JPS58124736A - ナフタセンキノン誘導体の製造法 - Google Patents
ナフタセンキノン誘導体の製造法Info
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- JPS58124736A JPS58124736A JP464882A JP464882A JPS58124736A JP S58124736 A JPS58124736 A JP S58124736A JP 464882 A JP464882 A JP 464882A JP 464882 A JP464882 A JP 464882A JP S58124736 A JPS58124736 A JP S58124736A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ナフタセン十ノシ誘導体ＯＩｌ造法、更に詳
しくは式 で表わされるナフタｔ：Ｊ牛ノシ誘導体の製造法に関す
る。
しくは式 で表わされるナフタｔ：Ｊ牛ノシ誘導体の製造法に関す
る。
上記式（１）で表わされる化合物は、後記に示す通り抗
癌剤として有用な式（至）で表わされる４−５！メト十
シダウノマイシシを合成するための中間体として有用な
化合物である。
癌剤として有用な式（至）で表わされる４−５！メト十
シダウノマイシシを合成するための中間体として有用な
化合物である。
従来式（１）で表わされるナフタセシ＋ノシ誘導体の製
造法としては例えばグプタ等の方法（Ｄ、 Ｎ。
造法としては例えばグプタ等の方法（Ｄ、 Ｎ。
Ｇａｔｐｌａ ｍ＃ｄ Ｎ、Ｋｋａｍ 、 ／、
Ｃｈｅｗｓ、Ｓｅｔ、Ｐｅｒｋｉｎ ｌ。
Ｃｈｅｗｓ、Ｓｅｔ、Ｐｅｒｋｉｎ ｌ。
４７７（１９８１）参照〕が知られている。しかしなが
らこの方法は反応行程が長くまた操作が煩雑でＴｏシ、
該方法に代わる新らしい式（１）で表わされるナフタセ
シ十ノシ誘導体の製造法の開発が望まれている。
らこの方法は反応行程が長くまた操作が煩雑でＴｏシ、
該方法に代わる新らしい式（１）で表わされるナフタセ
シ十ノシ誘導体の製造法の開発が望まれている。
本発明者らは斯かる現状に鑑み、上記欠点を有さない式
（１）で表わされるナフタｔ：／十ノシ誘導体の新規製
造法を開発すべく鋭意研究を重ねてきた。
（１）で表わされるナフタｔ：／十ノシ誘導体の新規製
造法を開発すべく鋭意研究を重ねてきた。
そしてその研究過程において、新規化合物であるＦ記一
般式（２）で表わされるナフタｔ：／↑ノシ誘導体を合
成した。この化合物については既に特許出ｌＩ済みであ
る１本発明者らに更に上記目的の下に研究を続けたとこ
ろ、一般式（２）の化合物をアシルオ千シ化した場合に
は一般式（２）の化合物の１１位ＫＯみ選択的にアシジ
オ辛シ晟が導入され、次いで得られる化合物を加水分解
すると、目的とする一般式（１）の化合物が高収率、高
純度で得られることを見い出した６本発明は斯かる知見
に基づき完成されたものである。
般式（２）で表わされるナフタｔ：／↑ノシ誘導体を合
成した。この化合物については既に特許出ｌＩ済みであ
る１本発明者らに更に上記目的の下に研究を続けたとこ
ろ、一般式（２）の化合物をアシルオ千シ化した場合に
は一般式（２）の化合物の１１位ＫＯみ選択的にアシジ
オ辛シ晟が導入され、次いで得られる化合物を加水分解
すると、目的とする一般式（１）の化合物が高収率、高
純度で得られることを見い出した６本発明は斯かる知見
に基づき完成されたものである。
即ち本発明は、一般式
〔式中Ｒ１及びＲ２は、一方が水素原子を示し、他の一
方が低級アＬ＋レジジオ士シ晟を示す。〕で表わされる
ナフタｔ！ｙ９ノン鰐導体をアシルオ＋シ化し、次いで
得られる一般式 〔式中Ｒ３は低級アルカノイル基を示す １ｚ１次びＲ
２は前記に同じ、〕 で表わされるナフタセン辛ノン誘導体を加水分解して式 で表わされるナフタｔｂ十ノシ誘導体を得ることを特徴
とするナフタセシ十ノ：Ｊ１１導体の製造法に係る。
方が低級アＬ＋レジジオ士シ晟を示す。〕で表わされる
ナフタｔ！ｙ９ノン鰐導体をアシルオ＋シ化し、次いで
得られる一般式 〔式中Ｒ３は低級アルカノイル基を示す １ｚ１次びＲ
２は前記に同じ、〕 で表わされるナフタセン辛ノン誘導体を加水分解して式 で表わされるナフタｔｂ十ノシ誘導体を得ることを特徴
とするナフタセシ十ノ：Ｊ１１導体の製造法に係る。
本発明の方法圧よれば、簡便な操作で高収率、高純度に
て式（１）の化合物を製造し得る。
て式（１）の化合物を製造し得る。
本明細書において、低級アＬ＋し：Ｊ、；オ＋シ基とし
ては例えばメチレ：Ｊジオ＋シ、エチレシジオ＋シ、ト
リメチレジジオヤシ基を挙げることができ、また低級ア
ルジノイル基としては例えばアセチル、プ０じオニル、
ブチリル、イソブチリル、ペンタノイル、ｔｚｒｌ−づ
チルカシボニル、へ↑サノイ訃基等を挙げることができ
る。
ては例えばメチレ：Ｊジオ＋シ、エチレシジオ＋シ、ト
リメチレジジオヤシ基を挙げることができ、また低級ア
ルジノイル基としては例えばアセチル、プ０じオニル、
ブチリル、イソブチリル、ペンタノイル、ｔｚｒｌ−づ
チルカシボニル、へ↑サノイ訃基等を挙げることができ
る。
一般式（２）の化合物のアシルオ十シ化は、例えば適当
な溶媒中アシルオ＋シ化剤の存在下に行なうことができ
る。ここで使用されるアシルオ＋シ化剤としては例えば
Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ） ＴｌＣ０ＣＯＣＨ５）、、３
４ ％ Ｈｆ（ＯＣＯＣＨ，）２等を挙げることができる。アシ
ルオ十シ化剤の使用量としては特に限定されず広い範囲
内から適宜選択することができるが、通常一般式（２）
の化合物に対して少なくとも等ｔル量程度、好ましくは
等′ｆ、ル〜３倍ｔシ量用いるのがよい。
な溶媒中アシルオ＋シ化剤の存在下に行なうことができ
る。ここで使用されるアシルオ＋シ化剤としては例えば
Ｐｂ（ＯＣＯＣＨ） ＴｌＣ０ＣＯＣＨ５）、、３
４ ％ Ｈｆ（ＯＣＯＣＨ，）２等を挙げることができる。アシ
ルオ十シ化剤の使用量としては特に限定されず広い範囲
内から適宜選択することができるが、通常一般式（２）
の化合物に対して少なくとも等ｔル量程度、好ましくは
等′ｆ、ル〜３倍ｔシ量用いるのがよい。
また溶媒としては例えばベンぜシ、トルエン、中シレシ
等の芳香族炭化水素類、ジクＯＯメタシ、ジグ００エタ
シ、り００本ルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素
類、ジエチルエーテル、ジオ＋サン、テトラしドロフラ
ジ等のエーテル類、酢酸等やこれらの混合溶媒を挙げる
ことができる。
等の芳香族炭化水素類、ジクＯＯメタシ、ジグ００エタ
シ、り００本ルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素
類、ジエチルエーテル、ジオ＋サン、テトラしドロフラ
ジ等のエーテル類、酢酸等やこれらの混合溶媒を挙げる
ことができる。
該反応は通常室温〜ｌＯＯ℃程度、好ましくは室温付近
にて行なわれ、一般に１〜３０時間程度で反応は終了す
る。
にて行なわれ、一般に１〜３０時間程度で反応は終了す
る。
一般式（３）の化合物の加水分解は１例えば適当な溶媒
中酸の存在下九行なわれる。用いられる溶媒としては例
えば水、メタノール、エタノール、イソプロパノール等
のアルコール類、ジオ十サン、テトラしドロフラン等の
エーテル類、これらの混合溶媒等を挙げることができる
。また酸としては例えば塩酸、硫酸、臭化水素酸等の鉱
酸、トリプルオ０酢酸、パラトルエシスルホシ酸等の有
機酸等を挙げることができる。斯かる酸の使用量として
は一般式（３）の化合物に対して通常大過剰量とするの
がよい、該反応は通常室温〜１００℃程度、好ましくは
室温−８０℃にて行なわれ、一般ＶＣ１〜１０時間程度
で反応は完結する。斯くして目的とする式（１）の化合
物を製造し得る。
中酸の存在下九行なわれる。用いられる溶媒としては例
えば水、メタノール、エタノール、イソプロパノール等
のアルコール類、ジオ十サン、テトラしドロフラン等の
エーテル類、これらの混合溶媒等を挙げることができる
。また酸としては例えば塩酸、硫酸、臭化水素酸等の鉱
酸、トリプルオ０酢酸、パラトルエシスルホシ酸等の有
機酸等を挙げることができる。斯かる酸の使用量として
は一般式（３）の化合物に対して通常大過剰量とするの
がよい、該反応は通常室温〜１００℃程度、好ましくは
室温−８０℃にて行なわれ、一般ＶＣ１〜１０時間程度
で反応は完結する。斯くして目的とする式（１）の化合
物を製造し得る。
本発明において出発原料として用いられる一般式（２）
の化合物は新規化合物であり、例えばＦ記反応行程式−
１−３に示す方法によプ製造される。
の化合物は新規化合物であり、例えばＦ記反応行程式−
１−３に示す方法によプ製造される。
反応行程式−１
（４） （６）
〔式中Ｘ及びＸｌはハロゲン原子、Ｒ′″は低級アル十
ル基、Ｒ１′は低級アシ士しジジオ＋シ基を示も〕一般
式（４）の化合物と一般式（５）の化合物との反応は、
一般にディールス−アルダ−反応と呼ばれるものである
。この反応には通常のディーシス−アルダ−反応の反応
条件を広く適用でき、例えば適当な溶媒中にて両者を反
応させればよい、ここで使用される溶媒としては、反応
に悪影響を及ぼさないものを広く使用でき、具体的には
ベンぜシ、トルニジ、士シレシ、り０ルベシゼシ、シク
ＯＬベシぜン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル
、ジオ十サン、テトラしＦｏフラジ等のエーテル類・Ｎ
−へ＋サシ・Ｒ−へプタシ、シフ０へ士サン等の飽和炭
化水素類、ジクｏＤメタン、ジグ００エタシ、り００ホ
ルム、四塩化度素等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、ジ
メチル本ルムア三ド、ジメチルスルホ＋シト、へ↑サメ
チルリン酸トリア三ド等の極性非プｏトシ溶謀類、酢酸
エチル等を例示できる。一般式（４）の化合物と一般式
（５）の化合物との使用割合としては特罠限定されず広
い範囲内から適宜選択することができるが、通常前者に
対して後者を少なくとも等ＰＬ程度、好ましくは等Ｅ
ＩＩ／ −１，５倍七ル量使用するのがよい、該反応社
通常室温〜１５０℃程度、好ましくは４０〜１００℃に
て行なわれ、一般に！〜４８時間程度で反応は終了する
。
ル基、Ｒ１′は低級アシ士しジジオ＋シ基を示も〕一般
式（４）の化合物と一般式（５）の化合物との反応は、
一般にディールス−アルダ−反応と呼ばれるものである
。この反応には通常のディーシス−アルダ−反応の反応
条件を広く適用でき、例えば適当な溶媒中にて両者を反
応させればよい、ここで使用される溶媒としては、反応
に悪影響を及ぼさないものを広く使用でき、具体的には
ベンぜシ、トルニジ、士シレシ、り０ルベシゼシ、シク
ＯＬベシぜン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル
、ジオ十サン、テトラしＦｏフラジ等のエーテル類・Ｎ
−へ＋サシ・Ｒ−へプタシ、シフ０へ士サン等の飽和炭
化水素類、ジクｏＤメタン、ジグ００エタシ、り００ホ
ルム、四塩化度素等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、ジ
メチル本ルムア三ド、ジメチルスルホ＋シト、へ↑サメ
チルリン酸トリア三ド等の極性非プｏトシ溶謀類、酢酸
エチル等を例示できる。一般式（４）の化合物と一般式
（５）の化合物との使用割合としては特罠限定されず広
い範囲内から適宜選択することができるが、通常前者に
対して後者を少なくとも等ＰＬ程度、好ましくは等Ｅ
ＩＩ／ −１，５倍七ル量使用するのがよい、該反応社
通常室温〜１５０℃程度、好ましくは４０〜１００℃に
て行なわれ、一般に！〜４８時間程度で反応は終了する
。
一般式（６）の化合物のケタール化反応は、例えば適当
な溶媒中触媒の存在下に一般式（６）の化合物にケター
ル化剤を反応させることにより行なわれる。
な溶媒中触媒の存在下に一般式（６）の化合物にケター
ル化剤を反応させることにより行なわれる。
溶媒としては反応に悪影響を及ぼさない隈夛公知のもの
を広く使用でき１例えば前記芳香族炭化水素類、前記エ
ーテル類、前記飽和度化水素類、前記極性非づＤトン溶
媒類等をいずれも使用できる。
を広く使用でき１例えば前記芳香族炭化水素類、前記エ
ーテル類、前記飽和度化水素類、前記極性非づＤトン溶
媒類等をいずれも使用できる。
触媒としては例えば塩酸、硫酸等の鉱酸、パラトルエシ
スルホシ酸等の有機酸等、好ましくは塩酸を挙げること
ができる。斯かる触媒の使用量としては特に限定されな
いが、通常一般式（６）の化合物に対して１／ｚｏｏ〜
Ｖ３倍℃ル量、好ましくはｌｙ／２゜〜１１５倍モル量
用い６のがよい。またケタール化剤としては例えばエチ
レングリコール、メチレンジリコール、トリメチレジク
リコール、メタノ−Ｌ、エタノール、イソｊ ｏ Ｊ”
；ノーし、露−づタノール等のアルコール類等を挙げる
ことができる。
スルホシ酸等の有機酸等、好ましくは塩酸を挙げること
ができる。斯かる触媒の使用量としては特に限定されな
いが、通常一般式（６）の化合物に対して１／ｚｏｏ〜
Ｖ３倍℃ル量、好ましくはｌｙ／２゜〜１１５倍モル量
用い６のがよい。またケタール化剤としては例えばエチ
レングリコール、メチレンジリコール、トリメチレジク
リコール、メタノ−Ｌ、エタノール、イソｊ ｏ Ｊ”
；ノーし、露−づタノール等のアルコール類等を挙げる
ことができる。
斯かるケタール化剤の使用量としては特に限定されない
が、通常一般式（６）の化合物九対して少なくとも等ｔ
ル量程度、好ましくは等七し〜２倍七ル量用いるあがよ
い、該反応は通常室温〜１００℃程度、好ましくは室温
付近にて行なわれ、該反応は一般に１〜２０時間程時間
路了する。
が、通常一般式（６）の化合物九対して少なくとも等ｔ
ル量程度、好ましくは等七し〜２倍七ル量用いるあがよ
い、該反応は通常室温〜１００℃程度、好ましくは室温
付近にて行なわれ、該反応は一般に１〜２０時間程時間
路了する。
一般式（７）の化合物の脱へ〇ゲシ化水素反応は、塩基
性化合物の存在下適当な溶媒中にて行なわれる。塩基性
化合物としては従来公知のものを広く使用でき、具体的
には炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウ
ム等の炭酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の
金属水酸化物、ナトリウムメチラート、ナトリウムエチ
う一ト等の金属アルコラード、じリジン、トリエチルア
ミシ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリシ等の有機塩基性化合物
等を例示できる。斯かる塩基性化合物の使用量としては
特に限定されず広い範囲内から適宜選択できるが、通常
一般式（７）の化合物に対して少なくとも０．１−１．
５倍七ル量、好ましくは０．３〜０．７倍七ル量使用す
るのがよい。また溶媒としては反応に悪影響を与えない
もの１例えば前記一般式（４）の化合物と一般式（５）
の化合物との反応に使用される溶媒をいずれ４用いるこ
とができる。該反応は通常０〜５０℃程度、好ましくは
室温付近にて好適に進行し、一般Ｋ１分〜５時間程度で
反応は終ｒする。斯くして一般式（８ａ） の化合物
が製造される。
性化合物の存在下適当な溶媒中にて行なわれる。塩基性
化合物としては従来公知のものを広く使用でき、具体的
には炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウ
ム等の炭酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の
金属水酸化物、ナトリウムメチラート、ナトリウムエチ
う一ト等の金属アルコラード、じリジン、トリエチルア
ミシ、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリシ等の有機塩基性化合物
等を例示できる。斯かる塩基性化合物の使用量としては
特に限定されず広い範囲内から適宜選択できるが、通常
一般式（７）の化合物に対して少なくとも０．１−１．
５倍七ル量、好ましくは０．３〜０．７倍七ル量使用す
るのがよい。また溶媒としては反応に悪影響を与えない
もの１例えば前記一般式（４）の化合物と一般式（５）
の化合物との反応に使用される溶媒をいずれ４用いるこ
とができる。該反応は通常０〜５０℃程度、好ましくは
室温付近にて好適に進行し、一般Ｋ１分〜５時間程度で
反応は終ｒする。斯くして一般式（８ａ） の化合物
が製造される。
反応行程式−２
（ロ） （８す〔式中Ｒ
２′は低級アＬｆ−レ：Ｊジオ十シ基を示す。
２′は低級アＬｆ−レ：Ｊジオ十シ基を示す。
ｘ、ｘｌ及びＲ４は前記に同じ、〕
一般式（９）の化合物と一般式（５）の化合物との反応
、一般式（ト）の化合物のケタール化及び一般式（ロ）
の化合物の脱ハロゲン化水素は、それぞれ前記一般式（
４）の化合物と一般式（５）の化合物との反応、一般式
（６）の化合物のケタール化、一般式（７）の化合物の
説Ａ Ｏゲシ化水素と同様の反応条件ド忙行なうことが
できる。斯くして一般式（８ｋ）の化合物が製造される
。
、一般式（ト）の化合物のケタール化及び一般式（ロ）
の化合物の脱ハロゲン化水素は、それぞれ前記一般式（
４）の化合物と一般式（５）の化合物との反応、一般式
（６）の化合物のケタール化、一般式（７）の化合物の
説Ａ Ｏゲシ化水素と同様の反応条件ド忙行なうことが
できる。斯くして一般式（８ｋ）の化合物が製造される
。
反応行程式−３
（８）
（２）
〔式中Ｒ１、Ｒ２及びＸは前記に同じ、〕一般式（８）
の化Ｐ物と一般式（６）の化合物との反応は、一般にデ
ィールスーア３１７４−反応と呼ばれるものである。こ
の反応には通常のディールス−７Ｌ４−反応の反応条件
を広く適用でき、例えば塩基性化合物の存在下又は非存
布Ｆ適当な溶媒中にて両者を反応させればよい、一般式
（８）の化合物と一般式（２）の化合物との使用割合と
しては特に限定されず広−範囲内から適宜選択できるが
、通常前者に対して後者を少なくとも等モル量程度、好
ましくは等七ル〜１．５倍ｒ：Ｌ量用いるのがよい、塩
基性化合物としては、前記一般式（７）の化合物の脱へ
〇ゲシ化水素反応に使用されるものをいずれも使用でき
る。塩基性化合物の使用量としては特に限定されないが
、通常一般式（１）の化合物に対して”／１００〜等モ
ル量、好ましくは１．／２０〜１／２ 倍℃ル量用いる
のがよい、また溶媒としては、前記一般式（４）の化合
物と一般式（５）の化合物との反応に使用される溶媒を
いずれも使用できる。該反応は通常７０〜２５０℃程度
、好ましくは１００〜２００℃にて好適に進行し、一般
Ｋ１−１０時間程度で反応は終ｒする。
の化Ｐ物と一般式（６）の化合物との反応は、一般にデ
ィールスーア３１７４−反応と呼ばれるものである。こ
の反応には通常のディールス−７Ｌ４−反応の反応条件
を広く適用でき、例えば塩基性化合物の存在下又は非存
布Ｆ適当な溶媒中にて両者を反応させればよい、一般式
（８）の化合物と一般式（２）の化合物との使用割合と
しては特に限定されず広−範囲内から適宜選択できるが
、通常前者に対して後者を少なくとも等モル量程度、好
ましくは等七ル〜１．５倍ｒ：Ｌ量用いるのがよい、塩
基性化合物としては、前記一般式（７）の化合物の脱へ
〇ゲシ化水素反応に使用されるものをいずれも使用でき
る。塩基性化合物の使用量としては特に限定されないが
、通常一般式（１）の化合物に対して”／１００〜等モ
ル量、好ましくは１．／２０〜１／２ 倍℃ル量用いる
のがよい、また溶媒としては、前記一般式（４）の化合
物と一般式（５）の化合物との反応に使用される溶媒を
いずれも使用できる。該反応は通常７０〜２５０℃程度
、好ましくは１００〜２００℃にて好適に進行し、一般
Ｋ１−１０時間程度で反応は終ｒする。
上記一般式（１）で表わされるナフタセシ＋ノシ誘導体
は下記反応行程式−４に示す方法に従い抗癌剤として有
用な式（ハ）で表わされる４−デメト辛シダウノマイシ
：／ＶｃＨ導される。
は下記反応行程式−４に示す方法に従い抗癌剤として有
用な式（ハ）で表わされる４−デメト辛シダウノマイシ
：／ＶｃＨ導される。
反応行程式−４
式（１）の化合物から式（至）の化合物及び式（ロ）の
化合物を経て式（ト）で表わされ漬今−デメト予シ」ウ
ノマイシシＫｌｌ導する反応は公知で６３＋、例えばテ
トラヘト０シレター（Ｆ、Ｆｔｓｒｉｐｔａ ｇｓｓｄ
Ｐ、Ｐｒａｄｅｒｚ 。
化合物を経て式（ト）で表わされ漬今−デメト予シ」ウ
ノマイシシＫｌｌ導する反応は公知で６３＋、例えばテ
トラヘト０シレター（Ｆ、Ｆｔｓｒｉｐｔａ ｇｓｓｄ
Ｐ、Ｐｒａｄｅｒｚ 。
Ｔｔｔｒｇｋｚｄｒａｙ＊ Ｌｅｔｔｅｒｓ 、 ４７
７ （１９７９） ）、ジル−ナル 才プ ケミカル
ソケイアテイー（Ｄ、＃。
７ （１９７９） ）、ジル−ナル 才プ ケミカル
ソケイアテイー（Ｄ、＃。
Ｇｕｐｌａ ｇｐｔｄ Ｎ、Ｋｋａｍ 、 ／、 Ｃｋ
ｔｍ、Ｓｅｔ、 Ｐｅｒｋｉｎ ｌ 。
ｔｍ、Ｓｅｔ、 Ｐｅｒｋｉｎ ｌ 。
６８９（１９８１）３、ジャーナル オプ オー乃ニツ
クケ三ストリ−（Ｆ、Ｆ、 Ｌｅｅ 、 Ａ、 Ｐ０Ｍ
７Ｉｒｔｉｓｅｓ 。
クケ三ストリ−（Ｆ、Ｆ、 Ｌｅｅ 、 Ａ、 Ｐ０Ｍ
７Ｉｒｔｉｓｅｓ 。
／、 ＨｏＳｍｉｔｈ ｔｘｐｘｔｌ Ｄ、Ｆ、 Ｈ
ｅｎｒｙ、／、Ｏｒｙ、Ｃａｔｍ 。
ｅｎｒｙ、／、Ｏｒｙ、Ｃａｔｍ 。
４１．２２９６（１９７６）３、テトラヘト０ンレター
（／、 Ａｌｔｚｇ＃ｄｔｒ ａｎｄ Ｌ、ＡｏＭｓｌ
ｚｋｔｒ 、 ＴｔｌｒａｋｔｄｒｇｐｔＬｅｔｔｅｒ
ｓ 、３４０３（１９７８））、ジＰ−ナル オプアメ
リカン ケミカル ソ寸イアティー （Ｆ、 Ａ。
（／、 Ａｌｔｚｇ＃ｄｔｒ ａｎｄ Ｌ、ＡｏＭｓｌ
ｚｋｔｒ 、 ＴｔｌｒａｋｔｄｒｇｐｔＬｅｔｔｅｒ
ｓ 、３４０３（１９７８））、ジＰ−ナル オプアメ
リカン ケミカル ソ寸イアティー （Ｆ、 Ａ。
Ｊ、Ｋｔｒｄｔｚ＆ｙ ａｎｄ Ｍ、Ｐ、Ｃａ５ｅ 、
／、 Ａｍ、 Ｃｋｔｍ。
／、 Ａｍ、 Ｃｋｔｍ。
Ｓａｔ、、１００．３６３５（１９７８））及びテトラ
ヘドロｙ Ｌ／ ５１− （４Ｓ、ＫｔｐＩｄｔ 、
Ｄ、Ｐ、Ｃｕｒｒａ譚、 Ｙ。
ヘドロｙ Ｌ／ ５１− （４Ｓ、ＫｔｐＩｄｔ 、
Ｄ、Ｐ、Ｃｕｒｒａ譚、 Ｙ。
Ｔｊａｙ ａｎｄ Ｊ、Ｅ、 Ｍｉｌｌｓ 、 Ｔｔｌ
ｒａｋｔｄｒａｐｔ Ｌｅｔｔｅｒｓ。
ｒａｋｔｄｒａｐｔ Ｌｅｔｔｅｒｓ。
３５３７（１９７７）ｌ、米国特許第４０４６８７８号
明細書等に記載されている方法に従えばよい。
明細書等に記載されている方法に従えばよい。
上記各々の工程で得られる目的化合物は通常の分離手段
により反応混合物から容易に単離精製される。斯かる分
離手段としては、例えば溶媒抽出法、溶媒希釈法、再結
晶法、カラムク０マドグラフイー、プレパラテイプ薄層
り０マドクラフイー等を挙げることができる。
により反応混合物から容易に単離精製される。斯かる分
離手段としては、例えば溶媒抽出法、溶媒希釈法、再結
晶法、カラムク０マドグラフイー、プレパラテイプ薄層
り０マドクラフイー等を挙げることができる。
以下に参考例及び実施例を挙げる。
参考例１
窒素気流下２．６−ジクｏｏペンリｆノン９９０噌及び
２−トリメチルシリルオ士シブタジエン８００１１１Ｆ
のペシセシ１〇−溶液を５０〜６０℃にで今時間加温す
る。溶媒を減圧留去し、シロップ状の２．８ａβ−ジク
ｎｏ−６−）リメチルシリルオ士！／ −４’＊ ５．
８＠ ｓａ−テトうしド０−１．４−ｔフト十ノン１．
６３ Ｆを得る。ＩＲスペクトル及びＮＭＲスペクトル
より同定する。
２−トリメチルシリルオ士シブタジエン８００１１１Ｆ
のペシセシ１〇−溶液を５０〜６０℃にで今時間加温す
る。溶媒を減圧留去し、シロップ状の２．８ａβ−ジク
ｎｏ−６−）リメチルシリルオ士！／ −４’＊ ５．
８＠ ｓａ−テトうしド０−１．４−ｔフト十ノン１．
６３ Ｆを得る。ＩＲスペクトル及びＮＭＲスペクトル
より同定する。
ＩＲν０Ｈ”ｓ （Ｆｌ） ： １５ｇ５．１６７０．
１６９０、思ＩＬＸ ７２Ｏ ＮＭＲδ（ＣＤＣ１，）； ０．１７Ｃ９Ｈ，１）、２
．２〜３．８（５Ｈ，ｔｅｌ）、４．６５〜４．８ＣＩ
Ｎ、＃ｌ）、６．８９（１ｆｆ、ｆ） 参考例２ 窒素気流下２．５− ａ／”り００ベシリ辛ノシ３００
啼及び２−トリメチルシリジオ士シづタジエシ３００＃
のベンゼン３ｄ溶液を８０〜９０℃にて３時間加温する
。溶媒を減圧留去し、２．４ａβ−ジクＯＯ−７−’ｔ
−リメチルシリもオ士シー４に、５゜８．８＆−テトラ
しドｏ −１，４−ナフト＋ノン５４０ａｉＦを得る。
１６９０、思ＩＬＸ ７２Ｏ ＮＭＲδ（ＣＤＣ１，）； ０．１７Ｃ９Ｈ，１）、２
．２〜３．８（５Ｈ，ｔｅｌ）、４．６５〜４．８ＣＩ
Ｎ、＃ｌ）、６．８９（１ｆｆ、ｆ） 参考例２ 窒素気流下２．５− ａ／”り００ベシリ辛ノシ３００
啼及び２−トリメチルシリジオ士シづタジエシ３００＃
のベンゼン３ｄ溶液を８０〜９０℃にて３時間加温する
。溶媒を減圧留去し、２．４ａβ−ジクＯＯ−７−’ｔ
−リメチルシリもオ士シー４に、５゜８．８＆−テトラ
しドｏ −１，４−ナフト＋ノン５４０ａｉＦを得る。
１Ｂスペクトル及びＮＭＲスペクトルより同定する。
ｃＨ”３ＣＣｆ１） ｓ １５８５．１６６５．１６
９０７ Ｒｋｌ ｍｈｘ ＮＭＲδＣＣＤＣｌｌ３） ＠０．２１（９＃、 ｚ
）、２．４１〜３．２７（４Ｈ，Ｉｌｌ ）、３．６７
（ＬＨｏｔ、ｊ＝８Ｈｚ）、４．７２〜４．８７ＣＩＨ
，ＩＩ）７．０１０Ｈ９１） 参考例３ 上記参考例１で得られる２、８＆β−ジグ００−６−ド
リメチ１５９４１士シー４８．５．８．８Ｂ−テトラし
ドｏ −１，４−ナフト十ノシ１．６３１ 及びエチレ
ングリコール１．０５ Ｆのエーテルｌ ＯｓＪ溶液に
濃塩酸２〜３滴を加え、産湯にて１６時間攪拌する。硫
酸ナトリウムを用いて乾燥後溶媒を留去して２．８１β
−ジクｏｎ−６．６−エチレシジオ辛シー ４ａ、 ５
．８．８ａ−テトラしドロー凰、４−ナフト中ノシ１．
４ｆを得る。ＩＲスペクトル及びＮＭＲスペクトシによ
）同定する。
９０７ Ｒｋｌ ｍｈｘ ＮＭＲδＣＣＤＣｌｌ３） ＠０．２１（９＃、 ｚ
）、２．４１〜３．２７（４Ｈ，Ｉｌｌ ）、３．６７
（ＬＨｏｔ、ｊ＝８Ｈｚ）、４．７２〜４．８７ＣＩＨ
，ＩＩ）７．０１０Ｈ９１） 参考例３ 上記参考例１で得られる２、８＆β−ジグ００−６−ド
リメチ１５９４１士シー４８．５．８．８Ｂ−テトラし
ドｏ −１，４−ナフト十ノシ１．６３１ 及びエチレ
ングリコール１．０５ Ｆのエーテルｌ ＯｓＪ溶液に
濃塩酸２〜３滴を加え、産湯にて１６時間攪拌する。硫
酸ナトリウムを用いて乾燥後溶媒を留去して２．８１β
−ジクｏｎ−６．６−エチレシジオ辛シー ４ａ、 ５
．８．８ａ−テトラしドロー凰、４−ナフト中ノシ１．
４ｆを得る。ＩＲスペクトル及びＮＭＲスペクトシによ
）同定する。
Ｉ Ｒｙ ｃＨ０１３（ｅｆｌ） ；１５９０．１６５
５．１６７０ｍａ！ ＮＭＲδ（ＣＤＣｊ、）纂 龜、 ８４ （２Ｈ１ｌ
、 Ｊ＝６ＮＭ ）’２．５５−３．０（４＃、 ｌ１
ｌ）、３．９９（４Ｈ，Ｅ）、３．８５〜４．２（１＃
。
５．１６７０ｍａ！ ＮＭＲδ（ＣＤＣｊ、）纂 龜、 ８４ （２Ｈ１ｌ
、 Ｊ＝６ＮＭ ）’２．５５−３．０（４＃、 ｌ１
ｌ）、３．９９（４Ｈ，Ｅ）、３．８５〜４．２（１＃
。
膚）、６．８８（ＩＮ、ｊ ）
参考例今
上記参考例２で得られる２、４１β−ジグ０〇−フード
リメチルシリルオ十シー４６．５．８．８６−テトラし
ドｏ−１．４−ナフト十ノン５４０ダ及びエチレンクリ
コール１３７＃のエーデ３１．５ ｍｆｌｊｆｌＫ濃塩
酸２滴を加え、室温にて１６時間攪拌する。硫酸ナトリ
ウムを用いて乾燥後溶媒を留去して２．４ａβ−ジグ０
ｏ−フ、フーエチレ：Ｊジオ↑シー４ａ。
リメチルシリルオ十シー４６．５．８．８６−テトラし
ドｏ−１．４−ナフト十ノン５４０ダ及びエチレンクリ
コール１３７＃のエーデ３１．５ ｍｆｌｊｆｌＫ濃塩
酸２滴を加え、室温にて１６時間攪拌する。硫酸ナトリ
ウムを用いて乾燥後溶媒を留去して２．４ａβ−ジグ０
ｏ−フ、フーエチレ：Ｊジオ↑シー４ａ。
５、８，８ａ−テトラしドｏ −１，４−ナフト中ノシ
４９０暗を得る。ＩＲスペクトル及びＮＭＲスペクトル
により同定する。
４９０暗を得る。ＩＲスペクトル及びＮＭＲスペクトル
により同定する。
Ｉ Ｒｙ ｃＨｃ１３（３−” ） Ｓ ｌ ５９０．
１６５０．１６９０ａｘ ＮＭＲδ（ＣＤＣｊ、） ｉ ２．４４〜４．２０（１
１＃、＃）、６．９３（凰Ｈ１１） 参考例５ ホ七フタシ酸無水物４１１１１．２−り０ロー６．６−
ニチレンジオｆシー５．６．７．８−テトラしドロー１
．４−ナフト辛ノシ６５＃及びトリエチル！！シ１３１
９のトルニジ２ｄ溶液を封管中口１〜１５０ル：ベシゼ
シ＝１：４）で精製する。クロロホルムより再結晶して
２８８９の２．２−エチレンジオ牛シー６−しドロ士シ
ー１．２．３．４−テトラしドロー５．１２−ナフタｔ
シ＋ノシを得る・ 解戸 ２２９〜２３０．５℃ ＩＲｙｃＨｃｊ３（３−１） ； １６０５．１６３０
．１６５５Ｈ１＆Ｘ ＮＭＲδ（ＣＤＣｊ３）纂１．９２ｃ２Ｍ、 ／、 Ｊ
＝６．５＃Ｍ ）。
１６５０．１６９０ａｘ ＮＭＲδ（ＣＤＣｊ、） ｉ ２．４４〜４．２０（１
１＃、＃）、６．９３（凰Ｈ１１） 参考例５ ホ七フタシ酸無水物４１１１１．２−り０ロー６．６−
ニチレンジオｆシー５．６．７．８−テトラしドロー１
．４−ナフト辛ノシ６５＃及びトリエチル！！シ１３１
９のトルニジ２ｄ溶液を封管中口１〜１５０ル：ベシゼ
シ＝１：４）で精製する。クロロホルムより再結晶して
２８８９の２．２−エチレンジオ牛シー６−しドロ士シ
ー１．２．３．４−テトラしドロー５．１２−ナフタｔ
シ＋ノシを得る・ 解戸 ２２９〜２３０．５℃ ＩＲｙｃＨｃｊ３（３−１） ； １６０５．１６３０
．１６５５Ｈ１＆Ｘ ＮＭＲδ（ＣＤＣｊ３）纂１．９２ｃ２Ｍ、 ／、 Ｊ
＝６．５＃Ｍ ）。
２．８０〜３ 、０５ （４＃、解）、４．０２Ｃ４Ｈ
，１）、７．５０〜７．９５Ｃ３Ｈ。
，１）、７．５０〜７．９５Ｃ３Ｈ。
ＩＭ）、８．０１ （ｉｆ、 ｊ ）、８．３５〜８．
５５ＣＩＨ，ｍ）、１４．０６（ＩＨｌｌ） 参考例６ ホ七フタル酸無水物５０４．２−りｏｏ−７，７−エチ
レシジオ士シー５．６．７．８−テトラしドロー１．４
−ナフト十ノシ７０ＩＩｌ！及びトリエチシア三シ１３
＃のトルエン２−溶液を封管中１４０〜１５０℃にて１
時間加熱する。冷後溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカ
ラムク０マドクラフイー（溶出液エーテル：ベシｔ！シ
ー１：４）で精製する。り００ホルムより再結晶して１
８４Ｆの３．３−エチレシジオ中シー６−しドロ士シー
１．２．３．４−テトラしドｏ −’ｓｏ １２−ナフ
タｔシ↑ノシを得る。
５５ＣＩＨ，ｍ）、１４．０６（ＩＨｌｌ） 参考例６ ホ七フタル酸無水物５０４．２−りｏｏ−７，７−エチ
レシジオ士シー５．６．７．８−テトラしドロー１．４
−ナフト十ノシ７０ＩＩｌ！及びトリエチシア三シ１３
＃のトルエン２−溶液を封管中１４０〜１５０℃にて１
時間加熱する。冷後溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカ
ラムク０マドクラフイー（溶出液エーテル：ベシｔ！シ
ー１：４）で精製する。り００ホルムより再結晶して１
８４Ｆの３．３−エチレシジオ中シー６−しドロ士シー
１．２．３．４−テトラしドｏ −’ｓｏ １２−ナフ
タｔシ↑ノシを得る。
ｍ戸 ２１４〜２１６ °Ｃ
ＩＲｙｃＨｃｌ’ （ａｍ−１） ｓ １６０５．１６
３０．１６５５ａｘ ＮＭＲδ（ＣＤＣｊ３） ｅ １．９２ｃ２Ｈ，ｔ、Ｊ
＝６．５Ｈ１）、２．８０〜３．０５（４Ｎ−リ、４．
０２（４ｆｆ、り、７．５０〜７．９５（３ｆｆ。
３０．１６５５ａｘ ＮＭＲδ（ＣＤＣｊ３） ｅ １．９２ｃ２Ｈ，ｔ、Ｊ
＝６．５Ｈ１）、２．８０〜３．０５（４Ｎ−リ、４．
０２（４ｆｆ、り、７．５０〜７．９５（３ｆｆ。
解）、８．０１（１＃、Ｓ）、８．３５〜８．５５（鳳
Ｈ０解）、 １３．９７（１＃。
Ｈ０解）、 １３．９７（１＃。
Ｓ）
参考例７
２．８ａβ−ジク００ ”−６＊ ６−エチレ、７ジオ
辛シー ４ａ、 ５．８．８１Ｌ−テトラしド（）−１
，４−すフト十ノシ１．６３ ｆの工、−チル５０ｓ？
溶［Ｋ）リエチルアミシ５６５ＱＦを徐々に滴下する６
滴下後３時間攪拌し、水を加えて有機層を分離する。さ
らに水層をベシぜシ５０１ｄで２回抽出し、先の有機層
と併せて、水洗する。硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留
去し、次いで残渣をシリカゲルカラムク０マドグラフイ
ー（溶出液：りＯＯホルム）で精製す＆ベシセシから再
結晶して２−りＤｏ−６，６−エチレシジオ↑シー５．
６．７．８−テトラしドｏ −１，４−ナフト十ノシ９
１８ｑを得る。
辛シー ４ａ、 ５．８．８１Ｌ−テトラしド（）−１
，４−すフト十ノシ１．６３ ｆの工、−チル５０ｓ？
溶［Ｋ）リエチルアミシ５６５ＱＦを徐々に滴下する６
滴下後３時間攪拌し、水を加えて有機層を分離する。さ
らに水層をベシぜシ５０１ｄで２回抽出し、先の有機層
と併せて、水洗する。硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留
去し、次いで残渣をシリカゲルカラムク０マドグラフイ
ー（溶出液：りＯＯホルム）で精製す＆ベシセシから再
結晶して２−りＤｏ−６，６−エチレシジオ↑シー５．
６．７．８−テトラしドｏ −１，４−ナフト十ノシ９
１８ｑを得る。
ｍ戸 盈 ３９．５〜１４０ ℃
Ｉ Ｒｙ ｃＨｃｌ’ （ａｍ−”） ｓ ｌ ５９
０．１６５５．１６７０ａｘ工 ＮＭＲδ（ＣＤＣｊ３） Ｓ １．８６（２ｆｆ、 ｔ
、Ｊ＝７Ｈ１）、２．５〜２．９（４＃、１１１）、今
、ｏｏ（４Ｈ。
０．１６５５．１６７０ａｘ工 ＮＭＲδ（ＣＤＣｊ３） Ｓ １．８６（２ｆｆ、 ｔ
、Ｊ＝７Ｈ１）、２．５〜２．９（４＃、１１１）、今
、ｏｏ（４Ｈ。
り、６．８２（１＃、 １）
元素分析値（Ｃ工Ｉ□□０４Ｃｔとして）ＣＨＣｌｌ
計算値（％） ５６．６０ ４．３５ １３．９２実測
値（％） ５６．６０ ４．２７ １４．０８参考例８ ２．４亀β−ジグ０ｏ−フ、フーニチレンジオ↑シー
４ａ、５，８．８＆ −テトラしド０−１．４−ナフト
１−／シ４９０１１ｇＦのエーテ１，１５−溶液にトリ
エチルアミン１７２９を滴下する０滴下後３時間攪拌し
、水を加えて有機層な分離する。さらに水層をベンゼシ
１５ｓｔで２回抽出し、先の有機層と併せて、水洗、飽
和食塩水洗浄する。硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を留
去し、次ｉで残渣をシリカゲルカラムク０マドグラフイ
ー（溶出液：り００ホルム）で精製する。ペンでシー譚
−へｆサンから再結晶して２−りｎｏ−７，７−エチレ
シジオ子シー５．６゜７．８−テトラしドロー１．４−
ナフト＋ノシ２４１噌を得る。
値（％） ５６．６０ ４．２７ １４．０８参考例８ ２．４亀β−ジグ０ｏ−フ、フーニチレンジオ↑シー
４ａ、５，８．８＆ −テトラしド０−１．４−ナフト
１−／シ４９０１１ｇＦのエーテ１，１５−溶液にトリ
エチルアミン１７２９を滴下する０滴下後３時間攪拌し
、水を加えて有機層な分離する。さらに水層をベンゼシ
１５ｓｔで２回抽出し、先の有機層と併せて、水洗、飽
和食塩水洗浄する。硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を留
去し、次ｉで残渣をシリカゲルカラムク０マドグラフイ
ー（溶出液：り００ホルム）で精製する。ペンでシー譚
−へｆサンから再結晶して２−りｎｏ−７，７−エチレ
シジオ子シー５．６゜７．８−テトラしドロー１．４−
ナフト＋ノシ２４１噌を得る。
ｍ戸 ９ ８ − ９ ８．５ ”ＯＩＲｙｃＨｃ＃
３（ａＩＭ−”） ｓ １６００、ｌ６５０１１ＬＪｃ ＮＭＲδ（ＣＤＣ＃、）ｉ １．８２（２＃、１．Ｊ＝
６ＨＩ）、２．５８〜２．８０（４＃、ｌ１ｌ）、４．
００Ｃ４Ｎ。
３（ａＩＭ−”） ｓ １６００、ｌ６５０１１ＬＪｃ ＮＭＲδ（ＣＤＣ＃、）ｉ １．８２（２＃、１．Ｊ＝
６ＨＩ）、２．５８〜２．８０（４＃、ｌ１ｌ）、４．
００Ｃ４Ｎ。
り、６．８９（鳳Ｈ，ｚ）
元素分析ｉ［（Ｃ１，ＩＩ工、０４Ｃ４として）ＣＭ
（４ 計算１［（％） ５６．６０ ４．３５ １３．９２
実測値Ｃ％） ５６．６１ ＋、２７ １４．０５
実施例１ ２．２−エチレンジオ十シー６−しド□十シー１゜２、
３．４−テトラしドｏ−５．１２−ナフタセシ＋ノシ２
２＊と四酢酸鉛６０１１ｆを酢酸：Ｗ！：Ｉり□０メタ
シ＝２二にの混合浴Ｋ ４．５ ｄ Ｋ：溶解し、室温
で１６時間攪拌する。反応後溶媒を減圧留去−残渣をシ
リカゲルカラムク０マドグラフイー（溶出液り〇〇ホル
ム：酢酸エチル＝３０ ： ｌ ）で精製する。
（４ 計算１［（％） ５６．６０ ４．３５ １３．９２
実測値Ｃ％） ５６．６１ ＋、２７ １４．０５
実施例１ ２．２−エチレンジオ十シー６−しド□十シー１゜２、
３．４−テトラしドｏ−５．１２−ナフタセシ＋ノシ２
２＊と四酢酸鉛６０１１ｆを酢酸：Ｗ！：Ｉり□０メタ
シ＝２二にの混合浴Ｋ ４．５ ｄ Ｋ：溶解し、室温
で１６時間攪拌する。反応後溶媒を減圧留去−残渣をシ
リカゲルカラムク０マドグラフイー（溶出液り〇〇ホル
ム：酢酸エチル＝３０ ： ｌ ）で精製する。
ｆｌａｌｌの出発原料である２、２−エチレシジオ士シ
ー６−しド０９ 、！／ −Ｌ２ｅ３１４− テトラし
ドロー５゜１２−ナフタセシ士ノシと８暗の２．２−エ
チレンジオ十シー６−しドロ＋シー１１−アｔチルオ＋
シー１．２．３．４− テトラしドｏ−５，ｔ２−すＥ
９ｔ！：Ｊヤノシを得る。
ー６−しド０９ 、！／ −Ｌ２ｅ３１４− テトラし
ドロー５゜１２−ナフタセシ士ノシと８暗の２．２−エ
チレンジオ十シー６−しドロ＋シー１１−アｔチルオ＋
シー１．２．３．４− テトラしドｏ−５，ｔ２−すＥ
９ｔ！：Ｊヤノシを得る。
ｍ戸 ２１５〜２１７℃（メ９）−ル）Ｉ Ｒｙ ｃＨ
”３ （ｍ−１） ： １７６０．１６６５．１６３０
ａｘ ＮＭＲδ（ＣＤＣＩ、）： １３．４９（１／／、１）
、７．９０〜８．２０（２Ｈ，Ｉｆｆ ）、７．４０〜
７．７０Ｃ２Ｈ１ＩＩ１１）、３．９８Ｃ４に、 １
）、３．０２（２＃、 ／、 Ｊ＝７Ｈｚ ）、２．８
３（２＃。
”３ （ｍ−１） ： １７６０．１６６５．１６３０
ａｘ ＮＭＲδ（ＣＤＣＩ、）： １３．４９（１／／、１）
、７．９０〜８．２０（２Ｈ，Ｉｆｆ ）、７．４０〜
７．７０Ｃ２Ｈ１ＩＩ１１）、３．９８Ｃ４に、 １
）、３．０２（２＃、 ／、 Ｊ＝７Ｈｚ ）、２．８
３（２＃。
ｌ）、２．４７（３＃、ｊ）、１．９５（２Ｈ９ｔ 、
Ｊ＝７Ｈｚ ） 実施例２ ３．３−エチレシジオ十シー６−しドロ＋シーｌ。
Ｊ＝７Ｈｚ ） 実施例２ ３．３−エチレシジオ十シー６−しドロ＋シーｌ。
２、３．４−テトラしドＱ −５，１２−ナフタｔシ十
ノシ４２ｑと四酢酸鉛１１０１１を酢酸：ジクｏＯメタ
シ＝２：ｌの混合溶媒４．５ｗｌに溶解し、室温で１６
時間攪拌する０反応後溶媒を減圧留去し、残渣をシリカ
ゲルカラムク０マトジ５フイー（溶出液 り００ホルム
：酢酸エチル＝３０ ： １ ）で精製する。８．５Ｊ
Ｉｌの出発原料である３、３−エチレシジ才↑シー６−
しドＯ十シー１．２．３．４−テトラヒト０−５．１２
−ナツタしシ↑ノシと３５ｑの３．３−エチしシジオ士
シー６−しドロ士シー１１−ア七チルオ十シー １．２
，３．４−テトラしドｏ −５＊ １２−ナフタヒン十
ノシを、得る。
ノシ４２ｑと四酢酸鉛１１０１１を酢酸：ジクｏＯメタ
シ＝２：ｌの混合溶媒４．５ｗｌに溶解し、室温で１６
時間攪拌する０反応後溶媒を減圧留去し、残渣をシリカ
ゲルカラムク０マトジ５フイー（溶出液 り００ホルム
：酢酸エチル＝３０ ： １ ）で精製する。８．５Ｊ
Ｉｌの出発原料である３、３−エチレシジ才↑シー６−
しドＯ十シー１．２．３．４−テトラヒト０−５．１２
−ナツタしシ↑ノシと３５ｑの３．３−エチしシジオ士
シー６−しドロ士シー１１−ア七チルオ十シー １．２
，３．４−テトラしドｏ −５＊ １２−ナフタヒン十
ノシを、得る。
ｍ戸 ２２６〜２２８°Ｃ（メタノール）ＩＲν””３
（ｚ−”） ロアロ０．１６６５．１６３０ａｘ ＮＭＲδＣＣＤＣｌ５） ； １３．５７（団、ｚ）、
８．０５〜８．３５（’２Ｈ，ｍ＞、７．５５〜７．８
０（２＃。
（ｚ−”） ロアロ０．１６６５．１６３０ａｘ ＮＭＲδＣＣＤＣｌ５） ； １３．５７（団、ｚ）、
８．０５〜８．３５（’２Ｈ，ｍ＞、７．５５〜７．８
０（２＃。
ｍ）、４．０２Ｃ４Ｈ，ｂ ｊ ）、３．００Ｃ２Ｈ９
１）、２．８１（２Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．５＃Ｊ）、２．４
８（３＃、ｊ）、１．９３（２＃、 ｔ、／ ＝７．５
Ｈｚ）実施例３ ２．２−エチレシジオｆシー６−しドロ士シー１１−ア
セチルオ↑シー１．２，３．４−テトラしドロー５゜１
２−ナフタセン↑ノシ１０ηのトリフジオ０酢酸１−溶
液に水０．うばを滴下し、５０℃で３時間加熱する。冷
後、溶媒を減圧留去し、得られた残渣をシリカゲルカラ
ムク０マドクラフイー（溶出液り００ホルム：酢酸エチ
ル＝９ ： ｌ ）で精製する。
１）、２．８１（２Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．５＃Ｊ）、２．４
８（３＃、ｊ）、１．９３（２＃、 ｔ、／ ＝７．５
Ｈｚ）実施例３ ２．２−エチレシジオｆシー６−しドロ士シー１１−ア
セチルオ↑シー１．２，３．４−テトラしドロー５゜１
２−ナフタセン↑ノシ１０ηのトリフジオ０酢酸１−溶
液に水０．うばを滴下し、５０℃で３時間加熱する。冷
後、溶媒を減圧留去し、得られた残渣をシリカゲルカラ
ムク０マドクラフイー（溶出液り００ホルム：酢酸エチ
ル＝９ ： ｌ ）で精製する。
メタノールで再結晶して６．５ Ｉｆの２−才子ソ−５
゜１２−ジしドロ士シ−１，２，３，４−テトラしドロ
ー６゜１１−ナフタｔシ＋ノシを得る。
゜１２−ジしドロ士シ−１，２，３，４−テトラしドロ
ー６゜１１−ナフタｔシ＋ノシを得る。
’１７２９６〜２９８℃
ＩＲνＣＨ”３ （ｍ−１＞ ； １７１０．１６１０
．１５８０ａｘ ＮＭＲδ（ＣＤＣｌ ３） 暮 １３．４８Ｃ１１
１，１） 、 １３．３７（１＃。
．１５８０ａｘ ＮＭＲδ（ＣＤＣｌ ３） 暮 １３．４８Ｃ１１
１，１） 、 １３．３７（１＃。
Ｓ）、８．２−８．４（２＃、ｌ１ｌ）７．６５−７．
８５Ｃ２Ｈ，ｗｅ）、３．７６（２＃、Ｊ）、３．４０
Ｃ２Ｈ１ｔ、Ｊ＝７・５Ｈ１）、２．６４（２／／、
ｔ、Ｊ＝７．５＃ｊ） 実施例４ ３．３−エチレンジオ↑シー６−しドロ子シー１１−ア
ｔチルオ＋シー１．２．３．４−テトラしドロー５゜１
２−ナフタｔシ千ノン１０ダのトリフルオロ酢酸１ｍ／
溶液に水０．５ｍｌを滴下し、５０°ＣＶｃて３時間加
熱する。冷後溶謀を減圧留去し、残渣に水を加えて、り
００ホルムで抽出（１０ＭｔＸ３）Ｌ、抽出液を水洗し
、硫酸ナトリウムで乾燥する。シリカゲルカラムク０マ
ドクラフイー（溶出液 り００ホルム：酢酸エチル＝９
：１）で精製する。メタノールより再結晶して５．５９
の２−オ＋ソー５．１２−ジしドロ士シー１．２．３．
４−テトラしドｏ−６．ＩＩ−ナフタセシ十ノシを得る
。
８５Ｃ２Ｈ，ｗｅ）、３．７６（２＃、Ｊ）、３．４０
Ｃ２Ｈ１ｔ、Ｊ＝７・５Ｈ１）、２．６４（２／／、
ｔ、Ｊ＝７．５＃ｊ） 実施例４ ３．３−エチレンジオ↑シー６−しドロ子シー１１−ア
ｔチルオ＋シー１．２．３．４−テトラしドロー５゜１
２−ナフタｔシ千ノン１０ダのトリフルオロ酢酸１ｍ／
溶液に水０．５ｍｌを滴下し、５０°ＣＶｃて３時間加
熱する。冷後溶謀を減圧留去し、残渣に水を加えて、り
００ホルムで抽出（１０ＭｔＸ３）Ｌ、抽出液を水洗し
、硫酸ナトリウムで乾燥する。シリカゲルカラムク０マ
ドクラフイー（溶出液 り００ホルム：酢酸エチル＝９
：１）で精製する。メタノールより再結晶して５．５９
の２−オ＋ソー５．１２−ジしドロ士シー１．２．３．
４−テトラしドｏ−６．ＩＩ−ナフタセシ十ノシを得る
。
渭戸 ２９６〜２９８°Ｃ
（以 上）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 〔式中Ｒｉ及びＲ２は、一方が水素原子を示し、他の一
方が低級アル＋レジ“ジオ千シ基を示す、〕で表わされ
るナフタセン十ノン誘導体をアシルオ＋シ化し、次いで
得られる一般式 〔式中Ｒ３は低級アルカノイル基を示す、Ｒ１及びＲ２
は前記に同じ。〕 で表わされるナフタセン士ノン誘導体を加水分解して式 で表わされるナフタセン士ノン誘導体を得ることを特徴
とするナフタセン士ノン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP464882A JPS58124736A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | ナフタセンキノン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP464882A JPS58124736A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | ナフタセンキノン誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124736A true JPS58124736A (ja) | 1983-07-25 |
| JPH0337532B2 JPH0337532B2 (ja) | 1991-06-05 |
Family
ID=11589775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP464882A Granted JPS58124736A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | ナフタセンキノン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985001726A1 (en) * | 1983-10-19 | 1985-04-25 | The University Of Melbourne | Carminomycinone precursors and analogues and derivatives thereof |
-
1982
- 1982-01-14 JP JP464882A patent/JPS58124736A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985001726A1 (en) * | 1983-10-19 | 1985-04-25 | The University Of Melbourne | Carminomycinone precursors and analogues and derivatives thereof |
| US4822873A (en) * | 1983-10-19 | 1989-04-18 | University Of Melbourne | Carminomycinone precurses and analogues |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0337532B2 (ja) | 1991-06-05 |
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