JPS5810998B2 - 電気接点およびその電気接点の製造方法 - Google Patents
電気接点およびその電気接点の製造方法Info
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- JPS5810998B2 JPS5810998B2 JP8110075A JP8110075A JPS5810998B2 JP S5810998 B2 JPS5810998 B2 JP S5810998B2 JP 8110075 A JP8110075 A JP 8110075A JP 8110075 A JP8110075 A JP 8110075A JP S5810998 B2 JPS5810998 B2 JP S5810998B2
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- plating
- bath
- electrical contacts
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- alloy
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気接点を形成するための新しい複合メッキ法
ないし接点材料に関するものである。
ないし接点材料に関するものである。
従来、必要な金属を以ってメッキを施こす前に、その下
地に他種金属を下地メッキとして施こす複合メッキ方法
は公知である。
地に他種金属を下地メッキとして施こす複合メッキ方法
は公知である。
しかし、たとえばリレー等に用いられる電気接点に好都
合な特性を有する複合メッキ法は、未だ提案されていな
い。
合な特性を有する複合メッキ法は、未だ提案されていな
い。
これは電気接点に要求せられる特性要因が複雑多岐に亘
り、必ずしも表面硬度、潤滑性等の単純な特性に層別で
きないことにもよるものと思われる。
り、必ずしも表面硬度、潤滑性等の単純な特性に層別で
きないことにもよるものと思われる。
このことは電気接点用の複合メッキの改良を図るには実
際に接点を作り、これを実用テストに供して数10万回
のオン−オフ試験を行う必要を生ぜしめ、この方面の改
良研究を困難にしていたのである。
際に接点を作り、これを実用テストに供して数10万回
のオン−オフ試験を行う必要を生ぜしめ、この方面の改
良研究を困難にしていたのである。
本発明は以上のような事情に基づきなされたもので、下
地メッキとして高融点合金のメッキを施こしその上に貴
金属メッキを施こす点に特徴を有する。
地メッキとして高融点合金のメッキを施こしその上に貴
金属メッキを施こす点に特徴を有する。
以下本発明の詳細な説明する。
複層メッキにより電気接点材料を製造した場合、表層メ
ッキと下地メッキの物性により接点特性が大幅に変動す
ることは知られていない。
ッキと下地メッキの物性により接点特性が大幅に変動す
ることは知られていない。
表層メッキは接点材料の特性上高温時に酸化されにくい
ものでなければならない。
ものでなければならない。
このことから金、銀、パラジウム等の貴金属が用いられ
る。
る。
しかしこれらの貴金属そのものは、接点材料に要請され
る開閉寿命特性を備えていない。
る開閉寿命特性を備えていない。
すなわち、このもののみの接点材料を用いてリレーを作
り、実用テストを行うと数万〜10数万回の開閉寿命し
か示さない。
り、実用テストを行うと数万〜10数万回の開閉寿命し
か示さない。
これは、それらの貴金属が融点が低いこと、機械強度に
劣ること、剛性に劣ること、表面硬度が光分てないこと
などの種々の要因によるものと考えられる。
劣ること、剛性に劣ること、表面硬度が光分てないこと
などの種々の要因によるものと考えられる。
ところが本発明者らの研究の結果、これら貴金属表層メ
ッキの下地として特定の高融点合金メッキを施こすこと
により接点寿命を大幅に改良することができることが判
明した。
ッキの下地として特定の高融点合金メッキを施こすこと
により接点寿命を大幅に改良することができることが判
明した。
ここで下地メッキに用いる合金メッキとしては、限定す
る趣旨ではないが、たとえばニッケルータングステン(
Ni −W)、ニッケルーモリブデン(Ni −Mo
) 、コバルト−タングステン(Co−W) 、コバル
ト−モリブデン(Co−Mo )等が用いられる。
る趣旨ではないが、たとえばニッケルータングステン(
Ni −W)、ニッケルーモリブデン(Ni −Mo
) 、コバルト−タングステン(Co−W) 、コバル
ト−モリブデン(Co−Mo )等が用いられる。
これらは、高融点であるという点で特徴的である。
これら合金を下地メッキとして貴金属表層メッキの下に
介在させることが、どのような機構により接点寿命の改
良に繋がっているのかについては判然としない。
介在させることが、どのような機構により接点寿命の改
良に繋がっているのかについては判然としない。
しかし下地メッキが少なくとも高融点の合金である点が
何らかの関連を有しているものと推考される。
何らかの関連を有しているものと推考される。
下地メッキに用いられる合金メッキ浴としては上記合金
メッキが実施できるよう、それぞれの金属を含むもので
あればどのようなものでも原則として使用可能である。
メッキが実施できるよう、それぞれの金属を含むもので
あればどのようなものでも原則として使用可能である。
たとえば、タングステン酸ナトリウムのクエン酸浴にニ
ッケルもしくはコバルト塩を混合した浴、またはこれら
の過酸化水素浴、ピロリン酸浴、またはワット型ニッケ
ル浴にタングステン酸ナトリウムを加えた浴等、または
モリブデン酸ナトリウムとコバルト、もしくはニッケル
のクエン酸塩もしくは硫酸塩の混合された浴、または脂
肪酸および脂肪酸塩を含む無水モリブデン酸の希薄溶液
にニッケルもしくはコバルトの硫酸塩を加えた浴等が適
宜選択使用される。
ッケルもしくはコバルト塩を混合した浴、またはこれら
の過酸化水素浴、ピロリン酸浴、またはワット型ニッケ
ル浴にタングステン酸ナトリウムを加えた浴等、または
モリブデン酸ナトリウムとコバルト、もしくはニッケル
のクエン酸塩もしくは硫酸塩の混合された浴、または脂
肪酸および脂肪酸塩を含む無水モリブデン酸の希薄溶液
にニッケルもしくはコバルトの硫酸塩を加えた浴等が適
宜選択使用される。
また下地メッキの厚さについても限定するものではない
が、0.1〜10μの厚さが好ましく、より好ましくは
1〜5μである。
が、0.1〜10μの厚さが好ましく、より好ましくは
1〜5μである。
表層メッキとして用いられる貴金属としては、限定する
ものではないが金、銀、パラジウムなどの金属の単独ま
たは合金、あるいは貴金属と他の金属との合金、たとえ
ばパラジウム−ニッケルなどが用いられる。
ものではないが金、銀、パラジウムなどの金属の単独ま
たは合金、あるいは貴金属と他の金属との合金、たとえ
ばパラジウム−ニッケルなどが用いられる。
これらの表層メッキのために用いられるメッキ浴として
は、限定するものではなく、たとえばシアン化金カリウ
ム−リン酸塩浴、塩化金−塩酸浴、シアン化銀浴、硝酸
銀浴、テトラアミノジ硝酸パラジウム、塩化パラジウム
浴、ジアミノジニトロパラジウム浴などが用いられる。
は、限定するものではなく、たとえばシアン化金カリウ
ム−リン酸塩浴、塩化金−塩酸浴、シアン化銀浴、硝酸
銀浴、テトラアミノジ硝酸パラジウム、塩化パラジウム
浴、ジアミノジニトロパラジウム浴などが用いられる。
また、メッキ浴としては酸性浴、アルカリ性浴、中性浴
等が選択採用される。
等が選択採用される。
なお、表層メッキの厚さについては限定するものではな
いが、実用上は1〜20μ、より好ましくは3〜8μで
ある。
いが、実用上は1〜20μ、より好ましくは3〜8μで
ある。
以上の下地メッキおよび表層メッキを行うについての条
件、手順については何ら限定を要しない。
件、手順については何ら限定を要しない。
実用上用いられる条件、手順が原則として適用可能であ
る。
る。
たとえば、先ず下地メッキを施こす場合の条件としては
PHについては酸性ないし中性浴を用い、浴温25〜8
0℃、電流密度は0.2〜1、5 A/dm2で行われ
る。
PHについては酸性ないし中性浴を用い、浴温25〜8
0℃、電流密度は0.2〜1、5 A/dm2で行われ
る。
もつともこれらの条件は限定的趣旨ではない。
つぎに表層メッキが施こされる。
条件は、原則として実用上使用可能な条件であれは適用
される。
される。
たとえばPHについては酸性〜アルカリ性の何れでもよ
く、浴温は25〜80℃、電流密度は0.2〜15 A
/dm’程度である。
く、浴温は25〜80℃、電流密度は0.2〜15 A
/dm’程度である。
勿論これらの条件は限定的なものではない。
以上の複合メッキにより得られる接点材料は、下地メッ
キとして高融点合金メッキが施こされているので開閉寿
命が大巾に改良されるのである。
キとして高融点合金メッキが施こされているので開閉寿
命が大巾に改良されるのである。
なお、以上に説明した複合メッキを行った後、熱処理を
行うことにより一層接点寿命を改良することができる。
行うことにより一層接点寿命を改良することができる。
この場合の熱処理条件については限定はしないが、50
0〜900℃で酸素が実質的に存在しないことを理想と
する雰囲気下、いわゆる酸欠下で行われる。
0〜900℃で酸素が実質的に存在しないことを理想と
する雰囲気下、いわゆる酸欠下で行われる。
たとえば還元性ガス(たとえば水素ガス)の存在下、不
活性ガス(たとえば窒素アルゴン、ネオンなど)の存在
下、あるいは真空下における条件がこれに適合する。
活性ガス(たとえば窒素アルゴン、ネオンなど)の存在
下、あるいは真空下における条件がこれに適合する。
以下実施例を述べる。
実施例 1
接点下地材に5μの厚さのN1−W合金メッキを施こし
た。
た。
メッキ浴組成は下記のようであった。硫酸ニッケル
20 g/lタングステン酸ソーダ
50め4クエン酸
66シgPH(アンモニア)8.5 メッキ条件は、電流密度が8Vdm2、メッキ浴温が2
5℃であった。
20 g/lタングステン酸ソーダ
50め4クエン酸
66シgPH(アンモニア)8.5 メッキ条件は、電流密度が8Vdm2、メッキ浴温が2
5℃であった。
つぎに下地メッキの上に銀メッキを5μの厚さで施こし
た。
た。
メッキ液としてはシアン化銀、炭酸銀、炭酸ナトリウム
、炭酸カリを含む低濃度浴を用いた。
、炭酸カリを含む低濃度浴を用いた。
電流密度は5 ydm2、浴温は30℃であった。
実施例 2
接点下地材に5μの厚さのNi−Mo合金メッキを施こ
した。
した。
メッキ浴組成は下記のようであった。
モリブデン酸ナトリウム 50 V1クエン酸
ニッケル 20 V1ピロリン酸
30 &/13グリセリン
i o g7iメッキ条件は、電流密度が
8戊/dm2、メッキ浴温が25℃であった。
ニッケル 20 V1ピロリン酸
30 &/13グリセリン
i o g7iメッキ条件は、電流密度が
8戊/dm2、メッキ浴温が25℃であった。
つぎに表層メッキとして金メッキを5μの厚さで施こし
た。
た。
メッキ液としてはオートクローネツリN(商標、日本エ
レクトロエンジニャリング社)を用いた。
レクトロエンジニャリング社)を用いた。
実施例 3
接点下地材に10μの厚さでCo−W合金メッキを施こ
した。
した。
メッキ浴組成は下記のようであった。
硫酸コバルト 100シを塩化コバル
ト 30 !Vlタングステン酸ナ
トリウム 150 Vlクエン酸ナトリウム
10み4メッキ条件は、電流密度が3 A7
dm’、メッキ浴温か50℃であった。
ト 30 !Vlタングステン酸ナ
トリウム 150 Vlクエン酸ナトリウム
10み4メッキ条件は、電流密度が3 A7
dm’、メッキ浴温か50℃であった。
つぎに表層メッキとして5μの厚さでパラジウムメッキ
を施こした。
を施こした。
メッキ液はテトラアミノジ硝酸パラジウムの30 Vl
の浴を用いた。
の浴を用いた。
浴温は60°C,PHは6.8、電流密度は2 Vdm
2であった。
2であった。
実施例 4
接点下地材に7μの厚さでCo−Mo合金下地メッキを
施こした。
施こした。
メッキ浴組成は下記のようであった。
モリブデン酸ナトリウム 100 Vl硫酸コバ
ルト 100 g/IJピロリン酸
10 Vl酒石酸
5 g/l メッキ条件は、電流密度2 A/di’、浴温27°C
であった。
ルト 100 g/IJピロリン酸
10 Vl酒石酸
5 g/l メッキ条件は、電流密度2 A/di’、浴温27°C
であった。
つきに表層メッキとしてPd−Ni合金メッキを5μの
厚さで施こした。
厚さで施こした。
メッキ液は、塩化パラジウム、塩化ニッケル、第ニリン
酸ナトリウム、第二リン酸アンモン安息香酸を含む浴を
用いた。
酸ナトリウム、第二リン酸アンモン安息香酸を含む浴を
用いた。
浴温は45℃電流密度は0.4A/dm2PHは9であ
った。
った。
以上の各実施例で得られた接点材料を用いてリレーを組
立て、20V、IAの条件でオン−オフテストを行った
ところ、下表の結果が得られた。
立て、20V、IAの条件でオン−オフテストを行った
ところ、下表の結果が得られた。
なお、各実施例に対応する比較例として、表層メッキの
みを、下地メッキとの合計の厚みだけ施こして行ったテ
スト結果も併記した。
みを、下地メッキとの合計の厚みだけ施こして行ったテ
スト結果も併記した。
なお、600℃で90分間の熱処理を行った接点につい
てのテスト結果も併記した。
てのテスト結果も併記した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l Ni −W、 Ni−Mo、 Co −W、 C
o −M。 からなる群から選ばれた合金メッキ層の上に、貴金属メ
ッキ層を形成してなる構成部分を有する電気接点。 2 N1−W、Ni−Mo、Co−W、Co−M。 からなる群から選ばれた合金下地メッキを施こし、その
上に貴金属メッキを施した後、非酸化性雰囲気下で熱処
理することを特徴とする電気接点の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8110075A JPS5810998B2 (ja) | 1975-06-30 | 1975-06-30 | 電気接点およびその電気接点の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8110075A JPS5810998B2 (ja) | 1975-06-30 | 1975-06-30 | 電気接点およびその電気接点の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS524437A JPS524437A (en) | 1977-01-13 |
JPS5810998B2 true JPS5810998B2 (ja) | 1983-02-28 |
Family
ID=13736954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8110075A Expired JPS5810998B2 (ja) | 1975-06-30 | 1975-06-30 | 電気接点およびその電気接点の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5810998B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8652649B2 (en) * | 2009-07-10 | 2014-02-18 | Xtalic Corporation | Coated articles and methods |
JP5872920B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2016-03-01 | Jx金属株式会社 | 電子材料用めっき材 |
JP2015209589A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | ニッケル−タングステン合金めっき液 |
DE202017001425U1 (de) * | 2016-03-18 | 2017-07-06 | Apple Inc. | Kontakte aus Edelmetallegierungen |
-
1975
- 1975-06-30 JP JP8110075A patent/JPS5810998B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS524437A (en) | 1977-01-13 |
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