JPS58129643U - 半導体光結合装置 - Google Patents

半導体光結合装置

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JPS58129643U
JPS58129643U JP19957282U JP19957282U JPS58129643U JP S58129643 U JPS58129643 U JP S58129643U JP 19957282 U JP19957282 U JP 19957282U JP 19957282 U JP19957282 U JP 19957282U JP S58129643 U JPS58129643 U JP S58129643U
Authority
JP
Japan
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insulating
coupling device
optical coupling
semiconductor
semiconductor optical
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Pending
Application number
JP19957282U
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English (en)
Inventor
義博 戸所
数村　勝
俊夫 松田
仁雄 岩佐
寺本　「巌」
Original Assignee
松下電器産業株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は光結合装置の従来例の説明図である。 第２図は本出願人が提案した改良前の半導体光結合装置
の断面図である。第３図はこの考案の一実施例である半
導体光結合装置の平面図であり、第４図はその断面図で
ある。 １２・・・・・・半絶縁性基板、１３・・・・・・ｎ型
ＧａＡｓ層、１４・・・・・・ｎ型ＧａＡｓ層、１５・
・・・・・分離用溝、１６゜１７、　１８．　１９・・
・・・・金属電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁性または半絶縁性の基板の上に形成された半導体層
    が、前記半導体層の表面から前記基板に達する深さに達
    する絶縁分離領域で分断され、前記絶縁分離領域を介し
    て互いに対向した前記半導体層の一方を発光部、他方を
    受光部とし、前記絶縁分離領域を主たる元媒体となした
    ことを特徴とする半導体光結合装置。
JP19957282U 1982-12-28 1982-12-28 半導体光結合装置 Pending JPS58129643U (ja)

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JP19957282U JPS58129643U (ja) 1982-12-28 1982-12-28 半導体光結合装置

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JPS58129643U true JPS58129643U (ja) 1983-09-02

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