JPS58123729A - 半導体製造装置テ−ブルの冷却装置 - Google Patents
半導体製造装置テ−ブルの冷却装置Info
- Publication number
- JPS58123729A JPS58123729A JP599682A JP599682A JPS58123729A JP S58123729 A JPS58123729 A JP S58123729A JP 599682 A JP599682 A JP 599682A JP 599682 A JP599682 A JP 599682A JP S58123729 A JPS58123729 A JP S58123729A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- pipe
- insulating plate
- water chamber
- sprinkling
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体製造装置テーブルの冷却装置に係り、
特に、ウェーハをプラズマ暖こよりエツチング処理する
半導体製造装置のテーブルを冷却するのに好適な半導体
製造装置テーブルの冷却装置に関するものである。
特に、ウェーハをプラズマ暖こよりエツチング処理する
半導体製造装置のテーブルを冷却するのに好適な半導体
製造装置テーブルの冷却装置に関するものである。
従来の半導体製造Ｍｌテーブルの冷却装置例を第１図に
より説明する。
より説明する。
９１図は、ウェーハをプラズマによりエツチング処理す
る半導体製造装置のテーブルを冷却するのに慣用されて
いる従来の半導体製造装置テーブルの冷却装置（以下、
テーブル冷却装置と略）の縦断面図で、ウェーハ受けｌ
Ｏと石英板１１とが載置されたテーブル戎の下端面には
、テーブルｎの中心を始点またテーブルνのほぼ中心を
終点とし、テーブル戎と絶縁板１３とがテーブル受け１
４に埋設された状態で絶縁板ｌと水路を形成する連続し
た溝「が機械加工により設けられている。溝巧の始点は
、絶縁板１３を介してテーブルＬを軸支する回転軸１６
に穿設された排水孔１７に挿通され、周辺部に排水の流
通用孔袷が穿設された支持具１９で支持された給水管２
と、また、１ＩＩ１１５の終点は、絶縁板１３１こ穿設
された排水口４を介して排水孔１７とそれぞれ連通して
いる。
る半導体製造装置のテーブルを冷却するのに慣用されて
いる従来の半導体製造装置テーブルの冷却装置（以下、
テーブル冷却装置と略）の縦断面図で、ウェーハ受けｌ
Ｏと石英板１１とが載置されたテーブル戎の下端面には
、テーブルｎの中心を始点またテーブルνのほぼ中心を
終点とし、テーブル戎と絶縁板１３とがテーブル受け１
４に埋設された状態で絶縁板ｌと水路を形成する連続し
た溝「が機械加工により設けられている。溝巧の始点は
、絶縁板１３を介してテーブルＬを軸支する回転軸１６
に穿設された排水孔１７に挿通され、周辺部に排水の流
通用孔袷が穿設された支持具１９で支持された給水管２
と、また、１ＩＩ１１５の終点は、絶縁板１３１こ穿設
された排水口４を介して排水孔１７とそれぞれ連通して
いる。
ウェーハ受け１０に載置されたウェーハ（図示省略）の
プラズマによるエツチング処理時に、テーブル戎は、給
水管加を経て壽腸の始点に供給され絶縁板１３と壽巧と
で形成された水路を流通した後に＃１１５の終点から排
水口４．排水孔１７を経て排出される冷却水により冷却
される。
プラズマによるエツチング処理時に、テーブル戎は、給
水管加を経て壽腸の始点に供給され絶縁板１３と壽巧と
で形成された水路を流通した後に＃１１５の終点から排
水口４．排水孔１７を経て排出される冷却水により冷却
される。
このようなテーブル冷却装置では、次のような欠点があ
った。
った。
＋１１ ｉｌｌの配置状態が複雑なため、その機械加
工に多大の工数を要する。
工に多大の工数を要する。
（２）冷却水は水路を流通するため、熱交換面積が狭く
なり、したがつて、冷却性能が低下する。
なり、したがつて、冷却性能が低下する。
本発明は、上記欠点の除去を目的としたもので、テーブ
ルと絶縁板とで、テーブルを絶縁板を介して軸支する回
転軸に穿設された排水孔に連通する水室を形成し、該氷
室の外周に、排水孔と対向する１１面に散水孔が穿設さ
れた散水管を周設すると共に、皺散水管と、排水孔に挿
通された給水管とを送水管で連結したことを特徴とし、
加工工数を低減でき、かつ、冷却性能を向上できるテー
ブル冷却装置を提供するものであ志。
ルと絶縁板とで、テーブルを絶縁板を介して軸支する回
転軸に穿設された排水孔に連通する水室を形成し、該氷
室の外周に、排水孔と対向する１１面に散水孔が穿設さ
れた散水管を周設すると共に、皺散水管と、排水孔に挿
通された給水管とを送水管で連結したことを特徴とし、
加工工数を低減でき、かつ、冷却性能を向上できるテー
ブル冷却装置を提供するものであ志。
本発明の一実施例をＷＪ２図〜第４図により説明する。
ｗｉＺ図は、本発明によるテーブル冷却装置の縦断面図
、第３６ｍは、謔２図のＡ−Ａ視部分断面図、第４図は
、第２図のＢ−Ｂ視断面図で、なお、第２図〜第４°図
で、第１図と同一部品は同一符号で示し説明を省略する
。
、第３６ｍは、謔２図のＡ−Ａ視部分断面図、第４図は
、第２図のＢ−Ｂ視断面図で、なお、第２図〜第４°図
で、第１図と同一部品は同一符号で示し説明を省略する
。
第２図〜第４図で、テーブルνの下端面には、テーブル
νと絶縁板口とがテーブル受け１４に堀設された状態で
、絶縁板ｎと水室な形成する凹＝が機械加工により設け
られている。凹ｎと絶縁板ｌとで形成された氷室は、絶
縁板口に穿設された排水口コを介して排水孔１７と連通
し、凹Ｉと絶縁板口とて形成された氷室の外周には、排
水孔１７と対向する惰Ｗに散水孔諷が穿設された散水管
２が周設され、散水管２と給水管加とは、送水管加で連
結されている。
νと絶縁板口とがテーブル受け１４に堀設された状態で
、絶縁板ｎと水室な形成する凹＝が機械加工により設け
られている。凹ｎと絶縁板ｌとで形成された氷室は、絶
縁板口に穿設された排水口コを介して排水孔１７と連通
し、凹Ｉと絶縁板口とて形成された氷室の外周には、排
水孔１７と対向する惰Ｗに散水孔諷が穿設された散水管
２が周設され、散水管２と給水管加とは、送水管加で連
結されている。
つ、−ハ受け１０１こ載置されたクエーハ（図示省略）
のプラズマによる５・、エツチングＩＩ＆通時に、チー
１１１ プル認は、給水管２０．送水管篇を経て散水管２に供給
きれ、散水孔スから水室に散水され、水室な排水口器に
向つて流通した後に、排水ロ幻、排水孔１７を経て排出
される冷却水により良好に冷却される。
のプラズマによる５・、エツチングＩＩ＆通時に、チー
１１１ プル認は、給水管２０．送水管篇を経て散水管２に供給
きれ、散水孔スから水室に散水され、水室な排水口器に
向つて流通した後に、排水ロ幻、排水孔１７を経て排出
される冷却水により良好に冷却される。
本実施例のようなテーブル冷却装置では、テーブルの下
端面に設けられる凹の形状が単純であるため、その機械
加工に！する工数を低減でき、また、水室としたことで
熱交換面積を広くできるため、冷却性能を向上できる。
端面に設けられる凹の形状が単純であるため、その機械
加工に！する工数を低減でき、また、水室としたことで
熱交換面積を広くできるため、冷却性能を向上できる。
本発明は、以上説明したように、テーブル冷却装置にお
いて、テーブルと絶縁板とで排水孔に連通する水室を形
成し、鋏水室の外周に、排水孔と対向する側面に散水孔
が穿設された散水管を周設すると共に、賦散水管と給水
管とを送水管で連結したということで、テーブルの下端
面に設けられる凹の形状が単純化でき、また、熱交換面
積を広くできるので、機械加工工数を低減でき、また、
冷却性能を向上できる効果がある。
いて、テーブルと絶縁板とで排水孔に連通する水室を形
成し、鋏水室の外周に、排水孔と対向する側面に散水孔
が穿設された散水管を周設すると共に、賦散水管と給水
管とを送水管で連結したということで、テーブルの下端
面に設けられる凹の形状が単純化でき、また、熱交換面
積を広くできるので、機械加工工数を低減でき、また、
冷却性能を向上できる効果がある。
第１図は、従卒のテーブル冷却装置例を説明するもので
、ウェーハをプラズマによりエツチング処理する半導体
製造装置のテーブルを冷却するのに慣用されている従来
のテーブル冷却装置の縦断面図、第２図から第４図は、
本発明の一実施例を説明するもので、第２図は、本発明
によるテーブル冷却装置の縦断面図、＃Ｉ３図は、第２
図のＡ −Ａ視部分断面図、纂４図は、第２図のＢ−Ｂ
視断面図である。 認・・−・・テーブル、１３・・・・・・絶縁板、１６
・・・・・・回転軸、１７・・・・・・排水孔、ｍ・・
・・・・給水管、ｎ・・・・・・凹、区・・・・・・排
水口、ス・・・・・・散水孔、δ・・・・・・散水管、
謳・・・・・・送水管 才１図 才２図 才３図 ′Ｖ′４川
、ウェーハをプラズマによりエツチング処理する半導体
製造装置のテーブルを冷却するのに慣用されている従来
のテーブル冷却装置の縦断面図、第２図から第４図は、
本発明の一実施例を説明するもので、第２図は、本発明
によるテーブル冷却装置の縦断面図、＃Ｉ３図は、第２
図のＡ −Ａ視部分断面図、纂４図は、第２図のＢ−Ｂ
視断面図である。 認・・−・・テーブル、１３・・・・・・絶縁板、１６
・・・・・・回転軸、１７・・・・・・排水孔、ｍ・・
・・・・給水管、ｎ・・・・・・凹、区・・・・・・排
水口、ス・・・・・・散水孔、δ・・・・・・散水管、
謳・・・・・・送水管 才１図 才２図 才３図 ′Ｖ′４川
Claims (1)
- １、半導体製造装置の処理室に内設されると共に、排水
孔が穿設され、該排水孔に給水管が挿通された回転軸に
絶縁板を介して軸支されたテーブルの冷ｍ！［１こおい
て、前記テーブルと前記絶縁板とで前記排水孔に連通す
る水室を形成し、該氷室の外周に、排水孔と対向するＩ
Ｉｉ！ｉｉに散水孔が穿設された散水管を周設すると共
に、該散水管と前配給水管とを送水管で連結したことを
特徴とする半導体製造装置テーブルの冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP599682A JPS58123729A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 半導体製造装置テ−ブルの冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP599682A JPS58123729A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 半導体製造装置テ−ブルの冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123729A true JPS58123729A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11626388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP599682A Pending JPS58123729A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | 半導体製造装置テ−ブルの冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4859304A (en) * | 1988-07-18 | 1989-08-22 | Micron Technology, Inc. | Temperature controlled anode for plasma dry etchers for etching semiconductor |
| JP2009039344A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Hitachi Ltd | ラックキャビネット |
-
1982
- 1982-01-20 JP JP599682A patent/JPS58123729A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4859304A (en) * | 1988-07-18 | 1989-08-22 | Micron Technology, Inc. | Temperature controlled anode for plasma dry etchers for etching semiconductor |
| JP2009039344A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Hitachi Ltd | ラックキャビネット |
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