JPS58131751A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58131751A JPS58131751A JP57013970A JP1397082A JPS58131751A JP S58131751 A JPS58131751 A JP S58131751A JP 57013970 A JP57013970 A JP 57013970A JP 1397082 A JP1397082 A JP 1397082A JP S58131751 A JPS58131751 A JP S58131751A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この弁明は苧導体簑置Ｏ製愈方沫に−し、特にダイサー
を冷い九超メゾー牛椿体祭麿に好運する製造方法に間、
するものである。
を冷い九超メゾー牛椿体祭麿に好運する製造方法に間、
するものである。
一般に、トランジスタ中デイリスタ吟０＊＊俸藪１１１
１（以下ペレットと称す）は儒−が直角でＰＩ 伽り部
ｔｆｌＪｗ！ＪＦｃ１１１１ｊ４８４ｔｈイプレ−＋６
６．１１１面が傾ｆＩｈ向でこの傾斜面にシ璽１．命部
をｌ出車せえメｔｓＩとに大ｌｌ１１される。プレーを
脂は安定し−ｋｗ＃性が得られｈが、耐圧が低−丸め高
耐圧ＮＫは遥さず、高耐圧用ペレットは大都会がメナ麺
である・ζＯメナｌ［ＫＦ！正メゾ脂反び逆メｆａｌ１
０４０がある拳 １４１に１７１１ ）ランジス声Ｏｆメナ―ペレット
−をＩＩ／図に示すと１ｌｉｌａｔＯコレクタ餉域、…
は１漏Ｏペース領域ｂ 、ｍはペース髄域傭ＪＫＩ＃Ｉ
Ｉ不純物を遥訳拡散しえ工夷ツＩＩＩＩＩ城、−）はペ
レットに）のａ面に形成し九コレクタＣｔｓＳ層、１拐
及び−）はペレットに）Ｏ表面に形威しえ峡化＃ ４１
１を部分的に除去して形成したべ、−ス及び工叱ツタの
各１１層、（ａｌはペレットに）の、表＃Ｊ側からエツ
チングで形賦し九メナ購である拳この一メナ＠ １７
Ｋはフレク声七ベースの１夏筆合郵（−１が露出する拳
ζＯＬＥメゾ厘ベレット（−はｊ！ ／’イ１ス電圧を
印加すると１菖簡舎＠ （ＩＩに空乏層−がで自、ζＯ
窃乏層−Ｏ拡が）ｋよって耐圧が決まる・重九、！３Ｉ
乏層■Ｏ鉱が）は、フレフタ領域１１）及びベース領域
ζ幻Ｏ−此抵抗、特に高此抵抗ＩＩＩのプレフタ領域４
１）の比抵抗が大きい程大きくなる。しかし、コレクタ
鎖環（１）の比抵抗中厚さが一定であればＰＩ接合部ｉ
ｌｌの露出部とプレクタＩＩｉ域（１）のなす角度＃に
よって耐圧が決Ｉ’ｍれ、この角度＃が小さい程高耐圧
七なる。
１（以下ペレットと称す）は儒−が直角でＰＩ 伽り部
ｔｆｌＪｗ！ＪＦｃ１１１１ｊ４８４ｔｈイプレ−＋６
６．１１１面が傾ｆＩｈ向でこの傾斜面にシ璽１．命部
をｌ出車せえメｔｓＩとに大ｌｌ１１される。プレーを
脂は安定し−ｋｗ＃性が得られｈが、耐圧が低−丸め高
耐圧ＮＫは遥さず、高耐圧用ペレットは大都会がメナ麺
である・ζＯメナｌ［ＫＦ！正メゾ脂反び逆メｆａｌ１
０４０がある拳 １４１に１７１１ ）ランジス声Ｏｆメナ―ペレット
−をＩＩ／図に示すと１ｌｉｌａｔＯコレクタ餉域、…
は１漏Ｏペース領域ｂ 、ｍはペース髄域傭ＪＫＩ＃Ｉ
Ｉ不純物を遥訳拡散しえ工夷ツＩＩＩＩＩ城、−）はペ
レットに）のａ面に形成し九コレクタＣｔｓＳ層、１拐
及び−）はペレットに）Ｏ表面に形威しえ峡化＃ ４１
１を部分的に除去して形成したべ、−ス及び工叱ツタの
各１１層、（ａｌはペレットに）の、表＃Ｊ側からエツ
チングで形賦し九メナ購である拳この一メナ＠ １７
Ｋはフレク声七ベースの１夏筆合郵（−１が露出する拳
ζＯＬＥメゾ厘ベレット（−はｊ！ ／’イ１ス電圧を
印加すると１菖簡舎＠ （ＩＩに空乏層−がで自、ζＯ
窃乏層−Ｏ拡が）ｋよって耐圧が決まる・重九、！３Ｉ
乏層■Ｏ鉱が）は、フレフタ領域１１）及びベース領域
ζ幻Ｏ−此抵抗、特に高此抵抗ＩＩＩのプレフタ領域４
１）の比抵抗が大きい程大きくなる。しかし、コレクタ
鎖環（１）の比抵抗中厚さが一定であればＰＩ接合部ｉ
ｌｌの露出部とプレクタＩＩｉ域（１）のなす角度＃に
よって耐圧が決Ｉ’ｍれ、この角度＃が小さい程高耐圧
七なる。
そこでより高耐圧化を図るえめ、第コａ３に示す逆メナ
拗ペレット伽】がある・これはベレット（ｂ）０麦蟲１
ｉＩＩｔｈからメナ溝μム）賎をエツチングで形成り九
４ので、晶面側からのメゾ＃１ＨＩＫシＩ−合鄭ＩＩＩ
ｔ−＆出させている・このようｋするとＰＭ接合部（
１１の露出部とコレクタ鎖環口；のなす角度ａが鋭角（
０，１記正メゾ撤ベレツ） （ａ）の角度−が鈍角であ
るＯＫ対して大＄１ｉＫ小さくでき、その丸めベレット
側面での空乏層−・の絋が）が正メ？ｊｉｉｉＫ比べ広
くな夛、よｊ１高耐圧化がｌ１ＩＪ能となる。とζろが
ζ０逆メゾ製ベレツト（１１１）はメナ＃Ｉ四・震をエ
ツチングで形成し１層もペレット表墨から２回エツチン
グを行う九め、製造工ＩＩｉが多く且つ各ニーの線量が
−しい・この・ような遂メサ園ペレット伽）０１！愈上
の間厘点を解決するものとして、メゾ＃ｌＢをグイデー
で機械的に形成し九Ｉｌｊ図に示すような逆メサ漉ペレ
ットＣｈ）が開発され、最近多く製造されるようＫｌｋ
）九・りｔ、ｂペレット（＠）は次の臀餉で製造されて
いる・ 先ず、Ｉ［ダ図に示すようＫｌ教の４導体クエーハ（以
）’＊Ｋｔエーハと称す）ＩＩＩＫ共虐のコレクタとペ
ースと各ペレット毎０工電ツタ０各１１Ｉ域ｌｉｔ ｉ
！ｌ ｌｓｌ及び各１１１１１ ｈ＋１ｓｌｌａｌ ｔ
−ｆｆ３ｒｋ、ｆ ｂ ＊ ｔの場合％ｔニー八への裏
面全ｌｌ］Ｋ形成するコレクタ０１１１論層４４１は後
ニーでベレット（−を放熱板等に牛田付けするため午田
付き性の良好な金属層にすることがｔ６賛で６る・そこ
で、この電−７１１１４１は例えばＩｉ−ム１◆Ｏメツ
今層かＯｒ−夏ｉ−８鳳−ムＳ等Ｏ魚看層で形成してい
ゐ、尚、メッキ層はメッキ作業が＊ｍ＊上Ｓ汚染畜れ中
すいしｊ１１層１１１０間−もｉＩ！Ｉみえめ、Ｏｒ
−Ｉｔ −Ｉｎ −Ａｇの会勇蒸着層が現在主流を占め
ている・筐九、Ｏｒ−夏トＩ鳳−ムｇの積層構造とする
珈白は、 Ｏｒがタエーへ輌０＊ｇｍ材である１五と
合金化して付着し易く、菫１とム社牛田付き性が良好で
あ如ｓ １１ｍ１ｊ酊の酸化を防止して牛田付禽性０低
下を防止する。
拗ペレット伽】がある・これはベレット（ｂ）０麦蟲１
ｉＩＩｔｈからメナ溝μム）賎をエツチングで形成り九
４ので、晶面側からのメゾ＃１ＨＩＫシＩ−合鄭ＩＩＩ
ｔ−＆出させている・このようｋするとＰＭ接合部（
１１の露出部とコレクタ鎖環口；のなす角度ａが鋭角（
０，１記正メゾ撤ベレツ） （ａ）の角度−が鈍角であ
るＯＫ対して大＄１ｉＫ小さくでき、その丸めベレット
側面での空乏層−・の絋が）が正メ？ｊｉｉｉＫ比べ広
くな夛、よｊ１高耐圧化がｌ１ＩＪ能となる。とζろが
ζ０逆メゾ製ベレツト（１１１）はメナ＃Ｉ四・震をエ
ツチングで形成し１層もペレット表墨から２回エツチン
グを行う九め、製造工ＩＩｉが多く且つ各ニーの線量が
−しい・この・ような遂メサ園ペレット伽）０１！愈上
の間厘点を解決するものとして、メゾ＃ｌＢをグイデー
で機械的に形成し九Ｉｌｊ図に示すような逆メサ漉ペレ
ットＣｈ）が開発され、最近多く製造されるようＫｌｋ
）九・りｔ、ｂペレット（＠）は次の臀餉で製造されて
いる・ 先ず、Ｉ［ダ図に示すようＫｌ教の４導体クエーハ（以
）’＊Ｋｔエーハと称す）ＩＩＩＫ共虐のコレクタとペ
ースと各ペレット毎０工電ツタ０各１１Ｉ域ｌｉｔ ｉ
！ｌ ｌｓｌ及び各１１１１１ ｈ＋１ｓｌｌａｌ ｔ
−ｆｆ３ｒｋ、ｆ ｂ ＊ ｔの場合％ｔニー八への裏
面全ｌｌ］Ｋ形成するコレクタ０１１１論層４４１は後
ニーでベレット（−を放熱板等に牛田付けするため午田
付き性の良好な金属層にすることがｔ６賛で６る・そこ
で、この電−７１１１４１は例えばＩｉ−ム１◆Ｏメツ
今層かＯｒ−夏ｉ−８鳳−ムＳ等Ｏ魚看層で形成してい
ゐ、尚、メッキ層はメッキ作業が＊ｍ＊上Ｓ汚染畜れ中
すいしｊ１１層１１１０間−もｉＩ！Ｉみえめ、Ｏｒ
−Ｉｔ −Ｉｎ −Ａｇの会勇蒸着層が現在主流を占め
ている・筐九、Ｏｒ−夏トＩ鳳−ムｇの積層構造とする
珈白は、 Ｏｒがタエーへ輌０＊ｇｍ材である１五と
合金化して付着し易く、菫１とム社牛田付き性が良好で
あ如ｓ １１ｍ１ｊ酊の酸化を防止して牛田付禽性０低
下を防止する。
このようにクエーハ１を製造すると１次にこのクエーハ
Ｉの表裏ｒＩｉＯ上下を逆にして１１Ｊ図′に示すよう
に麦向くシー）０４を接着し、裏面０電極層（４）上に
ワックス０＠を全ＩｔｌＫ艙布する・このワックス−は
後述のエツチング時Ｋ１１ｌｉ層１４）のｌ’都を保醋
する目的で塗布されるｅｊｌｊして、ＩＩｚ図に示すよ
うにワックス−上からクエーハ゛−のメゾｔｌ／Ｊ形成
予定Ｓ分に切削釦がｖ字状のダイサー川でクエーハーの
途中までマ字状０メｔｍａηを切削していく。このとき
、ダイナ−ＨＫよる機械的衝撃でもってメサ＃Ｉｏηの
Ｉ！１面近傍のクエーハ■内にダメージ層■ができるｅ
このダメージＭ＃ａ〜はダイサー鵠によるメゾ溝−ηの
形成完了後にエツチングによって除＊され、同時にこの
エツチングでクエーハ舖は第２図に示すような各ベレッ
ト（・）毎に細分割される・このようにメゾ溝をグイデ
ーで機械ｔＩＩｊに形成し、最後にエツチングで仕上げ
る方法は、初めからエツチングで形成す為よ〉も作業が
簡単で工程数が少なくなるメリットを有する・とζろが
、上記従１ｓの方法には次Ｏような欠点が壱り九〇即ち
、仕上げのエツチングから電＊ ！１１ Ｇ４１をシツ
クス拳匈で保護して−るが、ダイナ−舖でクエーへ−壽
を切削し九七自Ｋ１１ｌｌｌｉ層１４）も切削され、そ
ＯＷ＆切断向がメナ溝輌に厘出する・その丸め、ダメー
ジ層甑轡を論★すみ九めメゾ溝争ηをエツチングする七
、電ｌ１ｉＰＩＩＩ剛も被切断向からエツチングされ、
エツチングされ大金ｊ１１がメゾ１１１６７１表向のＩ
Ｍ接合ｓＫ付着し、特性を劣下させると云う欠点があっ
たり ζＯ発明は上記穴、Ｉｌ！Ｋｓｌみ、これを解決した４
ａで、？ニーｂＯａ面角電ＩＩＩＩ層をグイデーで切Ｉ
ＩＩＩＩ畜れないようにメナ＃ｌＩ杉武予定部分を除い
て形成し、蟲向儒電極層をエツチングさせないようｋす
る半導体装置Ｏ製造方法を提供する・以下この発明を館
ＪｒｉＡＩＣ示すような逆メナ叡ベレットをＩｉ！造す
る場合を例に脱−する・先ず、艶１図に示すように半導
体クエーハ拳壽の裏面に形成するコレクタの電機層（４
）をメナ購杉成予定部分を除いて形成する。つまシ、タ
エーへ輌のａｔｈｉのメ４ｒ＃ＩＩ形級予定部分を途い
て公知のＰ翼決中ステンシル法でＯｒ−夏１−１１−ム
ｇ等の電一層（４）を蒸着法で形成する。
Ｉの表裏ｒＩｉＯ上下を逆にして１１Ｊ図′に示すよう
に麦向くシー）０４を接着し、裏面０電極層（４）上に
ワックス０＠を全ＩｔｌＫ艙布する・このワックス−は
後述のエツチング時Ｋ１１ｌｉ層１４）のｌ’都を保醋
する目的で塗布されるｅｊｌｊして、ＩＩｚ図に示すよ
うにワックス−上からクエーハ゛−のメゾｔｌ／Ｊ形成
予定Ｓ分に切削釦がｖ字状のダイサー川でクエーハーの
途中までマ字状０メｔｍａηを切削していく。このとき
、ダイナ−ＨＫよる機械的衝撃でもってメサ＃Ｉｏηの
Ｉ！１面近傍のクエーハ■内にダメージ層■ができるｅ
このダメージＭ＃ａ〜はダイサー鵠によるメゾ溝−ηの
形成完了後にエツチングによって除＊され、同時にこの
エツチングでクエーハ舖は第２図に示すような各ベレッ
ト（・）毎に細分割される・このようにメゾ溝をグイデ
ーで機械ｔＩＩｊに形成し、最後にエツチングで仕上げ
る方法は、初めからエツチングで形成す為よ〉も作業が
簡単で工程数が少なくなるメリットを有する・とζろが
、上記従１ｓの方法には次Ｏような欠点が壱り九〇即ち
、仕上げのエツチングから電＊ ！１１ Ｇ４１をシツ
クス拳匈で保護して−るが、ダイナ−舖でクエーへ−壽
を切削し九七自Ｋ１１ｌｌｌｉ層１４）も切削され、そ
ＯＷ＆切断向がメナ溝輌に厘出する・その丸め、ダメー
ジ層甑轡を論★すみ九めメゾ溝争ηをエツチングする七
、電ｌ１ｉＰＩＩＩ剛も被切断向からエツチングされ、
エツチングされ大金ｊ１１がメゾ１１１６７１表向のＩ
Ｍ接合ｓＫ付着し、特性を劣下させると云う欠点があっ
たり ζＯ発明は上記穴、Ｉｌ！Ｋｓｌみ、これを解決した４
ａで、？ニーｂＯａ面角電ＩＩＩＩ層をグイデーで切Ｉ
ＩＩＩＩ畜れないようにメナ＃ｌＩ杉武予定部分を除い
て形成し、蟲向儒電極層をエツチングさせないようｋす
る半導体装置Ｏ製造方法を提供する・以下この発明を館
ＪｒｉＡＩＣ示すような逆メナ叡ベレットをＩｉ！造す
る場合を例に脱−する・先ず、艶１図に示すように半導
体クエーハ拳壽の裏面に形成するコレクタの電機層（４
）をメナ購杉成予定部分を除いて形成する。つまシ、タ
エーへ輌のａｔｈｉのメ４ｒ＃ＩＩ形級予定部分を途い
て公知のＰ翼決中ステンシル法でＯｒ−夏１−１１−ム
ｇ等の電一層（４）を蒸着法で形成する。
このようにクエーハ１１ｓを製造すると、次にこのクエ
ーへｌの１ｋａＩｉｌＩの上下を逆にして第７図に下す
ように表１ｔ＋にシー ）ＨｌｔＷｋ曹り、１九ａ向と
電機層（４）上の全域に耐エツチング層〇−例としてワ
ックス翰を皇布して１１１４１１層＋４１￥を保護する
。その俊、第１Ｏ図に示すようにワックスｎ上からクエ
ーハ賎のメｖｔ１４形成予足Ｓ分よ）幅狭のダイサーシ
ーでクエーハ■の途中まで切削してＶ字状のメサ＃ｌＩ
′ｇＱを形成する。而して、ダイｔ−ｎででき九ダメー
ジ層（２１１をエツチングで除去する。このエツチング
はダイナ−Ｔ４−で切削し九りエーハＵ場内Ｏメゾ溝−
の側ＦｊＪからだけ行なわれ、他の部分はダイシング前
に臆布し九ツツクス１１１４で保−されているので、ｌ
１ｉｆ接にエツチングされることはなく、電極層−）は
安全である。
ーへｌの１ｋａＩｉｌＩの上下を逆にして第７図に下す
ように表１ｔ＋にシー ）ＨｌｔＷｋ曹り、１九ａ向と
電機層（４）上の全域に耐エツチング層〇−例としてワ
ックス翰を皇布して１１１４１１層＋４１￥を保護する
。その俊、第１Ｏ図に示すようにワックスｎ上からクエ
ーハ賎のメｖｔ１４形成予足Ｓ分よ）幅狭のダイサーシ
ーでクエーハ■の途中まで切削してＶ字状のメサ＃ｌＩ
′ｇＱを形成する。而して、ダイｔ−ｎででき九ダメー
ジ層（２１１をエツチングで除去する。このエツチング
はダイナ−Ｔ４−で切削し九りエーハＵ場内Ｏメゾ溝−
の側ＦｊＪからだけ行なわれ、他の部分はダイシング前
に臆布し九ツツクス１１１４で保−されているので、ｌ
１ｉｆ接にエツチングされることはなく、電極層−）は
安全である。
そして、エツチングが完了すると、第１／図に示すよう
にクエーハｅｓはｔＥｌｌな逆メナ振ペレット（・）−
に分Ｉｌｌ寝れる。
にクエーハｅｓはｔＥｌｌな逆メナ振ペレット（・）−
に分Ｉｌｌ寝れる。
尚、この発明はトランジスタの振ｆｉＫ阪定され４４ｈ
のではなく％ナイリスタ等の他のメナ酸ペレットにも十
分連用し得るもので６る暢以上ａＲ［Ｌ九ようにζｖ＠
稠によれは、電極層Ｆｉリツクスでエツチングから完全
Ｋ１１ｌｉｌｌされる丸め、電極層のエツチングによる
Ｐ菖知合部のよごれを６配することなく、特性のｌＲ足
し先手導体ｓ＃１１１１０製造を可能くする・
のではなく％ナイリスタ等の他のメナ酸ペレットにも十
分連用し得るもので６る暢以上ａＲ［Ｌ九ようにζｖ＠
稠によれは、電極層Ｆｉリツクスでエツチングから完全
Ｋ１１ｌｉｌｌされる丸め、電極層のエツチングによる
Ｐ菖知合部のよごれを６配することなく、特性のｌＲ足
し先手導体ｓ＃１１１１０製造を可能くする・
第１因乃至第１図は各種半導体ペレット（トランジスタ
）０１１ｒｌｌ＃！Ａ、 １ｌｌｌ’ｌ乃至第２図ｈａ
Ｊ瀕Ｏｆｉメナ脂牛導体ベレットの従来の製造方法をＩ
ＱＩ５４する各工程での半導体ｐ工−ハ剛１図、館ｌ−
乃至第１／図はこの発明の製造方法の一例を説明する各
工程での半導体りエーハの欺＃ｉ図であるｅ （４１・・電極層、Ｉ・・半導体りエーハ、ｌｌり・・
グイサー、■・・耐エツチング層（ラックス）、−°
・メサ溝、日・・ダメージ層、（＠）・・茫メＶ抛牛４
体ベレット・
）０１１ｒｌｌ＃！Ａ、 １ｌｌｌ’ｌ乃至第２図ｈａ
Ｊ瀕Ｏｆｉメナ脂牛導体ベレットの従来の製造方法をＩ
ＱＩ５４する各工程での半導体ｐ工−ハ剛１図、館ｌ−
乃至第１／図はこの発明の製造方法の一例を説明する各
工程での半導体りエーハの欺＃ｉ図であるｅ （４１・・電極層、Ｉ・・半導体りエーハ、ｌｌり・・
グイサー、■・・耐エツチング層（ラックス）、−°
・メサ溝、日・・ダメージ層、（＠）・・茫メＶ抛牛４
体ベレット・
Claims (1)
- （１）半導体クエーハＯ裏ｒｋＪＫメナ＃Ｉ形威予定Ｓ
分を除いて電一層を形訳す為工程と、半導体クエーハの
ａ面ＫＩＩＩエツチング層を形成するニーと、前記メｆ
＃ｌＩ形成予定Ｓ分をグイデーで切削してＶ字状のメサ
溝を形成するニーと、このメーＶ′溝のＩＩＩＩＪ＃Ｊ
近傍のダメージ層をエツチング除責すゐ工程ｔ１するこ
七を特徴とすｈ半導体ｔＩ装置のｇ！過方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57013970A JPS58131751A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57013970A JPS58131751A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58131751A true JPS58131751A (ja) | 1983-08-05 |
Family
ID=11848075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57013970A Pending JPS58131751A (ja) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58131751A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4839300A (en) * | 1985-12-20 | 1989-06-13 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device having trapezoidal shaped substrate sections |
| JP2014192500A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | メサ型半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4896283A (ja) * | 1972-03-24 | 1973-12-08 | ||
| JPS5639539A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-15 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Pattern forming method |
-
1982
- 1982-01-29 JP JP57013970A patent/JPS58131751A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4896283A (ja) * | 1972-03-24 | 1973-12-08 | ||
| JPS5639539A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-15 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Pattern forming method |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4839300A (en) * | 1985-12-20 | 1989-06-13 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device having trapezoidal shaped substrate sections |
| US5321303A (en) * | 1985-12-20 | 1994-06-14 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor device having linearly arranged semiconductor chips |
| JP2014192500A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | メサ型半導体装置の製造方法 |
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