JPS5812669B2 - 磁気バブル素子の試験装置 - Google Patents
磁気バブル素子の試験装置Info
- Publication number
- JPS5812669B2 JPS5812669B2 JP52137019A JP13701977A JPS5812669B2 JP S5812669 B2 JPS5812669 B2 JP S5812669B2 JP 52137019 A JP52137019 A JP 52137019A JP 13701977 A JP13701977 A JP 13701977A JP S5812669 B2 JPS5812669 B2 JP S5812669B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drive
- wafer
- magnetic field
- coils
- fixing base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気バブル素子のマージン特性などの特性試
験を行なう装置に関する。
験を行なう装置に関する。
磁気バブルメモリなどの磁気バブル素子の判性試験装置
にはIC用のウエハプローバを改造して第1図aに示す
ようなものが考えられる。
にはIC用のウエハプローバを改造して第1図aに示す
ようなものが考えられる。
この図で、1及び2はウエハつまり磁気バブル素子を多
数形成した径5〜8cm程度の磁性薄片にバイアス磁界
を印加するリング伏バイアスコイルであり、3及び4は
、磁気バブル転送のためにウエハ面に平行に印加する回
転磁果発生用のX,Y駆動コイルである。
数形成した径5〜8cm程度の磁性薄片にバイアス磁界
を印加するリング伏バイアスコイルであり、3及び4は
、磁気バブル転送のためにウエハ面に平行に印加する回
転磁果発生用のX,Y駆動コイルである。
駆動コイル3,4は本出願人が開発した平板状のもので
あり、そしてこ\ではウエハ固定台9の上部に配置した
コイル3は上駆動コイル、下部に配置したコイル4は下
駆動コイルと呼ぶがこれは便宜上であり、全体を90°
回転させて上下関係は左右関係にしても動作に支障はな
い。
あり、そしてこ\ではウエハ固定台9の上部に配置した
コイル3は上駆動コイル、下部に配置したコイル4は下
駆動コイルと呼ぶがこれは便宜上であり、全体を90°
回転させて上下関係は左右関係にしても動作に支障はな
い。
また5はブローブカードで、ほぼ磁界の中心に配置され
るプローブ6を有する。
るプローブ6を有する。
このプローブ6は、第2図に平面図として示したウエハ
7内の、チップと呼ばれる磁気バブル素子8の各々の端
子8aに接触し、図示しない回路により各チップの特則
を調べてチップ良否判別を行なうのに用いられる。
7内の、チップと呼ばれる磁気バブル素子8の各々の端
子8aに接触し、図示しない回路により各チップの特則
を調べてチップ良否判別を行なうのに用いられる。
また9はウエハ7を支持し、ウエハの各チップをプロー
ブ6へ接触させるウエハ固定台であり、固定台支持部1
0によって支持される。
ブ6へ接触させるウエハ固定台であり、固定台支持部1
0によって支持される。
この装置ではウエハ7に、バイアスコイル1,2により
バイアス磁界をまた駆動コイル3,4により回転駆動磁
界を加え、固定台支持部10を水平方向に移動させてウ
エハ7の各チツプ8の端子をプローブ6に順次接触させ
てバブル発生、駆動、検出を行ない、その間バイアス磁
界および駆動磁界の強さを変えマージン特性などを測定
、検査する。
バイアス磁界をまた駆動コイル3,4により回転駆動磁
界を加え、固定台支持部10を水平方向に移動させてウ
エハ7の各チツプ8の端子をプローブ6に順次接触させ
てバブル発生、駆動、検出を行ない、その間バイアス磁
界および駆動磁界の強さを変えマージン特性などを測定
、検査する。
中心部の方が磁界分布が良好であるので、かかる検査は
支持部10を移動させて磁界中心部で行なうようにし、
そして検査終了後はウエハを各チップにスクライプし、
成品とする。
支持部10を移動させて磁界中心部で行なうようにし、
そして検査終了後はウエハを各チップにスクライプし、
成品とする。
検査は高速、従って駆動コイルの励磁電流の周波数を高
めて行なった方が検査所要時間の短縮等のメリットが得
られるが、検査の種類によっては低速で行なう必要があ
るものもある。
めて行なった方が検査所要時間の短縮等のメリットが得
られるが、検査の種類によっては低速で行なう必要があ
るものもある。
ところで第1図のようなウエハプローバは、100KH
Z以下の比較的低速の回転磁場をウェハに与えられるよ
うに比較的大きなX,Y駆動コイル3,4を用いると、
インダクタンス分が大きいので200KHzまたは50
0KHZという高速の回転磁場を与えるのが困難になる
。
Z以下の比較的低速の回転磁場をウェハに与えられるよ
うに比較的大きなX,Y駆動コイル3,4を用いると、
インダクタンス分が大きいので200KHzまたは50
0KHZという高速の回転磁場を与えるのが困難になる
。
これを避けるため駆動コイル3,4に小型、低インダク
タンスのものを用いると、当然、低速駆動試験が困難に
なる。
タンスのものを用いると、当然、低速駆動試験が困難に
なる。
磁気バブル記憶装置は高密度化、大容量化を目指して発
達しており、200KHZや300KHZ、更にはそれ
以上の高速駆動バブルメモリ素子が開発されつつあるか
ら、高速駆動試験の必要性は高い。
達しており、200KHZや300KHZ、更にはそれ
以上の高速駆動バブルメモリ素子が開発されつつあるか
ら、高速駆動試験の必要性は高い。
本発明は、ウエハプローバについての上記の如き問題を
解決し、1台のウェハプローバで高速用にも、また低速
用にも簡単に切換えて使用できるようにしようとするも
のである。
解決し、1台のウェハプローバで高速用にも、また低速
用にも簡単に切換えて使用できるようにしようとするも
のである。
即ち本発明の磁気バブル素子の試験装置は支持部に交換
可能に取付られそして被検査磁気バブル素子を保持する
導電性および絶縁性の2種類の板状固定台と、該固定台
を挟んでその両側に配設される一対のバイアス磁界発生
用コイルおよび結線が変更可能な駆動磁界発生用の一対
の平板状駆動コイルとを備え、前記バブル素子の低速回
転駆動磁界での試験には直列に接続した該一対の駆動コ
イルおよび絶縁性板状固定台がまた高速回転駆動磁界で
の試験には該導電性板状固定台および前記素子を挟んで
該固定台と対向する駆動コイルの一方が使用されるよう
にしてなることを特徴とするが、以下、第1図を用いて
本発明を更に詳しく説明する。
可能に取付られそして被検査磁気バブル素子を保持する
導電性および絶縁性の2種類の板状固定台と、該固定台
を挟んでその両側に配設される一対のバイアス磁界発生
用コイルおよび結線が変更可能な駆動磁界発生用の一対
の平板状駆動コイルとを備え、前記バブル素子の低速回
転駆動磁界での試験には直列に接続した該一対の駆動コ
イルおよび絶縁性板状固定台がまた高速回転駆動磁界で
の試験には該導電性板状固定台および前記素子を挟んで
該固定台と対向する駆動コイルの一方が使用されるよう
にしてなることを特徴とするが、以下、第1図を用いて
本発明を更に詳しく説明する。
同図aはすでに上記説明で用いた図面であるが、本発明
ではこれを次のように改良する。
ではこれを次のように改良する。
即ちウエハ固定台9はウエハ固定台支持部10へ着脱自
在に取付けられるようにし、しかも絶縁性のものと導電
性のものとの2種類用意する。
在に取付けられるようにし、しかも絶縁性のものと導電
性のものとの2種類用意する。
こゝでは絶縁性の板状ウエハ固定台を第1図aに示すよ
うに9とし、導電性の板状ウエハ固定台を第1図bに示
すように11とする。
うに9とし、導電性の板状ウエハ固定台を第1図bに示
すように11とする。
また駆動コイル3と4は互いに直列にもまた独立にも接
続、分離可能とする。
続、分離可能とする。
低速駆動用のウエハ固定台9は、一対のバイアスコイル
1,2によるバイアス磁界と共に、上下のX,Y駆動コ
イル3,4による回転駆動磁場がウエハ7内の磁気バブ
ルに有効に作用するように絶縁物で構成されるが、この
絶縁物は、ウエハ7とプローブ6の位置合わせ精度が通
常5ミクロン以下という高精度で行なわれなければなら
ないという要請から反りのない剛体でなければならず、
したがって、ガラスやセラミックが適当である。
1,2によるバイアス磁界と共に、上下のX,Y駆動コ
イル3,4による回転駆動磁場がウエハ7内の磁気バブ
ルに有効に作用するように絶縁物で構成されるが、この
絶縁物は、ウエハ7とプローブ6の位置合わせ精度が通
常5ミクロン以下という高精度で行なわれなければなら
ないという要請から反りのない剛体でなければならず、
したがって、ガラスやセラミックが適当である。
また、絶縁物であることの要求は、上駆動コイル3と下
駆動コイル4による回転駆動磁場を有効にウェハに作用
させるため金属などの誘導電流を生じるもので有っては
ならないことによるから、全体が絶縁物でなくても、上
記効果を生じるに必要な部分のみが非導電体であっても
よい。
駆動コイル4による回転駆動磁場を有効にウェハに作用
させるため金属などの誘導電流を生じるもので有っては
ならないことによるから、全体が絶縁物でなくても、上
記効果を生じるに必要な部分のみが非導電体であっても
よい。
低速駆動によるウエハ特性試験に際しては、ウエハ7を
取付けた絶縁性板状ウエハ固定台9を固定台支持部10
上に取付け、支持部10を数値制御サーボ機構(図示し
ない)などにより駆動してウエハのチップ端子がプロー
ブ6に接触するようにし、バイアスコイルを励磁してバ
イアス磁界を発生させ、かつ上、下駆動コイル3,4を
直列に接続して励磁して回転駆動磁界を発生させ、試験
を行なう。
取付けた絶縁性板状ウエハ固定台9を固定台支持部10
上に取付け、支持部10を数値制御サーボ機構(図示し
ない)などにより駆動してウエハのチップ端子がプロー
ブ6に接触するようにし、バイアスコイルを励磁してバ
イアス磁界を発生させ、かつ上、下駆動コイル3,4を
直列に接続して励磁して回転駆動磁界を発生させ、試験
を行なう。
このとき駆動コイルは直列に接続されて共に励磁される
からインダクタンスは大きく、発生する磁場は強い。
からインダクタンスは大きく、発生する磁場は強い。
従って100KHZもしくはこれ以下の有効な回転磁場
かえられることになる。
かえられることになる。
一方、100KHzよりも高い駆動周波数、例えば20
0KHzや500KHzの駆動周波数でウエハを試験す
るときは、固定台支持部10上には、第1図bに示すよ
うに高速駆動用の導電性板状ウエハ固定台11を取付け
る。
0KHzや500KHzの駆動周波数でウエハを試験す
るときは、固定台支持部10上には、第1図bに示すよ
うに高速駆動用の導電性板状ウエハ固定台11を取付け
る。
導電性のウエハ固定台としては、低速駆動用のウエハ固
定台と同様に「そり」のない剛体であることが要請され
るので、アルミニウムの板等がよいが、前記したガラス
やセラミックの表興に金メッキ等の金属膜を施したもの
でもよい。
定台と同様に「そり」のない剛体であることが要請され
るので、アルミニウムの板等がよいが、前記したガラス
やセラミックの表興に金メッキ等の金属膜を施したもの
でもよい。
高速駆動によるウエハ特性試験に際しては、ウエハを取
付けた高速駆動用のウエハ固定台11を第1図bに示す
ように固定台支持部10上に取付け、上駆動コイル3の
みを高周波数の駆動磁界用電源に接続して励磁する。
付けた高速駆動用のウエハ固定台11を第1図bに示す
ように固定台支持部10上に取付け、上駆動コイル3の
みを高周波数の駆動磁界用電源に接続して励磁する。
この結果該コイル3は高速の回転磁場を発生するが、こ
の際電導性であるウエハ固定台11にイメージ効果によ
り誘導電流が発生して該保持台は駆動コイル4と同様に
作用する。
の際電導性であるウエハ固定台11にイメージ効果によ
り誘導電流が発生して該保持台は駆動コイル4と同様に
作用する。
この結果下駆動コイル4を励磁しなくてもウエハ7上に
有効な回転磁場が与えられ、しかもこの場合XY駆動コ
イルはコイル3の1つしか作動させないのでインダクタ
ンスは小さく、駆動周波数の上限はそれだけ改善され、
200KHや500KHzという高周波駆動が十分可能
となる。
有効な回転磁場が与えられ、しかもこの場合XY駆動コ
イルはコイル3の1つしか作動させないのでインダクタ
ンスは小さく、駆動周波数の上限はそれだけ改善され、
200KHや500KHzという高周波駆動が十分可能
となる。
導電性のウエハ固定台11は上記の役割を果すものであ
るから、全体が導体でなくても、上記イメージ効果を生
じるに必要な程度で部分的な導電性体であってもよい。
るから、全体が導体でなくても、上記イメージ効果を生
じるに必要な程度で部分的な導電性体であってもよい。
以上詳細に説明したように本発明のウェハプローバは、
ウエハ固定台に絶縁性および導電性の二種類を用意して
使用目的に応じて適宜交換できる構成とし、一対の駆動
コイルも接続分離可能にして同様に使用目的に応じて切
換えられるようにしたので、これら固定台およびコイル
の切換で簡単に高速駆動及び低速駆動双方のウエハ試験
を行なうことができる。
ウエハ固定台に絶縁性および導電性の二種類を用意して
使用目的に応じて適宜交換できる構成とし、一対の駆動
コイルも接続分離可能にして同様に使用目的に応じて切
換えられるようにしたので、これら固定台およびコイル
の切換で簡単に高速駆動及び低速駆動双方のウエハ試験
を行なうことができる。
これにより試験上の各種要求に応えることができ、また
試験時間の短縮が可能である等の利点が得られる。
試験時間の短縮が可能である等の利点が得られる。
第1図a,bは本発明の実施例を示すウェハプローバ断
面図、第2図はウェハ及びその中のチップの端子を示し
た説明図である。 図において、1,2はバイアスコイル、3は上駆動コイ
ル、4は下駆動コイル、9は低速駆動用のウエハ固定台
、10はウエハ固定台支持部、11は高速駆動用のウエ
ハ固定台である。
面図、第2図はウェハ及びその中のチップの端子を示し
た説明図である。 図において、1,2はバイアスコイル、3は上駆動コイ
ル、4は下駆動コイル、9は低速駆動用のウエハ固定台
、10はウエハ固定台支持部、11は高速駆動用のウエ
ハ固定台である。
Claims (1)
- 1 支持部に交換可能に取付られそして被検査磁気バル
ブ素子を保持する導電性および絶縁性の2種類の板状固
定台と、該固定台を挟んでその両側に配設される一対の
バイアス磁界発生用コイルおよび結線が変更可能な駆動
磁界発生用の一対の平板状駆動コイルとを備え、前記バ
ブル素子の低速回転駆動磁界での試験には欲列に接続し
た該一対の駆動コイルおよび絶縁性板状固定台がまた高
速回転駆動磁界での試験には該導電性板状固定台および
前記素子を挟んで該固定台と対向する駆動コイルの一方
が使用されるようにしてなることを特徴とする磁気バブ
ル素子の試験装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52137019A JPS5812669B2 (ja) | 1977-11-15 | 1977-11-15 | 磁気バブル素子の試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52137019A JPS5812669B2 (ja) | 1977-11-15 | 1977-11-15 | 磁気バブル素子の試験装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5469926A JPS5469926A (en) | 1979-06-05 |
JPS5812669B2 true JPS5812669B2 (ja) | 1983-03-09 |
Family
ID=15188920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52137019A Expired JPS5812669B2 (ja) | 1977-11-15 | 1977-11-15 | 磁気バブル素子の試験装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5812669B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0477144B2 (ja) * | 1984-02-06 | 1992-12-07 | Oputeimaizaa Ltd |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5086938A (ja) * | 1973-12-01 | 1975-07-12 | ||
JPS51104230A (ja) * | 1975-02-11 | 1976-09-14 | Rockwell International Corp | |
JPS51126733A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-05 | Fujitsu Ltd | Bubble memory characteristic measuring method. |
JPS52112241A (en) * | 1976-03-16 | 1977-09-20 | Rockwell International Corp | Magnetic bubble domain device |
JPS5316534A (en) * | 1976-07-30 | 1978-02-15 | Hitachi Ltd | Test unit for magnetic bubble wafer |
-
1977
- 1977-11-15 JP JP52137019A patent/JPS5812669B2/ja not_active Expired
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5086938A (ja) * | 1973-12-01 | 1975-07-12 | ||
JPS51104230A (ja) * | 1975-02-11 | 1976-09-14 | Rockwell International Corp | |
JPS51126733A (en) * | 1975-04-25 | 1976-11-05 | Fujitsu Ltd | Bubble memory characteristic measuring method. |
JPS52112241A (en) * | 1976-03-16 | 1977-09-20 | Rockwell International Corp | Magnetic bubble domain device |
JPS5316534A (en) * | 1976-07-30 | 1978-02-15 | Hitachi Ltd | Test unit for magnetic bubble wafer |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0477144B2 (ja) * | 1984-02-06 | 1992-12-07 | Oputeimaizaa Ltd |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5469926A (en) | 1979-06-05 |
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