JPS5811123B2 - ミリメ−トル波発振器およびその製造方法 - Google Patents

ミリメ−トル波発振器およびその製造方法

Info

Publication number
JPS5811123B2
JPS5811123B2 JP52043401A JP4340177A JPS5811123B2 JP S5811123 B2 JPS5811123 B2 JP S5811123B2 JP 52043401 A JP52043401 A JP 52043401A JP 4340177 A JP4340177 A JP 4340177A JP S5811123 B2 JPS5811123 B2 JP S5811123B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
millimeter wave
platform
dielectric
wave oscillator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52043401A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS52127146A (en
Inventor
エドモン・クレン
ジヤツク・エスペニヨール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Publication of JPS52127146A publication Critical patent/JPS52127146A/ja
Publication of JPS5811123B2 publication Critical patent/JPS5811123B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
    • H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
    • H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B9/145—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01055—Cesium [Cs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はミリメートル波発振器の製造方法に関し、この
ような発振器を導波管伝送に適合する方法に係る。
ミリメートル波発振器は３０ＧＨｚ以上の周波数で発振
できるたとえばアバランシェダイオードの如きダイオー
ドによって構成される。
ハヴジングのないダイオードをたとえば導波管に組込ま
れた発振器として使用する場合、いくつかの問題を処置
しなければならない。
（イ）ダイオードはたとえば密封金属ケースにより衝撃
や湿気に対して保護されなければならず、これは共振動
作を撹乱する欠点を生ずる恐れがある。
（ロ）ダイオードはダイオードの適当な電極を直流電源
に接続してバイアスをかけなければならず、このことは
ダイオードが小さいことによる機械的な問題と電磁波放
射に関連した寄生ループが生ずる電気的な問題の両方を
含んでいる。
（ハ）ダイオードと伝搬媒体の間のインピーダンス整合
をとらなければならず、このことはたとえば適当な誘電
体で満たされダイオードを包囲している放射空胴を構成
することを必要とする。
本発明は上述の如き諸問題を解消するものである。
本発明によれば、ミリメートル波発振器の製造方法が提
供され、前記発振器は半導体ダイオードから形成される
ものであり、次のような各段階を含むものである。
すなわち、（ａ）所望周波数の発振器として動作できる
アバランシェダイオードの如き半導体チップを突起プラ
ットフォームを備えた金属マウントの中央部に溶接する
段階、前記プラットフォームは前記マウントの平坦部か
ら高さｈだけ突起しており、（ｂ）前記チップを化学薬
品によりエツチングする段階、チップは前記金属マウン
トによりまたワックスによりその主表面がそれぞれ予め
保護されており、前記ワックスは前記化学薬品に耐える
防腐素剤であって前記マウントの反対側表面に付着され
ており、（Ｃ）前記突起を取囲むのに十分大きな軸方向
孔を有する誘電体の円筒台形体により構成されたインピ
ーダンス整合素子を前記プラットフォームのまわりに配
置する段階、前記孔の内部に重合できる樹脂が詰められ
ておりこの樹脂は重合されると前記誘電体と同程度の誘
電率を有するものであり、（ｄ）樹脂を重合した後前記
半導体チップを露出させるように前記整合素子を研削す
る段階、（ｅ）前記研削段階により研摩された部分なメ
タライズする段階、の各段階より成るミリメートル波発
振器の製造方法である。
添付図面を参照して本発明を以下詳述する。
第１図〜第５図は本発明による製造方法の各段階の一実
施例を示し、第６図は本発明により製造された発振器を
導波管に装着するための装置の一例を図示している。
以下説明の実施例において、本発明方法は銅の熱放散用
マウント１０（ヒートシンク）を準備することから開始
され、マウント１０は第１図〜第４図においてその一部
が、また第５図にその全体が断面図で示されている。
マウント１０は軸Ｘ−Ｘを中心軸とする円筒体より成る
。
円筒体の上部は平坦表面２を有し、表面２から上方に一
様な高さｈだけ延びプラットフォーム４を形成している
中央突起部３を有している。
この突起部３は円筒形であり、たとえばその直径は２０
０ミクロンである。
本発明方法の第２の出発点はアバランシェ形半導体ダイ
オードを準備することであり、このダイオードはたとえ
ばミリメートル波発振器として動作するようにドープさ
れエピタキシャル成長された単結晶シリコンディスクか
ら作られる。
このディスクは円筒突起部３の直径にと同程度の対角線
長（２００ミクロン）を有する矩形チップにカッ・され
ている。
換言すれば、熱圧着によりプラットフォーム４に溶接さ
れるチップ５の大きさが互いに同じ大きさにそろえられ
ていると都合がよい。
チップ５に加えられる力が大きい場合（１５００ｋｇ／
ｃｍ２の圧力）には、チップが破壊するかマウントの銅
の中にめり込んでしまうけれども、チップがプラットフ
ォームの全面をほぼ被っていればめり込むことはない。
チップの矩形形状とプラットフォームの円筒形形状はそ
れぞれ別の方法で作られている。
しかしこれら表面の完全な一致を達成するためにこれら
形状を同じにするように製造方法を複雑化する必要はな
い。
チップ５の厚さｅｌはたとえば１００ミクロン程度であ
る。
この厚さはアバランシェダイオードの構造と所要発振周
波数により決められる。
厚さｅｌより薄い厚さｅ２は製造処理の最終段階におけ
るダイオードの厚さを示している。
高さｈと、Ｈｏ（ｈ＋ｅ１）に関しては後述する。
第２図は前述の段階（ｂ）、すなわちチップが横方向か
ら化学的にエツチングされた状態を示す。
このエツチングを行なうため、エツチングする前にチッ
プ５の全表面にたとえばＰＩＣＥＩＮＥ（フランス国登
録商標）のような滴量のワックス２０が付着される。
塩酸と硝酸の混合液（シリコンをエツチングするために
使用されるような液）の化合作用により横方向の浸食だ
けが起り、チップの厚さを減らさずにチップ５をほぼ円
筒形になるように溶かす。
ワックスの「キャップ」２０と、ニッケルめつきと金め
っきされている銅マウント１０は前述のエツチング剤に
より腐食されない。
この残ったキャップはこの処理段階の後で溶剤により除
去される。
第３図は前述の段階（ｅ）の処理された状態、すなわち
石英ガラスタイプのインピーダンス整合素子３０を配置
し整合素子の中央孔中に樹脂光てん剤すなわちプラグ３
１が詰め込まれた状態を示す。
整合素子は外径りが半波長程度で内径ｄが２００〜５０
０ミクロン程度の石英ガラス管を１朋程度の長さに切り
出すことによって作られる。
これら切り出された各輪切り片はｈ＋ｅｌの厚さく第１
図のＨｌ）よりも少し厚い程度に研磨される石英ガラス
管輪切り片が所定位置に固着される前に、ポリイミド樹
脂の滴量を付着し重合温度以下の温度で加熱することに
より整合素子がマウント１０に正確に固着するように予
め準備されていなければならない。
この輪切り片の中央孔に前述と同じポリイミド樹脂３１
が詰め込まれる。
第４図は前述の段階（ｄ）の処理された状態すなわち上
方部分が研削された状態を示す。
この研削処理はたとえばダイヤモンド研磨ペーストとア
ルミ研磨板を用い機械的に処理される。
ダイオード５の上面が完全に露出されたとき研削は停止
される弗化チッ素混合液を用いてダイオードの選択的な
化学的エツチングを適宜に行なってもよい第５図は前述
の段階（ｅ）の処理された状態すなわち段階（ｄ）にお
いて研削された上面がメタライズされた状態を示し、本
発明方法により完成されたミリメートル波発振器を示す
。
メタライズ金属層５０はたとえばチタンをスパッタリン
グした後、金を蒸着（真空の下で）して１〜２ミクロン
厚の層を形成し、さらに金の塩の溶液中の電気分解によ
り強固にされる。
第５図において、メタライズされた中央部に凹部５１が
形成されているが、これはダイオードの選択的な化学的
エツチング（所望により施される）によるためである。
第５図において熱放散マウント１０の全体が断面図で示
されており、これは円筒体部１１とネジ溝付き脚部１２
より成る。
一例として、本発明により製造されたミリメートル波発
振器は次のような仕様な有するものである。
ダイオード５：最終厚さ：５０ミクロン マウント１０：円筒体部１１の直径：２．４ｍｍ、中央
突起部３の直径：０．２ｍｍ、中央突起部３の高さ：５
０ミクロン インピーダンス整合素子３０：石英ガラスタイプ（誘電
率約４）、外径（Ｄ）：２ｍｍ、内径（ｄ）：０．５ｍ
ｍ、厚さくＨ）：約１００ミクロン 発振周波数：４５ＧＨｚ 出カニ約５０ｍＷ 一般に、インピーダンス整合素子３０の外径りと厚さＨ
（第５図）の大きさは所与周波数と出力に対して最適値
にされる。
これら大きさは試行錯誤法により求めることができる。
厚さＨは、前述の方法に留意して、金属マウント（第１
図）１０の中央起部の高さｈを限定している。
本発明によるミリメートル波発振器を導波管に適合する
方法において、前記導波管の区画部に次のような装着用
の開口をあけなければならない。
（イ）前記発振器が固着されている定置部材を挿入する
ための第１の開口であって、この開口に定置部材が挿入
されるときにメタライズ金属層５０が前方に向かって進
むように固着されている定置部材用の第１の開口と、（
ｏ）導波管の壁を横切ってその部分が絶縁スリーブによ
り保護されている接続導線を挿入するための第２の開口
と、（ハ）第２の開口と同様の第３の開口であって、第
２と第３の開口の間の接続導線がメタライズ金属層５０
と並行となるようにあげられた第３の開口のそれぞれで
ある。
第６図の実施例において、導波管区画部１００は導波管
の他の部分の壁よりも厚い壁を空胴６０の片側に有して
いる。
第１の開口はこの厚い壁の部分に開口６１としてあげら
れており、円筒形定置部材６２（１部分のみ図示）を滑
動して挿入することができる。
この部材の直径は図示なしのクランプ装置により変更す
ることができる。
この部材の先端にネジ穴６２０が設けられ、この穴にマ
ウント１０のネジ溝付き脚部１２がネジ込まれることに
より発振器が支持固定されている。
開口６３と６４は部材６２の軸と直角な共通軸Ａ−Ａを
有する円筒体開口であり部材６２と垂直になっている。
組立て作業を容易にするため、区画部１００は軸Ａ−Ａ
を通り図面の面に垂直な面で切った２つの部分に予め分
割される。
円筒体６３，６４０それぞれ半分ずつが形成され、ポリ
イミド樹脂で満たされる。
直径が０．１ｉｎ程度の導線６５が２つの樹脂の満たさ
れた半円筒体の間に張られて区画部の２つの部分が一体
化されるときに所定位置に維持され適当な加熱装置によ
り樹脂の重合が行なわれる。
本発明の利点をあげればさらに次のような点を指摘し得
る。
（イ）従来はダイオードをケースに封じて保護している
けれども本発明はケースにより生ずる欠点を有すること
なくダイオードを効果的に保護できること。
（ロ）第６図に図示の如（そのバイアスをかける接続部
を簡素化でき、バイアス導線が導波管における電界と垂
直になっているため、直流給電線の高周波減結合を施す
必要を無くすことができること。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第５図は本発明の方法の各段階を説明するため
の状態説明図、第６図は本発明により製造されたミリメ
ートル波発振器を導波管に適合させて装着したときの状
態説明図である。 ５・・・・・半導体チップ、１０・・・・・マウント（
１１１２，３）、３・・・・・・プラットフォーム４を
成しチップ５が装着されるマウント１０の中央突起部、
２０・・・・・ワックス（チップ５の選択的エツチング
を行なわせる保護層）、３ａ・・・・・・インピーダン
ス整合素子、３１・・・・・・重合し得る樹脂、５ｏ・
・・・・・金属層、１００・・・・・・導波管区画部、
６１・・・・・・ミＩメートル波廃振器の定置部材６２
の挿入用開口、６２．６３−／イアス琳線、６５・・・
・・・挿入用開口。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ミリメートル波発振器の製造方法において、（ａ）
    所望周波数の発振器として動作できるアバランシェダイ
    オードの如き半導体チップを金属マウントの平担部から
    高さｈだけ突起している突起プラットフォームを備えた
    金属マウントの中央突起部に溶接する段階と、（ｂ）前
    記金属マウントに溶接されたチップの上面にエツチング
    作用化学薬品に耐えるワックスを被覆することによりチ
    ップの両側主表面を保護し前記チップの側面な前記化学
    薬品によりエツチングする段階と、（ｅ）前記突起部を
    受は入れることのできる軸方向孔を有する円筒台形誘電
    体により構成され重合されたとき前記誘電体と同程度の
    誘電率となる重合し得る樹脂が前記孔に詰められている
    インピーダンス整合素子を前記プラットフォームのまわ
    りに配置する段階と、（ｄ）前記樹脂を重合した後前記
    半導体チップを露出させるように前記整合素子を研削す
    る段階と、（ｅ）研削された部分を金属層によりメタラ
    イズする段階の各段階より成るミリメートル波発振器の
    製造方法。 ２ 前記研削段階（至）により露出された半導体チップ
    を化学薬品により選択的にエツチングする段階を前畝（
    ｄ）と（ｅ）の段階の間に含むことを特徴とする第１項
    記載の方法。 ３ 前記プラットフォームの高さｈが段階（ｄ）におい
    て誘電体の所定厚さが得られるように定められているこ
    とを特徴とする第１項記載の方法。 ４ 前記半導体チップがアバランシェダイオードであり
    、前記インピーダンス整合素子が小さな内径のガラス管
    を輪切りにして得られるガラス部材で作られており、重
    合し得る樹脂がポリイミド系樹脂であることを特徴とす
    る第１項記載の方法。 ５ 突起プラットフォームを備えた金属層と、前記プラ
    ットフォーム上に設けられ円筒台形誘電体により囲まれ
    た半導体ダイオードチップと、前記チップおよび前記誘
    電体を覆う金属層とを備えたミリメートル波発振器。
JP52043401A 1976-04-16 1977-04-15 ミリメ−トル波発振器およびその製造方法 Expired JPS5811123B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7611442A FR2348574A1 (fr) 1976-04-16 1976-04-16 Procede de realisation d'une source d'ondes millimetriques et adaptation d'une telle source a la transmission par guide d'ondes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS52127146A JPS52127146A (en) 1977-10-25
JPS5811123B2 true JPS5811123B2 (ja) 1983-03-01

Family

ID=9171987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52043401A Expired JPS5811123B2 (ja) 1976-04-16 1977-04-15 ミリメ−トル波発振器およびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4102037A (ja)
JP (1) JPS5811123B2 (ja)
DE (1) DE2716753A1 (ja)
FR (1) FR2348574A1 (ja)
GB (1) GB1536812A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6117303U (ja) * 1984-07-09 1986-01-31 日産自動車株式会社 車両用ホイ−ルの取付構造

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2420208A1 (fr) * 1978-03-17 1979-10-12 Thomson Csf Procede de realisation collective d'une source d'ondes millimetriques de type preaccorde et source ainsi realisee
FR2421478A2 (fr) * 1978-03-31 1979-10-26 Thomson Csf Source d'ondes millimetriques a l'etat solide comportant un aerien directif
FR2423088A1 (fr) * 1978-04-14 1979-11-09 Thomson Csf Source d'ondes millimetriques comportant un module oscillateur et un module d'accord a capacite variable, et emetteur comportant une telle source
US4279070A (en) * 1980-03-04 1981-07-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of making integrated waveguide cavities
JP2516301B2 (ja) * 1991-06-13 1996-07-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション テ―プ駆動装置
FR2769130B1 (fr) * 1997-09-30 2001-06-08 Thomson Csf Procede d'enrobage d'une puce electronique et carte electronique comportant au moins une puce enrobee selon ce procede
US6777684B1 (en) 1999-08-23 2004-08-17 Rose Research L.L.C. Systems and methods for millimeter and sub-millimeter wave imaging
US7498120B2 (en) * 2004-09-15 2009-03-03 Innosys, Inc. Vacuum compatible high frequency electromagnetic and millimeter wave source components, devices and methods of micro-fabricating

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2100997B1 (ja) * 1970-08-04 1973-12-21 Silec Semi Conducteurs
US3689357A (en) * 1970-12-10 1972-09-05 Gen Motors Corp Glass-polysilicon dielectric isolation
DE2323438C3 (de) * 1973-05-09 1978-12-21 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
IT1041193B (it) * 1975-08-08 1980-01-10 Selenia Ind Elettroniche Perfezionamenti nei procedimenti per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6117303U (ja) * 1984-07-09 1986-01-31 日産自動車株式会社 車両用ホイ−ルの取付構造

Also Published As

Publication number Publication date
US4102037A (en) 1978-07-25
GB1536812A (en) 1978-12-20
FR2348574A1 (fr) 1977-11-10
DE2716753A1 (de) 1977-11-03
JPS52127146A (en) 1977-10-25
FR2348574B1 (ja) 1978-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10424846B2 (en) Hybrid-on-chip and package antenna
US9923544B2 (en) Piezoelectric vibration element, manufacturing method for piezoelectric vibration element, piezoelectric resonator, electronic device, and electronic apparatus
US4189342A (en) Semiconductor device comprising projecting contact layers
US6514832B1 (en) Gunn diode, NRD guide Gunn oscillator, fabricating method of Gunn diode and structure for assembly of the same
US7658614B2 (en) Method and apparatus for fabricating and connecting a semiconductor power switching device
US5309163A (en) Active patch antenna transmitter
JPS5811123B2 (ja) ミリメ−トル波発振器およびその製造方法
CN109449754B (zh) 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法
US5145809A (en) Fabrication of gunn diode semiconductor devices
EP0394375A1 (en) PACKING DEVICE FOR DIODE ARRANGEMENT.
JPS6013323B2 (ja) マイクロ波電波で動作するマイクロ波回路
WO2019050921A1 (en) MOLECULAR SPECTROSCOPY CELL WITH RESONANT CAVITY
US4566027A (en) Pre-matched module for an ultra-high frequency diode with high heat dissipation
JPH0114721B2 (ja)
JPS585005A (ja) 発振ダイオ−ド及び可変容量ダイオ−ドからなるモジユ−ルの製造方法、及び該モジユ−ルを組み込んだ同調可能なトランスミツタ
JPH0471338B2 (ja)
US4437077A (en) Semiconductor device usable at very high frequencies and its production process
Cachier et al. Millimeter-wave pretuned modules
EP0284485B1 (fr) Oscillateur hyperfréquence intégré dans un guide d'ondes
JP2004022956A (ja) 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置
JP4551541B2 (ja) ガンダイオード発振器
JP4287329B2 (ja) 導波管−平面伝送線路変換器の製造方法
JP4859289B2 (ja) ガンダイオード発振器
Presting et al. Silicon monolithic mm-wave integrated circuit (SIMMWIC) devices mounted up-side-down on a copper heat sink integral with cavity resonator
JP3686855B2 (ja) 回路基板および半導体素子収納用パッケージ並びにそれを用いた半導体装置