JPS58112297A - 誘導加熱に使用可能な誘導子、コ−テイング及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は１誘導子に関し、特に誘導加熱に使用される誘
導子に関する。

誘導子又は誘導子フィルは、一般に、電磁界を変化させ
ることによって誘導される電流により導一体材料を加熱
するのに使用される。電磁エネルギと、まさに加熱され
るワークピースは単巻二次側と考えられる。交流電流が
一次コイル又は誘導子を流れると、二次電流がワークピ
ースに誘導される。これらの誘導電流は、うず電流と呼
ばれ、ワークピース内を流れる電流は全てのうず電流の
合計と考えることができる。熱は、ワークピースの電気
抵抗を克服するのに消費されるエネルギーの結果発生さ
れる熱を伴って、ワークピース内にヒステリシス損又は
うず電流積によって発生される。

典型的には、誘導子コイルとワークピースとの間Ｖヒは
近接した間隔が使用され、誘導されるうず電流を最大と
して高い加熱率を得るために、高いコイル電流が使用さ
れる。

誘導加熱は、はんだ付け（ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）、ブレ
ージング（ｂｒａｚｉｎｇ）、焼きなましく　ａｎｎｅ
ａｌ　ｉｎｇ）、硬化（ｈａｒｄｅｎｉｎｇ）、鍛造Ｃ
ｆｏｒｒｔｉｎｒｔ）、誘導溶融（１ｎｄｕｃｔｉｏｎ
　ｍｅｌｔｉｆＬｇ）、焼結（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）の
ために、また他の種々の誘導加熱の応用で金属を加熱す
るために、金属加工工業で広く用いられている。他の従
来のプロセスに比較して、誘導加熱は、幾つかの固有の
利点を持っている。第一に、熱が材料に直接誘−導され
る。従って、それはかなり急速な加熱法である。それは
、表面接触又は輻射加熱法を用いる従来のプロセスにお
ける比較的低率の熱拡散によって制限されない。第二に
、スキン効果のために、熱が局在化され、加熱されるワ
ークピースの面積が誘導子コイルの形状及び寸法によっ
て決定される。第三に、誘導加熱は容易に制御でき、そ
れにより均質で高質の製品を与える。

第四に、誘導加熱はそれ自体自動化、イン・ライン・プ
ロセス、及び自動プロセス・サイクル制御に役立つ。第
五に、開始時間が短く、従って準備損失が低く或いは存
在しない。そして第六に、雑音、煙霧、輻射熱がないの
で、作業条件が良好である。勿論、他の利点もある。

誘導子によって発生される磁束が特定の時間（典型的に
は短時間）内にワークピースを所望の温度にするのに十
分な密度でなければならないということは良く知られて
いる。ワークピースが単純な形状で、誘導子によって容
易に包囲することができると、従来の誘導子を使用する
急速な加熱は、比較的簡単な作業である。しかし、ワー
クピースが比較的複雑な形状をしていると、誘導子に容
易にアクセスできない領域で急速且つ均一の加熱を保証
することは困難になる。

過去において、誘導子の特性は磁束の流れ方向を制−御
し、それによってワークピース上の磁束密度を操作し且
つ最大とすることによって改良できるｙいうことが認識
されてきた。例えば、はぼ円形断面の誘導子コイルにつ
いて、その周辺のある部分に磁界配向素子を付設するこ
とによって指向制御が改良され、磁束はその他の部分で
増強される。現在使用される磁界配向素子は、粒子の配
向された鉄から作られる薄片（比較的薄いストリップ・
ストック片）であり、この薄片は、必要に応じて、スト
リップ毎に、或いは層ベース毎に誘導子に付着される。

しかし、これらの薄片は、必要な形状にカットし且つ寸
法を決める必要があるので、適用するのが困難であり満
足できるものではない。従って、適用が困難なために、
誘導子の断面がカバーできる範囲が制限される。この点
に関して、ワークピースのあるタイプを扱うのにしばし
ば必要とされる複雑な幾何学形状に、そのようなストリ
ップ・ストックをラミネートすることは、非常に暇のか
かる困難なことである。そのような薄片を大きな誘導子
に適用することはまた、コスト及び労力の見地から実現
がむずかしい。更に、建 これら鉄の薄片は、高い動作温度で誘磁率を失う傾向を
有している。これは、加熱処理操作を効果のないものに
する。高温で、これらの材料は、比較的高いヒステリシ
ス損及びうず電流損のために冷却を必要とする。粒子の
配向された鉄から作られた薄片はまた、製造に必要な労
賃のために比較的高価である。

誘導子の磁束密度の方向を制御する他の従来の方法は、
バインダ内に強磁性材料から作られるブロック又はイン
サートの使用によるものである。

これらの材料は良好なものであるが、それらは全て前も
って作り上げられ、従って特定の群の形状及び寸法にの
み有効である。このようなブロック又はインサートは、
典型的には、そのまわシ、それ故ワークピース上の磁束
密度を増加させるように、必要に応じて、誘導子に固着
される。勿論、前もって組立てられる種々の寸法はまた
、種々の寸法にやすりがけされ、鋸で切られ、ドリルさ
れ、相互にラミネートされ、或いは機械加工されるが、
これは、誘導子の製造業者又はユーザにかなシの量の労
力をもたらす。言うまでもなく、このような労力は高価
であり、この費用は、インサート自体のコストに付加さ
れるもので、けっして無視することかできない。

従って、本発明の目的は、改良された誘導子を提供する
ことであシ、改良された指向制御に加えて、誘導子にコ
ーティングを施す容易性を利用することによってそのよ
うな制御を行う改良された誘導子を提供することである
。従って、製造又は使用するのに相当な労力を必要とす
ることのないより効果的な誘導子を提供することができ
る。

一般に、本発明の誘導子、コーティング、方法は、指定
された領域においてのみ、磁束密度を増加させ、それに
よって加熱処理されているワークピース上の磁束密度を
増加させることによって、誘導子の指向制御を改良する
ように適合されている。本発明の方法は、誘導子をコー
ティング組成物でコーティングするために、流動ベッド
を使用すること、或いは他の同様の方法を含む。本発明
によれば、コーティング組成物は、カルボニル鉄粉等の
低い磁気抵抗材料、及び重合体樹脂等のバインダより成
る。本発明の方法を実施する場合に、通常の流動ベッド
装置が、コーティング組成物を適当にマスクされた誘導
子に与えるだめに使用できる。コーティングの後に、テ
フロン又はアルミニウム箔のような材料よシ成るマスキ
ングが除去される。しかし、マスキングの除去に先立っ
て、全ての誘導子組立体を、本発明のコーティング組成
物への損傷を回避するために、ビニルのような保護コー
ティングによって被覆してもよい。更に、本発明は、他
の電気導体内の磁束の指向制御を改良するのにも使用で
きると考えられる。前述のように＾流動ベッド・コーテ
ィング以外のコーティング方法も考えられる。

本発明を図示実施例に従って以下に詳−述する。

図を参照すると、図は、本発明の好適な実施例を説明す
るためのものであり、本発明を限定するものではなく、
第１図乃至第４図は、本発明によシ作られた誘導子１０
を示している。（この誘導子は、任意の形状及び許容可
能な材料のものでよい。）第１図乃至第４図に示された
誘導子１０の寸法及び形は、本発明によって被覆された
誘導子を説明しているのに過ぎない。本発明の原理、精
神及び範囲はあらゆる誘導子の形状及び寸法に応用でき
るということが評価されるべきである。

第１図の誘導子１０は、基部１２及び１４と、そこに連
結されたステム部１６及び１８と、より成る。リング部
２０はステム部の頂部に設けられる？以下に詳細に説明
されるように、リング部２０は、そこにその内面２４を
ほとんどカバーするコーティング２２を有し、その中に
一連の水冷ホール２６を有する。この急冷ホール２６は
、ワークピース（図示せず）を冷却するために使用され
、このワークピースは、内面２４に隣接し且つ誘導加熱
処理を受けるリング部の内側に置かれる。

冷却水は、入口２８を介して誘導子に入り、誘導子の基
部１２及びステム部１６ｉ進み、その後、冷却水はリン
グ部２０に入り、そこで多量の冷却水が急冷ホール２６
を介して誘導子から出る。残りの冷却水はステム部１８
及ｑ基部１４を介して下降し、出口８０を介して出る。

リング部２０と同様に、基部１２及び１４、ステム部１
６及び１８は、冷却水のバスを与えるために、管状の、
又は他の中空の方形又は矩形の断面を有するストックか
ら形成される。ここに図示された基部１２及び１４は、
取付はホール８２を備え、このホールは、必要に応じて
ボルト等を用いて誘導子を設置するために使用される。

第２図は、第１図の線２−２に沿って得られる誘導子の
リング部２０の断面図である。図示されたコーティング
２２は、２つの層よシ形成され、第一の層８４は本発明
のコーティング組成物より成炉、第二の層８６は第一８
層をカバー或いはカプセル化された保護層である。コー
ティング組成物８４は、低い磁性抵抗の材料及びバイン
ダより成シ、この実施例において、リング部２０の４つ
の外面８８のうちの８面に直接接着されている。

前述のように、リング部の内面２４は、急冷ホール２６
を自由な露出した状態にしておくために、第−又は第二
のコーティング層３４及び８６のいずれによってもカバ
ーされていない。また、前述のように、ワークピースは
、この内面２４に隣接するリング部内に配置される。

第１図及び第４図は共に、それぞれの基部、ステム部と
、リング部の対向側との間に存在する小さなギャップ４
０を示している。このギャップは、ステム部の隣接面間
の短絡を回避するために与えられる。本発明・のコーテ
ィング・プロセスを実施する場合に、ギャップ４０とリ
ング部２ｏの内面２４とは共に適当にマスクされる。例
えば、コーティングを避けるために、テフロン・シート
をギャップ４０に挿入することができ、またリング部２
０の内面２４にアルミニウム箔を適用することができる
。勿論、他の誘導子の形状は、必要とされるコーティン
グ形状を与えるために、種々のマスキング技法を必要と
する。

第５図は、本発明の方法を実施する場合に使用可能なタ
イプの流動ベッド装置４２を示している。

流動ベッド装置４０（ここでは正確な寸法で示されてお
らず、またコーティング組成物等を適用する場合に使用
できる従来の流動ベッド装置を示している）は、空気入
口管４６を備えた下方の空気マニホルド領域４４と、中
間の有人構造４８と、上方の媒体部５０と、を備えてい
る。動作において、空気は、下方の空気マニホルド領域
４４から中間の有人構造４８を介して上方に流れ、媒体
部５０内の媒体又は粉材料を９動又は流動性にする。

この点に関して、流動ベッドに関する米国特許第２．８
４４，４８９号明細書の開示を参照されたい。

”ＰＯＲＯＵＳ　　５ＴＲＵＣＴＵＲ８′の名で８ＭＩ
ｎｄｕｓｔｒｉａｌ　　Ｍｉｎｅｒａｌ　　Ｐｒｏｄｕ
ｃｔｓ　　Ｄｉｖｉｓｉｏｎによって販売されているタ
イプの盲穴構造体は、良好な動作を与えることが見出さ
れた。

本発明の方法を実施する一例において、以下のステップ
が含まれる。最初に、従来タイプの誘導子が準備される
。次に、本発明の磁束の指向制御用のコーティング組成
物で被覆されなかった誘導子の部分が適当にマスクされ
る。テフロン又はアルミニウム油が高いコーティング温
度で満足できる仕上りを与えることが見出されたが、コ
ーティング状態で適当なマスキング特性を与える木、鋼
、鉄、他のプラスチック等の他の材料もまた使用可能で
あると考えられる。誘導子が必要に応じてマスフされた
後に、誘導子は、本発明のコーティング組成物内のバイ
ンダの溶融温度によって決定される温度捷で加熱される
。言う捷でもなく、誘導子へのコーティング組成物の接
着を促進するためにプライマー（反応先導剤）を使用す
ることができるが、これは誘導子の基材及びコーティン
グ組成物内のバインダ材料のタイプにより変化する。

必要であれば、コーティング組成物の接着を助成するた
めに、誘導子の表面を初期調整ステップとして浄化、エ
ノチンダ、砂吹き処理をしてもよい。

適当な温度にまで加熱した後に、加熱され、マスクされ
た誘導子は、流動ベッド内に配置され、そこで本発明に
よって作られたコーティング組成物が通常の方法で施さ
れる。連続的なコーティングは、−改良された磁束密度
か望捷れる誘導子の部分を除いて、誘導子表面に施され
る。（言う捷でもなく、誘導子の基部、ステム部又は他
の支持部は被覆されない。）勿論、十分なコーティング
が施された後に、誘導子は流動ベッドから取外される。

例えば、加熱された誘導子は、それが本発明のコーティ
ング組成物によって十分に被覆されるまで、約１乃至２
分間流動ペッド媒体内に置かれる。勿論、コーティング
時間は、コーティング組成物、コーティング厚等に応じ
て変化する。マスキングを取外すのに先立って、前述の
ように被覆された誘導子は、流動ベッド媒体内の同様の
処理によってビニルのような通常の保護コーティングで
更に被覆され得る。

流動ベッド・コーティングは本発明の好適な一実施例に
関連して前述されたが、本発明の原理は、静電スプレー
法浸漬法Ｃｄ１ｐｐｉｎｒｔ）、キャスティング（ｃａ
ｓｔｉｎｇ）、溶融法（ｍｅｌｔｉｎｇ）、真空成形法
塗布法（ｐａｉｎｔ　ｉｎｇ）、圧縮成形法及び射出成
形法を含む他の通常のコーティング方法（基材上及びそ
の周囲）に等しく適用可能である。更に、誘導子に関連
して前述した本発明のコーティング・プロセス及び組成
物もｊた磁束の改良された指向制御が望まれる他の電気
導体に等しく適用可能であると考えられる。

本発明の誘導子及び方法に従って使用される本発明のコ
ーティング組成物は、低い磁気抵抗の材料とバインダと
から成る。体積で約１０チ乃至約５％のバインダと混合
される約９０％乃至約９５チの間の、低磁気抵抗材料が
満足なコーティングを与える。のに適している。勿論、
他の割合も満足な結果を与える。しかし、本発明のコー
ティング組成物の仕上がりを最適にするために、低磁気
抵抗材料の量を最大にしかつバインダの量を最小とし、
低磁気抵抗の粒子間の間隔又はギャップを最小にするこ
とが望ましいということに留意すべきである。低磁気抵
抗材料として使用するのに適した典型的な材料は、ＧＡ
Ｆ社によって製造され、“Ｈｉ−ＰｅｒｍＴｙ−ｐｅ　
Ｅ　”の名で粉末状で販売されてい、るカルボニル鉄粉
である。使用可能と考えられる他の材料は壕だ、ＧＡＦ
社のＴ’／ｐｅｓＦ’＆び”Ｔ’ｔｐｅ　Ｗ”のカルボ
ニル鉄粉；“ＦＰＣ粉”の名でニュージャージ州、ダレ
ン・ロックのＲｌｌｓａｎ社によ？て販売されているよ
うなナイロン被覆バリウム−７ｉライト粉；　”　Ｂａ
ｒｉｕｍ　ＦｅｒｒｉｔｅＰｏｗｄｅｒ　１０６　”の
名でオハイオ州、トレド（ＤＦｅｒｒＯ社、　Ｏｌｔａ
ｗａ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　　によっ
て販売されているようなバリウム・フェライト粉；”Ａ
ｎｃｏｒ”、−Ａｎｃｏｒｍｅｔ”又は”Ａｎｃｏｒｓ
ｔｅｅｌ”の名でニュージャージ州、リバートンのＨａ
　ｅ　ｇａｎａｅｓ社によって販売されているような鉄
及び鋼粉；Ｃｔｔｒａｍａｇ　　２４８．０２４４″の
名でペンシルバニア州、セントメリーの５ｔａｃｋｐｏ
ｌｅ社から入手可能なタイプの磁気セラミック粉；及び
他の均等な材料及び混合物を含む。従って、低磁気抵抗
材料は、カルボニル鉄粉、バリウム・フェライト粉、鉄
粉、銅粉、磁気セラミック粉、及びその混合物よシ成る
グループから選択される少なくとも１つの材料でよい。

バインダは、全てのコーティングを誘導子表面に接着さ
せると共に低磁気抵抗粉を保持するのに適したタイプの
重合体樹脂でよい。バインダとして使用に適した典型的
な材料は、”　３ｃｏｔｃｈｃα８ｔＥｌｅｃｔｒｉｃ
ａｌ　Ｒｅ５ｉｎ　２６５”として３Ｍ社によって販売
されているタイプのエポキシ粉、即ち一成分性、無充填
の硬質樹脂である。使用可能と思われる他の材料はまた
、”ｐｔαｔａｍｉｄ”熱溶融接着剤の名でニュージャ
ージ州、グレン・ロックのＲｉ　ｔ　ｓａｎ社によって
販売されているタイプの熱溶融接着剤、及び他の均等な
材料と混合物を含む。

従って、バインダは、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、熱
溶融接着剤、及びその混合物より成るグループから選択
される少なくとも１つの材料でよい。

１０００分の数インチ（即ち、約０．００５インチ：約
０．０１２７センチメードル）から約４分の１インチ（
約０．６３５センチメートル）又はそれ以上のコーティ
ング厚が本発明を実施する場合に有用である。以下の例
で、約０．１００インチ（約０２５４４ンチメートル）
の厚さが適尚であることが見出された。勿論、コーティ
ングの厚さは、使用される低磁気抵抗材料のタイプ、使
用されるバインダのタイプ、コーティング組成物の固有
の強度、所望の磁束制御量、流動ベッドでの浸入時間の
長さ、等のファクターに依存して変化する・であろう。

一般的に、ここで記述された磁束制御効率は、コーティ
ング厚の増加につれて増加する。

を更に説明するために、以下に例を示す。これらの例は
説明の目的で示されるものであり、本発明の範囲を限定
するものではないということが理解されるであろう。

例 第１図乃至第４図に示されたタイプの誘導子（銅製で高
さ約８インチ：約２０．３センチメートル）は、第５図
に示されたタイプの流動ベッド装置を用いて被覆された
。体積で９０％の低磁気抵抗材料ＣＧＡＦのカルボニル
鉄粉、’　Ｈｉ−ＰｅｒｍＴｙｐｅ　Ｆ″′）と体積で
１０％のバインダＣＡＭの５ｃｏｔｃｈｃａｓｔ　Ｅｌ
ｅｃｔｒｉｃａｌ　Ｒｅ５ｉｎ　２６５　）より成るコ
ーティングが約０．１０・０インチ（０，２５４センチ
メートル）の厚さに施された。誘導子は、ガラス・ビー
ズ・ペレット処理として一般に知られている、ガラス・
ビーズによる吹き付は処理で予じめ浄化された。誘導子
のリング部のギャップ４０及び内面２４は、前述の如き
接着剤で裏打ちされたアルミニウム箔及びテフロンを用
いてマスクされ、誘導子は約４５０°Ｆ（約１７７°Ｃ
）まで加熱された。マスクされた誘導子のリング部は約
１分間流動ベッド内に置かれ、そして取外された。

（基部及びステム部は流動ベッド内に置かれず、従って
被覆されなかった。）冷却後に、被覆された誘導子は、
処理中にコーティングに損傷を与えないように、流動べ
、ラド内でビニルの薄層（約０．０１０インチ：　０．
０２５４センチメートル）により更に被覆された。約直
径１インチ（約２．５４センチメートル２）で長さ約６
インチ（約１５．２４センチメートル）の７本の鋼ロッ
ド（４１４０鋼）が、０．０６−０インチ（０，１５２
４センチメートル）の空気ギャップに亘って鋼ロッドに
１０　ＫＨｚの周波数を与える誘導ゼネレータを用いて
熱処理された。

コーティングを持たない誘導子で誘導加熱処理された前
述の鋼ロッド、即ちワークピース（ワークピース腐１）
と、本発明により被覆された誘導子により誘導加熱処理
されたロッド（ワークピース／１６２〜．％７）とを比
較したテストの結果は以下の通シである゛。２回のテス
トが各ロッドに対して行われ、以下に平均値として与え
られる。

ワ　クビース　　　％ボルト　　％アンペア　％キロワ
ットｉ　　　　　　　　８ｏ　　　　　　６Ｂ　　　　
　　ｉ。

（非被覆誘導子） ２　　　　　　８０　　　　　７１　　　　　　ｉｉ（
被覆誘導子） ８　　　　　２８　　　　５９　　　　１０（被覆誘導
′ｆ−） ４　　　　　２６　　　　６７　　　　　８（被覆誘導
子） ５　　　　　２４　　　　６４　　　　　８（被覆誘導
子） ６　　　　　２２　　　　６１　　　　　６（被覆誘導
子） ’ＫＶＡＲニキロボルト・アンペア率 −８，２１６−−−−− −７，２４５＋、０２９　　＋、１８４　　＋１０゜６
　　　．２８８　　＋、０１７　　＋、０７８７　−６
．６６６−５　　　　．２０７　−．００９　−．０４
１６　−１８．８８８−４　　　　．１８８　　−．０
２８　　　−　　　　　−−８　　　　．１６０−．０
５６　　　　−　　　　　−一２　　　　．１４６　−
．０７０　　　−　　　　　−前述のテスト結果から、
非被覆誘導子を本発明により被覆された誘導子と比較す
ると、同様の表面硬化（ｃａｓｅ　ｈａｒｄｅｎｉｎｇ
）（Ｄ深すカワークヒース夷１（非被覆誘導子を使用）
とワークピースＡ６４（本発明により被覆された誘導子
を使用）とにより達成された。この同じ表面硬化の深さ
は、（ワークピース／ｉ６１とＡ４に対するチキロワッ
トの比較で）ワークピース／１６１で必要とされるよシ
も約２０％以下の電力を用いてワークピース／１６４で
達された。任意の基準で、２０チの電力の節約は、十分
な省エネルギーを達成している。

酊述の利点に加えて、本発明の利点の中には、本発明に
より被覆された誘導子で電力を減少させないことが望ま
れた場合に、非被覆誘導子で得られるのと同様の表面硬
化の深さは、本発明の指向制御及び磁束増加特性のため
に十分に短かい時間′で搏成できる、ということがある
。どんなことがあっても、全体的な誘導加熱処理プロセ
スの良好な制御が達成される。また、現在部用されてい
る薄片及びインサートを供給する困難性に相違して、よ
シ複雑なコイル構造は、本発明のコーティング組成物の
容易な適用のために、磁束方向制御材料によりカバーさ
れ得る。このことは、過去において何らかΩ方法で考慮
するには形状が大きすぎ或いは複雑すぎた誘導子のユー
ザーに無制限の機会を与える。実質的な効果は、エネル
ギー及び労力の節約も伴って、本発明の誘導子、コーテ
ィング、方法を使用することで生ずる。

【図面の簡単な説明】

第一１図は、本発明により作られた誘導子の斜視図であ
る。 第２図は、第１図の線２−２に沿った第１図の誘導子の
断面図でおる。 第８図は、第１図の誘導子の側面図である。 第４図は、第１図の誘導子の前面図である。 第５図は、本発明により使用可能なタイプの流動ベッド
装置の概略図である。 （符゛号・説明） ｌＯ：誘導子　　　　１２．１４：基部１６．１８：ス
テム部　　２０：リング部２２：コーティング　２４：
内面 ２６＝急冷ホール（水冷ホール）　　２８：入口４０：
ギャップ　　　４６＝流動ベッド装置特許出願人　　ロ
パート・スタンレイ・ラフイニ（外４名）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）低磁気抵抗材料とバインダとよシ成るコーティン
   グ組成物を有する導体より成シ、前記コーティング組成
   物がコーティング・プロセスによって前記導体に施され
   たことを特徴とする磁束の指向制御を与える電気導体。 （２）前記コーティング・プロセスが、流動ベッド・コ
   ーティング法静電スプレー法、浸漬法、キャスティング
   法、溶融法、真空成形法、塗布法、圧縮成形法、射出成
   形法、より成るグループから選択された少なくとも１つ
   の方法を含む特許請求の範囲第１項記載の電気導体。 （８）低磁気抵抗材料とバインダとより成るコーティン
   グ組成物を有する誘導子素子より成り、前記コーティン
   グ組成物は、改良された磁束密度が望まれ前記コーティ
   ング組成物が存在しない前記誘導子素子の部分を除いて
   、誘導子の表面に亘って連続しており、前記コーティン
   グ組成物はコーティング・プロセスによって誘導子に施
   されたことを特徴とする磁束の指向制御を備えた誘導子
   。 （４）前記コーティング・プロセスは、流動ベッド・コ
   ーティング法、静電スプレー法、浸漬法、溶融法、真空
   成形法、塗布法、圧縮成形法、射出法、よシ成るグルー
   プから選択された少なくとも１つの方法を含む特許請求
   の範囲第３項記載の誘導子。 （５）？低磁気抵抗材料とバインダとより成るコーティ
   ング組成物を有する誘導子素子より成り、前記コーティ
   ング組成物は、改良された磁束密度が望まれ前記コーテ
   ィング組成物が存在しない前記誘導子素子の部分を除い
   て、誘導子の表面に亘って連続しており、前記コーティ
   ング組成物は流動ペット・コーティング・プロセスによ
   って誘導子に施されたことを特徴とする磁束の指向制御
   を備えた誘導子。 （６）　　前記コーティング組成物は、約９０チと約９
   ５チの間の低磁気抵抗材料と、約１０チと約５弼の間の
   バインダと、より成る特許請求の範囲第５項記載の誘導
   子。 （７）前記低磁気抵抗材料は、カルボニル鉄粉、バリウ
   ム・フェライト粉、鉄粉、銅粉、磁気セラミック粉、及
   びその混合物、より成るグループから選択された少なく
   とも１つの材料である特許請求の範囲第５項記載の誘導
   子。 （８）前記バインダは、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
   熱溶融接着剤、及びその混合物、より成るグループから
   選択された少なくとも１つの材料である特許請求の範囲
   第５項記載の誘導子。 （９）前記コーティング組成物は、約０．０１２７セン
   チメードルから約−ｔＪ、６８５センチメートルの厚さ
   で与えられる特許請求の範囲第５項記載の誘導子。 ＧＯ）　　導体を準備する工程と、前記導体に低磁気抵
   抗材料とバインダとより１成゛パるコーティング組成物
   を施す工程と、より成る導体内に磁束の改良された指向
   制御を与えるために電気導体をコーティングする方法。 ＯＮ）　　前記コーティングは、流動ベッド・コーティ
   ング法、静電スプレー法、浸漬法、キャステインノ？溶
   融法、真空成形法、塗布法、圧縮成形法、射出成形法、
   より成るグループから選択された少なくとも１つの方法
   を使用して誘導子に施される特許請求の範囲第１θ項の
   方法。 （７）誘導子を準備する工程と、前記誘導子に低磁気抵
   抗材料とバインダとより成るコーティング組成物を施す
   工程と、より成る誘導子の磁束の指向制鋒を改良するた
   めに誘導子をコーティングする方法。 （ト）前記コーティングは、流動ベッド・コーティング
   法、静電スプレー法、浸漬法、キャスティング法、溶融
   法、真空成形法、塗布法、圧縮成形法、射出成形法よシ
   成るグループから選択された少なくとも１つの方法を用
   いて誘導子に施される特許請求の範囲第１２項の方法。 （９）誘導子の磁束の指向制御を改良するために誘導子
   をコーティングする方法において、α）誘導子を準備す
   る工程、 ｂ）被覆されるべきでない前記誘導子の部分をマスキン
   グでカバーする工程、 Ｃ）マスクされた誘導子を加熱する工程、ｄ）前記マス
   クされた誘導子を流動ベッド内に置く工程、 ｅ）前記流動ベッド内の前記マスクされた誘導子に低磁
   気抵抗材料とバインダとより成るコーティング組成物を
   施す工程、 ｆ）被覆された誘導子を前記流動ベッドから取外す工程
   、 より成る前記方法。 Ｑ５）　　前記マスキングを前記誘導子から除去する工
   程を更に含む特許請求の範囲第１４項記載の方法。 ０６）　　前記誘導子の表面を調整する初期工程を更に
   含む特許請求の範囲第１４項記載の方法。 ■）前記調整工程は、誘導子の表面を浄化する工程、エ
   ツチングする工程、吹き付ける工程、より成るグループ
   から選択された少なくとも１つの工程を含む特許請求の
   範囲第１６項記載の方法。 （１８）　　前記マスキングは、テフロン及びアルミニ
   ウム箔より成るグループから選択された少なくとも１つ
   の材料である特許請求の範囲第１４項記載の方法。 （ト）前記コーティング組成物は、約９０チと約９５％
   の間の低磁気抵抗材料と、約ＩＯ％と約５−の間のバイ
   ンダと、より成る特許請求の範囲第１４項記載の方法。 （３）前記低磁気抵抗材料は、カルボニル鉄粉、ノ（リ
   ウム・フェライト粉、鉄粉、銅粉、磁気セラミック粉”
   、及びその混合物、より成るグループから選択された少
   なくとも１つの材料である特許請求の範囲第１４項記載
   の方法。 （２１）前記バインダは、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂
   、熱溶融接着剤、及びその混合物、より成るグループか
   ら選択された少なく、とも１つの材料である特許請求の
   範囲第１４項記載の方法。 ■２）前記被覆された誘導子に保護コーティングを施す
   工程を更に含む特許請求の範囲第１４項記載の方法。 （財）前記保護コーティングがビニルより成る特許請求
   の範囲第２２項記載の方法。 □□□低磁気抵抗材料とバインダとよシ成る電気導体内
   の磁束の指向制御の改良に使用するためのコーティング
   組成物。 ■の低磁気抵抗材料とバインダとよシ成シ、コーティン
   グ組成物が流動ベッドによって誘導子に施すのに適して
   いることを特徴とする誘導子の磁束の指向制御を改良す
   るのに使用するためのコーティング組成物。 ｃ２６）前記コーティング組成物は、約９０％と約９５
   ％の間の低磁抵抗材料と、約１０％と約５％の間のバイ
   ンダと、より成る特許請求の範囲第２５項記載の組成物
   。 ■７）前記低磁気抵抗材料は、カルボニル鉄粉、バリウ
   ム・フェライト粉、鉄粉、銅粉、磁気セラミック粉、及
   びその混合物より成るグループから選択された少°なく
   とも１つのｑ科、である特許請求の範囲第２５項記載の
   組成物。 ■８）前記バインダは、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
   熱溶融接着剤、及びその混合物、より成るグループから
   選択された少なくとも１つの材料である特許請求の範囲
   第２５項記載の組成物。