JPS58117521A - Plzt光スイツチングアレイ - Google Patents
Plzt光スイツチングアレイInfo
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- JPS58117521A JPS58117521A JP56211530A JP21153081A JPS58117521A JP S58117521 A JPS58117521 A JP S58117521A JP 56211530 A JP56211530 A JP 56211530A JP 21153081 A JP21153081 A JP 21153081A JP S58117521 A JPS58117521 A JP S58117521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switching
- electrodes
- light
- common electrode
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
- G02F1/0551—Constructional details
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、例えば空間変調器又は元プリンタ等の毘学素
子さして利用可能なT)L Z T光スイッチングアレ
イに関する。 九の透過を許容するP L Z T基板に、共通電極き
、該共通電極に対回して位置する複数のスイッチング電
極、!−を形成し、これらスイッチング電極を1列に配
列し*PLZT元スイッナスイツチングアレイり周知で
ある。この形式のスイッチングアレイにおいては、各ス
イッチング電極、1J−11:、通電極との間に光ゲー
ト部が形成され、かがる尤ゲート部が列状に夕刊されて
光スイツチングアレイが構成される。そして、このスイ
ッチングアレイを例えば光プリンタにて実際に使用する
には、偏光子を通しに光拳このアレイに照射すると共に
、各尤ゲート部に情報信号に従って;゛べ択的に電界を
印加し、電界の印加これに光ゲート部を通っkytのみ
、又は電界の印加でれない光ゲート部を通った光のみを
検光子によって検光し、これを感光体に照明して、情報
信号に対応するハードコピーを得るようにする。 ところで、この種P L Z T光スイッチングアレイ
の解像力は、光ゲート部のピッチ、従ってスイッチング
電極のピッチによって決1す、このピッチが小はければ
小ζい程解像力を高めることができる。そしてスイッチ
ング電極を、例えばフォトエツチング技術によって形成
した場合、これら電極間のピッチを、50μ程度にする
ことは比較的容鳩であり、かかるピンチで配列1れたス
イッチング電G>、 (−イ「するl’) L Z T
光スイッチングアレイの解像力は20ドツト/問となり
、かなり高い解像力が得られる。Lころが、このように
配列密度の高t1スイッチ電極を有するP L Z T
光スイッチングアレイを実際に使用すると、1つの光ゲ
ート部に印加した電界が、これに隣接する光ケート部に
1で影響を及ぼし7、クロストークの増大による解像力
の劣化を招く恐れがある。のみならず、スイッチング電
極間のピンチを上述の如く小はくすると、qいに隣接す
るスイッチング電極間の静電容量が大5くなるkめ、光
ゲート部に電界を印加し始めてから、実際に九か所足の
制御を受ける1での時間が1.ヲ〈なり、応答速度が仔
くなる欠点も免れな(ゝO A発明は上記認識に基良なをれ1でものであり、i 、
;I+s +、 7ζクロストークが少なく、訃つ互い
に隣接−イーるスイッチング電極間の静電容量を小ζく
留めることができ、しかも比較的高い解像力を得るこさ
の可能なP L Z T光スイッチングプレイヲ提供以
下、本発明の有利な実施例を図面に従って説明する。 第1図は、本発明に係るP L Z T光スイッチング
アレイを用いに光プリンタの一例を示す。本発明の理解
のため、先ず第1図に示す構成の概略を説明する。 第1図において、]は紙面と垂直な方向に細長く延びた
光源であり、この光源1さしては例えばハロゲンランプ
又は緑色螢光灯等が用いられる。 光源1の背後には、該光源1からの光を反射する反射鏡
2が設けられている。一方、光源1の正面側には、該光
源】に対向して、チップ状に形成されに不発明に係るP
L 7. T光スイッチングアレイ3が適数配設され
ている。本例ではこのP L Z T光スイッチングア
レイ(以下単にアレイさいう)3は複数個設けられ、こ
れらが光源1の長平方向に列をなして配列されている。 各アレイ3の光源】を向いに方の側には、必要に応じて
設けられる遮光部材4、及び偏光子5が設けら第1、;
44C尤部材4には、後述する位置に突孔6が穿設をれ
ている。各アレイ3の、第1図における右側VCは、検
光子7がそれぞれ設けられ、不例ては、該検光子7は覗
述の偏光子5に対して直交(r!−K配置プれている。 −方、8はドラム状に形成されに感光体であり、この感
光体8の軸線は、光源1の長平方向に対し!−1ぼ)第
7−行に位置する。そしてこの感光体8と検光:f−7
吉の間には光案内手段が配置これ、この光案内手段さし
ては例えば集束性光伝送体アレイJO又はレンズアレイ
等の結像機能を持つ1で光学素子、又は結像機能をイイ
していない光フアイバシート等の光学素子が適宜用いら
れる。イ収束牛尤伝送体アレイ10の蓋友射側端月は、
検光子7r対回して位置し5、他Jj1尤串射側端】2
は、感光体8に対向し且つ1該感尤体の軸線方向にほぼ
平行な方向に延びている。 第1図VC示す光プリンタの構成11概ね以上の通+]
である。次に本発明に係るアレイ3の具体的構成を増明
する。このアレイ3は例えば第2図に示すように、両表
面を光学研磨シれに1例えばほぼ300μ程のPXこの
誘明PT、ZT基板(9、/ 65 / :(5)13
ヲ有し、この基板13の一方の表面14には、感光体8
の軸線方向、即ち光源1の長平方向にほぼ平行に延在す
る共通電極15さ、この共通電極15に対向して配置さ
れ*’FM数の第1スイツチング電極16と、同様に共
通電極15に対向する複数の第2スイツチング電極17
とが形成されている。第】スイッチング電極】6は、第
2図における、共通電極15の下方に位置し、第2スイ
ツチング電極】7は共通電極15の上方に位置しており
、第1又は第2のスイッチング電極16 、17は、そ
れぞれ共通電極J5の長平方向に等ピッチpで配列され
ている。この場会、第1スイツチング電極と第2スイツ
チング電極は、互いに千鳥状に位置している。即ち、不
例においては、第3図に示す如く、互いに隣接する任意
の2つの第1スイツチング電極(これに特に符号16a
。 16bを付して示す)を考え女とき、これら電極16a
。 16bの間の中心#C4十に、1つの第2スイツチング
電極(これに符号17aを付して示す〕が装置している
。逆VC言えば、任意の2つの第2スイツチング電極1
71)、17Cの間の中心線C7上に、1つの第1スイ
ツチング電極16cが位置している。このようVC互(
1に千鳥状に配列されに2列のスイッチング電極16.
17と共通電極15との間にはそれぞれ所定の微小間隙
があけられ、PLZT基板13におけろこの微小間隙部
分が、光ゲート部(光スイツチング部)18cL−シて
の用をなす。このようにして複7又の光、ゲート部18
が2つの列んなして配列でれ、これC)尤ゲート部】8
にほぼ対応して、既述のSt部材4の窓孔6が位置して
いる(これら窓孔の位置を第2図に鎖線によって示しで
ある)0電極15p16゜17は例チ、ばNi(’、r
−Au 沙ら構成ジれる。 第1スイッチング電極]6.L第2スイッチング電極1
7は、リード線19ヲ介してそれぞれ第1及び第2jv
動回路2(1,2]に電気的に接続1れている。共通電
極とスイッチング電極、!−ヲ基板13の他方の面22
(第1図)に形成してもよいし、或いは基板13の両面
A、22VC第2図に示しに電極15,16.17i互
いにχ↑同させて設げてもよいことは当然でめる。 スイッチング電極16.17を上述の如< ’ILL
(1vζ千鳥状に配列するこ、J−(でよって、不発明
に係る優れ1(効果を得ることができるが、その詳細を
説明するに先立ち、第1図及び第2図に示した光プリン
タにおける作動の概略を明らかにする。 感光体8は、例えば第1図1Fおける時計方向に回転駆
動され、その際、図示していhい帯電装置Uよってその
表面を帯電され、かく帯電された部分が、感光体8の回
転に伴って、集束性光伝′l芳体アレイ10の光出射端
I2に対向する位置にもkらさオ9.る。 一方、光源]からの光は、偏光子5及び遮光部材4の窓
孔6を通して基板13の各党ゲート部ISV達する。こ
の場合、光が各窓孔6を通して各光ゲート部18に至る
ので、成る1つの光ゲート部18へ入射すべき光が、他
の光ゲート部へ至ることを実質的に阻止でp、S/N比
の低下を防止することができる。 上述の如く光ゲー) F!A18に光を照射するに先立
ち、図示していない制御部からの情報信号に従つて、ス
イッチング電極16.17 声共通電極15ミの間h′
r 、堕動回路70.21を介して、電Tが選択的に印
υU8σオ]、電圧の印加これた電極対間の光ゲート部
((は電界が生ぜしめられる。電圧の印加され々い′=
t< (箕&、[間の元ゲート部には電界は生じない。 この場合、偏光子5から出射する光は、光ゲート部18
における印加電界方向に対し45°偏光し7?−直線偏
光、Lなっており、かかる直線偏光が電界の印加ζ狽プ
ζ九ゲート部18VC入射すると、公知の如く、電気光
学効果(2次電気光学効果)rよって、リタデーンヨン
(常光と異常光の位相差)を生じ、か〈リタテーション
を受けた光はアレイ3を出射し1(後、偏光子5..!
−直交位にある検光子7にて検光され、集束性光伝送体
アレイ10に、その光入射端11から入射する。 hころで検光子7を通過しに後の光強度を■。、基板1
;3の尤ケート部J8に入射した光の強度を11、・
子さして利用可能なT)L Z T光スイッチングアレ
イに関する。 九の透過を許容するP L Z T基板に、共通電極き
、該共通電極に対回して位置する複数のスイッチング電
極、!−を形成し、これらスイッチング電極を1列に配
列し*PLZT元スイッナスイツチングアレイり周知で
ある。この形式のスイッチングアレイにおいては、各ス
イッチング電極、1J−11:、通電極との間に光ゲー
ト部が形成され、かがる尤ゲート部が列状に夕刊されて
光スイツチングアレイが構成される。そして、このスイ
ッチングアレイを例えば光プリンタにて実際に使用する
には、偏光子を通しに光拳このアレイに照射すると共に
、各尤ゲート部に情報信号に従って;゛べ択的に電界を
印加し、電界の印加これに光ゲート部を通っkytのみ
、又は電界の印加でれない光ゲート部を通った光のみを
検光子によって検光し、これを感光体に照明して、情報
信号に対応するハードコピーを得るようにする。 ところで、この種P L Z T光スイッチングアレイ
の解像力は、光ゲート部のピッチ、従ってスイッチング
電極のピッチによって決1す、このピッチが小はければ
小ζい程解像力を高めることができる。そしてスイッチ
ング電極を、例えばフォトエツチング技術によって形成
した場合、これら電極間のピッチを、50μ程度にする
ことは比較的容鳩であり、かかるピンチで配列1れたス
イッチング電G>、 (−イ「するl’) L Z T
光スイッチングアレイの解像力は20ドツト/問となり
、かなり高い解像力が得られる。Lころが、このように
配列密度の高t1スイッチ電極を有するP L Z T
光スイッチングアレイを実際に使用すると、1つの光ゲ
ート部に印加した電界が、これに隣接する光ケート部に
1で影響を及ぼし7、クロストークの増大による解像力
の劣化を招く恐れがある。のみならず、スイッチング電
極間のピンチを上述の如く小はくすると、qいに隣接す
るスイッチング電極間の静電容量が大5くなるkめ、光
ゲート部に電界を印加し始めてから、実際に九か所足の
制御を受ける1での時間が1.ヲ〈なり、応答速度が仔
くなる欠点も免れな(ゝO A発明は上記認識に基良なをれ1でものであり、i 、
;I+s +、 7ζクロストークが少なく、訃つ互い
に隣接−イーるスイッチング電極間の静電容量を小ζく
留めることができ、しかも比較的高い解像力を得るこさ
の可能なP L Z T光スイッチングプレイヲ提供以
下、本発明の有利な実施例を図面に従って説明する。 第1図は、本発明に係るP L Z T光スイッチング
アレイを用いに光プリンタの一例を示す。本発明の理解
のため、先ず第1図に示す構成の概略を説明する。 第1図において、]は紙面と垂直な方向に細長く延びた
光源であり、この光源1さしては例えばハロゲンランプ
又は緑色螢光灯等が用いられる。 光源1の背後には、該光源1からの光を反射する反射鏡
2が設けられている。一方、光源1の正面側には、該光
源】に対向して、チップ状に形成されに不発明に係るP
L 7. T光スイッチングアレイ3が適数配設され
ている。本例ではこのP L Z T光スイッチングア
レイ(以下単にアレイさいう)3は複数個設けられ、こ
れらが光源1の長平方向に列をなして配列されている。 各アレイ3の光源】を向いに方の側には、必要に応じて
設けられる遮光部材4、及び偏光子5が設けら第1、;
44C尤部材4には、後述する位置に突孔6が穿設をれ
ている。各アレイ3の、第1図における右側VCは、検
光子7がそれぞれ設けられ、不例ては、該検光子7は覗
述の偏光子5に対して直交(r!−K配置プれている。 −方、8はドラム状に形成されに感光体であり、この感
光体8の軸線は、光源1の長平方向に対し!−1ぼ)第
7−行に位置する。そしてこの感光体8と検光:f−7
吉の間には光案内手段が配置これ、この光案内手段さし
ては例えば集束性光伝送体アレイJO又はレンズアレイ
等の結像機能を持つ1で光学素子、又は結像機能をイイ
していない光フアイバシート等の光学素子が適宜用いら
れる。イ収束牛尤伝送体アレイ10の蓋友射側端月は、
検光子7r対回して位置し5、他Jj1尤串射側端】2
は、感光体8に対向し且つ1該感尤体の軸線方向にほぼ
平行な方向に延びている。 第1図VC示す光プリンタの構成11概ね以上の通+]
である。次に本発明に係るアレイ3の具体的構成を増明
する。このアレイ3は例えば第2図に示すように、両表
面を光学研磨シれに1例えばほぼ300μ程のPXこの
誘明PT、ZT基板(9、/ 65 / :(5)13
ヲ有し、この基板13の一方の表面14には、感光体8
の軸線方向、即ち光源1の長平方向にほぼ平行に延在す
る共通電極15さ、この共通電極15に対向して配置さ
れ*’FM数の第1スイツチング電極16と、同様に共
通電極15に対向する複数の第2スイツチング電極17
とが形成されている。第】スイッチング電極】6は、第
2図における、共通電極15の下方に位置し、第2スイ
ツチング電極】7は共通電極15の上方に位置しており
、第1又は第2のスイッチング電極16 、17は、そ
れぞれ共通電極J5の長平方向に等ピッチpで配列され
ている。この場会、第1スイツチング電極と第2スイツ
チング電極は、互いに千鳥状に位置している。即ち、不
例においては、第3図に示す如く、互いに隣接する任意
の2つの第1スイツチング電極(これに特に符号16a
。 16bを付して示す)を考え女とき、これら電極16a
。 16bの間の中心#C4十に、1つの第2スイツチング
電極(これに符号17aを付して示す〕が装置している
。逆VC言えば、任意の2つの第2スイツチング電極1
71)、17Cの間の中心線C7上に、1つの第1スイ
ツチング電極16cが位置している。このようVC互(
1に千鳥状に配列されに2列のスイッチング電極16.
17と共通電極15との間にはそれぞれ所定の微小間隙
があけられ、PLZT基板13におけろこの微小間隙部
分が、光ゲート部(光スイツチング部)18cL−シて
の用をなす。このようにして複7又の光、ゲート部18
が2つの列んなして配列でれ、これC)尤ゲート部】8
にほぼ対応して、既述のSt部材4の窓孔6が位置して
いる(これら窓孔の位置を第2図に鎖線によって示しで
ある)0電極15p16゜17は例チ、ばNi(’、r
−Au 沙ら構成ジれる。 第1スイッチング電極]6.L第2スイッチング電極1
7は、リード線19ヲ介してそれぞれ第1及び第2jv
動回路2(1,2]に電気的に接続1れている。共通電
極とスイッチング電極、!−ヲ基板13の他方の面22
(第1図)に形成してもよいし、或いは基板13の両面
A、22VC第2図に示しに電極15,16.17i互
いにχ↑同させて設げてもよいことは当然でめる。 スイッチング電極16.17を上述の如< ’ILL
(1vζ千鳥状に配列するこ、J−(でよって、不発明
に係る優れ1(効果を得ることができるが、その詳細を
説明するに先立ち、第1図及び第2図に示した光プリン
タにおける作動の概略を明らかにする。 感光体8は、例えば第1図1Fおける時計方向に回転駆
動され、その際、図示していhい帯電装置Uよってその
表面を帯電され、かく帯電された部分が、感光体8の回
転に伴って、集束性光伝′l芳体アレイ10の光出射端
I2に対向する位置にもkらさオ9.る。 一方、光源]からの光は、偏光子5及び遮光部材4の窓
孔6を通して基板13の各党ゲート部ISV達する。こ
の場合、光が各窓孔6を通して各光ゲート部18に至る
ので、成る1つの光ゲート部18へ入射すべき光が、他
の光ゲート部へ至ることを実質的に阻止でp、S/N比
の低下を防止することができる。 上述の如く光ゲー) F!A18に光を照射するに先立
ち、図示していない制御部からの情報信号に従つて、ス
イッチング電極16.17 声共通電極15ミの間h′
r 、堕動回路70.21を介して、電Tが選択的に印
υU8σオ]、電圧の印加これた電極対間の光ゲート部
((は電界が生ぜしめられる。電圧の印加され々い′=
t< (箕&、[間の元ゲート部には電界は生じない。 この場合、偏光子5から出射する光は、光ゲート部18
における印加電界方向に対し45°偏光し7?−直線偏
光、Lなっており、かかる直線偏光が電界の印加ζ狽プ
ζ九ゲート部18VC入射すると、公知の如く、電気光
学効果(2次電気光学効果)rよって、リタデーンヨン
(常光と異常光の位相差)を生じ、か〈リタテーション
を受けた光はアレイ3を出射し1(後、偏光子5..!
−直交位にある検光子7にて検光され、集束性光伝送体
アレイ10に、その光入射端11から入射する。 hころで検光子7を通過しに後の光強度を■。、基板1
;3の尤ケート部J8に入射した光の強度を11、・
【
−じこと・ll<l、7でリタデニションをδさすると
、公知のL′ように ■。と1、(ま、次の関係を有し
ている。 δ l n ”□ I + □ l’122
(])であって、λは光ゲート部1
8に入射する光の波長、nは電界を印加しないときの基
板13の屈折率、Rは二次電気光学常数、dは基板13
の厚で−H間における電界の及ぶ長で(1’T、7.T
の有りフ1厚)である(第4図参照)。光強度■。を最
大にするVこは、電極対への印加電EFp半波長電圧に
すればよく、シ2mrc(m−0+ 1 + 2−
)、即ち311 T\0となるようVC1PLZT基板
J3の光ゲート部に電界を印力pすべきことは(])式
からよく理解できる0検光子7を通過し、集束性光伝送
体アレイIOK入射した光は、その導波路(図示せず)
を通り、出射端12から出射して、予め帯電これに感光
体8の表面を露光し、ここにドツト状の画素から成る静
電潜像を形成する。 一方、電界を印加これかい光ゲート部18においては電
界が零であり、従ってこのようか光ゲート部を通して基
板J3を通過する光は、PLZT基板13によってリタ
デーションを受けないため、偏光子15さ直交位にある
検光子7で完全に連断され、検光子7からの串力光は零
さなる。 ]゛j・ドの如く、複数の光ゲート部VC1情報信号に
従−)で選択的電界を印加することによって、検光子7
から選択的に光を出射ζせることがてき、がヵ・る動作
を連続的に行、tば、回転する感光体表面Vパターン信
号に対応し左二次元的な静電潜像を形成するこ吉ができ
る。この場会、アレイ3における第1スイツチング電極
16さ、第2スイツチング電%34 + 7 、’−は
、第2図における十王方回にして示−j J!it隔を
、bけている左め、感光体8−ヒには、感光体の・・・
11線方回(千ホ査方回)に対して直交する副走森力回
)′に、上記間隔■・に応じに間隔をあけて画素が結像
はれることになるが、土紀電極間の間隔r、を小σ(、
例えば50μ以下に設定しておけば、1・(X九体十に
おける副走査方間の画素のずれは無視できる稈小さくカ
リ、このずれによる不部会は特に牛じhい。或いlオ、
それ自体公知の如く、情報イ1オr、Hを−Fi−メモ
リにストアし、第1スイツチング電極16と共通電極1
5との間の尤ゲート部J8さ、第2スイッチング電極1
7吉共通′f兄極15さの間の毘ゲート部18七に電界
を印加するタイミングを制御して、感光体8上に1列に
揃った画素を形成するこ、−1−もてきる。 上述の如くして形成した静電潜像を、図示していない現
像装置にてトナーによって可視像化し、これを転写紙(
図示せず)に転写して、定着すれば最終的なハードコピ
ーを得るこさができる。尚、感光体さしては、ドラム状
のものではなくシート状又はベルト状のものを用いても
よ(、寸i感光体を最終的なコピーとして用いるときに
は、上記転写工程が不要であることは当然である。 上述しに構成によれば、共通電極15f対回して、千鳥
状に2列に配列をれに複数のスイッチング電極を設けた
ため、第1と第2のスイッチング電極16.17の間の
ピッチqを極く小ζくでき、従ってアレイ3の解像力を
高く保つことができる。のみならず、第1又は第2スイ
ッチング電極16.17のそれぞれ(おける電極間ピッ
チp1及び互いに隣接する第1スイツチング電極16と
第2スイツチング電棒17の間隔■・を、比較的大きく
することができ、Jつて、隣接する電極間の静電容量を
小きくし、目つクロストークを抑えることができる。例
り、ば、第3図に示す如く、共通電極15の幅Wを50
jLs共通′iL極]5吉スイッチング電極】6又は】
7との間隔1)を50μ、各スイッチング電極36.1
7の電極幅wi全て60μに足め、第1又は第2スイツ
チング電極の電極間の間隔Eを65μに設定したとする
さ、第1又は第2スイッチング電極16.17の各ピ゛
ンチpは1257zとなり、第1又は第2スイツチング
電極による解像力は8ドツト/間となる。ところか、ス
イッチング電極16.17はU、いに千鳥状に配列1れ
ているのて、第1スイツチング’を極16と第2スイツ
チング電極J7間のピッチqは62.5μと、つ・す、
従って実際の解像力は16ドツト/鮨となる。 以上1,7明した実施例においては、偏光子と検光子、
J−を直交位に配置し左が、これら偏光子と検光f譜を
平行位に配置した場伊にも本発明を適用できることは当
然である。これらを平行位に配置しkときには、電圧の
印加でねに光ゲート部を通った光が検光子で遮断これ、
電圧の印加υび・い光ケート部からの光が検光子を出射
するように作用することは周知の通りである。 一1*、本発明に係るアレイは、元プリンタに限らず、
他の光学装置、例えば空間変調器等にも有利に用いるこ
とができる。 以上の説明からも判るように、本発明によれば簡単な構
成によって従来の欠点を除去するこさができる。
−じこと・ll<l、7でリタデニションをδさすると
、公知のL′ように ■。と1、(ま、次の関係を有し
ている。 δ l n ”□ I + □ l’122
(])であって、λは光ゲート部1
8に入射する光の波長、nは電界を印加しないときの基
板13の屈折率、Rは二次電気光学常数、dは基板13
の厚で−H間における電界の及ぶ長で(1’T、7.T
の有りフ1厚)である(第4図参照)。光強度■。を最
大にするVこは、電極対への印加電EFp半波長電圧に
すればよく、シ2mrc(m−0+ 1 + 2−
)、即ち311 T\0となるようVC1PLZT基板
J3の光ゲート部に電界を印力pすべきことは(])式
からよく理解できる0検光子7を通過し、集束性光伝送
体アレイIOK入射した光は、その導波路(図示せず)
を通り、出射端12から出射して、予め帯電これに感光
体8の表面を露光し、ここにドツト状の画素から成る静
電潜像を形成する。 一方、電界を印加これかい光ゲート部18においては電
界が零であり、従ってこのようか光ゲート部を通して基
板J3を通過する光は、PLZT基板13によってリタ
デーションを受けないため、偏光子15さ直交位にある
検光子7で完全に連断され、検光子7からの串力光は零
さなる。 ]゛j・ドの如く、複数の光ゲート部VC1情報信号に
従−)で選択的電界を印加することによって、検光子7
から選択的に光を出射ζせることがてき、がヵ・る動作
を連続的に行、tば、回転する感光体表面Vパターン信
号に対応し左二次元的な静電潜像を形成するこ吉ができ
る。この場会、アレイ3における第1スイツチング電極
16さ、第2スイツチング電%34 + 7 、’−は
、第2図における十王方回にして示−j J!it隔を
、bけている左め、感光体8−ヒには、感光体の・・・
11線方回(千ホ査方回)に対して直交する副走森力回
)′に、上記間隔■・に応じに間隔をあけて画素が結像
はれることになるが、土紀電極間の間隔r、を小σ(、
例えば50μ以下に設定しておけば、1・(X九体十に
おける副走査方間の画素のずれは無視できる稈小さくカ
リ、このずれによる不部会は特に牛じhい。或いlオ、
それ自体公知の如く、情報イ1オr、Hを−Fi−メモ
リにストアし、第1スイツチング電極16と共通電極1
5との間の尤ゲート部J8さ、第2スイッチング電極1
7吉共通′f兄極15さの間の毘ゲート部18七に電界
を印加するタイミングを制御して、感光体8上に1列に
揃った画素を形成するこ、−1−もてきる。 上述の如くして形成した静電潜像を、図示していない現
像装置にてトナーによって可視像化し、これを転写紙(
図示せず)に転写して、定着すれば最終的なハードコピ
ーを得るこさができる。尚、感光体さしては、ドラム状
のものではなくシート状又はベルト状のものを用いても
よ(、寸i感光体を最終的なコピーとして用いるときに
は、上記転写工程が不要であることは当然である。 上述しに構成によれば、共通電極15f対回して、千鳥
状に2列に配列をれに複数のスイッチング電極を設けた
ため、第1と第2のスイッチング電極16.17の間の
ピッチqを極く小ζくでき、従ってアレイ3の解像力を
高く保つことができる。のみならず、第1又は第2スイ
ッチング電極16.17のそれぞれ(おける電極間ピッ
チp1及び互いに隣接する第1スイツチング電極16と
第2スイツチング電棒17の間隔■・を、比較的大きく
することができ、Jつて、隣接する電極間の静電容量を
小きくし、目つクロストークを抑えることができる。例
り、ば、第3図に示す如く、共通電極15の幅Wを50
jLs共通′iL極]5吉スイッチング電極】6又は】
7との間隔1)を50μ、各スイッチング電極36.1
7の電極幅wi全て60μに足め、第1又は第2スイツ
チング電極の電極間の間隔Eを65μに設定したとする
さ、第1又は第2スイッチング電極16.17の各ピ゛
ンチpは1257zとなり、第1又は第2スイツチング
電極による解像力は8ドツト/間となる。ところか、ス
イッチング電極16.17はU、いに千鳥状に配列1れ
ているのて、第1スイツチング’を極16と第2スイツ
チング電極J7間のピッチqは62.5μと、つ・す、
従って実際の解像力は16ドツト/鮨となる。 以上1,7明した実施例においては、偏光子と検光子、
J−を直交位に配置し左が、これら偏光子と検光f譜を
平行位に配置した場伊にも本発明を適用できることは当
然である。これらを平行位に配置しkときには、電圧の
印加でねに光ゲート部を通った光が検光子で遮断これ、
電圧の印加υび・い光ケート部からの光が検光子を出射
するように作用することは周知の通りである。 一1*、本発明に係るアレイは、元プリンタに限らず、
他の光学装置、例えば空間変調器等にも有利に用いるこ
とができる。 以上の説明からも判るように、本発明によれば簡単な構
成によって従来の欠点を除去するこさができる。
第J図は不発明に係るP L Z Tスイッチングアレ
イを用い左党プリンタの一例を示す側面図、第2図は第
1図に示し* P L Z Tスイッチングアレイの拡
大正面図、第3図は第2図の一部を更に拡大して示す模
式説明図、第4図は第2図のTV−TV線に沿う断面状
態を模式的に示す図であって、元ゲート部への電界の印
加状態を説明する図である。 3・・・PLZT光スイッチングアレイ13−・・PL
ZT蒸板 15−・・共通電極 lft、17・・・スイッチング電極 第1図 1121m 1
イを用い左党プリンタの一例を示す側面図、第2図は第
1図に示し* P L Z Tスイッチングアレイの拡
大正面図、第3図は第2図の一部を更に拡大して示す模
式説明図、第4図は第2図のTV−TV線に沿う断面状
態を模式的に示す図であって、元ゲート部への電界の印
加状態を説明する図である。 3・・・PLZT光スイッチングアレイ13−・・PL
ZT蒸板 15−・・共通電極 lft、17・・・スイッチング電極 第1図 1121m 1
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 丸の透過を許容するP L 7. T基板に、複数の電
極を形成して成るP L Z ’I’光スイソ千ングア
レイt!おいて、 I)11記複数の電極が、共通電極き、−り°共通電極
に′1.1回して千鳥状に2列に配列プれに複数のスイ
ソーf“ング電極とを包含することを特徴、ムする前記
Pr、 Z’r丸ス・インチングアレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56211530A JPS58117521A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | Plzt光スイツチングアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56211530A JPS58117521A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | Plzt光スイツチングアレイ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58117521A true JPS58117521A (ja) | 1983-07-13 |
Family
ID=16607400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56211530A Pending JPS58117521A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | Plzt光スイツチングアレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58117521A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62265619A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-11-18 | テクトロニツクス・インコ−ポレイテツド | 電気光学デバイス |
JPH01293315A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Think Lab Kk | 光ビーム変調装置 |
EP0411141A1 (en) * | 1989-01-27 | 1991-02-06 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Light shutter array element, driving method thereof, plzt for light shutter array element, and method of preventing variance in the transmission light intensity using said plzt |
US6057955A (en) * | 1997-12-08 | 2000-05-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical modulator and drive method thereof |
-
1981
- 1981-12-30 JP JP56211530A patent/JPS58117521A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62265619A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-11-18 | テクトロニツクス・インコ−ポレイテツド | 電気光学デバイス |
JPH01293315A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Think Lab Kk | 光ビーム変調装置 |
EP0411141A1 (en) * | 1989-01-27 | 1991-02-06 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Light shutter array element, driving method thereof, plzt for light shutter array element, and method of preventing variance in the transmission light intensity using said plzt |
EP0411141A4 (en) * | 1989-01-27 | 1993-01-20 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Light shutter array element, driving method thereof, plzt for light shutter array element, and method of preventing variance in the transmission light intensity using said plzt |
US6057955A (en) * | 1997-12-08 | 2000-05-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical modulator and drive method thereof |
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