JPS6188576A - 薄膜ｓｑｕｉｄ - Google Patents
薄膜ｓｑｕｉｄInfo
- Publication number
- JPS6188576A JPS6188576A JP59209351A JP20935184A JPS6188576A JP S6188576 A JPS6188576 A JP S6188576A JP 59209351 A JP59209351 A JP 59209351A JP 20935184 A JP20935184 A JP 20935184A JP S6188576 A JPS6188576 A JP S6188576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- lower electrode
- film
- upper electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、４）膜５ＱＵＩＤに関するものである。
さらに詳しくは、本発明は例えばニオブ薄膜ポイントコ
ンタクト形のジョゼフソン接合を有づる５ＱＵＩＤに関
するものである。
ンタクト形のジョゼフソン接合を有づる５ＱＵＩＤに関
するものである。
（従来の技’＋４ｉ ＞
超伝導体の弱い部分をジョゼフソン結合といい、この弱
い結合部分を含むリングを一般にＳＱＵＩＤ（Ｓｕｐｅ
ｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｑｕａｎｔｕｍ ）ｎｔ
ｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ［）ｅｖｉｃｅｓの略ンど呼ん
でいる。この５ＱＵＩＤは、高感度の磁束訓、磁束勾配
計、電流ム１．低温用温度計等、各種の分野に応用が可
能である。
い結合部分を含むリングを一般にＳＱＵＩＤ（Ｓｕｐｅ
ｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｑｕａｎｔｕｍ ）ｎｔ
ｅｒｆｅｒｅｎｃｅ ［）ｅｖｉｃｅｓの略ンど呼ん
でいる。この５ＱＵＩＤは、高感度の磁束訓、磁束勾配
計、電流ム１．低温用温度計等、各種の分野に応用が可
能である。
従来の薄膜５ＱＵＩＤには、マイク［］ブ１ノッジ形ま
たは、トンネル接合形のジョげフソン接合を利用したも
のが使われてさた。
たは、トンネル接合形のジョげフソン接合を利用したも
のが使われてさた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、マイクロブリッジ形は、微細加工技術に
よるＨｉ１１約と、平面構造上の理由ｆ’ｓ ＋ら良好
なジョゼフソン特４！（ＡＣジョぜフソン効果）を得る
ことは困難であった。特に、ブリッジの長さが超伝導体
のコヒーレンス長の数倍以上のブリッジでは、電流位相
関係がｓｉｎ関数からｆれることか一般に分かつている
。特にヒートサイクルに強く、実用上手数な超伝導体で
あるニオブの揚台、そのコヒーレンス長は１００〜２０
０Δンダストロームであり、通常の做細加工技術を用い
て良好なブリッジを作成することは非常に困難であった
。
よるＨｉ１１約と、平面構造上の理由ｆ’ｓ ＋ら良好
なジョゼフソン特４！（ＡＣジョぜフソン効果）を得る
ことは困難であった。特に、ブリッジの長さが超伝導体
のコヒーレンス長の数倍以上のブリッジでは、電流位相
関係がｓｉｎ関数からｆれることか一般に分かつている
。特にヒートサイクルに強く、実用上手数な超伝導体で
あるニオブの揚台、そのコヒーレンス長は１００〜２０
０Δンダストロームであり、通常の做細加工技術を用い
て良好なブリッジを作成することは非常に困難であった
。
また、マイクロブリッジは、臨界電流値の温度依存性が
大きいため、動作湿度範囲が狭く、そのため５ＱＵＩＤ
ノイズが大きくなるという問題点があった。
大きいため、動作湿度範囲が狭く、そのため５ＱＵＩＤ
ノイズが大きくなるという問題点があった。
トンネル接合形は、接合間の容量のために、接合のＩ−
Ｖ特性にヒステリシスが現れ５ＱＵＩＤ動作には有害と
なる。そのため、接合間にシャント抵抗をいれてヒステ
リシスを消す必要がありそれだけ製造工程が増加する欠
点があった。
Ｖ特性にヒステリシスが現れ５ＱＵＩＤ動作には有害と
なる。そのため、接合間にシャント抵抗をいれてヒステ
リシスを消す必要がありそれだけ製造工程が増加する欠
点があった。
従来ＤＯ５ＱＬＩＩＤではｐｂ金合金用いたトンネル接
合とシャント抵抗を用いたものが主に用いられてきた（
Ｊ、Ｍ、Ｊａｙｃｏｘ ａｎｄＭ、Ｂ、Ｋｅｔｃｈｅ
ｎ：ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ。
合とシャント抵抗を用いたものが主に用いられてきた（
Ｊ、Ｍ、Ｊａｙｃｏｘ ａｎｄＭ、Ｂ、Ｋｅｔｃｈｅ
ｎ：ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ。
Ｖｏｌ ＭＡＧ−１７ｐｐ４００（１９８１）および
大川、野ロ、浜中：信学技報 ５ＣＥ８３−４３ （１
９８４年）参ｐ、（り。この場合、Ｐｂ合金トンネル接
合を用いたＤＣ５ＱＵＩＤは２つの接合の特性を揃える
ことは比較的容易だが、低温プロセスを用いる必要があ
るため通常シリコンなどのＩＣプロセス技術（例えばス
パッタリングなど）を使用することができず、リフトオ
フ法により非常に多くの工程を必要とするし、液体ヘリ
ウム−空温間のヒートサイクルにより特性が変化すると
いう問題点があった。またヒスプリシスをなくずための
抵抗材料にもヒートサイクルに対して安定なものを必要
とする。また、ＤＯＳＱＵ【Ｄの出ツノ電圧は接合の臨
界電流Ｉｃとノーマル抵抗ＲＮの積で決まるため、トン
ネル接合は接合長が電子の平均自由行程より短いきれい
な弱接合よりも出力信号が小さいことが明らかとなって
いる（Ｋ、に、Ｌｉｋｈａｒｅｖ、Ｒｅｖ、 Ｍｏｄ。
大川、野ロ、浜中：信学技報 ５ＣＥ８３−４３ （１
９８４年）参ｐ、（り。この場合、Ｐｂ合金トンネル接
合を用いたＤＣ５ＱＵＩＤは２つの接合の特性を揃える
ことは比較的容易だが、低温プロセスを用いる必要があ
るため通常シリコンなどのＩＣプロセス技術（例えばス
パッタリングなど）を使用することができず、リフトオ
フ法により非常に多くの工程を必要とするし、液体ヘリ
ウム−空温間のヒートサイクルにより特性が変化すると
いう問題点があった。またヒスプリシスをなくずための
抵抗材料にもヒートサイクルに対して安定なものを必要
とする。また、ＤＯＳＱＵ【Ｄの出ツノ電圧は接合の臨
界電流Ｉｃとノーマル抵抗ＲＮの積で決まるため、トン
ネル接合は接合長が電子の平均自由行程より短いきれい
な弱接合よりも出力信号が小さいことが明らかとなって
いる（Ｋ、に、Ｌｉｋｈａｒｅｖ、Ｒｅｖ、 Ｍｏｄ。
Ｐｈｙｓ、Ｖｏ１５１．ｐｐｌｏｌ、（１９７９））。
（問題点を解決するための手段）
本発明の′７７ｔＩ膜５ＱＵＩＤは、基板と、この塁根
上に付着された超伝導金属の下部電極薄膜と、一方の端
部分が酸化膜を介し前記下部電極上に形成された超伝導
金属の上部電極薄膜と、前記下部電極と上部電極との間
であって前記酸化膜を形成した部分に設けられた２つの
ポイントコンタクト部とを備え、下部電極１ｙＪＩＩ！
と２つのポイントコンタクト部と上部電極薄膜とで超伝
導リングを構成したことを特徴とする。
上に付着された超伝導金属の下部電極薄膜と、一方の端
部分が酸化膜を介し前記下部電極上に形成された超伝導
金属の上部電極薄膜と、前記下部電極と上部電極との間
であって前記酸化膜を形成した部分に設けられた２つの
ポイントコンタクト部とを備え、下部電極１ｙＪＩＩ！
と２つのポイントコンタクト部と上部電極薄膜とで超伝
導リングを構成したことを特徴とする。
（作用）
上記構成の薄膜５ＱＵＩＤによれば、ＮｂＪ膜ポイント
コンタクト接合により実現されるきれいな弱接合により
、人さな出力を１ｑることができるとともに、ＤＣ５Ｑ
ＵＩＤ作成プロセスを簡単化し、ヒートサイクルに強い
ＤＣ５ＱＵＩＤを実現することができる。
コンタクト接合により実現されるきれいな弱接合により
、人さな出力を１ｑることができるとともに、ＤＣ５Ｑ
ＵＩＤ作成プロセスを簡単化し、ヒートサイクルに強い
ＤＣ５ＱＵＩＤを実現することができる。
（実施例）
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は本発明に係る薄膜５ＱＵＩＤの一実施例を示す
構成斜視図である。１はサファイアなどの絶縁体からな
る塁仮、２はこの基板１上に着膜された下部電極で、例
えばＮｂにオブ）の薄膜で形成される。３はその一部分
がこの下部電極２上に酸化膜４（下部電極２のスリット
２０を挟む部分に形成された酸化膜４１および４２から
なる）を介してつくられた上部電極でその一部がスリッ
ト２０上を跨いで構成されている。この下部電極３も例
えばＮｂの薄膜で形成されている。５は下部電極２と上
部電極３との間であって、酸化膜４を形成した部分の前
記スリット２０を挟む位置に設けた２つのポイントコン
タクトである。下部電４ｍ２．２つのポイントコンタク
ト５および上部電極３はホール２５の周りに２つのジャ
ンクションを含む超伝導リングを構成している。
構成斜視図である。１はサファイアなどの絶縁体からな
る塁仮、２はこの基板１上に着膜された下部電極で、例
えばＮｂにオブ）の薄膜で形成される。３はその一部分
がこの下部電極２上に酸化膜４（下部電極２のスリット
２０を挟む部分に形成された酸化膜４１および４２から
なる）を介してつくられた上部電極でその一部がスリッ
ト２０上を跨いで構成されている。この下部電極３も例
えばＮｂの薄膜で形成されている。５は下部電極２と上
部電極３との間であって、酸化膜４を形成した部分の前
記スリット２０を挟む位置に設けた２つのポイントコン
タクトである。下部電４ｍ２．２つのポイントコンタク
ト５および上部電極３はホール２５の周りに２つのジャ
ンクションを含む超伝導リングを構成している。
第２図は第１図のｏｃ ５ｏｕｒｏの製作工程を示す
工程説明図である。
工程説明図である。
（Ａ＞まずサファイアなどの絶縁体からなる基板１上に
、高周波スパッタリング、電子ビーム蒸着などの方法に
よりＮｂを約３００ｎｍ着膜し、Ｎｂ膜２００を形成す
る。
、高周波スパッタリング、電子ビーム蒸着などの方法に
よりＮｂを約３００ｎｍ着膜し、Ｎｂ膜２００を形成す
る。
（Ｂ）次にフォトリソグラフィにより、ＳＱＵ、ＩＤリ
ングを含む下部電極のレジス１−パターンを形成した後
に、ケミカルエツヂングまたはＡｒスパッタエツチング
あるいはりアクティブエッチングなどの方法によりＮｂ
薄膜を蝕刻し、レジストを剥ａする。ここで２１．２２
は接合部、２３は５ＱＩＪＩＤリング、２４はポンディ
ングパッド部分である。
ングを含む下部電極のレジス１−パターンを形成した後
に、ケミカルエツヂングまたはＡｒスパッタエツチング
あるいはりアクティブエッチングなどの方法によりＮｂ
薄膜を蝕刻し、レジストを剥ａする。ここで２１．２２
は接合部、２３は５ＱＩＪＩＤリング、２４はポンディ
ングパッド部分である。
（Ｃ）次に、電子ビーム露光法ま１＝はフォトリソグラ
フィにより２１．２２の接合部面上に面積が約０．２μ
ｍ２のレジストパターン５３．５４を形成する。その後
に、レジストパターン５３，５４をマスクとして接合部
分２１．２２周辺上に陽極酸化、熱酸化、プラズマ酸化
等により、約６０ｎｍ厚のＮｂ酸化膜を形成する。
フィにより２１．２２の接合部面上に面積が約０．２μ
ｍ２のレジストパターン５３．５４を形成する。その後
に、レジストパターン５３，５４をマスクとして接合部
分２１．２２周辺上に陽極酸化、熱酸化、プラズマ酸化
等により、約６０ｎｍ厚のＮｂ酸化膜を形成する。
（Ｄ）次にレジストパターン５３．５４を剥離後、上部
電極を反転した形のレジストパターンをフォトリソグラ
フィによって形成し、高周波スパッタリングの場合には
逆スパツタエツチング、電子ビーム蒸着の場合にはイオ
ンエツチング等の方法により、レジストパターン５３．
５４に覆われていた接合部表面をクリーニングした後、
Ｎｂをそれぞれの方法において約３００ｎｍ着膜する。
電極を反転した形のレジストパターンをフォトリソグラ
フィによって形成し、高周波スパッタリングの場合には
逆スパツタエツチング、電子ビーム蒸着の場合にはイオ
ンエツチング等の方法により、レジストパターン５３．
５４に覆われていた接合部表面をクリーニングした後、
Ｎｂをそれぞれの方法において約３００ｎｍ着膜する。
その後に、レジスト溶剤に基板を浸漬し、レジスト部に
”ＩｒＢ’ＡしていたＮｂ股をレジストとともに剥離す
ると、上部電極３のみが残り、素子の作成が完了する。
”ＩｒＢ’ＡしていたＮｂ股をレジストとともに剥離す
ると、上部電極３のみが残り、素子の作成が完了する。
なお、上記（Ｄ＞で上部電極３を形成する際に、上部電
極レジストパターンを形成せずに、接合部表面のエツチ
ング（クリーニング）を行い、続けて全面にＮｂを着膜
した後にフォトリソグラフィとＮｂのエツチングにより
上部電極部分のみを残すようにしてもよい。
極レジストパターンを形成せずに、接合部表面のエツチ
ング（クリーニング）を行い、続けて全面にＮｂを着膜
した後にフォトリソグラフィとＮｂのエツチングにより
上部電極部分のみを残すようにしてもよい。
第３図は第１図の［）Ｃ５ＱｔＪＪ［）の基本的動作回
路を示す図である。２つのほぼ特性の揃ったジョゼフソ
ン接合Ｊ＋ 、Ｊ２を含む超伝導リングに電流■を流し
、その両端の電圧を観測すると第４図の特性曲線図のよ
うになる。超伝導リングを貫く外部磁束Φの値によって
Ｉ−Ｖ特性は変化し、Φ＝ｎΦｏ（ｎ：整数、Φ。：磁
束ｉ）子）の時臨界電流１直は扇大となり、Φ＝ （ｎ
＋１／２）の。
路を示す図である。２つのほぼ特性の揃ったジョゼフソ
ン接合Ｊ＋ 、Ｊ２を含む超伝導リングに電流■を流し
、その両端の電圧を観測すると第４図の特性曲線図のよ
うになる。超伝導リングを貫く外部磁束Φの値によって
Ｉ−Ｖ特性は変化し、Φ＝ｎΦｏ（ｎ：整数、Φ。：磁
束ｉ）子）の時臨界電流１直は扇大となり、Φ＝ （ｎ
＋１／２）の。
の時臨界電流値は最小となる。ここでＩｏ、Ｒは各ジョ
ゼフソン接合の臨界電流値と常伝導抵抗であり、ジャン
クシコンＪ＋ 、Ｊ２はともにそれらが等しいとしてい
る。
ゼフソン接合の臨界電流値と常伝導抵抗であり、ジャン
クシコンＪ＋ 、Ｊ２はともにそれらが等しいとしてい
る。
したがって、今ＤＣ５ＱＵＩＤＩこ流す電流Ｉを固定バ
イアスとして、外部磁束Φを変イヒさせた時の電圧■の
変化をＷｆ２ ｌ！１１１すると第５図のようになる。
イアスとして、外部磁束Φを変イヒさせた時の電圧■の
変化をＷｆ２ ｌ！１１１すると第５図のようになる。
電流Ｉを大きくするにしたカーって電圧波形（ま上の方
へ移動してゆく。第５図の特性をｌ！ｌ １１ Ｌ／て
微小な磁束の測定が可能となる。
へ移動してゆく。第５図の特性をｌ！ｌ １１ Ｌ／て
微小な磁束の測定が可能となる。
１ 、＝ ２ Ｉ ｏ付近で動作させた場合、出力電圧
の振幅ΔＶはΔ■キ（Ｒ／２）・２１ｏ＝ＩｏＲとなる
。ＩｏＲの値はジョゼフソン接合の種類や形状によって
異なるが、Ｎｂ薄膜ポイントコンタクト接合はきれいな
弱接合に近Ｉ／）特性を示す（Ｓ。
の振幅ΔＶはΔ■キ（Ｒ／２）・２１ｏ＝ＩｏＲとなる
。ＩｏＲの値はジョゼフソン接合の種類や形状によって
異なるが、Ｎｂ薄膜ポイントコンタクト接合はきれいな
弱接合に近Ｉ／）特性を示す（Ｓ。
Ｎ ａｉｔｏ ａｎｄ Ｙ、 ト
１ｉＱａｓｈｉｎｏ：Ｊａｐ、Ｊ、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙ
ｓ、、ｖｏｌ、２３、ｐｐ５７０ （１９８４））ので
トンネル１妄合と比較づ゛ると最大で約２１８人さくな
る。
１ｉＱａｓｈｉｎｏ：Ｊａｐ、Ｊ、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙ
ｓ、、ｖｏｌ、２３、ｐｐ５７０ （１９８４））ので
トンネル１妄合と比較づ゛ると最大で約２１８人さくな
る。
第６図は、本発明に係るＤＯ５ＱｔＪＩＤのイ也の実諺
例を示す斜視図である。６１（よＦＩ］筒１％４反、６
２はこの円筒基板６１上に形成された下８１３′〜１題
、６３はこの下部電極６２とン１ミイン１−コンタクト
８ｂ６５を介して接続する上部電極、６６．６７はこの
ＤＣ５ＱＵＩＤの電流リード線、６８．６９はこのＤＣ
： ５ＱＵＩＤの電圧リード線である。
例を示す斜視図である。６１（よＦＩ］筒１％４反、６
２はこの円筒基板６１上に形成された下８１３′〜１題
、６３はこの下部電極６２とン１ミイン１−コンタクト
８ｂ６５を介して接続する上部電極、６６．６７はこの
ＤＣ５ＱＵＩＤの電流リード線、６８．６９はこのＤＣ
： ５ＱＵＩＤの電圧リード線である。
このような構成にすると、外部磁束を５ＱＵＩＤに伝達
するインプットコイルとの結合が容易となる（インプッ
トコイルからの磁束を円筒の中に通せばよい）。
するインプットコイルとの結合が容易となる（インプッ
トコイルからの磁束を円筒の中に通せばよい）。
第７図は、本発明に係るＤＣ５ＱＵＩＤの第３の実施例
で、平面形のＤＣ５ＱＩＪＩＤにおいて超伝導リングが
眼鏡状に２つ並列になっていることを特徴とするものを
示す斜視図である。７１−は基板、７２はこの基板７１
上に形成された下部電極、７３はこの下部電極７２とポ
イントコンタクト部７５を介して接続する上部電極、７
４はこの上部電極７３と前記下部電極７２の間を絶縁す
る絶縁膜、７６．７７はこのＤＣ５ＱＵＩＤの電流リー
ド線、７８．７９はこのＤＣ５ＱＵＩＤの電圧リード線
である。このように構成すると、２つのリングを貫り磁
束の差分だけが検出されるのでＳ／Ｎ比が向上する。
で、平面形のＤＣ５ＱＩＪＩＤにおいて超伝導リングが
眼鏡状に２つ並列になっていることを特徴とするものを
示す斜視図である。７１−は基板、７２はこの基板７１
上に形成された下部電極、７３はこの下部電極７２とポ
イントコンタクト部７５を介して接続する上部電極、７
４はこの上部電極７３と前記下部電極７２の間を絶縁す
る絶縁膜、７６．７７はこのＤＣ５ＱＵＩＤの電流リー
ド線、７８．７９はこのＤＣ５ＱＵＩＤの電圧リード線
である。このように構成すると、２つのリングを貫り磁
束の差分だけが検出されるのでＳ／Ｎ比が向上する。
なお、上記の各実施例では電極材料にＮｂを用いている
が、同様にＮｂＮやＮｂｚＧｅなどのＮｂ合金でも製作
可能である。
が、同様にＮｂＮやＮｂｚＧｅなどのＮｂ合金でも製作
可能である。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、従来用いられてきた
トンネル接合によるＤＣ５ＱＵＩＤとくらべ、出力電圧
が大きく、Ｓ／Ｎ比の優れたＤＣ５ＱＵＩＤを実現でき
る。
トンネル接合によるＤＣ５ＱＵＩＤとくらべ、出力電圧
が大きく、Ｓ／Ｎ比の優れたＤＣ５ＱＵＩＤを実現でき
る。
また、トンネル接合の場合に用いるシャント抵抗のプロ
セスが不要なため製作が簡単で、シャント抵抗の経時変
化などによる特性変化も無い。
セスが不要なため製作が簡単で、シャント抵抗の経時変
化などによる特性変化も無い。
また、トンネル接合で一般に用いられているＰｂ合金と
異なり、Ｎｂは経時変化やヒートサイクルに関してより
安定な動作、特性を実現することができる。
異なり、Ｎｂは経時変化やヒートサイクルに関してより
安定な動作、特性を実現することができる。
ざらにＮｂやＮｂ合金は高融点金属であり、シリコンな
どのＩＣプロセス技術を使用することができる。
どのＩＣプロセス技術を使用することができる。
第１図は本発明に係る薄膜５ＱＵＩＤの一実施例を示す
構成斜視図、第２図は第１区装首のゲＪ作工稈を示すブ
ロック図、第３図は第１図のＤＣ８ＱＵＩＤの見本的動
作回路を示す図、第４図。 第５図はイの特性曲線図、第６図（よ本発明の第２の実
施例を示す構成斜視図、第７図は本発明の第３の実施例
を示す溝成斜祝図である。 １．６１．７１・・・基板、２，６２．７２・・・下部
電極薄膜、４．７４・・・酸化膜、３．６３．７３・・
・上部電極薄膜、５，６５．７５・・・ポイントコンタ
クト部。 一ン１、。 尼３図 ■ 第６図
構成斜視図、第２図は第１区装首のゲＪ作工稈を示すブ
ロック図、第３図は第１図のＤＣ８ＱＵＩＤの見本的動
作回路を示す図、第４図。 第５図はイの特性曲線図、第６図（よ本発明の第２の実
施例を示す構成斜視図、第７図は本発明の第３の実施例
を示す溝成斜祝図である。 １．６１．７１・・・基板、２，６２．７２・・・下部
電極薄膜、４．７４・・・酸化膜、３．６３．７３・・
・上部電極薄膜、５，６５．７５・・・ポイントコンタ
クト部。 一ン１、。 尼３図 ■ 第６図
Claims (1)
- 基板と、この基板上に付着された超伝導金属の下部電
極薄膜と、一方の端部分が酸化膜を介し前記下部電極上
に形成された超伝導金属の上部電極薄膜と、前記下部電
極と上部電極との間であつて前記酸化膜を形成した部分
に設けられた２つのポイントコンタクト部とを備え、下
部電極薄膜と２つのポイントコンタクト部と上部用極薄
膜とで超伝導リングを構成したことを特徴とする薄膜Ｓ
ＱＵＩＤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59209351A JPS6188576A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 薄膜ｓｑｕｉｄ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59209351A JPS6188576A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 薄膜ｓｑｕｉｄ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6188576A true JPS6188576A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16571508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59209351A Pending JPS6188576A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 薄膜ｓｑｕｉｄ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6188576A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5218297A (en) * | 1988-02-05 | 1993-06-08 | Hitachi, Ltd. | Superconductive quantum interference device in high temperature environments having reduced inductance and improved thermal noise response |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58209178A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Fujitsu Ltd | ジヨセフソン集積回路 |
| JPS59101884A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 薄膜ポイントコンタクト素子の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP59209351A patent/JPS6188576A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58209178A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Fujitsu Ltd | ジヨセフソン集積回路 |
| JPS59101884A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 薄膜ポイントコンタクト素子の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5218297A (en) * | 1988-02-05 | 1993-06-08 | Hitachi, Ltd. | Superconductive quantum interference device in high temperature environments having reduced inductance and improved thermal noise response |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5393351A (en) | Multilayer film multijunction thermal converters | |
| JP4630544B2 (ja) | ブリッジ構造を構成する複数の磁気素子のうち選択された磁気素子の磁性層の磁化方向を他の磁気素子の磁性層の磁化方向と反対方向に配向する方法 | |
| US5049809A (en) | Sensing device utilizing magneto electric transducers | |
| EP0147655B1 (en) | Miniature squid susceptometer | |
| KR20000029928A (ko) | 자기전류센서 | |
| US5287081A (en) | Multilayer thin film multijunction integrated micropotentiometers | |
| US4782708A (en) | Thermocouple sensors | |
| US5462762A (en) | Fabrication method of superconducting quantum interference device constructed from short weak links with ultrafine metallic wires | |
| JPS6188576A (ja) | 薄膜ｓｑｕｉｄ | |
| JPH03248070A (ja) | 超電導磁界分布測定装置 | |
| Bajorek et al. | A permalloy current sensor | |
| Chinone et al. | Easy process for fabrication of high-reliability DC-SQUIDs | |
| JPH02205784A (ja) | 超電導磁気抵抗素子 | |
| JPS5816579A (ja) | ハイブリツド型高周波スクイド | |
| JP3692870B2 (ja) | ２−ｓｑｕｉｄ磁束計およびその駆動方法 | |
| SU530602A1 (ru) | Сверхпровод щий квантовый интерференционныйдАТчиК | |
| JP2001194436A (ja) | 磁気計測装置 | |
| JPH05297093A (ja) | 磁気センサ | |
| EP0483741A2 (en) | SQUID utilizing polymeric insulation | |
| JPS59193372A (ja) | 薄膜スクイド | |
| JPH01227482A (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPS592390B2 (ja) | ジヨセフソン接合素子とその製造方法 | |
| JPH0239476A (ja) | ディーシースキッド | |
| JPH01197677A (ja) | 超電導磁力計 | |
| JPS607397B2 (ja) | スクイド |