JPS5811725B2 - 非直線低抗体素子の劣化検出装置 - Google Patents
非直線低抗体素子の劣化検出装置Info
- Publication number
- JPS5811725B2 JPS5811725B2 JP5819779A JP5819779A JPS5811725B2 JP S5811725 B2 JPS5811725 B2 JP S5811725B2 JP 5819779 A JP5819779 A JP 5819779A JP 5819779 A JP5819779 A JP 5819779A JP S5811725 B2 JPS5811725 B2 JP S5811725B2
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- JP
- Japan
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- deterioration detection
- current
- low antibody
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- Prior art date
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- Expired
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非直線抵抗素子の劣化検出装置に係り、特に、
その劣化をこの非直線抵抗体素子に流れる電流を特定周
期ごとに積分して、これらの差をとった平均値で求める
ことによって検出するようにしたものに関する。
その劣化をこの非直線抵抗体素子に流れる電流を特定周
期ごとに積分して、これらの差をとった平均値で求める
ことによって検出するようにしたものに関する。
一般に、非直線抵抗体素子であるギャップレス避雷器は
第１図に示すように、容量Ｃと非直線抵抗Ｒを並列接続
したものによって等制約に表わされる。
第１図に示すように、容量Ｃと非直線抵抗Ｒを並列接続
したものによって等制約に表わされる。
そしてこの避雷器の各リーグ電流ｉ。およびｉ・は、第
２図ａに示す印加電圧（Ｖ＝Ｖｍｓｉｎωｔ）に対して
同図す、ｅに示すようになり、これらの各電流を合成し
たリーク電流は第２図ｄに示すように１−１Ｒ＋ｉｃと
なる。
２図ａに示す印加電圧（Ｖ＝Ｖｍｓｉｎωｔ）に対して
同図す、ｅに示すようになり、これらの各電流を合成し
たリーク電流は第２図ｄに示すように１−１Ｒ＋ｉｃと
なる。
ところで、かかる避雷器の劣化が進行すると１８が増加
するが、劣化が小さい場合にはこのｉＨの測定は困難で
、従来はｉＲを直接求めずに、上記並列回路の有効電力
を測定してｉＲの測定に代える方法が採られていた。
するが、劣化が小さい場合にはこのｉＨの測定は困難で
、従来はｉＲを直接求めずに、上記並列回路の有効電力
を測定してｉＲの測定に代える方法が採られていた。
しかし、かかる場合には、印加電圧として安定な絶対値
を必要とするため、変成器Ｐ、Ｔを使用し、このためそ
の測定結果にそのＰ。
を必要とするため、変成器Ｐ、Ｔを使用し、このためそ
の測定結果にそのＰ。
Ｔなどによる誤差が含まれる。
また、アナログ乗算器を使用するため、これの性能が劣
化検出性能に影響を与えることとなる。
化検出性能に影響を与えることとなる。
なお、現在の技術では非線形特性を全く持たない高精度
のアナログ乗算器を作ることは難しく、さらにこれを使
った場合にその出力平均値を求める操作（装置）が必要
となる。
のアナログ乗算器を作ることは難しく、さらにこれを使
った場合にその出力平均値を求める操作（装置）が必要
となる。
本発明は従来のかかる問題点を改善せんとするものであ
り、特に、リーク電流を所定周期ごとに複数の積分器で
積分し、これらの出力の差を求めて平均値抵抗分電流を
得るようにした、構成簡単で高精度］り定結果が得られ
る非直線抵抗体素子の劣化検出装置を提供するものであ
る。
り、特に、リーク電流を所定周期ごとに複数の積分器で
積分し、これらの出力の差を求めて平均値抵抗分電流を
得るようにした、構成簡単で高精度］り定結果が得られ
る非直線抵抗体素子の劣化検出装置を提供するものであ
る。
以下に、本発明の実施例を図面について述べる。
第３図は劣化検出装置の具体的な回路図で、１゜２は積
分器、３，４は各積分器１，２の積分動作を０くｔく２
π／ωおよびπ／ωくｔく３π／ωの周期で行わせるだ
めの積分区間設定器である。
分器、３，４は各積分器１，２の積分動作を０くｔく２
π／ωおよびπ／ωくｔく３π／ωの周期で行わせるだ
めの積分区間設定器である。
上記両種分器１，２にはリーク電流ｉが供給され、積分
区間設定器３，４には所定の電圧Ｖが供給される。
区間設定器３，４には所定の電圧Ｖが供給される。
また、上記両種分器１，２の出力側には減算器５が接続
され、この出力側に抵抗分電流の平均値を得るようにな
っている。
され、この出力側に抵抗分電流の平均値を得るようにな
っている。
次に、上記回路の動作を説明する。
いま、リーク電流を１＝ｉｃ＋ｉＨとすると、ｉＨは
ｉＨ＝ＣＶＧ＝Ｃ（Ｖｍｓｉｎωｔ）Ｇ・（１）となり
、これをフーリエ級数で展開すると、ｉＨ＝ΣＩＨｎｓ
ｉｎｎωｔ（ｎ−１ｔ２＝）・・（２）となる。
、これをフーリエ級数で展開すると、ｉＨ＝ΣＩＨｎｓ
ｉｎｎωｔ（ｎ−１ｔ２＝）・・（２）となる。
従って、第２図を見ても分かるように、１＝Ｉｃｃｏｓ
ωｔ＋Σ１Ｒｎ１１ｎＥωｔとなる。
ωｔ＋Σ１Ｒｎ１１ｎＥωｔとなる。
そこで、かかる電流ｉを積分器１において０からｔまで
の０くｔく２“／んの区間で積分すると、 となる。
の０くｔく２“／んの区間で積分すると、 となる。
また、積分器２において、π／ωくｔく３π／ωの区間
で積分すると、 となる。
で積分すると、 となる。
そこでこれらの各結果を減算器５で引き算すると、
となり、これからＩＲの平均値ｉＲは、
となり、これからｉＢの平均値ｉＨは
と求められる。
これが直流出力として減算器５から直ちに求められる。
このように積分区間設定器に印加する電圧はその積分区
間を設定する場合に用いるだけで絶対値は要しないので
、特殊な定電圧源は要しない。
間を設定する場合に用いるだけで絶対値は要しないので
、特殊な定電圧源は要しない。
また、積分器１，２や減算器は簡単に高精度のものが作
られるので、高精度で抵抗分電流ＩＨの平均値を求める
ことができる。
られるので、高精度で抵抗分電流ＩＨの平均値を求める
ことができる。
以上のように、本発明によれば、積分範囲が異る複数の
積分区間設定器によってリーク電流を所定区間ごとに複
数の積分器において積分し、その積分出力を減算器に減
算し、リーク電流中の抵抗分電流の平均値を検出するこ
とによって、ギャップレス避雷器等の非直線抵抗体素子
の劣化を高精度に検知し、これによって非直線抵抗体素
子の保守、点検や交換を行って、その非直線素子および
これを含む回路の動作ならびに運用を円滑化できる。
積分区間設定器によってリーク電流を所定区間ごとに複
数の積分器において積分し、その積分出力を減算器に減
算し、リーク電流中の抵抗分電流の平均値を検出するこ
とによって、ギャップレス避雷器等の非直線抵抗体素子
の劣化を高精度に検知し、これによって非直線抵抗体素
子の保守、点検や交換を行って、その非直線素子および
これを含む回路の動作ならびに運用を円滑化できる。
また、かかる劣化検出装置は簡単にしかも安価に得られ
るものであるので、実用上頗る有益となる。
るものであるので、実用上頗る有益となる。
第１図はギャップレス避雷器の等価回路図、第２図はこ
の等何回路の各部に流れる電圧および電流の波形図、第
３図はギャップレス避雷器など非直線抵抗体素子の抵抗
分電流の平均値を検出するだめの検出回路図である。 １．２・・・積分器、３，４・・・積分区間設定器、５
・・・減算器。
の等何回路の各部に流れる電圧および電流の波形図、第
３図はギャップレス避雷器など非直線抵抗体素子の抵抗
分電流の平均値を検出するだめの検出回路図である。 １．２・・・積分器、３，４・・・積分区間設定器、５
・・・減算器。
Claims (1)
- １ 非直線抵抗素子のリーク電流を積分する複数の積分
器と、これらの各積分器の積分区間を分担せしめる積分
区間設定器と、上記積分器の出力を減算する減算器とを
備え、該減算器の減算出力より抵抗分電流の平均値を検
知するようにしたことを特徴とする非直線抵抗体素子の
劣化検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5819779A JPS5811725B2 (ja) | 1979-05-12 | 1979-05-12 | 非直線低抗体素子の劣化検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5819779A JPS5811725B2 (ja) | 1979-05-12 | 1979-05-12 | 非直線低抗体素子の劣化検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55150206A JPS55150206A (en) | 1980-11-22 |
| JPS5811725B2 true JPS5811725B2 (ja) | 1983-03-04 |
Family
ID=13077289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5819779A Expired JPS5811725B2 (ja) | 1979-05-12 | 1979-05-12 | 非直線低抗体素子の劣化検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811725B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826277A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-16 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 酸化亜鉛素子の劣化検出方法 |
| JPH04370687A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 酸化亜鉛形避雷器の劣化監視装置 |
-
1979
- 1979-05-12 JP JP5819779A patent/JPS5811725B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55150206A (en) | 1980-11-22 |
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