JPS5810877A - ジヨセフソンマイクロブリツジ - Google Patents
ジヨセフソンマイクロブリツジInfo
- Publication number
- JPS5810877A JPS5810877A JP56111175A JP11117581A JPS5810877A JP S5810877 A JPS5810877 A JP S5810877A JP 56111175 A JP56111175 A JP 56111175A JP 11117581 A JP11117581 A JP 11117581A JP S5810877 A JPS5810877 A JP S5810877A
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- Japan
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- electrode parts
- josephson
- parts
- microbridge
- bridge part
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は簡単な製造工程により作製可能な高感度のジ
ョセフソンマイクロブリッジに関するものである。
ョセフソンマイクロブリッジに関するものである。
第１図は従来のジョセフソンマイクロブリッジを示す斜
視図である。同図において、＋１）Ｖｉ例えばシ１７コ
ンの基板、（２）および（３）はそれぞれこの基板（１
）上に形成し次回−属厚の電極部分およびブリッジ部分
である。
視図である。同図において、＋１）Ｖｉ例えばシ１７コ
ンの基板、（２）および（３）はそれぞれこの基板（１
）上に形成し次回−属厚の電極部分およびブリッジ部分
である。
ここで、上記構成によるジョセフソンマイクロブリッジ
では２つの電極（２１間には基板（１）以外に何んら存
在しない。そして、基板（１）上に形成した一オプ薄膜
のブリッジ部分（３）は約ｌＯ°に以下の低温では超電
導となる。したがって、プリクジ部分（３）を流れる電
流と電極間（２）に現われる電圧は外部から印加する弱
い磁界によって、オン、オフするいわゆるジョセフソン
特性を示す。
では２つの電極（２１間には基板（１）以外に何んら存
在しない。そして、基板（１）上に形成した一オプ薄膜
のブリッジ部分（３）は約ｌＯ°に以下の低温では超電
導となる。したがって、プリクジ部分（３）を流れる電
流と電極間（２）に現われる電圧は外部から印加する弱
い磁界によって、オン、オフするいわゆるジョセフソン
特性を示す。
しかしながら、従来のジョセフソンマイクロブリクジで
はプリクジ部分（３）と電極部分（２）がエツチングな
どで形成されるため、ブリッジ部分（３）と電極部分（
２１の膜厚を変えることは容易でない。また、ブリッジ
部分（３）は非常に微細（例えば１μｍ幅、厚さ１ＯＯ
ＯＸ以下）に形成されているため、電極部分１２）より
外部に信号を取り出す場合に、静電気などで破壊される
ことが多く、取り扱いが困難であるなどの欠点があった
。
はプリクジ部分（３）と電極部分（２）がエツチングな
どで形成されるため、ブリッジ部分（３）と電極部分（
２１の膜厚を変えることは容易でない。また、ブリッジ
部分（３）は非常に微細（例えば１μｍ幅、厚さ１ＯＯ
ＯＸ以下）に形成されているため、電極部分１２）より
外部に信号を取り出す場合に、静電気などで破壊される
ことが多く、取り扱いが困難であるなどの欠点があった
。
したがって、この発明の目的はブリッジ部分の膜厚を容
易に変えることができる、いわゆるバリアプル・７ツク
ネス型であり、しかも取扱いが簡単で、製造が容易であ
るジョセフソンマイクロブリッジを提供するものである
。
易に変えることができる、いわゆるバリアプル・７ツク
ネス型であり、しかも取扱いが簡単で、製造が容易であ
るジョセフソンマイクロブリッジを提供するものである
。
このような目的を達成するため、この発明はシリコンな
どの基板と、この基板上に所定の間隔を設けて形成した
２つの電極部分と、この電極部分より薄い膜で形成した
ブリッジ部分と、この２つの電極部分間を弱く電気的に
結合部分とを備えるものであり、以下実施例を用いて詳
細に説明する。
どの基板と、この基板上に所定の間隔を設けて形成した
２つの電極部分と、この電極部分より薄い膜で形成した
ブリッジ部分と、この２つの電極部分間を弱く電気的に
結合部分とを備えるものであり、以下実施例を用いて詳
細に説明する。
第２図はこの発明に係るジョセフソンマイクロブリッジ
の一実施例を示す斜視図であり、第３図はそのＡ−Ａ’
断面図、第４図はそのＢ−Ｂ’断面図である。同図にお
いて、（３−）は２つの電極部分（２）とは膜厚の異な
るバリアプル・シックネスのブリッジ部分、（４Ｉ）お
よび（４ｔＯは２つの電極部分（２１の間に形成し、こ
の２つの電極部分間を弱く電気的に結合する、例えばポ
リシリコンで作った結合部分である。
の一実施例を示す斜視図であり、第３図はそのＡ−Ａ’
断面図、第４図はそのＢ−Ｂ’断面図である。同図にお
いて、（３−）は２つの電極部分（２）とは膜厚の異な
るバリアプル・シックネスのブリッジ部分、（４Ｉ）お
よび（４ｔＯは２つの電極部分（２１の間に形成し、こ
の２つの電極部分間を弱く電気的に結合する、例えばポ
リシリコンで作った結合部分である。
次に、上記構成によるジョセフソンマイクロブリッジで
はそのプリクジ部分（３ａ）を蒸着によって形成するが
、との膜厚の調整はニオブ膜蒸着時に、このブリッジ部
分（３１）の上部に基板（１）より少し間隔をつくって
細い金線などを設け、しかもその間隔を変えることによ
り、所望のニオブ膜厚のプリクジ部分（−）全形成する
ことができる。−万、２つの電極部分（２）の間に結合
部分（→および（４ｂ）が存在するため、電気的に弱い
リークが生じ、破壊し難くなる。しかも、この結合部材
（４ｍ）および（４ｂ）上のニオブ薄膜は除去する必要
がない。また、２つの電極部分（２）の間の結合部材（
→および（４ｂ）が微細パターンを有していると、容易
に微細なプリクジ部分（３ａ）を形成することが可能と
なる。この場合、ブリッジ部分（３ａ）の形成が３次元
的に微細なはど、感度のよいジョセフソン特性を示すこ
とはもちろんである。
はそのプリクジ部分（３ａ）を蒸着によって形成するが
、との膜厚の調整はニオブ膜蒸着時に、このブリッジ部
分（３１）の上部に基板（１）より少し間隔をつくって
細い金線などを設け、しかもその間隔を変えることによ
り、所望のニオブ膜厚のプリクジ部分（−）全形成する
ことができる。−万、２つの電極部分（２）の間に結合
部分（→および（４ｂ）が存在するため、電気的に弱い
リークが生じ、破壊し難くなる。しかも、この結合部材
（４ｍ）および（４ｂ）上のニオブ薄膜は除去する必要
がない。また、２つの電極部分（２）の間の結合部材（
→および（４ｂ）が微細パターンを有していると、容易
に微細なプリクジ部分（３ａ）を形成することが可能と
なる。この場合、ブリッジ部分（３ａ）の形成が３次元
的に微細なはど、感度のよいジョセフソン特性を示すこ
とはもちろんである。
なお、以上の実施例でＦｉ２つの電極部分の間の１堤”
となる結合部材としてポリシリコンを用いたが、これに
限定せず、低温で絶縁物に近い物質であればよいことは
もちろんである。
となる結合部材としてポリシリコンを用いたが、これに
限定せず、低温で絶縁物に近い物質であればよいことは
もちろんである。
以上詳細に説明したように、この発明圧体るジョセフソ
ンマイクロブリッジによればリフト・オフ部分を有して
いるため、作製が容易になる。しかも、プリクジ部分で
はより微細なパターンが得られ、膜厚を容易忙変えるこ
とができる。また、破壊に非常に強いものが得られるな
どの効果がある。
ンマイクロブリッジによればリフト・オフ部分を有して
いるため、作製が容易になる。しかも、プリクジ部分で
はより微細なパターンが得られ、膜厚を容易忙変えるこ
とができる。また、破壊に非常に強いものが得られるな
どの効果がある。
第１図は従来のジョセフソンマイクロブリッジを示す斜
視図、第２図はこの発明に係るジョセフソンマイクロブ
リッジの一実施例を示す斜視図、第３図および第４図は
それぞれ第２図のＡ−に断面およびＢ−Ｂ’断面を示す
図である。 （１）・・・・基板、（２）・・・・電極部分、（３）
・・・・プリクジ部分、（３１）・・・・膜厚の薄いプ
リクジ部分、（４ｍ）および（４ｂ）・・・・結合部分
。 なお、図中、同一符号は同一また。は相当部分を示す。 代理人葛野信−（外１名）
視図、第２図はこの発明に係るジョセフソンマイクロブ
リッジの一実施例を示す斜視図、第３図および第４図は
それぞれ第２図のＡ−に断面およびＢ−Ｂ’断面を示す
図である。 （１）・・・・基板、（２）・・・・電極部分、（３）
・・・・プリクジ部分、（３１）・・・・膜厚の薄いプ
リクジ部分、（４ｍ）および（４ｂ）・・・・結合部分
。 なお、図中、同一符号は同一また。は相当部分を示す。 代理人葛野信−（外１名）
Claims (1)
- （１）基板と、この基板上に所定の間隔を設けて形成し
た２つの電極部分と、この電極部分より薄い膜で電極部
分間に跨って形成したブリッジ部分と、この２つの電極
部分間を弱く電気的に結合する結合部分とを備えたこと
を特徴とするジョセフソンマイクロブリッジ。 （り前記結合部分はポリシリコンであることを特徴とす
る特許請求の範囲８１１項記載のジョセフソンマイクロ
ブリッジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111175A JPS5810877A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | ジヨセフソンマイクロブリツジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56111175A JPS5810877A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | ジヨセフソンマイクロブリツジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810877A true JPS5810877A (ja) | 1983-01-21 |
Family
ID=14554380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56111175A Pending JPS5810877A (ja) | 1981-07-14 | 1981-07-14 | ジヨセフソンマイクロブリツジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810877A (ja) |
-
1981
- 1981-07-14 JP JP56111175A patent/JPS5810877A/ja active Pending
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