JPS58123731A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
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- JPS58123731A JPS58123731A JP57006253A JP625382A JPS58123731A JP S58123731 A JPS58123731 A JP S58123731A JP 57006253 A JP57006253 A JP 57006253A JP 625382 A JP625382 A JP 625382A JP S58123731 A JPS58123731 A JP S58123731A
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- JP
- Japan
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- wafer
- back side
- liquid
- processing
- adhesion
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
この発ＩＱは、特にウニへの表面にホト立ツテング工程
における現ＩＩ郷０Ｊ６１１を行なう際に使用する半導
体躯！Ｉ！装置ＫＩＩする。
における現ＩＩ郷０Ｊ６１１を行なう際に使用する半導
体躯！Ｉ！装置ＫＩＩする。
抛明の技術的背景
一般に、半導体装置を製造するには、ウェハに対して多
くＯ処理工程を必要ζする。ζＯ処理工ｓＯ中で、例え
ｄホトエツチング工程は、ウェハ０１ＩＮＫ所望の半導
体素子Ｏパターンを形成する工程であり、処膳ニー〇中
でも１賛な工＠〇一つである・このホトエツチング工程
では、通常ウェハの表面にホトレジスト （例えばポジ
ティブレジスト）を塗布し、このホトレジストにホトマ
スクを介して露光を行なう。この露光後、例えば不要な
ホトレジストをエツチング１１ （ｔたは＊＊液）で除
去し、ウェハの表面にパターンの３Ｊ儂を行なう０この
パターンの現像によって、クエへの表面に所望のパター
ンの半導体素子を形成することができる。
くＯ処理工程を必要ζする。ζＯ処理工ｓＯ中で、例え
ｄホトエツチング工程は、ウェハ０１ＩＮＫ所望の半導
体素子Ｏパターンを形成する工程であり、処膳ニー〇中
でも１賛な工＠〇一つである・このホトエツチング工程
では、通常ウェハの表面にホトレジスト （例えばポジ
ティブレジスト）を塗布し、このホトレジストにホトマ
スクを介して露光を行なう。この露光後、例えば不要な
ホトレジストをエツチング１１ （ｔたは＊＊液）で除
去し、ウェハの表面にパターンの３Ｊ儂を行なう０この
パターンの現像によって、クエへの表面に所望のパター
ンの半導体素子を形成することができる。
このようなホトエツチング工程における現倫勢のＪ１１
１＆環は、通常側１図に示すような半導体処ｓＩ装置を
使用して行なわれる０ζＯＭＰ導体処理義置（以下単に
処理装置と称する）は、第１図に示すように所定の＃！
盲を有する処理容器ＩＩからなる。この躯通容４１６１
ＩＣ）内部には、ウェハ１１を保持し一転させるスピ
ンチャック１１がほぼ中心部に設叶られる・こＯスピン
チャック１１に対して上部の方（通常処理容器１１の外
部）Ｋ現像液勢Ｏ処Ｈ１ｔｌ１４を噴射するノズ８１６
が設けられる。このノズル１５からスピンチャックＪＪ
Ｋ填皺されたウェハＩ２の表面に処理液１４が供給され
る。さらに、部域容器１１内には、その内壁および紙面
から所定の間隔をもってはね返り防止板Ｚｇａ、１６ｂ
が設けられる。このはね返シ防止９１６＊、１６ｂは、
ウェハｆｆｆｏ現倫の際、処理液Ｉ４および除去てれる
レジストが処理容器Ｉｔの内壁および底面ではね返り、
ウェハ１１の裏面等に付着するのを防止するためである
。また、このはね返りを防止して、ＩＩＩＩＫウェハＪ
ＪＯ裏面に上記処理液１４およびレジスト等が付着する
のを紡ぐために、ウェハ１２０裏１ｉ１ｉＫ対応する位
置に付着防止板１１が設けられる。
１＆環は、通常側１図に示すような半導体処ｓＩ装置を
使用して行なわれる０ζＯＭＰ導体処理義置（以下単に
処理装置と称する）は、第１図に示すように所定の＃！
盲を有する処理容器ＩＩからなる。この躯通容４１６１
ＩＣ）内部には、ウェハ１１を保持し一転させるスピ
ンチャック１１がほぼ中心部に設叶られる・こＯスピン
チャック１１に対して上部の方（通常処理容器１１の外
部）Ｋ現像液勢Ｏ処Ｈ１ｔｌ１４を噴射するノズ８１６
が設けられる。このノズル１５からスピンチャックＪＪ
Ｋ填皺されたウェハＩ２の表面に処理液１４が供給され
る。さらに、部域容器１１内には、その内壁および紙面
から所定の間隔をもってはね返り防止板Ｚｇａ、１６ｂ
が設けられる。このはね返シ防止９１６＊、１６ｂは、
ウェハｆｆｆｏ現倫の際、処理液Ｉ４および除去てれる
レジストが処理容器Ｉｔの内壁および底面ではね返り、
ウェハ１１の裏面等に付着するのを防止するためである
。また、このはね返りを防止して、ＩＩＩＩＫウェハＪ
ＪＯ裏面に上記処理液１４およびレジスト等が付着する
のを紡ぐために、ウェハ１２０裏１ｉ１ｉＫ対応する位
置に付着防止板１１が設けられる。
このような処ｌｌ装置において、まずウェハ１２をホト
エツチング郷の表向処１１ｉの４ｂ１！な表面を上＠に
してスピンチャック１ｓに載置して回転させる。このウ
ェハ１ｌｔ）９面にノズル１５から現像液である処８Ｉ
１１４を噴射する。
エツチング郷の表向処１１ｉの４ｂ１！な表面を上＠に
してスピンチャック１ｓに載置して回転させる。このウ
ェハ１ｌｔ）９面にノズル１５から現像液である処８Ｉ
１１４を噴射する。
シティプレシスト等のホトレジストが皇布され、このホ
トレジストにホトマスクを介して露光されているものと
する。こ０処個１ｋ１４の供給により、ウェハｌｚｏ表
面の不便なホトレジストがエツチングされ、所望のパタ
ーン°（レジストパターン）を得ることができる。この
エツチング処ｌｌ０ＩＩ！、処ｍ液１４およびエツチン
グされ内壁およびＥＴ＆ではね返り、ウェハ１２の特に
裏面に付着するのを防止するために、上記のようにはね
返）防止板１６＆、ｌｌｂおよび付着防止板ＩＰが設け
られている。雷らに、処理容器１１（Ｄ＠さ、すなわち
轡にウェハＩ２と底面間の深さをなるべく渫くする必景
がある。そして、上記のようなａｌｌ筐Ｉ４およびレジ
ストは、菖１図に示すような処層容伽１１と連続して設
けられるダクト１８を遥って、外部へ＃出ぢれるＯ 背景技術の問題点 ところで、上記のようにはね返シ防止板１６＆、１６ｂ
Ｓ？よび付着防止板ｓｒが設けられることによって、ウ
ェハｌ Ｊのａｒ＃に処ＩＨａｒ４およびレジストが付
着するのを一応防止することができるが、実際には完全
に防ぐことは不可能である。例えは、上記のような付着
防止効果を高めるために、第１図に示す付着防止８１７
をウェハＩＩの裏面に可能な限り接近させると、ウェハ
１２の裏面と付着防止９１１間に侵入した処理＠ Ｘ
ａ等が溜る状態となり、逆に付着防止効果が低下するな
どの不都合が生ずる。また、ウェハＪＺの裏面と付着防
止板１７をｔａＬせることは、ウェハ１１の翻転動作に
悪影畳を与えるため、轟然ながら実現できない。したが
って、従来では、ウェハｌ１ｔ）裏面に不便な処理ｔＩ
４等が付着するのを完全には防止で！ないため、例えば
ホトエラテンダニ穏から別ＯＪ６通工程にウェハ１ｚを
搬送畜せる場合、他のウェハの表面に処ｓＩＫを付着さ
せる不都合が生じて、ウェハＯＩＩ＆瀧工程に愚影畳を
及ｔ！すことになる。
トレジストにホトマスクを介して露光されているものと
する。こ０処個１ｋ１４の供給により、ウェハｌｚｏ表
面の不便なホトレジストがエツチングされ、所望のパタ
ーン°（レジストパターン）を得ることができる。この
エツチング処ｌｌ０ＩＩ！、処ｍ液１４およびエツチン
グされ内壁およびＥＴ＆ではね返り、ウェハ１２の特に
裏面に付着するのを防止するために、上記のようにはね
返）防止板１６＆、ｌｌｂおよび付着防止板ＩＰが設け
られている。雷らに、処理容器１１（Ｄ＠さ、すなわち
轡にウェハＩ２と底面間の深さをなるべく渫くする必景
がある。そして、上記のようなａｌｌ筐Ｉ４およびレジ
ストは、菖１図に示すような処層容伽１１と連続して設
けられるダクト１８を遥って、外部へ＃出ぢれるＯ 背景技術の問題点 ところで、上記のようにはね返シ防止板１６＆、１６ｂ
Ｓ？よび付着防止板ｓｒが設けられることによって、ウ
ェハｌ Ｊのａｒ＃に処ＩＨａｒ４およびレジストが付
着するのを一応防止することができるが、実際には完全
に防ぐことは不可能である。例えは、上記のような付着
防止効果を高めるために、第１図に示す付着防止８１７
をウェハＩＩの裏面に可能な限り接近させると、ウェハ
１２の裏面と付着防止９１１間に侵入した処理＠ Ｘ
ａ等が溜る状態となり、逆に付着防止効果が低下するな
どの不都合が生ずる。また、ウェハＪＺの裏面と付着防
止板１７をｔａＬせることは、ウェハ１１の翻転動作に
悪影畳を与えるため、轟然ながら実現できない。したが
って、従来では、ウェハｌ１ｔ）裏面に不便な処理ｔＩ
４等が付着するのを完全には防止で！ないため、例えば
ホトエラテンダニ穏から別ＯＪ６通工程にウェハ１ｚを
搬送畜せる場合、他のウェハの表面に処ｓＩＫを付着さ
せる不都合が生じて、ウェハＯＩＩ＆瀧工程に愚影畳を
及ｔ！すことになる。
また、ウェハの裏面に処ｍ液勢が付着していると、ウェ
ハを搬送石せる搬送踏部でウェハが搬送途中に停止する
など、ウェハの搬送効率を低下爆ぜる欠点もある。
ハを搬送石せる搬送踏部でウェハが搬送途中に停止する
など、ウェハの搬送効率を低下爆ぜる欠点もある。
発＠ＯＩ的
この尭明け、上記の事情を鑑みてなされたもので、ウェ
ハの表面に処理液を供給してエツチング等の処理を行な
う場合、ウェハの躾面に不便な処理ＩＩＫ郷が付着する
のを防止して、ウェハを処理工程間で搬送させる際、各
処理工程を安定な状ＩＩＫ保持しウェハの搬送を確実に
行なうことができるなどウェハの麩珈工程全体を確実で
安定に保持する仁とができる半導体躯１輌置を提供する
ことを目的とする。
ハの表面に処理液を供給してエツチング等の処理を行な
う場合、ウェハの躾面に不便な処理ＩＩＫ郷が付着する
のを防止して、ウェハを処理工程間で搬送させる際、各
処理工程を安定な状ＩＩＫ保持しウェハの搬送を確実に
行なうことができるなどウェハの麩珈工程全体を確実で
安定に保持する仁とができる半導体躯１輌置を提供する
ことを目的とする。
発明の概要
上記の目的を達成するため、この発明においては、ウェ
ハの裏面に対応する位置に純水等のリンス液を供給する
讐ンス液供給手Ｒを倫えた付着防止手段を設ける・この
リンス液供給手段からのリンス液をウェハの裏面に噴射
して、ウニへのｍ−に付着した不要な処ｍｓ勢を洗浄し
除去するものである。
ハの裏面に対応する位置に純水等のリンス液を供給する
讐ンス液供給手Ｒを倫えた付着防止手段を設ける・この
リンス液供給手段からのリンス液をウェハの裏面に噴射
して、ウニへのｍ−に付着した不要な処ｍｓ勢を洗浄し
除去するものである。
発明の実施例
以下図面を参照してこの発明の一実施例についてＩ２＃
４する。第２図はこの発明に係る半導体感ｍ装置の構成
を示すもので、所定の深さを有する処１１＄１６１１内
にスピンチャックＸ１が設けられる。仁のスピンチャッ
ク１３は表面処理の必要なウェハ１１を保持し回転名せ
る載置である。このスピンチャツタ１３に載量てれたウ
ェハ１２の裏面、すなわち表面＃＆理の不要な面に対応
する位置に表面処ｍに使用される処理液等の付着を防止
する付着防止装置ｊ ｌ ｌ ２１ｂが設けられる。こ
の付着防止装置２１％、Ｉｌｂは、例えばウニへ１１１
０裏面と平行な平面板（例えばステンレスからなる）
−２ｊ１．ｊｏｂを有する立体構造物である。さらにこ
の付着防止装置２１ａには、純水等のリンス１ｌｚｚを
噴射するリンス液供給載置Ｉ４が設けられる０こ０リン
ス箪供給装置Ｊ４１Ｃは、ウェハ１２の線面にりンス＠
ｉｓを噴射するようにノズル２５が例えば上記平面板ｚ
ｚａＫＩ［Ｉ＊して設けられる。仁のノズル２５には、
＃＆通春器１１の外部から例えはゴム系の管２６を介し
て純水等のリンス液ＩＪが供給嘔れる。なお、現像１１
［（エツチング液）勢の処＠＠１４を噴射するノズル１
５および不要な処運ｔｌｓａ勢を外部へ排出するための
ダクト１８勢につ−て紘、前記無１図と同様であるため
説明唸雀略する。
４する。第２図はこの発明に係る半導体感ｍ装置の構成
を示すもので、所定の深さを有する処１１＄１６１１内
にスピンチャックＸ１が設けられる。仁のスピンチャッ
ク１３は表面処理の必要なウェハ１１を保持し回転名せ
る載置である。このスピンチャツタ１３に載量てれたウ
ェハ１２の裏面、すなわち表面＃＆理の不要な面に対応
する位置に表面処ｍに使用される処理液等の付着を防止
する付着防止装置ｊ ｌ ｌ ２１ｂが設けられる。こ
の付着防止装置２１％、Ｉｌｂは、例えばウニへ１１１
０裏面と平行な平面板（例えばステンレスからなる）
−２ｊ１．ｊｏｂを有する立体構造物である。さらにこ
の付着防止装置２１ａには、純水等のリンス１ｌｚｚを
噴射するリンス液供給載置Ｉ４が設けられる０こ０リン
ス箪供給装置Ｊ４１Ｃは、ウェハ１２の線面にりンス＠
ｉｓを噴射するようにノズル２５が例えば上記平面板ｚ
ｚａＫＩ［Ｉ＊して設けられる。仁のノズル２５には、
＃＆通春器１１の外部から例えはゴム系の管２６を介し
て純水等のリンス液ＩＪが供給嘔れる。なお、現像１１
［（エツチング液）勢の処＠＠１４を噴射するノズル１
５および不要な処運ｔｌｓａ勢を外部へ排出するための
ダクト１８勢につ−て紘、前記無１図と同様であるため
説明唸雀略する。
このような半導体躯１１ｍｔにおいて、例えは予めホト
レジスト （ポジティブレジスト等）を塗布して露光後
のクエ＾１２をスピンチャック１１に載置する。この場
合、ウェハ１１はホトレジストを皇布畜れた表面を上側
にしてスピンチャックｆＪに載１１され、−転される◇
そして、１ｉ′ このクエハＸＺＯ懺曹にノズル１５から現偉液勢の処理
＠１４が供給てれる。ζｏｔｓ’ｉｉａ液１４の供給に
よって、ウェハ１１の＊面の不要なネトレジストがエツ
チング＠れ、所望のパターン（レジストパターン）がウ
ェハ１２０表ｍＫ形成される。この場合、処１ｌｉｌｌ
１４およびエツチングされるネトレジストが処塩容器Ｉ
Ｉ内の各所に飛び散る。このＪｌｌｌ＆ｍ１１１４およ
びホトレジストが感１容＠１１の内壁および底面ではね
返りウニ’／％ ｌ ｊの裏面の方向に飛び散った場合
、付着防止装置１１＆、Ｉｌｂの各平面板１１ａ、ｚｚ
ｂによってウェハＺ１の裏面に処理液１４等が付着する
のをある＠度、すなわち特にウェハｌｚの裏面の中心部
近辺の付着を防止できる。さらに、付着防止装置２ＺＩ
ＬＫ設けられたリンス液供１ＩｉＩｋ置１４のノズル１
５から純水郷のリンス液ｚ３をウェハＩ２の裏面に噴射
させる。この場合、りンスｔｓ、ｘ ｓｏ供給は、例え
ばウェハ１２を一転畜せるスピンチャツタＺｊの回転駆
動に同期して行なわれる。このノズルｘｉからのリンス
Ｉ［ＪＪＫよって、％にウェハｒｚｔＤ＆面の周辺ｍＫ
付着した処理液１４および水トレジストを洗浄し＃膏す
る０なお、Ｉ＆層液１４およびウェハ１１から除去され
たホトレジストは、上記と同様にダクトｌ＃を通って処
理容器１１の外部へ排出畜れる０ このようにして、ウニ八１１０懺置に必要なホＦエツチ
ング勢の＊ｉｉｉ処ｌｌが行なわれ、半尋体素の形成等
に必要なパターンが形成場れることになる。この場合、
上記のようにウェハＩ２０裏面には、付着防止装置ｊＺ
ａ、ＪＺｂにより不要なａ層液１４およびホトレジスト
が付着されるのを確実に防止で龜る０すなわち、付着防
止装置１１１．Ｉｌｂの平面板Ｊ ｚ ａ 、 ｚｚｂ
によって、４１１にウェハｔｚＯＫＴＩＡＯ中心部近辺
の付着を防ぐことがで龜るｏｌらにリンス液供給載置Ｊ
ＩＯりンス液ＩＪの噴射によって、ウェハ１１の裏面の
周辺ＩＩＫ４６１ｍ＠ ｔ ４等が付着した場合でも、
洗浄し除去することができる。
レジスト （ポジティブレジスト等）を塗布して露光後
のクエ＾１２をスピンチャック１１に載置する。この場
合、ウェハ１１はホトレジストを皇布畜れた表面を上側
にしてスピンチャックｆＪに載１１され、−転される◇
そして、１ｉ′ このクエハＸＺＯ懺曹にノズル１５から現偉液勢の処理
＠１４が供給てれる。ζｏｔｓ’ｉｉａ液１４の供給に
よって、ウェハ１１の＊面の不要なネトレジストがエツ
チング＠れ、所望のパターン（レジストパターン）がウ
ェハ１２０表ｍＫ形成される。この場合、処１ｌｉｌｌ
１４およびエツチングされるネトレジストが処塩容器Ｉ
Ｉ内の各所に飛び散る。このＪｌｌｌ＆ｍ１１１４およ
びホトレジストが感１容＠１１の内壁および底面ではね
返りウニ’／％ ｌ ｊの裏面の方向に飛び散った場合
、付着防止装置１１＆、Ｉｌｂの各平面板１１ａ、ｚｚ
ｂによってウェハＺ１の裏面に処理液１４等が付着する
のをある＠度、すなわち特にウェハｌｚの裏面の中心部
近辺の付着を防止できる。さらに、付着防止装置２ＺＩ
ＬＫ設けられたリンス液供１ＩｉＩｋ置１４のノズル１
５から純水郷のリンス液ｚ３をウェハＩ２の裏面に噴射
させる。この場合、りンスｔｓ、ｘ ｓｏ供給は、例え
ばウェハ１２を一転畜せるスピンチャツタＺｊの回転駆
動に同期して行なわれる。このノズルｘｉからのリンス
Ｉ［ＪＪＫよって、％にウェハｒｚｔＤ＆面の周辺ｍＫ
付着した処理液１４および水トレジストを洗浄し＃膏す
る０なお、Ｉ＆層液１４およびウェハ１１から除去され
たホトレジストは、上記と同様にダクトｌ＃を通って処
理容器１１の外部へ排出畜れる０ このようにして、ウニ八１１０懺置に必要なホＦエツチ
ング勢の＊ｉｉｉ処ｌｌが行なわれ、半尋体素の形成等
に必要なパターンが形成場れることになる。この場合、
上記のようにウェハＩ２０裏面には、付着防止装置ｊＺ
ａ、ＪＺｂにより不要なａ層液１４およびホトレジスト
が付着されるのを確実に防止で龜る０すなわち、付着防
止装置１１１．Ｉｌｂの平面板Ｊ ｚ ａ 、 ｚｚｂ
によって、４１１にウェハｔｚＯＫＴＩＡＯ中心部近辺
の付着を防ぐことがで龜るｏｌらにリンス液供給載置Ｊ
ＩＯりンス液ＩＪの噴射によって、ウェハ１１の裏面の
周辺ＩＩＫ４６１ｍ＠ ｔ ４等が付着した場合でも、
洗浄し除去することができる。
したがって、ウェハＥｌの裏１１に不Ｉｎ処理液１４等
が付着するのをはぼ完全に防止できるため、例えばエツ
テンダ処ｌ１価のウェハ１２を別の慕理工寝に搬送する
場合、不要なＩＩＪｓＨＩｔ１１４等の混入を防ぐ仁と
かで龜、ウェハｚＩ＊処理を確実に行なうことができる
。また、ウェハ１２のＩＩＩ送の際、ウェハ１１の裏面
と搬送路を接触させて行なう場合でも、ウェハＩ２の搬
送が途中で停止するなどの不都合も大＠に減少すること
ができる。さらに、従来のように第ｉｍｌに示すような
はね返夛防止板１１ｊ＆、ｊｌｂを不要とすることがで
き、また部層容器１１０ｍ”ｊＪも特別に深くする必要
がな−ため、鋏置食体を小型化および簡単化できる利点
もある。
が付着するのをはぼ完全に防止できるため、例えばエツ
テンダ処ｌ１価のウェハ１２を別の慕理工寝に搬送する
場合、不要なＩＩＪｓＨＩｔ１１４等の混入を防ぐ仁と
かで龜、ウェハｚＩ＊処理を確実に行なうことができる
。また、ウェハ１２のＩＩＩ送の際、ウェハ１１の裏面
と搬送路を接触させて行なう場合でも、ウェハＩ２の搬
送が途中で停止するなどの不都合も大＠に減少すること
ができる。さらに、従来のように第ｉｍｌに示すような
はね返夛防止板１１ｊ＆、ｊｌｂを不要とすることがで
き、また部層容器１１０ｍ”ｊＪも特別に深くする必要
がな−ため、鋏置食体を小型化および簡単化できる利点
もある。
なお、上記実施例にお−で付着防止装置ＪＺａ、２１ｂ
の平面板２２＆、２：ｌｂ勢の構造拡これに限ることな
く他のものでもよい０但し、リンス液供給装置ｚ４のノ
ズル２５を設けろことができ、しかもノズル２５から噴
射されるリンス液をウェハ１２の裏面に供給することが
で暑るようにする必要がある０オた、上記実施例におい
ては、平面板２１＆＊１１’ｂＫよってウニ／’ Ｉ
Ｊの裏面の中心部近辺に４６１１１１等が付着するのを
防止して埴たが、リンヌｉｌＫ供給装置Ｉ４からのリン
ス謙がウェハ１１０裏１ｉＯｆｔｆｆ金画を除く）に供
給できるようにすれは、必ずしも必要でない。
の平面板２２＆、２：ｌｂ勢の構造拡これに限ることな
く他のものでもよい０但し、リンス液供給装置ｚ４のノ
ズル２５を設けろことができ、しかもノズル２５から噴
射されるリンス液をウェハ１２の裏面に供給することが
で暑るようにする必要がある０オた、上記実施例におい
ては、平面板２１＆＊１１’ｂＫよってウニ／’ Ｉ
Ｊの裏面の中心部近辺に４６１１１１等が付着するのを
防止して埴たが、リンヌｉｌＫ供給装置Ｉ４からのリン
ス謙がウェハ１１０裏１ｉＯｆｔｆｆ金画を除く）に供
給できるようにすれは、必ずしも必要でない。
発明の効果
以上詳述したように、この発明によれば、ウェハｏｈｍ
に処ｍ１ｌｌを供給してエツチング郷の表面部層を行な
う場合、ウェハＯ＊ＴｍＫ不要な処ｍｓ勢が付着した場
合でも洗浄し除去して、ウェハの裏面を常に不要な＃＆
層液岬が付着してφな一清浄な状態に保持できる。した
がって、ウェハを処理工程間で搬送させる場合、処理１
薯に不ＩＩＩＩな処ｉ＋＋＋ｎ等の混入を防止できるた
め、躯瑠工穆を常に安定な状態で処理を行なうことがで
きるように保持できる◇ｔた、ウェハの処理工程間の搬
送において、ウェハの裏面に付着した処ｍｓ勢による搬
送通中での停止も防止で也 きるため、搬送効率を大幅に向上できる。さらに、処理
容器内に鵡［１１１勢のはね返り防止板などの特別の装
置も必要とせず、処理容器の深さ４特別県くする必要が
な−ため半導体処理装置全体１ｉｔ２小、４化および簡
単化でする効果もある。
に処ｍ１ｌｌを供給してエツチング郷の表面部層を行な
う場合、ウェハＯ＊ＴｍＫ不要な処ｍｓ勢が付着した場
合でも洗浄し除去して、ウェハの裏面を常に不要な＃＆
層液岬が付着してφな一清浄な状態に保持できる。した
がって、ウェハを処理工程間で搬送させる場合、処理１
薯に不ＩＩＩＩな処ｉ＋＋＋ｎ等の混入を防止できるた
め、躯瑠工穆を常に安定な状態で処理を行なうことがで
きるように保持できる◇ｔた、ウェハの処理工程間の搬
送において、ウェハの裏面に付着した処ｍｓ勢による搬
送通中での停止も防止で也 きるため、搬送効率を大幅に向上できる。さらに、処理
容器内に鵡［１１１勢のはね返り防止板などの特別の装
置も必要とせず、処理容器の深さ４特別県くする必要が
な−ため半導体処理装置全体１ｉｔ２小、４化および簡
単化でする効果もある。
ノー増
ｊｌｌｌ−は従来０４１１尋体鵡履装置の構成図、第２
図はこの発明の一奥施例に係る半導体処珊装菖の構ｇ−
である。 １１・・・処理容餘、１２・・・ウェハ、ＩＩＩ・・・
スピンチャック、１５・・・ノズル、Ｚｇａ、ｘｔｉｂ
・・・はね返り防止板、ｘｙ・・・付着肪止板、１Ｂ・
・・ダクト、２１＆、Ｘｌｂ・・・付着防止装置、２ｚ
ａ、２２ｂ・・・平面板、ｊＪ・・・リンス液供給装置
。 出願人代理人 弁履士 鈴 江 武 彦１１１！ 箪２Ｉ！！
図はこの発明の一奥施例に係る半導体処珊装菖の構ｇ−
である。 １１・・・処理容餘、１２・・・ウェハ、ＩＩＩ・・・
スピンチャック、１５・・・ノズル、Ｚｇａ、ｘｔｉｂ
・・・はね返り防止板、ｘｙ・・・付着肪止板、１Ｂ・
・・ダクト、２１＆、Ｘｌｂ・・・付着防止装置、２ｚ
ａ、２２ｂ・・・平面板、ｊＪ・・・リンス液供給装置
。 出願人代理人 弁履士 鈴 江 武 彦１１１！ 箪２Ｉ！！
Claims (1)
- 表面処理を行なうウェハを載置するスビンチャツ２４り
と、ζＯウェハの表面に処ｍｉｉを供給する処理液供給
手段と、上記ウニへの上記表面Ｉ＆環の不要な裏面に対
応する位置に設けられ、このクエへの裏１１ｊＫリンス
波を供給するリンス液供給手段を備えた汚れ付着防止手
段とを具備したことを４？徴とする半導体＠ ３ｍ １
１ｋ ｔ 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57006253A JPS58123731A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57006253A JPS58123731A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123731A true JPS58123731A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11633316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57006253A Pending JPS58123731A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123731A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350125U (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | ||
| JPH02185032A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Nec Corp | エッチング方法及びエッチング装置 |
| US9266151B2 (en) * | 2012-11-28 | 2016-02-23 | Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. | Cleaning device resistant to liquid backsplash and cleaning system therewith |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511311A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-26 | Hitachi Ltd | Method of photoresist developing |
| JPS5683027A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-07 | Toshiba Corp | Developing device of semiconductor wafer |
-
1982
- 1982-01-19 JP JP57006253A patent/JPS58123731A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511311A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-26 | Hitachi Ltd | Method of photoresist developing |
| JPS5683027A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-07 | Toshiba Corp | Developing device of semiconductor wafer |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350125U (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 | ||
| JPH02185032A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Nec Corp | エッチング方法及びエッチング装置 |
| US9266151B2 (en) * | 2012-11-28 | 2016-02-23 | Beijing Sevenstar Electronics Co., Ltd. | Cleaning device resistant to liquid backsplash and cleaning system therewith |
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