JPS58108770A - イメ−ジセンサ - Google Patents
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- JPS58108770A JPS58108770A JP56207370A JP20737081A JPS58108770A JP S58108770 A JPS58108770 A JP S58108770A JP 56207370 A JP56207370 A JP 56207370A JP 20737081 A JP20737081 A JP 20737081A JP S58108770 A JPS58108770 A JP S58108770A
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 9
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 nichrome Chemical class 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 235000006693 Cassia laevigata Nutrition 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000082204 Phyllostachys viridis Species 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- 241000735631 Senna pendula Species 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- RZVXOCDCIIFGGH-UHFFFAOYSA-N chromium gold Chemical compound [Cr].[Au] RZVXOCDCIIFGGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940124513 senna glycoside Drugs 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は可視光信号を電気信号に変換するセンサ部が非
晶質材料で形成されたホトダイオード又は太陽電池から
なるイメージセンサに関する。
晶質材料で形成されたホトダイオード又は太陽電池から
なるイメージセンサに関する。
本発明は該センサ及びもれ電流防止ダイオードを同時に
形成できる構造を提供するものである。 ′従来
ファクシミリ送信機の光電変換系には、CCDあるいは
l1108などの工Cセンサが使用されている。
形成できる構造を提供するものである。 ′従来
ファクシミリ送信機の光電変換系には、CCDあるいは
l1108などの工Cセンサが使用されている。
しかしセンサが小型・高密度であるためレンズ2−
光学系により原稿を縮少させる必要があシ、装置の小型
化が困難でしかも高価格である欠点を有している。
化が困難でしかも高価格である欠点を有している。
そこで硫化ガドミウム(Cd8 )や非晶質シリコンの
光導電素子や非晶質シリコンのホトダイオード等を用い
、導光用に集来性光ファイバー素子等を用いるイメージ
センサの研究が進められている。
光導電素子や非晶質シリコンのホトダイオード等を用い
、導光用に集来性光ファイバー素子等を用いるイメージ
センサの研究が進められている。
C(l Sは感度が高く、大面積化が容易である反面、
膜の均一性が悪い、緑色から赤色の光に対する感度が低
い、光のオン・オフに対する応答速度が遅い、毒性を有
する等種々の欠点を有している。
膜の均一性が悪い、緑色から赤色の光に対する感度が低
い、光のオン・オフに対する応答速度が遅い、毒性を有
する等種々の欠点を有している。
非晶質シリコン旧材を用いたイメージセンサ−は前記欠
点を有し々い優れたものであるが、従来、もれ電流防止
用ダイオードを別途に設けてる必要があシ、製作が複雑
となり価格が高くなるという欠点を有している。最近、
非晶質シリコンを光導電素子として用いたイメージセン
サにおいてもれ電流防止ダイオードをセンサと同時に形
成できる構造のイメージセンサが提案されているが、非
晶3− 質シリコンを光導電素子として用いる場合超高速の読み
出しく1ドツト/2〜3音8以上)の用途には用いるの
は困難とされており、超高速用としては非晶質シリコン
ホトダイオード又は丸陽電池が有望であるが、従来、も
れ電1流防止ダイオードを別途に設ける必要があった。
点を有し々い優れたものであるが、従来、もれ電流防止
用ダイオードを別途に設けてる必要があシ、製作が複雑
となり価格が高くなるという欠点を有している。最近、
非晶質シリコンを光導電素子として用いたイメージセン
サにおいてもれ電流防止ダイオードをセンサと同時に形
成できる構造のイメージセンサが提案されているが、非
晶3− 質シリコンを光導電素子として用いる場合超高速の読み
出しく1ドツト/2〜3音8以上)の用途には用いるの
は困難とされており、超高速用としては非晶質シリコン
ホトダイオード又は丸陽電池が有望であるが、従来、も
れ電1流防止ダイオードを別途に設ける必要があった。
本発明はかかる欠点を除去するもので、本発明によれば
、もれ電流ダイオードセンサと同時に形成する事によっ
て低価格で特性の優れたイメージセンサが提供できる。
、もれ電流ダイオードセンサと同時に形成する事によっ
て低価格で特性の優れたイメージセンサが提供できる。
以下、イメージセンサの動作について簡単に説明する。
第1図はイメージセンサの等価回路を示す図でRR・・
・Rnは共通電極、C1,C2・・・1’ +
2 Cmは個別電極、D I 、 D 211 @ @ D
rn 、 D v 、 D22・・l19rL2.・
・D mnはもれ電流防止ダイオード、 Yll、 y
21” e 79M、1 、 ”12+” r771
2@” rln ”・rm、nはホトダイオード又は太
陽電池、F+1は負荷抵抗、Eは電源である。電源Eは
不要となる事もある。
・Rnは共通電極、C1,C2・・・1’ +
2 Cmは個別電極、D I 、 D 211 @ @ D
rn 、 D v 、 D22・・l19rL2.・
・D mnはもれ電流防止ダイオード、 Yll、 y
21” e 79M、1 、 ”12+” r771
2@” rln ”・rm、nはホトダイオード又は太
陽電池、F+1は負荷抵抗、Eは電源である。電源Eは
不要となる事もある。
4−
rl・・r′nh上に集束光ファイバー等によシ導光さ
れた画像がrl・・rmnによシミ気信号に変換される
。このとき、共通電極R1をオンし、個別電極C,,C
2・・cmを順次オンすることにより、rl・・rrn
、nの出力信号が検知される。以下これを繰シ返し、1
走査分の信号を得ていく。必要に応じて、電源Eにより
rl ・・rrn、nに電圧が印加される。このとき、
もれ電流防止ダイオードはたとえばR1,C,をオンし
rllの出力を取シ出す時、r21・φ、γmnによる
種々出力がrllの出力に加算されるのを防ぎ、正確な
rllの出力を取り出す働きをする。
れた画像がrl・・rmnによシミ気信号に変換される
。このとき、共通電極R1をオンし、個別電極C,,C
2・・cmを順次オンすることにより、rl・・rrn
、nの出力信号が検知される。以下これを繰シ返し、1
走査分の信号を得ていく。必要に応じて、電源Eにより
rl ・・rrn、nに電圧が印加される。このとき、
もれ電流防止ダイオードはたとえばR1,C,をオンし
rllの出力を取シ出す時、r21・φ、γmnによる
種々出力がrllの出力に加算されるのを防ぎ、正確な
rllの出力を取り出す働きをする。
以下、実施例にもとづいて本発明について詳しく説明す
る。
る。
第2図は本発明によるイメージセンサの具体的な構造を
示す図で、21はガラス等の絶縁基板、22は共通電極
、23は非晶質層、24は個別電極、25は基台、26
は絶縁フィルム、27はカバー、28は共通リード線、
29は上部配線、30は個別信号電極である。本実施例
では該個別電極5− お、該個別信号電極30及び該両電極間にはさまれた非
晶質シリコン層を光センサ部、該共通電極22、該個別
信号電極30及び該両電極間にはさまれた非晶質シリコ
ン層をもれ電流防出ダイオードとし、該共通電極を可視
光を遮光し、導電性のアルミニウム、白金、金ニッケル
、鉄、銅、モリブデン、ロジウム、インジウム、ニクロ
ム、金クロム、スズ、イリジウム等の金属を蒸着し作製
した。又はあらためて、もれ電流防止ダイオード部を遮
光性のモールド材等でおおっても良い。
示す図で、21はガラス等の絶縁基板、22は共通電極
、23は非晶質層、24は個別電極、25は基台、26
は絶縁フィルム、27はカバー、28は共通リード線、
29は上部配線、30は個別信号電極である。本実施例
では該個別電極5− お、該個別信号電極30及び該両電極間にはさまれた非
晶質シリコン層を光センサ部、該共通電極22、該個別
信号電極30及び該両電極間にはさまれた非晶質シリコ
ン層をもれ電流防出ダイオードとし、該共通電極を可視
光を遮光し、導電性のアルミニウム、白金、金ニッケル
、鉄、銅、モリブデン、ロジウム、インジウム、ニクロ
ム、金クロム、スズ、イリジウム等の金属を蒸着し作製
した。又はあらためて、もれ電流防止ダイオード部を遮
光性のモールド材等でおおっても良い。
又、個別信号電極も上記と同様の金属、又は酸化スズ、
酸化インジウムスズ、酸化インジウム等の導電性酸化物
で作製した。
酸化インジウムスズ、酸化インジウム等の導電性酸化物
で作製した。
本実施のイメージセンサは個別電極側から光信号が入射
する構造なので、少々くともセンサ部である個別電極は
酸化スズ、酸化インジウムスズ、酸化インジウム等の透
明電極で作製し、他は前記の導電性材料で作製した。
する構造なので、少々くともセンサ部である個別電極は
酸化スズ、酸化インジウムスズ、酸化インジウム等の透
明電極で作製し、他は前記の導電性材料で作製した。
又、本実施例では非晶質層5として以下に示した製造方
法による非晶質シリコンを用いた。
法による非晶質シリコンを用いた。
6一
第3図は第2図中破線!での断面図であり、3】はガラ
ス基板、32は個別信号電極、33は非晶質シリコン層
、34は共通電極、35は前記透明導電材料で形成した
個別電極、36は前記導電材料で形成した個別電極1.
Dはもれ電流防止ダイオード部、Sけセンサ部、hrは
光信号である。
ス基板、32は個別信号電極、33は非晶質シリコン層
、34は共通電極、35は前記透明導電材料で形成した
個別電極、36は前記導電材料で形成した個別電極1.
Dはもれ電流防止ダイオード部、Sけセンサ部、hrは
光信号である。
又、該非晶質シリコン層は水素、アルゴン、ヘリウム、
ネオン、アルゴン、キセノン等をベースガス及びキャリ
アーガスとして、モノシラン、シクロルミラン、四弗化
シラン、ジボラン、ホスフィン、アルシン、等の所定ガ
スを導入して所定の内圧とし、該真空槽内におけるグロ
ー放電を行なうプラズマCVD法によシ作成した。具体
的には第4図に示すプラズマCVD装置より作成した。
ネオン、アルゴン、キセノン等をベースガス及びキャリ
アーガスとして、モノシラン、シクロルミラン、四弗化
シラン、ジボラン、ホスフィン、アルシン、等の所定ガ
スを導入して所定の内圧とし、該真空槽内におけるグロ
ー放電を行なうプラズマCVD法によシ作成した。具体
的には第4図に示すプラズマCVD装置より作成した。
41は真空槽、42は高周波電極、43はイメージセン
サ基板、44は基板支持用対向電極で、膜の均一性を良
くするため回転する、45は加熱用ヒーター、46は高
周波用マツチングボックス、47は4メガヘルツ又は1
3.56メガヘルス高周波電源、Gはガス、Pは刊気系
、矢印はガスの流れを示す。
サ基板、44は基板支持用対向電極で、膜の均一性を良
くするため回転する、45は加熱用ヒーター、46は高
周波用マツチングボックス、47は4メガヘルツ又は1
3.56メガヘルス高周波電源、Gはガス、Pは刊気系
、矢印はガスの流れを示す。
7−
その主たる製造条件を第1表に示す。
該真空槽内にシラン、及び水素を導入し、前記条件によ
って基板上に析出する非晶質シリコン層をi層、又該ガ
ス以外に、ホスフィン又はアルシンを導入し析出する非
晶質シリコン層をn層、ジボランを導入して析出する層
を非晶質シリコ22層と呼ぶ、該i 、n、及びP層を
作成するそれぞれのガス条件を第2−表に示す。
って基板上に析出する非晶質シリコン層をi層、又該ガ
ス以外に、ホスフィン又はアルシンを導入し析出する非
晶質シリコン層をn層、ジボランを導入して析出する層
を非晶質シリコ22層と呼ぶ、該i 、n、及びP層を
作成するそれぞれのガス条件を第2−表に示す。
第2表 ’ + ” p j’層のガス流量条件8−
このとき、特性の優れた層を作成するには4層力らば(
シラン流量)/(水素流量)の値を0゜005〜Q、5
、 n層ならば(ホスフィン流量又はアルシン流量)
/(シラン流量)の値を1×lO〜0゜1.p層ならば
(ジボラン流量)/(シラン流量)の値を1〜10−6
〜0.1にする事が肝要である。該i、n、p層を組み
合せる事により、前記センサ部及びもれ電流防止ダイオ
ード部のそれぞれ非晶質層は作成され、その最適な組み
合せは基板側から、Pin、in、nip、ni、pn
、np等があげられる。又p層及びn層のそれぞれの層
のジボラン、ホスフィン又はアルシンのガス量は作成時
、一定でなくても良く、徐々又は急激にその流量を増減
しても良い。又、水素の代シにヘリウム、ネオン、アル
ゴン、キセノン等、シランの代わDKジグロルシラン、
四弗化シラン、ダイシラン、トラシラン等を用いても良
い。
シラン流量)/(水素流量)の値を0゜005〜Q、5
、 n層ならば(ホスフィン流量又はアルシン流量)
/(シラン流量)の値を1×lO〜0゜1.p層ならば
(ジボラン流量)/(シラン流量)の値を1〜10−6
〜0.1にする事が肝要である。該i、n、p層を組み
合せる事により、前記センサ部及びもれ電流防止ダイオ
ード部のそれぞれ非晶質層は作成され、その最適な組み
合せは基板側から、Pin、in、nip、ni、pn
、np等があげられる。又p層及びn層のそれぞれの層
のジボラン、ホスフィン又はアルシンのガス量は作成時
、一定でなくても良く、徐々又は急激にその流量を増減
しても良い。又、水素の代シにヘリウム、ネオン、アル
ゴン、キセノン等、シランの代わDKジグロルシラン、
四弗化シラン、ダイシラン、トラシラン等を用いても良
い。
この様にして作成されたセンサ部はホトダイオード又は
太陽電池特性を有する。第5図に該センサ部に波長63
28A 、出力1mWのヘリウムネオンレー9− ザーを照射した時のセンサ出力特性を示す。工は電流、
■は電圧であシ、電流方向はダイオードの逆方向にとっ
た。図に示す様に光入射によシ大きな光電流が検出され
る上に、ダイオードの逆方向に−1+1〜−8v程度電
圧を印加しない限シ、破壊電圧に到達せず優れた特性の
ホトダイオード又は太陽電池が得られた。又、もれ電流
防止ダイオードの特性を第6図に示す、工は電流、■は
電圧であり、電流方向はダイオードの順方向である。図
に示す様に、破壊電圧が−If) Vと高く、整流比が
6ケタ以上あり、その上逆方向電流が] X ]lI
%2と非常に少なく優れたもれ電流防止ダイオードが
得られた。
太陽電池特性を有する。第5図に該センサ部に波長63
28A 、出力1mWのヘリウムネオンレー9− ザーを照射した時のセンサ出力特性を示す。工は電流、
■は電圧であシ、電流方向はダイオードの逆方向にとっ
た。図に示す様に光入射によシ大きな光電流が検出され
る上に、ダイオードの逆方向に−1+1〜−8v程度電
圧を印加しない限シ、破壊電圧に到達せず優れた特性の
ホトダイオード又は太陽電池が得られた。又、もれ電流
防止ダイオードの特性を第6図に示す、工は電流、■は
電圧であり、電流方向はダイオードの順方向である。図
に示す様に、破壊電圧が−If) Vと高く、整流比が
6ケタ以上あり、その上逆方向電流が] X ]lI
%2と非常に少なく優れたもれ電流防止ダイオードが
得られた。
第2図に本実施例のイメージセンサの応答特性図を示す
。aは光が入射している時、alは光が入射していない
時を示し、bはこのときの本実施例のイメージセンサの
出力特性、Cは2音8の時間巾、tは時間を示す。図に
示す通シ、本発明によるイメージセンサは応答速度が1
m8以下と超高速である。
。aは光が入射している時、alは光が入射していない
時を示し、bはこのときの本実施例のイメージセンサの
出力特性、Cは2音8の時間巾、tは時間を示す。図に
示す通シ、本発明によるイメージセンサは応答速度が1
m8以下と超高速である。
−H滲−
又、本発明は光信号が個別電極側から入射するものに限
るものでなく、個別信号電極側からでも良い、又、個別
電接、個別信号電極側び該両電極間にはさまれた非晶質
シリコン層をもれ電流防止ダイオードとし、共通電極、
個別信刊電極及び該両電極間にはさまれた非晶質シリコ
ン層をセンナ部としても同様の効果が得られる。又、非
晶質シリコンはスパッタリング法、イオンプレーテング
法によって作成してもよい。又、シランの代わ如にゲル
アン又はゲルアンとシランの混合ガスを用いプラズマC
VD法によってそれぞれ非晶質ゲルマニウム、非晶質シ
リコンゲルマニウム等を非晶質層に用いれば長波長光に
感度の優れたイメージセンサが得られる。
るものでなく、個別信号電極側からでも良い、又、個別
電接、個別信号電極側び該両電極間にはさまれた非晶質
シリコン層をもれ電流防止ダイオードとし、共通電極、
個別信刊電極及び該両電極間にはさまれた非晶質シリコ
ン層をセンナ部としても同様の効果が得られる。又、非
晶質シリコンはスパッタリング法、イオンプレーテング
法によって作成してもよい。又、シランの代わ如にゲル
アン又はゲルアンとシランの混合ガスを用いプラズマC
VD法によってそれぞれ非晶質ゲルマニウム、非晶質シ
リコンゲルマニウム等を非晶質層に用いれば長波長光に
感度の優れたイメージセンサが得られる。
本発明によれば超高速のもれ電流防止ダイオード付のイ
メージセンサが安価に得られ、ファクシミリ等に応用で
き有用である′。。
メージセンサが安価に得られ、ファクシミリ等に応用で
き有用である′。。
第1図はイメージセンサの等価回路図である。
第2図は本実施例のイメージセンサの概要図である。
第3図は本実施例のイメージセンサの断面図である。
第4図は本実施例のイメージセンサの非晶質層の製造装
置である。 第5図は本実施例のイメージセンサのセンサ部の出力特
性図である。 第6図は本実施のイメージセンサのもれ電流防止ダイオ
ードの特性図である。 第7図は本実施例のイメージセンサの光応答特性図であ
る。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第1図 第2図 第3図 第4図 手続補正書(自発) 昭和58年3月22日 1、事件の表示 昭和56年特許願第 207!570号2、発明の名称 イメージセンサ 3、補正をする者 手続補正書(自発) 1、 特許請求の範囲を別紙の如く補正する。 2、 明細書 2負11行目〜同15行目「センサ部が
非晶質材料で形成されたホトダイオード又は太陽尾醜か
らなるイメージセンサに関する。」 とあるを、 「センサ部が非晶質材料で形成されたイメージセンサに
関する。」 に補正する。 3 明細書 4負2行目 「(1ドツト/2〜5mθ以上)」 とあるを、 1(1ドツト/2〜5ms以下)」 に補正する。 4、 明細書 4負4竹目〜同5?T目[非晶質シリコ
ンホトダイオード又は太陽醒nハが有望であるが、」
とめるを、 [非晶質シリコンから成るイメージセンサが有望である
が、」 に補正する。 5、 明細書 4真下から5h目 2− [ホトダイオード又は太陽Wl池、R1は負」とあるを
、 「ホトダイオード又は光導醒素子、R1は負Jに補正す
る。 & 明細書 6頁2h目 [シリコン層を光センサ部、該共通暇極22.」とある
を、 [シリコン層をイメージセンサ部(又は略シてセンサ部
)、該共通電極22」 に補正する。 l 明細書 6頁下から2?′T目から同1行目「又、
本実施例では非晶質層25として以下に示した製造方法
による非晶質シリコンを用いた。」 とあるを、 削除する。 a 明細書 9頁8′r′1目〜10竹目[風流防止ダ
イオード部のそれぞれ非晶質層は作成され、その最適な
組み合せは基板側からPin、in、J とあるを [電流防止ダイオード部における非晶質層を形成する。 その最適な組み合せは基板側から 6 − pin、in、J に補正する。 9 明細書 10頁下がら2h目 「応8速度が1m8以下」 とあるを 1一応答速度が01m8以下」 に補正する。 0 明細ダ4° 11頁1o行目 1−ゲルつ′ンヌはゲルアンとシラン」 とあるを、 「ゲルマン又はゲルマンとシラン」 に補正する。 以 上 代理人 最 上 務 −4= 特許請求の範囲 1. 絶縁基板上に上下電極有し、該上下電極間に非晶
質層から成るイメージセンサにおいて、該非晶質層及び
該上下電極から成るもれ電流防止ダイオードを有する事
を特徴とするイメージセンサ。 2、 上記もれ電流防止ダイオードを遮光した事を特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のイメージセンサ。 デ;信号取り出しNiとした事を特徴とする特許請求の
範囲第1・2項記載のイメージセンサ。 4、−上記非晶質層を非晶′1シリコン、非晶質ゲルマ
ニウム非晶ffシリコンゲルマニウムで形成シた事を特
徴とする特許請求の範囲第1.2. 3項記載のイメー
ジセンサ。 5 上記非晶質を非晶質シリコン又は非晶質ゲルマニウ
ムに周期律表第v−b族を混入した層(9層)0周期律
表第■−1〕族を涙入した層(p1114 ) 、該第
v−b族並び第m−b族のどちらも混入しないj−(1
層)のいづれが又は2層以上を組み合せた事を特徴とす
る特許請求の範囲第1.2゜6.4項記載のイメージセ
ンサ
置である。 第5図は本実施例のイメージセンサのセンサ部の出力特
性図である。 第6図は本実施のイメージセンサのもれ電流防止ダイオ
ードの特性図である。 第7図は本実施例のイメージセンサの光応答特性図であ
る。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第1図 第2図 第3図 第4図 手続補正書(自発) 昭和58年3月22日 1、事件の表示 昭和56年特許願第 207!570号2、発明の名称 イメージセンサ 3、補正をする者 手続補正書(自発) 1、 特許請求の範囲を別紙の如く補正する。 2、 明細書 2負11行目〜同15行目「センサ部が
非晶質材料で形成されたホトダイオード又は太陽尾醜か
らなるイメージセンサに関する。」 とあるを、 「センサ部が非晶質材料で形成されたイメージセンサに
関する。」 に補正する。 3 明細書 4負2行目 「(1ドツト/2〜5mθ以上)」 とあるを、 1(1ドツト/2〜5ms以下)」 に補正する。 4、 明細書 4負4竹目〜同5?T目[非晶質シリコ
ンホトダイオード又は太陽醒nハが有望であるが、」
とめるを、 [非晶質シリコンから成るイメージセンサが有望である
が、」 に補正する。 5、 明細書 4真下から5h目 2− [ホトダイオード又は太陽Wl池、R1は負」とあるを
、 「ホトダイオード又は光導醒素子、R1は負Jに補正す
る。 & 明細書 6頁2h目 [シリコン層を光センサ部、該共通暇極22.」とある
を、 [シリコン層をイメージセンサ部(又は略シてセンサ部
)、該共通電極22」 に補正する。 l 明細書 6頁下から2?′T目から同1行目「又、
本実施例では非晶質層25として以下に示した製造方法
による非晶質シリコンを用いた。」 とあるを、 削除する。 a 明細書 9頁8′r′1目〜10竹目[風流防止ダ
イオード部のそれぞれ非晶質層は作成され、その最適な
組み合せは基板側からPin、in、J とあるを [電流防止ダイオード部における非晶質層を形成する。 その最適な組み合せは基板側から 6 − pin、in、J に補正する。 9 明細書 10頁下がら2h目 「応8速度が1m8以下」 とあるを 1一応答速度が01m8以下」 に補正する。 0 明細ダ4° 11頁1o行目 1−ゲルつ′ンヌはゲルアンとシラン」 とあるを、 「ゲルマン又はゲルマンとシラン」 に補正する。 以 上 代理人 最 上 務 −4= 特許請求の範囲 1. 絶縁基板上に上下電極有し、該上下電極間に非晶
質層から成るイメージセンサにおいて、該非晶質層及び
該上下電極から成るもれ電流防止ダイオードを有する事
を特徴とするイメージセンサ。 2、 上記もれ電流防止ダイオードを遮光した事を特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のイメージセンサ。 デ;信号取り出しNiとした事を特徴とする特許請求の
範囲第1・2項記載のイメージセンサ。 4、−上記非晶質層を非晶′1シリコン、非晶質ゲルマ
ニウム非晶ffシリコンゲルマニウムで形成シた事を特
徴とする特許請求の範囲第1.2. 3項記載のイメー
ジセンサ。 5 上記非晶質を非晶質シリコン又は非晶質ゲルマニウ
ムに周期律表第v−b族を混入した層(9層)0周期律
表第■−1〕族を涙入した層(p1114 ) 、該第
v−b族並び第m−b族のどちらも混入しないj−(1
層)のいづれが又は2層以上を組み合せた事を特徴とす
る特許請求の範囲第1.2゜6.4項記載のイメージセ
ンサ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、絶時基板上に上下電極有し、該上下電極間に非晶質
層を有するイメージセンサにおいて、該非晶質層及び該
上下電極から成るもれ電流防止ダイオードを有する事を
特徴とするイメージセンサ。 2゜上記もれ電流防止ダイオードを遮光した事を特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のイメージセンサ。 3、上記もれ電流防止ダイオード下又は上部電極並び上
記セ/す下部又は上部電極を電気的に接続し、かつ該も
れ電流防止ダイオード上部又は下部電極並び該センサ上
部又は下部電極を光信号取り出し電極とした事を特徴と
する特許請求の範囲第1゜2項記載のイメージセンナ。 4、上記非晶質層を非晶質シ1yコン、非晶質ゲルマニ
ウム非晶質シリコンゲルマニウムで形成した事1− を特徴とする特許請求の範囲第1.2.3項記載のイメ
ージセンサ。 5、上記非晶質を非晶質シリコン又は非晶質ゲルマニウ
ムに周期律表第V−α族を混入した層(n層)2周期律
表第m−α族を混入した層(P層)。 該第V −a族並び第■−α族のどちらも混入しない層
(4層)のいづれか又は2層以上を組み合せた事を特徴
とする特許請求の範囲第1.2,3゜4項記載のイメー
ジセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56207370A JPS58108770A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56207370A JPS58108770A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58108770A true JPS58108770A (ja) | 1983-06-28 |
Family
ID=16538599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56207370A Pending JPS58108770A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58108770A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04107858U (ja) * | 1991-03-01 | 1992-09-17 | 富士ゼロツクス株式会社 | イメ−ジセンサ |
JP2010087332A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Seiko Epson Corp | 光電変換素子、光電変換装置、及びイメージセンサ |
-
1981
- 1981-12-22 JP JP56207370A patent/JPS58108770A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04107858U (ja) * | 1991-03-01 | 1992-09-17 | 富士ゼロツクス株式会社 | イメ−ジセンサ |
JP2010087332A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Seiko Epson Corp | 光電変換素子、光電変換装置、及びイメージセンサ |
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