JPS58131724A - 磁心の製法 - Google Patents
磁心の製法Info
- Publication number
- JPS58131724A JPS58131724A JP1403082A JP1403082A JPS58131724A JP S58131724 A JPS58131724 A JP S58131724A JP 1403082 A JP1403082 A JP 1403082A JP 1403082 A JP1403082 A JP 1403082A JP S58131724 A JPS58131724 A JP S58131724A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic material
- amorphous
- magnetic
- heat treatment
- thermal expansion
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0206—Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
- H01F41/0213—Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s)
- H01F41/0226—Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s) from amorphous ribbons
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、磁心記憶装置等に使用される、トロイダル
コアなどの磁心の製法に関する。
コアなどの磁心の製法に関する。
磁心の製法のひとつにつぎのような−のがある。
絶縁材料からなる円環形の基材(コア)[、磁性材料か
らなる薄片全巻きつけたのち、磁性材料の熱処理を行な
って磁心を得るという方法である。
らなる薄片全巻きつけたのち、磁性材料の熱処理を行な
って磁心を得るという方法である。
このような製法によって得られる磁心には鉄損が大きい
という欠点があった。熱処理の際、あるいはそのあとの
冷却の際磁性材料内部につぎのような応力が生じるから
である。すなわち、基材の熱膨張率が磁性材料の熱膨張
率よ)本大きい場合、熱処理の際、磁性材料は基材から
圧力を受けるため、磁性材料内部に応力が生じる。逆に
1基材の熱膨張率が磁性材料の熱膨張率よりも小さい場
合は、熱感m後の冷却の9に、やはり磁性材料が基材か
ら圧力を受け、その内部に応力が生じる。もつとも、熱
膨張率の同じような磁性材料と基材を用いるようにすれ
ば、磁性材料内部に前記のような応力が生じるというこ
とはない。しかし、このような磁性材料および基材を選
ぶというような仁とは非常に@難である。
という欠点があった。熱処理の際、あるいはそのあとの
冷却の際磁性材料内部につぎのような応力が生じるから
である。すなわち、基材の熱膨張率が磁性材料の熱膨張
率よ)本大きい場合、熱処理の際、磁性材料は基材から
圧力を受けるため、磁性材料内部に応力が生じる。逆に
1基材の熱膨張率が磁性材料の熱膨張率よりも小さい場
合は、熱感m後の冷却の9に、やはり磁性材料が基材か
ら圧力を受け、その内部に応力が生じる。もつとも、熱
膨張率の同じような磁性材料と基材を用いるようにすれ
ば、磁性材料内部に前記のような応力が生じるというこ
とはない。しかし、このような磁性材料および基材を選
ぶというような仁とは非常に@難である。
発明者は、このような事41tK鑑み研究を重ねた結果
、磁性材料からなる層と基材との関に非晶質材料からな
る層を形成させておくと、熱処理や冷却の際、磁性材料
に生じる応力が緩和されることをみいだし、ここにこの
発明を完成した。これKついて以下に説明する。
、磁性材料からなる層と基材との関に非晶質材料からな
る層を形成させておくと、熱処理や冷却の際、磁性材料
に生じる応力が緩和されることをみいだし、ここにこの
発明を完成した。これKついて以下に説明する。
この発明は、絶縁材料からなる基材に磁性材料からなる
層を形成させたのち、熱処理を行なう磁心の製法であっ
て、磁性材料からなる層を基材に形成させるm+に、こ
の基材に、非晶質材料からなる層をあらかじめ形成させ
ておくことを特徴とする磁心の製法をその要旨とするも
のである。
層を形成させたのち、熱処理を行なう磁心の製法であっ
て、磁性材料からなる層を基材に形成させるm+に、こ
の基材に、非晶質材料からなる層をあらかじめ形成させ
ておくことを特徴とする磁心の製法をその要旨とするも
のである。
絶縁材料としては、従来と同様、石英等が使用され、磁
性材料としても、従来と同様、組成がFeyeBlsS
is (” FeatBl*5Sis*Cz等であるア
モルファス合金、あるいは鉄−ニッケル合金、フェライ
ト尋が使用される。非晶質材料としては、組成がFea
mNia*P14B@e FemoBzo + Fea
*B!s、5SiasCz等であるアモルファス合金等
が好ましく使用される。
性材料としても、従来と同様、組成がFeyeBlsS
is (” FeatBl*5Sis*Cz等であるア
モルファス合金、あるいは鉄−ニッケル合金、フェライ
ト尋が使用される。非晶質材料としては、組成がFea
mNia*P14B@e FemoBzo + Fea
*B!s、5SiasCz等であるアモルファス合金等
が好ましく使用される。
これらは、結晶化すると体積が好適に減少するからであ
る。磁性材料からなる層を形成させる方法は、通−2従
来と同様の方法すなわち薄片(すメン)をI@Hする方
法によるとよく、非晶質材料からなる層を形成させる方
法も同法によるとよい。
る。磁性材料からなる層を形成させる方法は、通−2従
来と同様の方法すなわち薄片(すメン)をI@Hする方
法によるとよく、非晶質材料からなる層を形成させる方
法も同法によるとよい。
すなわち、絶縁材料からなる円環形の基材に非晶質材料
からなる薄片を巻きつけたのち、さらにその上から磁性
材料からなる薄片を巻きつけるのである。しかし、層の
形成方法はこのような方法に限られる−のではない。九
とえば、無電解メッキ法等により層を形成すること本あ
りうるのである。
からなる薄片を巻きつけたのち、さらにその上から磁性
材料からなる薄片を巻きつけるのである。しかし、層の
形成方法はこのような方法に限られる−のではない。九
とえば、無電解メッキ法等により層を形成すること本あ
りうるのである。
熱処理の温度は非晶質材料の結晶化温度よりも高温で行
なうようにする。そうすると、熱処理の際、非晶質材料
は結晶化して収縮し、非晶質材料の内側にある基材の熱
膨張による影響をうまく吸収する。すなわち、基材の熱
膨張率が、磁性材料の熱膨張率より大き匹場合、磁性材
料内部に生じる応力が緩和される。非晶質材料の非晶質
から結晶質への変化は不可逆であるから、冷却の際、非
晶質材料は結晶化して収縮したままである。し九がって
、基材の熱膨張率が磁性材料の熱膨張率より小さい場合
でも、冷却OS、磁性材料内部に生じる応力かや#iり
緩和される。
なうようにする。そうすると、熱処理の際、非晶質材料
は結晶化して収縮し、非晶質材料の内側にある基材の熱
膨張による影響をうまく吸収する。すなわち、基材の熱
膨張率が、磁性材料の熱膨張率より大き匹場合、磁性材
料内部に生じる応力が緩和される。非晶質材料の非晶質
から結晶質への変化は不可逆であるから、冷却の際、非
晶質材料は結晶化して収縮したままである。し九がって
、基材の熱膨張率が磁性材料の熱膨張率より小さい場合
でも、冷却OS、磁性材料内部に生じる応力かや#iり
緩和される。
磁性材料として4アモルファス合金を使用する場合は、
中間に介在させる非晶質材料としては、このアモルファ
ス合金の結晶化温度よシも低い結晶化温度をもつ非晶質
材料を選ぶようにする。熱処理の際、磁性材料としての
アモルファス合金が中間非晶質材料よりも先に結晶化し
収縮すると、磁性材料層(内部応力が生じてしまうから
である。
中間に介在させる非晶質材料としては、このアモルファ
ス合金の結晶化温度よシも低い結晶化温度をもつ非晶質
材料を選ぶようにする。熱処理の際、磁性材料としての
アモルファス合金が中間非晶質材料よりも先に結晶化し
収縮すると、磁性材料層(内部応力が生じてしまうから
である。
これまでの説明では、トロイダルコアを得るため円環形
の基材を使用するようにしていたが、磁心の使用目的(
応じては基材が他の形をとることもありうる。
の基材を使用するようにしていたが、磁心の使用目的(
応じては基材が他の形をとることもありうる。
この発明にかかる磁心の製法はこのように構成されるも
のであって、磁性材料からなる層と基材の間に、非晶質
材料からなる層を形成させるようにしておくため、熱処
理や冷却の際、磁性材料に生じる応力が緩和される。し
たがって鉄損の小さい磁心を得ることができる。
のであって、磁性材料からなる層と基材の間に、非晶質
材料からなる層を形成させるようにしておくため、熱処
理や冷却の際、磁性材料に生じる応力が緩和される。し
たがって鉄損の小さい磁心を得ることができる。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。実施
例および比較例ではすべて、基材として、外径20 m
m−,内径17 mmd e長さ10mmの石英管な円
環形にしたものを使用した。実施例では、それぞれ、基
材に非晶質材料の薄片を5回巻き、さらKその上から磁
性材料の薄片を100回巻匹たあと、熱処理を行なって
磁心を得た。これに対し比較例では、それぞれ非晶質材
料を使用せず、基材に磁性材料の薄片を100回直接巻
くようにしえ。−施倒および比較例ではすべて非晶質材
料および磁性材料に種々の組成のアモルファス合金を使
用した。これらの組成およびその結晶化温度を縞1表に
示す。
例および比較例ではすべて、基材として、外径20 m
m−,内径17 mmd e長さ10mmの石英管な円
環形にしたものを使用した。実施例では、それぞれ、基
材に非晶質材料の薄片を5回巻き、さらKその上から磁
性材料の薄片を100回巻匹たあと、熱処理を行なって
磁心を得た。これに対し比較例では、それぞれ非晶質材
料を使用せず、基材に磁性材料の薄片を100回直接巻
くようにしえ。−施倒および比較例ではすべて非晶質材
料および磁性材料に種々の組成のアモルファス合金を使
用した。これらの組成およびその結晶化温度を縞1表に
示す。
第1表
各実施例において使用されたアモルファス合金の組成お
よび熱処理条件を82表に示す、なお、熱処理はどの実
施例−10Torr の真空中で行なった。
よび熱処理条件を82表に示す、なお、熱処理はどの実
施例−10Torr の真空中で行なった。
(以 下 余 白)
第2表にみるように1実施例2,3.6では、非晶質材
料として用いられるアモルファス合金の結晶化温度が磁
性材料の最適熱処理温度より4高いので、それぞれ、熱
処理温度を(υ、(乃の2段階としえ。すなわち、(1
)の温度で非晶質材料を結晶化させたのち、(2)の最
適熱処理温度まで温度を下げて引続き熱処理を行なうよ
うにしたのである。
料として用いられるアモルファス合金の結晶化温度が磁
性材料の最適熱処理温度より4高いので、それぞれ、熱
処理温度を(υ、(乃の2段階としえ。すなわち、(1
)の温度で非晶質材料を結晶化させたのち、(2)の最
適熱処理温度まで温度を下げて引続き熱処理を行なうよ
うにしたのである。
比較例1〜6は中間層としての非晶質材料層を省くよう
にし九ほかは、それぞれ実施例1〜6と同じ磁性材料お
よび熱処理条件を使用した。
にし九ほかは、それぞれ実施例1〜6と同じ磁性材料お
よび熱処理条件を使用した。
実施例1〜6および比較例1〜6の製法によって得られ
た磁心について鉄損の測定を行なった。
た磁心について鉄損の測定を行なった。
その測定条件および測定結果を第3表に示す。
(以 下 余 白)
ta3表
第3表かられかるように、実施例はいずれも比較例よ抄
−鉄損が小さい。
−鉄損が小さい。
特許出願人 松下電工株式金社
代理人 弁理士 松 本 武 彦
手続補正書(自発)
昭f1157年S月19r]
昭和s7年特許願第014030 号2、発明の名称
磁心の製法
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住 所 大阪府門真市大字門真1048番地住
所〒530 大阪市北区天神橋2丁目4番17号千代
田第−ビル8階 な し 6、補正の対象 7、補正の内容 (1)明細書$3D第13行ニr Fe7.B、、Si
、 Jとあるを「F e y s B 1s S l
* Jと訂正する。
所〒530 大阪市北区天神橋2丁目4番17号千代
田第−ビル8階 な し 6、補正の対象 7、補正の内容 (1)明細書$3D第13行ニr Fe7.B、、Si
、 Jとあるを「F e y s B 1s S l
* Jと訂正する。
(2)明細書第3kjB13行K 「l’ ea 1B
t s、 s S is scz Jとあるをr ”
11”1B、SSi$jC! Jと訂正する。
t s、 s S is scz Jとあるをr ”
11”1B、SSi$jC! Jと訂正する。
(3)明細書1186頁第1表の組成機上から四つ目に
r ”eys”tm”s−1とあるをr ”?lI”l
lJ”eJと訂正する。
r ”eys”tm”s−1とあるをr ”?lI”l
lJ”eJと訂正する。
(4)明細書第8頁第2表における実施例1の磁性材料
の表示が「Fe、、B□s S 1 * Jとあるを「
)ぐts”ts”e−1と訂正する。
の表示が「Fe、、B□s S 1 * Jとあるを「
)ぐts”ts”e−1と訂正する。
(5)明細書第8頁182表における実施例2の磁性材
料の表示が「Fe、、B、、Si、 」とあるを[Fe
t sn8,54.Jと訂正する。
料の表示が「Fe、、B、、Si、 」とあるを[Fe
t sn8,54.Jと訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (υ 絶縁材料からなる基材に磁性材料からなる層を形
成させたのち、熱地理を行なう磁心の製法工ありて、磁
性材料からなる層を基材に形成させる前に1この基材に
、非晶質材料からなる層をあらかじめ形成させておくこ
とを特徴とする磁心の製法。 (り 非晶質材料がアモルファス合金である特許請求の
範囲第131記載の磁心の製法。 (j アモルファス合金がFetoNiaoPt4Ba
、 FeatB2・およびFes sBs ysi
aJczからなる群の中から選ばれ九4のである特許請
求の範凹第1項または第2項記載の磁心の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1403082A JPS58131724A (ja) | 1982-01-30 | 1982-01-30 | 磁心の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1403082A JPS58131724A (ja) | 1982-01-30 | 1982-01-30 | 磁心の製法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58131724A true JPS58131724A (ja) | 1983-08-05 |
Family
ID=11849755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1403082A Pending JPS58131724A (ja) | 1982-01-30 | 1982-01-30 | 磁心の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58131724A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1320110A1 (de) * | 2001-12-17 | 2003-06-18 | Vacuumschmelze GmbH & Co. KG | Verfahren zur Herstellung nanokristalliner Ringbandkerne |
-
1982
- 1982-01-30 JP JP1403082A patent/JPS58131724A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1320110A1 (de) * | 2001-12-17 | 2003-06-18 | Vacuumschmelze GmbH & Co. KG | Verfahren zur Herstellung nanokristalliner Ringbandkerne |
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