被覆黴粒子と、ポリフッ化ビニリデン
[Kyaa+r 820 J (PenwaJt社襄)
とを容量で60 : 40の一合で3インチロールによ
り温度180’Cで混錬つして均一分散物を得た。
[Kyaa+r 820 J (PenwaJt社襄)
とを容量で60 : 40の一合で3インチロールによ
り温度180’Cで混錬つして均一分散物を得た。
次にこの分散物を加熱プレス機を用いて温度200”C
1圧力tso4/jf威形LfJlす100 ミルロ
ンのフィルムを得、このフィルムの両面に金を蒸着して
電4にとL、亀K tto’c テ150 KV/at
(D直流電界を1時間印加し、工Vクトレフト化し
て本発明圧電材料を得た。これを試料10とし、圧電測
定装置(東洋精機社製)を用いてその圧電率を測定した
。結果は第4表に示す通りである。
1圧力tso4/jf威形LfJlす100 ミルロ
ンのフィルムを得、このフィルムの両面に金を蒸着して
電4にとL、亀K tto’c テ150 KV/at
(D直流電界を1時間印加し、工Vクトレフト化し
て本発明圧電材料を得た。これを試料10とし、圧電測
定装置(東洋精機社製)を用いてその圧電率を測定した
。結果は第4表に示す通りである。
第 4 表
第1図及び第2図はそれぞれ本発明圧電材料の製造に用
いられる被覆強誘電体微粒子を得るためのプラズマ重合
反応容器の偽を示す説明用断面図及び部分破断図である
。 1・・・七ツマーガス導入口 2・・・真空排気口 3・・ペルジャー4・・・ガ
ラス製円筒 A・・・ガス流通用貫通孔5.5・・・
金属板 6・・・同転容器7・・・支軸
8,8・・・支持枠9・・・モータ 10・
・・駆動軸11・−・プラズマ励起電源 12 、12・・・接触ブラシ 21・・・容器本体 22・・・振動源23・・・振
動サンプル台 24・・・RF電源 25・・・プラズマ励起用コイル 26・・・モノマーガス導入口 27・・−真空排気口 ′、・
いられる被覆強誘電体微粒子を得るためのプラズマ重合
反応容器の偽を示す説明用断面図及び部分破断図である
。 1・・・七ツマーガス導入口 2・・・真空排気口 3・・ペルジャー4・・・ガ
ラス製円筒 A・・・ガス流通用貫通孔5.5・・・
金属板 6・・・同転容器7・・・支軸
8,8・・・支持枠9・・・モータ 10・
・・駆動軸11・−・プラズマ励起電源 12 、12・・・接触ブラシ 21・・・容器本体 22・・・振動源23・・・振
動サンプル台 24・・・RF電源 25・・・プラズマ励起用コイル 26・・・モノマーガス導入口 27・・−真空排気口 ′、・
Claims (1)
- υ その表面をプラズマ重合膜により被覆した強誘電体
微粒子をその全体に対する割合が30−90容量嘩とな
るよう高分子物質中に分散せしめた分散物をエレクトレ
ット化して成ることを特徴とする圧電材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57017578A JPS58135687A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 圧電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57017578A JPS58135687A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 圧電材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58135687A true JPS58135687A (ja) | 1983-08-12 |
Family
ID=11947787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57017578A Pending JPS58135687A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 圧電材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58135687A (ja) |
-
1982
- 1982-02-08 JP JP57017578A patent/JPS58135687A/ja active Pending
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