JPS58131755A - 半導体素子の冷却装置 - Google Patents

半導体素子の冷却装置

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JPS58131755A
JPS58131755A JP1311182A JP1311182A JPS58131755A JP S58131755 A JPS58131755 A JP S58131755A JP 1311182 A JP1311182 A JP 1311182A JP 1311182 A JP1311182 A JP 1311182A JP S58131755 A JPS58131755 A JP S58131755A
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渡部 攻
Takashi Tanaka
尚 田中
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Showa Aluminum Corp
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    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28DHEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D15/00Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
    • F28D15/02Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
    • F28D15/0266Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes with separate evaporating and condensing chambers connected by at least one conduit; Loop-type heat pipes; with multiple or common evaporating or condensing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、被冷却体飼えば半導体素子の冷却装置に係
シ、特に冷却装置内に充填され九冷媒の気液間相変化を
利用した沸騰式O冷却装置の改瓜に関する。
〔発明の技術的背景〕
従来半導体素子の冷却装置の一方として第1図、第2図
に示す沸騰式の冷却装置がある。これは蒸発部本体りと
、この上部に位置する液溜9部lと、凝縮部互と、ヘッ
ダーfより構成されている。
前記蒸発部1は次のように構成されている。
すなわち、有底筒状の蒸発部1111Fの外部に被冷却
体飼えば半導体素子5が取付は可能で、蒸発部immy
の内部空間に半導体素子5の奸谷温度上限以下に沸騰す
る液体冷媒6が充填されている。
蒸発部ts*rの上端に、開口部8at7p4°する液
溜り仕切板8を含む液渡り部lを介して凝縮部3が形成
されている・ この凝縮部lは液種ヤ部!と前記へツダーヱとの間を遅
過する複数本OJi縮管路9が連通?れ、この各凝縮管
路−の外周面には多数の放熱フィン10が設けられてい
る。
このような構成のもOにおいて、半導体素子5に負荷が
かかると、半導体素子5からの発生熱が蒸発部四壁rを
介し、蒸発部本体10内部空間に伝り、冷媒6が沸騰し
、冷媒Cの一部が気化、#発し、液溜り部!の仕切り板
8の開口部8&を通シ上部に位置する凝縮部!の凝縮管
路9を実線矢印11のごとく上昇して行く。凝1111
13まで上昇し九気化冷媒は、凝縮部10放熱フィン1
0部を通過する冷却空気により冷やされ凝縮、液化し前
記凝硼管路9を、破線矢印12のごとく下降し、仕切り
板1の開口部8&よシ蒸発部りの蒸発部醐嶺1の空間に
充填にされている冷媒6tで戻ってくる。
〔背景技術の間一点〕
以上述べた冷媒6の気液関相叢化を利用したS騰式の従
来の冷却装置において、気化・蒸発し九気体冷媒の上昇
通路(実線矢印110ある方の凝kj管路9)と凝縮・
液化し九液体冷媒の下降通路(破線矢印12のある方の
凝縮管諮り)が明確に区分されておらず、同−通路内に
気液各冷媒が混在していた。
この丸め、凝縮した液体冷媒−が下降のA中で、蒸発し
た高温の気体冷媒と直Wl!接触して液体冷媒Cが所定
の個所に戻る前に高温気体の影響を受け、#!度気化・
蒸発する為、半導体素子5からの熱損失を充分放熱する
ことができなかった。
〔発明の目的〕
よって、この発明では、従来の冷却装置が有する上述の
間―点を解決できる高性能な冷却装置を提供することを
目的とする。
〔発明の概豐〕
この発明は上記目的を達成するため、冷媒気液各相の通
路を分離させた冷却装置である。
〔発明の実aii例〕
以下、この発明の実施NKついて図面を#照して説明す
る。WJ3図は仁の発明による冷却装置の嬉lの実m鉤
の一部を断面し九正面図、第4因は第1の実jl的の詞
面図である。以下これについて説明するが、第1図並び
に第2図に示した従来のものと同一部分には同一符号を
付しその説明を省略し、異なる点のみ説明する。すなわ
ち、/f4底筒状の蒸発部側壁7内に、片面に複数の一
縦スリッ)JJaとリブIJbを有する2枚の伝熱板I
4を、スリットZJaとリブ13bとを有する面を対向
配置させ、第3図のV−v線に沿って切断し矢印の方向
に見た図える第5図の如くプレージングシート15を介
し前記2枚の伝熱板14を一体ろう付けし、縦の冷媒通
路を有する蒸発部本体Lt−形成する。
父、蒸発部本体りの上部に仕切り板8を有する液溜りS
!を設は前記仕切り板IK開口部8龜並びに前記仕切り
板8の開口部8&の周縁に鷹I6を設ける。また、仕切
り板1の端部には、前記蒸発部本体Jの冷媒液溜シ個所
まで通じるように、パイプ11を設けて、冷媒の液戻リ
パイプとし、前記液溜り部2の上Kll平チェーブ形の
凝縮管路9とフィン11と両端面KIi板18とを配し
、凝縮部lを構成している;さらにこの凝41SZの上
部にヘッダー!を配し、前記蒸発部本体LollIE部
Xtt、蒸発部本体L%箪溜り部2、凝縮部3とヘッダ
ー4とを順次積み起 重ねた上、ろうづけ又は溶接によシ一体に縮合して冷却
装置を構成している。
尚、上記へラダー!上部に取付けられたノズル10よシ
冷却装置内部空間を真空びきした後、ノズル717部よ
シ冷媒を注入し、ピンチして冷媒の刺入を行なう。
このように構成されたこの発明の冷却装置の第1の夾j
lIガにおいて、蒸発部本体Jの蒸発部側111に設け
られた被冷却体例えば半導体素子の取付は川口1fls
JZに半導体素子を圧接触させ通電すると、半導体素子
よシの熱損失によシ蒸発部本体り内の冷媒がS繍し気化
・蒸発し半導体素子を冷却する。この気体冷媒扛液溜ヤ
部2の仕切ヤ板1に設けられ九開口部asLを実騙矢印
11のように通過し凝縮部3(D@細管路9に導入され
フィン10@より冷却空気中に気体冷媒中の熱エネルギ
ーを放出し、気体冷媒が冷やされ凝縮液化する。
この場合液化した液体冷媒は、凝縮管路9を破線矢印1
2のように下降し、液溜プ部2に溜シ、さらに、液溜り
部2の仕切り板8上に設けられ九液戻り用パイプ17を
介して、蒸発部本体lの冷媒液溜り個所まで戻る。
尚、蒸発部本体10内側底部付近には縦スリツ)Jja
並びにリブ13bに直交するように横m2zが設けられ
ており、縦方向に区wIされた複数の冷媒通路を連通さ
せている為、液体冷媒が均一に分布している。
以上述べ九この発明による冷却装置の場合気体冷媒通路
と液体冷媒通路を倒alK区分することによシ、液体冷
媒が蒸発部本体に戻る事を、高風速1−!す気体冷媒の
上昇気流が阻害する作用をやわらげることができる。ま
九通路の狭くなっている仕切り1lljの開口N61を
気体冷媒の上昇通路専用として用いることによシ上昇気
流の開口部#a通過風速を減少させると共に開口部8a
Vc設は丸堰16が、上昇気流方向を安定させるための
ガイドとしてはたらく為、冷却装置内の気体冷媒の上昇
も円滑に進む。無論、仕切)板8の堰X6は、凝縮した
液体冷媒が液1lIiIυ部lに充分な液位壇で溜る働
きをなすもので、開05111aよシの液体冷媒落下を
阻止すると共に、液戻ヤ用パイプ11部よ少の液体冷媒
の還元を促進できる。
次にこの発明の第2の実j1iPIlについて第7図を
参照して説明する。前述の第1の!#!施列と異なる点
は以下の点である。すなわち第1の実施列におりてプレ
ージングシート15を介し、2枚の伝熱板14を一体く
ろう付し、縦の冷媒通路を有する蒸発部本体りを形成す
る。その際蒸発部本体りの伝熱板14の内表面には、真
空フレージング法によシ、多孔質な金I/II4表面層
16を形成させている。以上の点板外は第1の実施ガと
全く同一であるので、ここで■その説明を省略する。
このように構成されたこの発明の第2の!th!−施鉤
は前述の第1の爽施飼とほぼ同様に作用するが、伝熱板
14に内表面には多孔質な金属表面層を形成したので、
以下のような結果が帰られる。
すなわち、前述し九この発明の冷却装置の第1の実施列
において各部の熱抵抗を個別K11ll定分析した結果
から考察すると、蒸発部本体0熱抵抗が極めて大きく、
装置全体の熱抵抗を小名くするには、蒸発部熱抵抗を小
さくすることが最も効果的手段であることがわかり九。
それ故この@明の第20実JIIF1では、蒸発部本体
りの伝熱板14の内表面に多孔質な金属表面41gをあ
らかじめ形成しであるので、伝熱板14の内表面積が第
1の実j1飼よシ増大し、半導体素子の損失熱が、加熱
された伝熱板14よ奴蒸発部本体り内の冷媒までより円
滑に伝熱され、又冷媒の沸騰が促進される。
次にこの発t14o第80夷麿飼について第9図および
第1O図を参照して説明する。この実施的は第1の実I
s鉤とは異なる点は、第9因に示すように冷却空気出側
方向(矢印BN)に仕切板8の開口部8龜をずらして形
成し、冷却空気入四方向(矢印C11)に液体冷媒用通
路える液戻り用パイプ11を設けた点である。これ以外
は第1の実施的とは同一であるのでここではその説明は
省略する。
このように構成されたこの発明の第3の実施列では以下
のような作用効果が帰られる。
一般にこの発明の対象である冷却装置内の冷媒各部の温
度分布・気流状態を測定・分析してみると凝縮部lの凝
縮管路9中の冷媒温度は均一ではなく、凝縮部lのフィ
ンXO部への冷却空気入側方向Cの冷媒温度の方が冷却
空気出前方向Bの冷媒温度よシ低くなっている。これは
凝縮部lのフィン10部を通過する冷却温度がフィン部
入側よシ出飼にかけて、熱交洪作用によシ願次上昇する
につれツイン1o部に於ケる熱交換効率は入側より出f
/4の方が劣ってくる為である。即ち、凝縮管路p中の
冷媒は冷却空気大関方向Cに行く橿凝縮が促進され液体
冷媒状態にあp1冷却空″気側では凝縮が不光分で気体
冷媒状態ないしは気流混合状態を呈している。
このため、この発明の第3の実Sガでは上述の冷媒状態
を利用し、冷却空気出側に気体冷媒用通路九る仕切9板
開口部8bを設け、又、冷却空気出側に液体冷媒用通路
たる液戻シ用のパイプJFを設けであるので、冷却装置
内を冷媒が円滑に1還する。この点板外は前述の実5I
IP1と同様の幼果が優られる。
次にこの発明の第4の実la−について第12図および
第13図を参照してW5L明する。この第4の実a例は
第1の実施的と異なる点は以下の点である。すなわち、
蒸発部本体りの上部に仕切り板8’t4jfする原電り
部2を設け、この仕切p&8の冷却空気山開方向BK箒
1の開口部8bt−設けると共に、仕切9板8の第1の
開口s8bと対向する低位置即ち冷却空気入間方向Cに
は第2の開0部8ct−設けである。また液溜り部!の
上に偏平チューブ形の凝縮管路IとフィンIOと両貴面
に壁板I8とを配し凝縮部りとなし、さらに鎮#縮部ジ
の上部にヘッダーft配し、flJk2M発部本体JI
Dm部I 7% IA発部本体Z、を層9部!、#線部
lとヘッダー!とを順次積み重ねた上ろうづけ又は溶接
によシ一体に結合しである。
尚、前記ヘッダー!上部に堆付けられたノズル18よシ
冷却装置内部空間を真空びきした後、ノズル部よシ冷媒
を注入しピンチして冷媒の対人を行ない半導体菓子の冷
却装置とするが前記液溜り部lの仕切シ板8は液体冷媒
の還元を促進させるべく傾斜させである。
以上の点板外はこの発明の第1の実施的と同一であるの
で、ここではその説明を省略する。
このように構成されたこの発明による第4の実施的の作
用効果について説明する。蒸発部本体りの蒸発部側壁r
に設けられた半導体素子の支持取付は用口部z1半導体
素子を圧接触させ通電すると、半導体素子よりの熱損失
によシ蒸発部本体り内の冷媒が沸騰し気化・蒸発し半導
体素子が冷却される。この気体冷媒は液溜り部2つの仕
切り板8に設けられた第10開口部8b、凝縮部lの凝
縮管路#に4人されフィン10部より冷却空気中に気体
冷媒中の島二ネルギーを放出し、気体冷媒が冷やされ凝
縮液化する。
仁の場合額化した液体冷媒は凝縮管路りを砿1m 矢印
J j のコト(下降11し、液1mllpmzに11
111り、さらに、液1w9部2の仕切)板1上に設け
られた准J!ll!抄用の第1の開口部ICを介してI
A発線部本体1冷媒液溜り個所まで戻る。
このように第40実m例では通路の狭くなっている仕切
り板8の第1の開口部#bを気体冷媒上昇通路専用とし
ていることによL?却装置内の気体冷媒の上昇が円滑に
進む。又、IIl#ID部2の仕切り4N−が傾斜して
おシ第2の開口部8Cが下方にある為、#i縮した液体
冷媒が蒸発部に帰還するのを促進させることくなる。
ここで、この発明の対象となる冷却装置内O冷媒各部の
温度分布・気流状態を測定・分析してみると凝縮部互の
凝縮管路p中の冷媒温度は均一ではなく、凝縮部互のフ
ィン1111!lSへの冷却空気入側方向Cの冷媒温度
の方が冷却空気出側方向Bの冷媒温度よシ低くなってい
る。これ紘凝縮部互のフィン101!IIsを通過する
冷却空気iN度がフィン10部入側よp出側にかけて、
熱変換作用によシ願次上昇するKつれ、74710部に
於ける熱交換効率は入側よシ出四の方が劣ってくる為で
ある。即ち、凝縮管路を中の冷媒鉱冷却空気入Ill@
凝縮が促a@れ、液体冷媒状態にあシ、冷却空気出側方
向Bでは凝縮が不充分で気体冷媒状態ないしは気液混合
状層を呈している。ところが仁の発明の第4の実jl[
iNでは上述の冷媒状態を利し、冷却空気出側に気体冷
媒用通路九る第1の開口部8bを設け、又冷却空気入側
方向C’に液体冷媒用通路える猷戻り用の第2の開口部
8ct設け、しかも、第2の開011iJicを第1の
開口部8bよシ、低位に配することによp1冷却俟置内
を冷媒が円滑に循還する。以上の点板外はこの発明の#
!1の実施岡とti4*な作用効果が帰られる。
なお、この説明i前述した実jllifllに限定され
ず鈎えば次のように変形して実施できる。
(凰)前述の第1〜第4011庸丙に示したグレージン
グシートlIlを、それぞれ第6図、第8図、第11図
、第14図のように構成してもよい。
(l同’!実施ガに示し九冷媒液戻り用パイプ11は単
数にかぎらず複数でもよい。
(御同各実施利に示した凝縮部のフィンはプレートフィ
ン等いかなるフィン形状でもよい。
(4)同各夾m列に示した脱気並びに冷媒注入ノズルは
へラダー位置に限らずいかなる位置に配してもよく、又
へラダーが不要の場合ヘッダーをとりのぞいてもよい。
口)第1、第2および第3の実JiII的に示した液溜
り部仕切り板8の開口部8 a OII造は壜16を設
ける構造に限らず、開口部8aを高くし液戻りパイプ1
1部を低くなさしめるようテーパー形状をとる等、気液
分離が促進しうる構造としてもよい。
161 M 2の実JII列では蒸発部本体りの伝熱板
14の内表面のみを多孔質な金属表面層を形成し九が、
これに限らず、凝縮部lの凝縮管路を側にも多孔質な金
属六面−を形成させJIK嘲液膜をうす(してもよく、
このようにすることによシ全体の冷却効率が向上する。
(1)第3、第4の実jl鉤の冷却装置内の蒸発部本体
色の伝熱板14の内表面あるいは凝嘲部lの凝縮管路#
鍔内表面に第2の実II&卸と同僚に多孔質な金属表面
積を形成してもよく、このようにするととによp1冷媒
の沸騰、凝縮が促進1れる。その他この発明の要旨を変
史しない範囲で種々変形して実施できる。
〔発明の効果〕 以上述べ九この発明によれば、冷媒気液各相の通路を分
離したので、気体媒体並びに液体冷媒の流れが円滑かつ
促進され、内部の熱抵抗が低下し、冷却性能応答性が向
上し、これによ如冷却性能が大幅に向上し、全体の小形
軽量化にも嵜与し、さらには運転環境、信頼性および保
守性が向上する冷却装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来の半導体素子の冷却装置の一
部の一部を断面した正面図および醐断面図、第3図およ
び第4図はこの発明の冷却装置の第1の実Ila的の一
部を断面した正面図および側断面図、第5図は第3図の
■−v線に沿って切断し矢印方向にみた図、第6図はこ
の発明の第1の実施的の変形列を説明するための図、第
7図はこの発明の第2の実施的を説明する丸めのもので
第5図と同一方向にみ要因、第8図はこの発明の第2の
実aガの変形列を説明する丸めの図、第9因はこの発明
の第30実施飼の一部をlrr面した正面図、第10図
は第9図のX−X線に沿って切断し矢印方向にみた図、
第11図はこの発明の第3の実施例の変形ガを説明する
ための図、Ig 12図はこの発明の第40実施例の一
部を断面した正面図、第13図は第12図の■−1II
に沿って切断し矢印方向に見た図、第14図はこの発明
の第14の実Sガの変形列をi1!明するための図であ
る。 1・・・#角部本体、2・・・液1wり部、1−凝縮部
、!・・・ヘッダー、5・−半導体素子、6−冷媒、1
・・・蒸発部ill壁、#a−・開口部、I−仕切り板
、1b−・開口部、9・・・凝縮管路、10・・・フィ
ン、11・・・上昇方向、11−下降方向矢印、、JJ
a・・・スリット、181:)−リブ、14 ・・・伝
熱板、15−ブレージングシー)、J4f−・壜、17
・・・パイプ、1lj−41板、19−底部、j O−
・・ノズル、21・・・凹部、j2−・横溝。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦i 1 図 第2閂 第 3 こコ 第10口 侑 11r、1 ノ+       1’/ 第12図 第13図 1,1 笛14図 手続補正書働刻 p、5741−.6−yr−T’a 特許庁長官  島 1)春 樹  殿 1、事件の表示 特り#昭57−13111号 2、発明の名称 冷  却  装  置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (307)  東京芝浦電気株式会社 〒105   電話03 (502) 3181 (、
大代表)昭和57年5月25日 6、補IEの対象 7、補正の内容 (1)綿帯を別紙の通り補正する。 (2)代理権を証明する瞥面1通01紙゛の通1ノ補正
する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (t) II冷却体が取付けられる本体の内部空間に、
    蒸発部、凝縮部およびこの両者間に位置して液溜り部が
    形成され、前記内部空間に、前記被冷却体の許容温度上
    限以下にて沸騰する冷媒を、前記内部空間上部が残存す
    るよう充填させ、前記冷媒の気液関相に化を利用して前
    記被冷却体を冷却する冷却装置において、前配本体内の
    前記液溜り部と#i紀蒸発部との連通路が開口部を肩す
    る液溜り仕切り板で比切られ、前記蒸発部内に伝熱板に
    よシ本体底部の冷媒を前記液溜り部へ導くための複数の
    冷媒通路が形成され、前記液溜り仕切板に前記液溜り部
    と前記蒸発部域部との関に冷媒戻p用通WIが形成され
    九冷却装置。 1w&冷却体が取付けられる本体の内部空間に、蒸発部
    、−輪部およびこの両者間に位置してtab部が形成さ
    れ、前記内部空間に、前記被冷却体の許容温度上限以下
    にて沸騰する冷媒を、前記内部空間上部が残存するよう
    充填δせ、前記冷媒の気液間4@変化を利用して前記被
    冷却体を冷却する冷却装置において、前記本体内の前記
    液溜り部と前記蒸発部との連通路が開口部を有する液溜
    り仕切り板で仕切られ、前記蒸発部内に伝熱板によシ本
    体底部の冷媒を前記液溜り部へ導くための複数の冷媒通
    路が形成され、前記液溜少壮切板に前記液溜9部と前記
    蒸発部域部との間に冷媒戻り用通路が形成され、前記液
    溜り仕切り板の開口部が冷却空気出側方向に偏倚した位
    置に形成された冷却装置。 1被冷却体が取付けられる本体の内部空間くい蒸発部、
    i#i縮部およびこの両者間に位置してtlvb部が形
    成され、前記内部空間に、前記被冷却体の許?!温度上
    限以下にて沸騰する冷媒を、前記内部空間上部が残存す
    るよう充填させ、前記冷媒の気液間相変化を利用して前
    記被冷却体を冷却する冷却装置において、前記本体内の
    前記液溜り部と前記蒸発部との連通路がα数の開口部を
    Mする液fIIIIり仕切り板で仕切られ、前記開口部
    のうち冷却空気出側方向に位置する気化冷媒上昇用開口
    部は、冷却空気人間方向に位置する冷媒戻り用開口部よ
    り前記凝11i1部調よりに形成され、前記蒸発部内に
    伝熱板によシ前記本体底部O冷媒を前記液溜り部へ導く
    ための複数の冷媒通路が形成された冷却装置。 (4)蒸発部と凝縮部の少なくともいずれか一方の冷媒
    と接する面が多孔質材料で形成され九特許請求の範囲第
    1項、第2項、第3項のいずれか一つに記載の冷却装置
JP1311182A 1982-01-29 1982-01-29 半導体素子の冷却装置 Granted JPS58131755A (ja)

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