JPS58125832A - ３−５族化合物半導体のパツシベ−シヨン法 - Google Patents
３−５族化合物半導体のパツシベ−シヨン法Info
- Publication number
- JPS58125832A JPS58125832A JP57007593A JP759382A JPS58125832A JP S58125832 A JPS58125832 A JP S58125832A JP 57007593 A JP57007593 A JP 57007593A JP 759382 A JP759382 A JP 759382A JP S58125832 A JPS58125832 A JP S58125832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- sputtering
- group compound
- reliability
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0282—Passivation layers or treatments
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は■−■族化合物半導体のパッシベーション法に
係り、特に半導体レーザ、受光素子１発光素子および■
−■族化合物半導体ＩＣに好適なパッシベーション法に
関スル。
係り、特に半導体レーザ、受光素子１発光素子および■
−■族化合物半導体ＩＣに好適なパッシベーション法に
関スル。
現在、■−■族化合物半導体のパッシベーション法に関
して未だ実用性あるものが提案されていない。しかし■
−■族化合物半導体はシリコン半導体のように単元素で
はなく、２元素以上の化合物であるので、バツシベーシ
ョ／はシリコン半導体よりもよシ重要になるものと予想
される。例えば、ｍ−ｖ族化合物の一つであるＧａＡａ
は大気中の酸素と反応し易く、自然酸化層が表面に存在
する。しかもこの自然酸化層は不安定であるので取らな
ければ、半導体素子の良性性および信頼性を期待するこ
とができない。
して未だ実用性あるものが提案されていない。しかし■
−■族化合物半導体はシリコン半導体のように単元素で
はなく、２元素以上の化合物であるので、バツシベーシ
ョ／はシリコン半導体よりもよシ重要になるものと予想
される。例えば、ｍ−ｖ族化合物の一つであるＧａＡａ
は大気中の酸素と反応し易く、自然酸化層が表面に存在
する。しかもこの自然酸化層は不安定であるので取らな
ければ、半導体素子の良性性および信頼性を期待するこ
とができない。
本発明の目的は■−■族化合物半導体を用いた半導体レ
ーザ、受光素子１発元素子およびＱ＆Ａ！ＩＩＣなどの
特性向上と長寿命化、高信頼度化を可動半導体の表面を
、窒素ガス雰囲気中でスパッタリングを行ない、上記半
導体表面をエツチングすることにある。
ーザ、受光素子１発元素子およびＱ＆Ａ！ＩＩＣなどの
特性向上と長寿命化、高信頼度化を可動半導体の表面を
、窒素ガス雰囲気中でスパッタリングを行ない、上記半
導体表面をエツチングすることにある。
とくに、上記ｑｉ率ガス中でのスパッタエッチ工程につ
づいて、絶縁膜（Ｓ ’ ０！ ＊ Ａ ４０ｓ ＊ｓ
ｔ、Ｎ、、ａ−８ｉ ：Ｈｅど）ｆＭ膜−ｆる工；Ｉｎ
設けるとなお良い。
づいて、絶縁膜（Ｓ ’ ０！ ＊ Ａ ４０ｓ ＊ｓ
ｔ、Ｎ、、ａ−８ｉ ：Ｈｅど）ｆＭ膜−ｆる工；Ｉｎ
設けるとなお良い。
本発明は上述のように、窒素雰囲気中でスパッタエツチ
ングを行なうので、化合物半導体表面にダメージを与え
ることがない。ま九、表面が酸化されることから防止で
きるので、良好な表面が提供でき、この表面を有した素
子の電気的特性は著しく向上した。以下詳細に説明する
。
ングを行なうので、化合物半導体表面にダメージを与え
ることがない。ま九、表面が酸化されることから防止で
きるので、良好な表面が提供でき、この表面を有した素
子の電気的特性は著しく向上した。以下詳細に説明する
。
従来、ｍ−ｖ族化合物半導体の自然酸化層を除去する方
法として化学エッチ、スパッタエッチが考えられていた
。しかし化学エッチは比較的高い温度が必要であるうえ
に、パッシベーション膜を連続して被着することが難し
い。これに比べ、スパッタマツチ法は比較的に低い温度
で自然酸化層が取れるうえに、パッシベーション膜Ａ例
えば８ ＭＯｘ ｓ ＡＺＩ ０１ ＊ ８ ’ ｓ
Ｎａ などンを連続して被着することは可能である。
法として化学エッチ、スパッタエッチが考えられていた
。しかし化学エッチは比較的高い温度が必要であるうえ
に、パッシベーション膜を連続して被着することが難し
い。これに比べ、スパッタマツチ法は比較的に低い温度
で自然酸化層が取れるうえに、パッシベーション膜Ａ例
えば８ ＭＯｘ ｓ ＡＺＩ ０１ ＊ ８ ’ ｓ
Ｎａ などンを連続して被着することは可能である。
しかしながら後者では化合物半導体の構成元素にスパッ
タイールドが異なるような場合には（例えばＧａＡ３．
Ｉｎｋ。
タイールドが異なるような場合には（例えばＧａＡ３．
Ｉｎｋ。
ＧａＡａＩｎＰ、ＧａＡｔＡ３ など）一般に使用され
ているＡｒイオンスパッタエッチによってエッチ表面の
ストイキオメトリ（，９ｔｏｉｃｈｏｍｅｔｒｙ ）
カらのずれが太き（、表面抵抗は低くなる。したがっ
て表面リーク電流が増大するため半導体素子の特性劣化
を引き起こす上に、長寿命、高信頼性を期待することが
できない。
ているＡｒイオンスパッタエッチによってエッチ表面の
ストイキオメトリ（，９ｔｏｉｃｈｏｍｅｔｒｙ ）
カらのずれが太き（、表面抵抗は低くなる。したがっ
て表面リーク電流が増大するため半導体素子の特性劣化
を引き起こす上に、長寿命、高信頼性を期待することが
できない。
このような表面抵抗の低下はＧａＡ３のＡｒスパッタエ
ッチによるスパッタダメージに起因している。そこで、
上述した工うに、本発明は、スパッタダメージの起こり
にくいＮ１スパッタエッチが有効であると考えられる。
ッチによるスパッタダメージに起因している。そこで、
上述した工うに、本発明は、スパッタダメージの起こり
にくいＮ１スパッタエッチが有効であると考えられる。
Ｎ、スパッタエッチの場合には自然酸化層が増れる上に
、Ａｒのような不活性ガスを用いないのでエッチ界面は
Ｂ ｔｏｌｃｈｉｏｍｅｔ ｒｙからのずれがなくなる
からである。こｎはＳｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｙからず
れることにより発生したダングリボンドとＮとが反応す
ることによりダングリボンドの発生が防がしるためであ
る。し念がってエッチ面における低抵抗化がなくなるの
で当然表面リーク１！流成分は減少する。この表面リー
ク電流成分の減少は化合物半導体素子の特性向上に有効
であるし、また長寿命化、高信頼度化をも達成された。
、Ａｒのような不活性ガスを用いないのでエッチ界面は
Ｂ ｔｏｌｃｈｉｏｍｅｔ ｒｙからのずれがなくなる
からである。こｎはＳｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｙからず
れることにより発生したダングリボンドとＮとが反応す
ることによりダングリボンドの発生が防がしるためであ
る。し念がってエッチ面における低抵抗化がなくなるの
で当然表面リーク１！流成分は減少する。この表面リー
ク電流成分の減少は化合物半導体素子の特性向上に有効
であるし、また長寿命化、高信頼度化をも達成された。
このような改善によシ半導体レーザでは低しきい値化、
外部量子効率および長寿命化に、受ｆｔ、素子では光電
変換効率、信頼性１発光素子では外部量子効率、信頼性
、（）ａＡ８ＩＣでは信頼性などの向上がそれぞれ達成
された。
外部量子効率および長寿命化に、受ｆｔ、素子では光電
変換効率、信頼性１発光素子では外部量子効率、信頼性
、（）ａＡ８ＩＣでは信頼性などの向上がそれぞれ達成
された。
以下、本発明の実施例を挙げて説明する。
実施例１
第１図は比較のため、従来の半導体レーザのノ（ツシペ
ーションの様子を示したものである。ｌは半導体レーザ
で、２Ｆｉ保獲膜（パッシベーション膜）、３はレーザ
光、５はＡｒ中でのスノくツタエッチ層である。第２図
は本発明の一実施例としての半導体レーザの概略断面図
を示したものである。
ーションの様子を示したものである。ｌは半導体レーザ
で、２Ｆｉ保獲膜（パッシベーション膜）、３はレーザ
光、５はＡｒ中でのスノくツタエッチ層である。第２図
は本発明の一実施例としての半導体レーザの概略断面図
を示したものである。
２１は活性層およびクラッド層を有する通常の半導体レ
ーザ、２２は膜厚５００人〜２μｍの保護膜（パッシベ
ーション膜）、２３Ｈレーサ光、２４は層の深さ５０人
〜１００Ｏ人の窒素中でのスパッタエッチ層である。こ
れら半導体レーザのＩ−Ｖ特性を第３図に示す。６は上
記従来のノ（ツシペーションを施した場合で、７は不発
明の）（ツシペーションを施した場合のそれぞれの特性
図を示す。第３図エリ従来のバックベーショ／法では半
導体レーザのリーク電流成分が大きいのに対しテ本発明
のパッシベーションではリーク電流成分はほとんどない
ことがわがる。本発明のスノ（ツタエッチ条件は放電電
力５００Ｗ、ｒＩＩｔ累圧４Ｐａである。
ーザ、２２は膜厚５００人〜２μｍの保護膜（パッシベ
ーション膜）、２３Ｈレーサ光、２４は層の深さ５０人
〜１００Ｏ人の窒素中でのスパッタエッチ層である。こ
れら半導体レーザのＩ−Ｖ特性を第３図に示す。６は上
記従来のノ（ツシペーションを施した場合で、７は不発
明の）（ツシペーションを施した場合のそれぞれの特性
図を示す。第３図エリ従来のバックベーショ／法では半
導体レーザのリーク電流成分が大きいのに対しテ本発明
のパッシベーションではリーク電流成分はほとんどない
ことがわがる。本発明のスノ（ツタエッチ条件は放電電
力５００Ｗ、ｒＩＩｔ累圧４Ｐａである。
このように作成した半導体レーザは従来法に比べ、長期
寿命が得られた。
寿命が得られた。
実施例２
第４図は本発明を用いて形成した長波長用受光素子の断
面を示したものである。８はＰ側電極、９はパッシベー
ション膜である。９のパッシベーション膜を例えばスパ
ッタリングで作成する場合、前述の半導体レーザの場合
と同様に、バッジベージ目ン膜を析出する前に、窒素ガ
ス中でスパッタエッチを行なうことにより、接合のダイ
オード特性の良好なものか得られた。すなわち第４図の
受光素子に２０Ｖの逆バイアスを印加しても暗電流が１
００ｐＡ以下という低いレベルのものができた。したが
ってＳＮの向上と高感度、高信頼性が得られるようにな
った。
面を示したものである。８はＰ側電極、９はパッシベー
ション膜である。９のパッシベーション膜を例えばスパ
ッタリングで作成する場合、前述の半導体レーザの場合
と同様に、バッジベージ目ン膜を析出する前に、窒素ガ
ス中でスパッタエッチを行なうことにより、接合のダイ
オード特性の良好なものか得られた。すなわち第４図の
受光素子に２０Ｖの逆バイアスを印加しても暗電流が１
００ｐＡ以下という低いレベルのものができた。したが
ってＳＮの向上と高感度、高信頼性が得られるようにな
った。
このように効果は構造上類似した発光素子。
ＧａＡＢＩＣＥ適用できることは明らかである。
本発明によるパッシベーション法により、半導体レーザ
の長寿命化、高信頼度化、受光素子１発元素子の高感度
化、高信頼度化、ひいてはＱａＡ＠ＩＣの高信頼度化に
つながるものと期待することができる。
の長寿命化、高信頼度化、受光素子１発元素子の高感度
化、高信頼度化、ひいてはＱａＡ＠ＩＣの高信頼度化に
つながるものと期待することができる。
第１図は従来の方法を用いて形成された半導体レーザの
概略断面図、第２図は不発明を使用して形成された半導
体レーザの概略断面図、第３図は半導体レーザのＩ−Ｖ
特性図、第４図は本発明を使用して形成された長波長用
受光素子の断面図である。 ２１・・・半導体レーザ、２２・・・パッシベーション
膜、拓 １ （￥Ｉ Ｖｉ ｚ 図 第３ ′ノーフ 一１吻方藺電斤（Ｖ） ｖＪ４図 □ １３３− ゛電流 を 一〇 −ｑ −■
概略断面図、第２図は不発明を使用して形成された半導
体レーザの概略断面図、第３図は半導体レーザのＩ−Ｖ
特性図、第４図は本発明を使用して形成された長波長用
受光素子の断面図である。 ２１・・・半導体レーザ、２２・・・パッシベーション
膜、拓 １ （￥Ｉ Ｖｉ ｚ 図 第３ ′ノーフ 一１吻方藺電斤（Ｖ） ｖＪ４図 □ １３３− ゛電流 を 一〇 −ｑ −■
Claims (1)
- １、スパッタリングによる表面のエツチング工程を有し
た■−ｖ族化合物牛導体のパッシベーション法において
、上記エツチング工程は窒素を有したガス雰囲気中で行
なうことを特徴とする■−■族化合物半導体のパッシベ
ーション法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007593A JPS58125832A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | ３−５族化合物半導体のパツシベ−シヨン法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007593A JPS58125832A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | ３−５族化合物半導体のパツシベ−シヨン法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125832A true JPS58125832A (ja) | 1983-07-27 |
Family
ID=11670096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007593A Pending JPS58125832A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | ３−５族化合物半導体のパツシベ−シヨン法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125832A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10209562A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Nec Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| WO2002017450A1 (fr) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Mitsui Chemicals Inc. | Procede de fabrication de dispositif laser a semiconducteur |
| US6798805B2 (en) | 2001-09-03 | 2004-09-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser device containing controlled interface oxygen at both end facets |
| JP2007027260A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Toshiba Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57007593A patent/JPS58125832A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10209562A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Nec Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| WO2002017450A1 (fr) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Mitsui Chemicals Inc. | Procede de fabrication de dispositif laser a semiconducteur |
| EP1251608A1 (en) * | 2000-08-22 | 2002-10-23 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method for manufacturing semiconductor laser device |
| US6703254B2 (en) | 2000-08-22 | 2004-03-09 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method for manufacturing semiconductor laser device |
| EP1251608A4 (en) * | 2000-08-22 | 2005-07-27 | Mitsui Chemicals Inc | METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE |
| US6798805B2 (en) | 2001-09-03 | 2004-09-28 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser device containing controlled interface oxygen at both end facets |
| JP2007027260A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Toshiba Corp | 半導体素子およびその製造方法 |
| US7773648B2 (en) | 2005-07-13 | 2010-08-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5429954A (en) | Radiation-emitting diode with improved radiation output | |
| US5799028A (en) | Passivation and protection of a semiconductor surface | |
| US6794685B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof | |
| JP6829497B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| CN102208508B (zh) | 一种发光二极管结构及其制造方法 | |
| JP4084958B2 (ja) | 半導体受光装置の製造方法 | |
| JP4332407B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP5067158B2 (ja) | 電極構造、半導体素子、およびそれらの製造方法 | |
| JPS58125832A (ja) | ３−５族化合物半導体のパツシベ−シヨン法 | |
| JPS60186076A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2003046117A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP3782230B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法及びｉｉｉ−ｖ族化合物半導体素子の製造方法 | |
| US7030032B2 (en) | Photodiode passivation technique | |
| JP3489395B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| CN209822673U (zh) | 一种高压led芯片 | |
| JP2002232006A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH11251629A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP4139321B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| CN112993751A (zh) | 一种纳米柱vcsel光源结构及其制备方法 | |
| JP3763708B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2008140811A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0685448B2 (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JP2000022262A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2005268725A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JP2002299677A (ja) | 半導体受光素子 |