JPS58121199A - サンプルホ−ルド回路 - Google Patents
サンプルホ−ルド回路Info
- Publication number
- JPS58121199A JPS58121199A JP57003687A JP368782A JPS58121199A JP S58121199 A JPS58121199 A JP S58121199A JP 57003687 A JP57003687 A JP 57003687A JP 368782 A JP368782 A JP 368782A JP S58121199 A JPS58121199 A JP S58121199A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- current source
- constant current
- transistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/02—Sample-and-hold arrangements
- G11C27/024—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element
- G11C27/026—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element associated with an amplifier
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、アナログ信号用のサングルホールド回路に
関する。
関する。
従来ノサングルホールド回路として、第1図の構成が知
られている。1は入力端子、2は出力端子、3,4はサ
ングル動作とホールド動作とを切換えるための制御端子
であり、トランジスタ11.12は入力信号電圧とホー
ルド用コンデンサ13の端子電圧である出力信号電圧と
を比較するエミッタ結合差動トランジスタ対を構成し、
トランジスタ14.15はカレントミラー回路を構成し
、トランジスタ16.17は電流切換回路として動作す
るエミッタ結合スイッチングトランジスタ対を構成して
いる。18は定電流源である。
られている。1は入力端子、2は出力端子、3,4はサ
ングル動作とホールド動作とを切換えるための制御端子
であり、トランジスタ11.12は入力信号電圧とホー
ルド用コンデンサ13の端子電圧である出力信号電圧と
を比較するエミッタ結合差動トランジスタ対を構成し、
トランジスタ14.15はカレントミラー回路を構成し
、トランジスタ16.17は電流切換回路として動作す
るエミッタ結合スイッチングトランジスタ対を構成して
いる。18は定電流源である。
このサンプルホールド回路の動作は次の通りである。ト
ランジスタ16.17は、制御端子3.4を通してペー
スに矩形ノfルスが入力されることによシミ流切換動作
を行う。今、トランジスタ16が非導通状態でかつトラ
ンジスタ17が導通状態の時、この回路はサンプル動作
状態となる。つまシ、入力信号電圧が出力信号電圧よシ
も高い時には、トランジスタ11が導通状態、トランジ
スタ12が非導通状態となるので、定電流源18に流れ
る電流Ioはトランジスタ14に流れる。この時、トラ
ンジスタ14と15はカレントミラー回路を構成してい
るので、トランジスタ15を通じてコンデンサ13に1
.と同じ充電電流が流れて出力信号電圧が上昇する。逆
に入力信号電圧が出力4g号電圧よル低い時には、トラ
ンジスタ11が非導通状態となり、トランジスタ12が
導通状態となるので、カレントミラー回路を構成するト
ランジスタ14.15が非導通状態となる。従ってコン
デンサ13の放電々流工・がトランジスタ12.11を
通して定電流源18に流れるので、出力信号電圧が低下
する。こうして入力信号電圧と出力信号′嶋圧が等しく
なった時に、コンデンサ13の光放電が行なわれなくな
って定常状態となシ、サンプル動作が完了する。一方、
トランジスタ16が導通状態でかつトランジスタ17が
非導通状態の時は、トランジスタ11,12.14゜1
5が全て非導通状“態になシ、コンデンサ13の接地さ
れていない方の端子が等測的に開放状態になるので、ホ
ールド動作状態となる。
ランジスタ16.17は、制御端子3.4を通してペー
スに矩形ノfルスが入力されることによシミ流切換動作
を行う。今、トランジスタ16が非導通状態でかつトラ
ンジスタ17が導通状態の時、この回路はサンプル動作
状態となる。つまシ、入力信号電圧が出力信号電圧よシ
も高い時には、トランジスタ11が導通状態、トランジ
スタ12が非導通状態となるので、定電流源18に流れ
る電流Ioはトランジスタ14に流れる。この時、トラ
ンジスタ14と15はカレントミラー回路を構成してい
るので、トランジスタ15を通じてコンデンサ13に1
.と同じ充電電流が流れて出力信号電圧が上昇する。逆
に入力信号電圧が出力4g号電圧よル低い時には、トラ
ンジスタ11が非導通状態となり、トランジスタ12が
導通状態となるので、カレントミラー回路を構成するト
ランジスタ14.15が非導通状態となる。従ってコン
デンサ13の放電々流工・がトランジスタ12.11を
通して定電流源18に流れるので、出力信号電圧が低下
する。こうして入力信号電圧と出力信号′嶋圧が等しく
なった時に、コンデンサ13の光放電が行なわれなくな
って定常状態となシ、サンプル動作が完了する。一方、
トランジスタ16が導通状態でかつトランジスタ17が
非導通状態の時は、トランジスタ11,12.14゜1
5が全て非導通状“態になシ、コンデンサ13の接地さ
れていない方の端子が等測的に開放状態になるので、ホ
ールド動作状態となる。
このようなサンプルホールド回路では、入力(8号電圧
の変化に応じた電流がエミッタ結合差動トランジスタ対
を構成するトランジスタ11゜12のみならず、カレン
トミラー回路を構成するPNP )ランジスタ14.1
5にも流れる。しかし、特にICにおいては、PNPト
ランノスタのトラフ2フ1フ周波数はNPN )ランジ
スタのトランジシ胃ン周波数よシも低いため、結局PN
P )ランジスタのトランジン1フ周波数によって正常
にサンプルホールドできる入力信号の変化の速さ、すな
わち最高周波数が制限された。
の変化に応じた電流がエミッタ結合差動トランジスタ対
を構成するトランジスタ11゜12のみならず、カレン
トミラー回路を構成するPNP )ランジスタ14.1
5にも流れる。しかし、特にICにおいては、PNPト
ランノスタのトラフ2フ1フ周波数はNPN )ランジ
スタのトランジシ胃ン周波数よシも低いため、結局PN
P )ランジスタのトランジン1フ周波数によって正常
にサンプルホールドできる入力信号の変化の速さ、すな
わち最高周波数が制限された。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、従来に比
べよシ変化の速い入力信号をサンプルホールドできるI
C化に適したサンプルホールド回路を提供することを目
的とする。
べよシ変化の速い入力信号をサンプルホールドできるI
C化に適したサンプルホールド回路を提供することを目
的とする。
この発明は、入力信号電圧の変化による電流をPNP
)ランジスタには流さないようにして、IC内ではPN
P )ランジスタの低いトランジシ璽ン周波数による入
力信号の最高周波数の制限をなくしたものである。
)ランジスタには流さないようにして、IC内ではPN
P )ランジスタの低いトランジシ璽ン周波数による入
力信号の最高周波数の制限をなくしたものである。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第2図はこの発明の一実施例に係るサンプルホールド回
路の構成を示したものである。入力端子1には第1のト
ランジスタ210ベースが接続されている。第1のトラ
ンジスタ21のコレクタは定電位点である電源vcc
K接続され、エミッタはコレクタとベースが結合された
いわゆるダイオード接続の第2のトランジスタ22のエ
ミッタと結合されている。すなわち、第1゜第2のトラ
ンジスタ21.22によってエミッタ結合差動トランジ
スタ対を構成している。
路の構成を示したものである。入力端子1には第1のト
ランジスタ210ベースが接続されている。第1のトラ
ンジスタ21のコレクタは定電位点である電源vcc
K接続され、エミッタはコレクタとベースが結合された
いわゆるダイオード接続の第2のトランジスタ22のエ
ミッタと結合されている。すなわち、第1゜第2のトラ
ンジスタ21.22によってエミッタ結合差動トランジ
スタ対を構成している。
第2のトランジスタ22のコレクタはボールド用コンデ
ンサ23に接続されるとともに、同じくコレクタとベー
スが結合された第3のトランジスタ24のエミッタに接
続されている。第3のトランジスタ24はコンデンサ2
3の充電時に充電路を形成し、放電時には逆バイアスさ
れて非導通状態となるものであシ、そのコレクタは第1
の定電流源26を介して電源VccK接恍されるととも
に、第1の定電流源25と並列に接続された第4のトラ
ンジスタ26のエミッタに接続′されている。第4のト
ランジスタ26のベースには、コンデンサ2sの端子電
圧が電圧7オロワ27を介して印加される。電圧7オロ
ワ27は入力インピーダンスが非uに高く(理想的には
無限大)、出方インピーダンスが非常に低く(理想的に
は零)、利得がほぼ1の増幅器であシ、その出力端は出
力端子2に接続されている。なお、出方端子2はコンデ
ンサ23に直接接続されていてもよい、第4のトランジ
スタ26および電圧フォロワ27は、コン7”:/す2
3の放電時に第3のトランジスタ24を逆バイアスする
ためのものである。
ンサ23に接続されるとともに、同じくコレクタとベー
スが結合された第3のトランジスタ24のエミッタに接
続されている。第3のトランジスタ24はコンデンサ2
3の充電時に充電路を形成し、放電時には逆バイアスさ
れて非導通状態となるものであシ、そのコレクタは第1
の定電流源26を介して電源VccK接恍されるととも
に、第1の定電流源25と並列に接続された第4のトラ
ンジスタ26のエミッタに接続′されている。第4のト
ランジスタ26のベースには、コンデンサ2sの端子電
圧が電圧7オロワ27を介して印加される。電圧7オロ
ワ27は入力インピーダンスが非uに高く(理想的には
無限大)、出方インピーダンスが非常に低く(理想的に
は零)、利得がほぼ1の増幅器であシ、その出力端は出
力端子2に接続されている。なお、出方端子2はコンデ
ンサ23に直接接続されていてもよい、第4のトランジ
スタ26および電圧フォロワ27は、コン7”:/す2
3の放電時に第3のトランジスタ24を逆バイアスする
ためのものである。
第5.第6のトランジスタ21j、29によるエミッタ
結合スイッチングトランジスタ対は、第1.第2のトラ
ンジスタ21.22のエミッタと、第2の定電流源25
およびM4のトランジスタ26のエミッタを制御端子3
,4に加えられるサングル動作とホールド動作とを切換
えるための矩形波/臂ルスによって第2の定電流源3Q
に交互に接続する電流切換回路を構成している。なお、
第1.第2の定電流源zs、s。
結合スイッチングトランジスタ対は、第1.第2のトラ
ンジスタ21.22のエミッタと、第2の定電流源25
およびM4のトランジスタ26のエミッタを制御端子3
,4に加えられるサングル動作とホールド動作とを切換
えるための矩形波/臂ルスによって第2の定電流源3Q
に交互に接続する電流切換回路を構成している。なお、
第1.第2の定電流源zs、s。
の電流比はに2であシ、以下それぞれの電流をI@p2
I・で表わす。
I・で表わす。
次に、このサンプルホールド−1路の動作を貌明する。
今、第5のトランジスタ28のペース篭ωに比べ第6の
トランジスタ29のペース電位の方が高い時には、トラ
ンジスタ28が非導通状態で、トランジスタ29が導通
状態となり、第1の定電流源25の電流IOと第4のト
ランジスタ26のエミッタ電流との和が第6のトランジ
スタ29を通じて第2の定tk、源3oに流れ込む。こ
の場合、嬉4のトランジスタ26のベースは電圧7オロ
ワ27によってコンデンサ23の端子電圧と同電位に保
たれ、コンデンサ23の電位の方がトランジスタ26の
エミッタ部位よりもベース・エミッタ間電圧VB1分(
はぼ0.7 V )だけ尚いので、第3のトランジスタ
24は切バイアスされて非導通状態となる。さらに第5
のトランジスタ28が非導通状態であるから、第1.第
2のトランジスタ21.22もJl、導通状態となるの
で、コンデンサ23の接地されていない方の端子が等測
的に開放状態とlす、コンデンサ23の端子電圧は変化
しない。
トランジスタ29のペース電位の方が高い時には、トラ
ンジスタ28が非導通状態で、トランジスタ29が導通
状態となり、第1の定電流源25の電流IOと第4のト
ランジスタ26のエミッタ電流との和が第6のトランジ
スタ29を通じて第2の定tk、源3oに流れ込む。こ
の場合、嬉4のトランジスタ26のベースは電圧7オロ
ワ27によってコンデンサ23の端子電圧と同電位に保
たれ、コンデンサ23の電位の方がトランジスタ26の
エミッタ部位よりもベース・エミッタ間電圧VB1分(
はぼ0.7 V )だけ尚いので、第3のトランジスタ
24は切バイアスされて非導通状態となる。さらに第5
のトランジスタ28が非導通状態であるから、第1.第
2のトランジスタ21.22もJl、導通状態となるの
で、コンデンサ23の接地されていない方の端子が等測
的に開放状態とlす、コンデンサ23の端子電圧は変化
しない。
これがホールド動作状態である。
一方、第5のトランジスタ280ベースit位の方が第
5のトランジスタ290ベース電位よシも高い時には、
トランジスタ28が導通状態でトランジスタ29が非導
通状態となることKより、サンゾル動作状態となる。す
なわち、例えば入力信号電圧の方が出力信号電圧つまり
コンデンサ23の端子電圧よりも高い時は、第1のトラ
ンジスタ21が導通状態で、第2のトランジスタ22が
非導通状態となり、第2の定電流源3Qを流れる電流2
1.は、電源VCCからトランジスタ21を通して供給
される。さらに第1の定電流源25の電流toは、トラ
ンジスタ22と29が非導通状態なので、第3のトラン
ジスタ24のベース・エミッタ間電圧によって非導通状
態に保たれる。
5のトランジスタ290ベース電位よシも高い時には、
トランジスタ28が導通状態でトランジスタ29が非導
通状態となることKより、サンゾル動作状態となる。す
なわち、例えば入力信号電圧の方が出力信号電圧つまり
コンデンサ23の端子電圧よりも高い時は、第1のトラ
ンジスタ21が導通状態で、第2のトランジスタ22が
非導通状態となり、第2の定電流源3Qを流れる電流2
1.は、電源VCCからトランジスタ21を通して供給
される。さらに第1の定電流源25の電流toは、トラ
ンジスタ22と29が非導通状態なので、第3のトラン
ジスタ24のベース・エミッタ間電圧によって非導通状
態に保たれる。
以上のサンプル動作状態をまとめると、入力信号電圧の
方が出力電圧よシも高い時には、電流工・によってコン
デンサ2Sが充電され、入力信号電圧が出力信号電圧よ
シも低い時には、亀流1.によってコンデンサ23が放
電され、#l終的には入力信号電圧とコンデンサ23の
端子室1トつまり出力信号電圧とが一致して定常状態に
到るということになる。
方が出力電圧よシも高い時には、電流工・によってコン
デンサ2Sが充電され、入力信号電圧が出力信号電圧よ
シも低い時には、亀流1.によってコンデンサ23が放
電され、#l終的には入力信号電圧とコンデンサ23の
端子室1トつまり出力信号電圧とが一致して定常状態に
到るということになる。
この構成によれば、入力信号電圧の変化に応じた信号′
(流が流れるのはトランジスタ21゜22.24.26
のみであシ、これらは全てIC内でもトランジシ譜ン周
波数が比較的高いNPN )ランジスタであるから、P
NPトランジスタにも信号電流が流れる従来の構成に比
べよシ変化の速い入力信号をサンプルホールドすること
がi]能となる。すなわち、第2図において第1の定電
流源25けPNP )ランジスタで構成されるが、この
PNP )ランジスタに流れる電流は一定の直流電流で
あるから、そのトラフジ21フ周波数は入力信号の最高
周波数を制限する要因とならない。そしてIC化する場
合、第1の定電流源25に用いるPNP )ランジスタ
はトランジシラン周波数がバーチカル型に比べさらに低
いラテラル型のもので十分なので、製造上およびコスト
面でも有利となる。
(流が流れるのはトランジスタ21゜22.24.26
のみであシ、これらは全てIC内でもトランジシ譜ン周
波数が比較的高いNPN )ランジスタであるから、P
NPトランジスタにも信号電流が流れる従来の構成に比
べよシ変化の速い入力信号をサンプルホールドすること
がi]能となる。すなわち、第2図において第1の定電
流源25けPNP )ランジスタで構成されるが、この
PNP )ランジスタに流れる電流は一定の直流電流で
あるから、そのトラフジ21フ周波数は入力信号の最高
周波数を制限する要因とならない。そしてIC化する場
合、第1の定電流源25に用いるPNP )ランジスタ
はトランジシラン周波数がバーチカル型に比べさらに低
いラテラル型のもので十分なので、製造上およびコスト
面でも有利となる。
第3図はこの発明の他の実施例を示したもので、第1.
第2のトランジスタ21.22のエミッタ側に抵抗31
.32を挿入してトランジスタ:21.22による差動
トランジスタ対の相互コンダクタンスを下げ、入力信号
に乗っている雑音の影響を軽減した例である。
第2のトランジスタ21.22のエミッタ側に抵抗31
.32を挿入してトランジスタ:21.22による差動
トランジスタ対の相互コンダクタンスを下げ、入力信号
に乗っている雑音の影響を軽減した例である。
第4図は第3図の実施例をさらに改良した実施例を示し
たもので、1つの抵抗40によって同じ目的を達成して
いる。この場合、電流切換L++スタ 回路はトラ”’f’T’ 、 42およびa3,44に
よる2組のエミッタ結合スイッチングトランジスタ対処
よって構成され、各々のトランジスタ対の一方のトラン
ジスタ41.43のコレクタが第1.第2のトランジス
タ21.22のエミッタにそれぞれ接続され、他方のト
ランジスタ42.44のコレクタが第1の定電流源25
および第4のトランジスタ26のエミッタに共通接続さ
れている。そして各々のトランジスタ対のエミッタ結合
点は、個別に設けられた第2の定電流源45.46に接
続されている。この実施例は相互コンダクタンスを下げ
るための抵抗が1個で済むため、第3図の実施例におけ
るような抵抗の相対精度が問題とならなくなり、よりr
c化に適している。
たもので、1つの抵抗40によって同じ目的を達成して
いる。この場合、電流切換L++スタ 回路はトラ”’f’T’ 、 42およびa3,44に
よる2組のエミッタ結合スイッチングトランジスタ対処
よって構成され、各々のトランジスタ対の一方のトラン
ジスタ41.43のコレクタが第1.第2のトランジス
タ21.22のエミッタにそれぞれ接続され、他方のト
ランジスタ42.44のコレクタが第1の定電流源25
および第4のトランジスタ26のエミッタに共通接続さ
れている。そして各々のトランジスタ対のエミッタ結合
点は、個別に設けられた第2の定電流源45.46に接
続されている。この実施例は相互コンダクタンスを下げ
るための抵抗が1個で済むため、第3図の実施例におけ
るような抵抗の相対精度が問題とならなくなり、よりr
c化に適している。
第1図は従来のサンプルホールド回路の一例を示す回路
図、第2図〜第4図はこの発明の実施例に係るサンプル
ホールド回路の回路図である。 l・・・入力端子、2−・出力端子、J、4−・・制御
端子、21・・・第1のトランジスタ、22・・・第2
のトランジスタ、X:t−・・ホールド用コンデンサ、
24・・・第3のトランジスタ、XS−・・第1の定電
流源、26・・・第4のトランジスタ、27・・・電圧
フォロワ、28.29.41.42.43m44・・・
電流切換回路を構成するトランジスタ、30.45.4
6・・・第2の定電流源、31゜32.40・・・抵抗
。 第1図 j12!!! [l
図、第2図〜第4図はこの発明の実施例に係るサンプル
ホールド回路の回路図である。 l・・・入力端子、2−・出力端子、J、4−・・制御
端子、21・・・第1のトランジスタ、22・・・第2
のトランジスタ、X:t−・・ホールド用コンデンサ、
24・・・第3のトランジスタ、XS−・・第1の定電
流源、26・・・第4のトランジスタ、27・・・電圧
フォロワ、28.29.41.42.43m44・・・
電流切換回路を構成するトランジスタ、30.45.4
6・・・第2の定電流源、31゜32.40・・・抵抗
。 第1図 j12!!! [l
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (+、1 ペースが入力端子に接続され友コレクタが
一定電位点に接続された第1のトランジスタのエミッタ
に、コレクタとペースが結合された第2のトランジスタ
のエミッタを結合し、この第2のトランジスタのコレク
タをホールド用コンデンサに接続するとともに、コレク
タとペースが結合された第3のトランジスタのエミッタ
に接続し、この第3のトランジスタのコレクタ金弟1の
定電流源およびこれに並列接続され前記コンデンサの端
子電圧が電圧フォロワを介してペースに印加される第4
のトランジスタのエミッタに接続し、前記第1の定電流
源および第4のトランジスタのエミッタと、前記第1.
第2のトランジスタのエミッタとを電流切換回路によっ
て第2の定電流源に交互に接続するように構成され、前
記第1.第2のトランジスタのエミッタが前記第2の定
電波υに接続されたときは前記第3のトランジスタのエ
ミッタ電流または前記第2のトランジスタのコレクタ電
流によって前記コンデンサの充tまたは放Xを行ない、
前記第1の定電流源および前記第4のトランジスタのエ
ミッタが前記第2の定電流源に接続されたときは前記第
4のトランジスタのペース・エミッタ間電圧によシ前記
第3のトランジスタを逆バイアスにして前記コンデンサ
の端子電圧を一定に保持するようにしたことを特徴とす
るサンプルホールド回路。 (2)電流切換回路は、第1.第2のトランジスタのエ
ミッタ結合点に一方のコレクタが接続され、第1の定電
流源および第4のトランジスタのエミッタに他方のコレ
クタが接続され、エミッタ結合点が第2の定電流源に接
続されたエミッタ結合スイッチングトランジスタ対によ
って構成されることを特徴とする特許艙求の範囲第1項
記載のサンプルボールド回路。 (3)第1.i2のトランジスタのエミッタは1つの抵
抗を介して結合され、電流切換回路は各々の一方のコレ
クタが第1.第2のトランジスタのエミッタにそれぞれ
接続され、各々の他方のコレクタが第1の定電流源およ
び第4のトランジスタのエミッタに共通接続され、各々
のエミッタ結合点が個別に設けられた第2の定電流源に
接続された2組のエミッタ結合スイッチングトランジス
タ対によって構成されることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のサンプルホールド回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57003687A JPS58121199A (ja) | 1982-01-13 | 1982-01-13 | サンプルホ−ルド回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57003687A JPS58121199A (ja) | 1982-01-13 | 1982-01-13 | サンプルホ−ルド回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58121199A true JPS58121199A (ja) | 1983-07-19 |
Family
ID=11564309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57003687A Pending JPS58121199A (ja) | 1982-01-13 | 1982-01-13 | サンプルホ−ルド回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58121199A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59129992A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-26 | Sony Corp | サンプリングホ−ルド回路 |
JPS6095796A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | Hitachi Ltd | サンプル・ホ−ルド回路 |
-
1982
- 1982-01-13 JP JP57003687A patent/JPS58121199A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59129992A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-26 | Sony Corp | サンプリングホ−ルド回路 |
JPS6095796A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | Hitachi Ltd | サンプル・ホ−ルド回路 |
JPH0346916B2 (ja) * | 1983-10-28 | 1991-07-17 | Hitachi Ltd |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4797629A (en) | Wide range operational amplifier input stage | |
US4409497A (en) | Window comparator circuit | |
US4442400A (en) | Voltage-to-current converting circuit | |
US4667118A (en) | Monostable multivibrator | |
US5719529A (en) | Operational amplifier and digital signal transfer circuit | |
US4542305A (en) | Impedance buffer with reduced settling time | |
US4602172A (en) | High input impedance circuit | |
JPS60817B2 (ja) | 相補型エミツタ・フオロワ回路 | |
JPS58121199A (ja) | サンプルホ−ルド回路 | |
EP0144759B1 (en) | Sample and hold circuit | |
US5900771A (en) | Capacitive multiplier for timing generation | |
US5155429A (en) | Threshold voltage generating circuit | |
US4506176A (en) | Comparator circuit | |
US5144169A (en) | Operational amplifier circuit | |
JPH0232719B2 (ja) | ||
JPH0519321B2 (ja) | ||
WO1995006977A1 (en) | Active impedance termination | |
JPH0319412A (ja) | 高スリューレート及び高帯域幅のユニティー・ゲイン増幅器 | |
JPH05102755A (ja) | 差動増幅器 | |
JPH0595276A (ja) | 論理和回路 | |
US4841171A (en) | High speed comparator circuit with single supply voltage | |
JPS6215958B2 (ja) | ||
JPH03220913A (ja) | 電子コンパレータデバイス | |
JP2687480B2 (ja) | ドライブ回路 | |
JP2982192B2 (ja) | クランプ回路 |