JPH0799777B2

JPH0799777B2 - 非晶質半導体素子

Info

Publication number: JPH0799777B2
Application number: JP61069382A
Authority: JP
Inventors: 和彦福島; 秀夫糸崎
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1986-03-27
Filing date: 1986-03-27
Publication date: 1995-10-25
Anticipated expiration: 2010-10-25
Also published as: JPS62224981A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は非晶質半導体素子、特に太陽電池、光センサ
ー、感光体、その他のアモルファス半導体素子として有
用な、ｉ型層としてアモルファスシリコンゲルマニウム
層を有する非晶質半導体素子の長波長側での光感度の改
良に関するものである。

従来の技術光起電力効果を利用した電子デバイスの代表的なものと
しては太陽電池を挙げることができる。この太陽電池
は、太陽エネルギー（0.3〜３μｍの広い範囲に亘るス
ペクトル分布を有する）あるいはその他の光エネルギー
を電気エネルギーに変換するものであり、今後のエネル
ギー対策の一環として注目される技術の一つである。こ
の太陽電池による光エネルギーの電気エネルギーへの変
換は半導体の各種接合、例えばヘテロ接合、pnまたはpi
n接合あるいはショットキー接合などの最も基本的な性
質である光起電力効果を利用するものであり、入射する
光を吸収し、そこで電子・正孔対を形成し、これが外部
に取出されるといった機構により起こる。

ところで、最近薄膜化・大面積化が可能であり、また組
成の大きな自由度を有し、電気的並びに光学的特性を広
い範囲で制御できるなどの興味ある各種利点を有するこ
とから、アモルファスシリコン（ａ−Si:H）などのアモ
ルファス半導体薄膜が太陽電池材料として注目されてお
り、これは、太陽エネルギー分布のピーク（500nm）近
傍の光に対する吸収係数が結晶Siに比較して１桁程大き
く、成膜温度が低く、更に原料からグロー放電分解によ
って直接膜形成でき、接合形成も容易である等の興味深
い特性を有している。

太陽電池を設計、製作し、実用化し得るまでにするため
には、光電変換効率を高めることが最も重要である。そ
こで、pin/pin‥‥あるいはnip/nip‥‥という多層型構
造とすることにより、ｎ層とｐ層とが直接々触している
部分での再結合を利用して非対称の起電力を得る構造の
ものが知られており、これによれば実質的に多数の太陽
電池を直列に接続したことになり、大きな起電力を得る
ことができる。

また、変換効率の向上のためには広いスペクトル分布を
有する太陽エネルギーの全域に渡り、良好な吸収効率を
達成し得る構造、材料の選択を行うことが好ましい。こ
のために、ａ−Si:Hに他の元素をモディファイアとして
添加し、ａ−Si:Hの禁止帯幅に変化をもたせる検討が行
われており、通常モディファイアとしてはシリコンと４
配位結合し易いIV族元素が使用されている。

例えば、モディファイアとして炭素を用いると禁止帯幅
が広くなるので、これを太陽電池のｐ型層として光の入
射側に用いることにより、一層短波長光の有効利用が可
能となり、光電変換効率の向上を図ることが可能とな
る。また、モディファイアとしてGe（アモルファスシリ
コンゲルマニウム:a−SiGe:H）、Sn、Pb等の元素を用い
ると逆に禁止帯幅が小さくなり、これをｉ型層として使
用することにより太陽電池は長波長光を吸収し易くな
り、その有効利用が可能となる。

一般には光の入射面から順に禁止帯幅が順次狭くなって
いくような構成、材料とすることにより広範囲の波長域
に亘る太陽エネルギーの有効利用が可能となる。

高効率、低価格の薄膜太陽電池材料として前記ａ−Si:H
のｉ型層をキャリア発生源に持つアモルファスシリコン
（ａ−Si）太陽電池は、長波長感度を有するがために極
めて有望視されているが、ガラス／透明電極/pin/金属
電極構造のアモルファス太陽電池を形成する際に、ｐお
よびｎ型層をａ−Si:H膜で形成し、またｉ型層をａ−Si
Ge:H膜で形成したpin構造では太陽電池特性が低く、従
ってこのような構成の太陽電池を実用化し得るものとす
るためには、その特性改善を図る必要があった。

以上、太陽電池について説明したが、同様なことは光セ
ンサー、感光体、その他のアモルファス半導体素子につ
いても同様である。そこで、説明を簡単化するために、
以下太陽電池を例として記載するものとする。

従来の上記のような型の太陽電池は例えば第２図に示し
たようにガラス基板１と、その上に順次設けられた透明
電極２、アモルファス層３（ｐ型層４、ｉ型層５および
ｎ型層６とで構成される）および金属電極７からなって
いる。このような構成では、即ちｐ型層としてのａ−S
i:H層に続いてａ−SiGe:Hのｉ型層を有する構造では、
ｐ型層中に添加された不純物としての硼素（Ｂ）など
が、成膜操作中に許容濃度以上にｉ型層内に拡散した
り、あるいは成膜室から混入して、ｉ型層のｐ型層化を
生じ、その結果ｉ型層内の内部電界が弱まり、出力特性
の低下をもたらし、またGeが添加されたｉ型層と添加さ
れていないｐ型層との界面で格子不整合を生じることが
しられている。これらの理由から、出力電流、曲線因子
等が大巾に低下し、太陽電池の出力特性も低下する。即
ち、出力電流、開放電圧、曲線因子のいずれも低くな
る。

更に、ｐ型層はｉ型層により多くの光を導入する役割と
電極の役割とを果す層であるが、特にp/i界面近傍でｉ
型層の形成中にｉ型層中のゲルマニウムがｐ型層中に拡
散して、ｐ型層のバンドギャップエネルギーの低下をき
たし、ｐ型層として本来あるべき膜特性が劣化するため
に、光導入機能を果さなくなる。その結果、ｉ型層に到
達する光量が低下し、太陽電池の出力電流の低下を招
く。また、バンドギャップエネルギーの低下は開放電圧
と関連する拡散電位の低下につながり、結果として開放
電圧の低下をもたらす。

硼素Ｂのｉ型層からｐ型層への拡散、p/i層界面におけ
る格子不整合による電気的接合損失並びにp/i層界面近
傍におけるGe原子の拡散などの現象は上記のように成膜
操作中ばかりでなく、太陽電池の使用中にも生じ、出力
特性の劣化をきたす。

そこで、本発明者等はこのような従来法により得られる
アモルファス多層膜型太陽電池にみられた諸欠点を克服
し、高い信頼性と高い変換効率を達成し得るアモルファ
ス太陽電池を開発する上で、ａ−SiGe:H膜をｉ型層とし
て有し、またａ−Si:H（不純物を含む）膜をｐ型層とし
て有するpin構造のアモルファス太陽電池のｐ型層とｉ
型層との間にバッファー層を設けることが有利であるこ
とを見出し、既に特許出願している。

即ち、該発明のアモルファス光起電力素子は、ｐ型アモ
ルファスシリコン層と、ｉ型アモルファスシリコンゲル
マニウム層を含むpin構造の光起電力素子であって、上
記ｐ型層とｉ型層との間に設けられた、ｉ型アモルファ
スシリコンバッファー層を有することを特徴とするもの
であり、その基本構成は模式的に第３図に示すようなも
のである。即ち、光入射側からａ−Si:H膜からなる型層
４（Ｐ）と、ｉ型ａ−Si:Hバッファー層８（i₁）と、ａ
−SiGe:Hからなるｉ型層５（i₂）とｎ型層６（ｎ）とを
配置した構成となっている。このようにｐ−ｉ層間にバ
ッファー層i₂を設けることにより、ｐ−ｉ界面における
電子−ホール間の再結合を防止もしくは減少させ、短絡
電流（J_SC）、曲線因子（FF）の向上を図ることが可能
となる。

そこで、実際にａ−Si:H膜をバッファー層としたａ−Si
Ge:H非晶質半導体素子と、バッファー層のないａ−SiG
e:H非晶質半導体素子の分光感度を比較してみると第4a
図に示すように、バッファー層を有するもの（曲線Ｘ）
の方がこれを含まないもの（曲線Ｙ）よりも短波長領域
から可視光領域において、分光感度が上昇していること
がわかる。しかしながら、長波長光（700〜900nm）の領
域においては光感度が優れず、バッファー層のない場合
と殆ど同程度でしかない。

これは、ａ−Si:H膜をバッファー層（i₁）とした場合、
ａ−Si:H膜は弱いｎ型の膜であるために、ａ−SiGe:H非
晶質半導体素子の構造は第4b図に示すようになると考え
られ、ホール９がi₁層の高い障壁のために移動できない
ことによるものと思われる。ここでFLはフェルミ準位を
表す。

このような情況の下で、バッファー層i₁を設けたａ−Si
Ge:H非晶質半導体素子の長波長領域における吸収効率
（光感度）を改良し、全波長領域で高い光感度を有する
半導体素子を開発することは高い光電変換効率の太陽電
池、高い光感度のセンサー、感光体等を得る上で極めて
重要である。

そこで、本発明の目的はｉ型層としてａ−SiGe:H膜を用
い、かつｐ−ｉ層間のバッファー層を有する非晶質半導
体素子の長波長感度を改良し、広い波長範囲で高い変換
効率を実現し得る非晶質半導体素子を提供することにあ
る。

問題点を解決するための手段本発明者等は、非晶質半導体素子、特にｐ−ｉ層間にａ
−Si:H膜からなるｉ型バッファー層を有する素子の長波
長側の光感度または光電変換効率を改良すべく種々検討
・研究を行った結果、該ｉ型バッファー層に特定のドー
パントを添加することが有効であることを知り、目的と
する長波長側での光感度が大巾に改善でき、広い波長域
で有効な非晶質半導体素子を実現できた。

即ち、本発明の非晶質半導体素子は、ａ−SiGe:H膜をｉ
型層として有する非晶質半導体素子のｐ−ｉ層間にａ−
Si:H膜のｉ型バッファー層を介在層として設けたもので
あって、該バッファー層としてのａ−Si:Hに微量の硼素
をドーパントとして添加したことを特徴とするものであ
る。

本発明の非晶質半導体素子において、ｐ、ｉ、ｎ型層は
夫々水素および／またはフッ素を含有する。これはアモ
ルファス層が一般にグロー放電法、水銀増感光CVD法、
直接励起光CVD法等によりSiH₄、GeH₄等から形成される
が、この際に生成する水素ラジカルの不足のために未結
合手（ダングリングボンド）が残留し、これが膜の欠陥
を構成することから、ＨまたはＦを用いてダングリング
ボンドと結合させて、これをターミネータとして機能さ
せていることに基づき含まれるものである。

本発明の特徴である微量の硼素を含有するバッファー層
は30〜500Åの範囲内の厚さを有する。これは本発明に
おいて臨界的な条件であって、30Åに満たない場合には
バッファー層としての機能、即ちｐ−ｉ界面でのキャリ
ヤ再結合阻止の役割を十分に果たすことができず、一方
500Åを越える場合には、キャリヤ再結合阻止効果は十
分であるが、下層（ａ−SiGe:Hのｉ層）に到達する光量
を著しく減じてしまい、非晶質半導体素子のJ_SCを大巾
に低下させる。そのために、上記範囲内とすることが好
ましい。

また、ｉ型層は通常幾分ｎ型となっており、これを真性
化する目的でIII族元素、例えばＢ原子が許容範囲内で
添加されている。その量は0.2〜3ppmの範囲であり、こ
れも本発明においては臨界的な条件となる。即ち、0.2p
pm未満では添加効果はなく、また3ppmを越える場合には
ｐ型となり好ましくない。

かくして本発明の非晶質半導体素子の基本構造は光入射
側からａ−Si:H膜のｐ型層と、微量の硼素（Ｂ）を含む
ａ−Si:Hのｉ型バッファー層と、ａ−SiGe:H膜（Ｂを含
んでいてもよい）のｉ型層およびａ−Si:Hのｎ型層とで
構成され、実際にはこれらを、第２図にみられるよう
に、透明基板、透明電極、および金属電極などと組合せ
て例えば太陽電池などとして利用される。この基本構成
は１組のみでなく、２組もしくはそれ以上積層して使用
することができる。

このような本発明の非晶質半導体素子、例えば透明基
板、透明電極、上記１組の基本構成および金属電極の組
合せからなる素子の製造は以下のように行う。

まず、基板としては約1mmの厚さのものが一般的であ
り、ガラス、セラミックス、プラスチック、軟鋼、Al、
Cu等の金属あるいは合金、ステンレス鋼、モリブデン等
いずれも使用可能である。更に、電極層はITO（インジ
ウムスズ酸化物:Indium Tin Oxide）、SnO₂等の透
明導電膜、Al等の金属など公知のものを挙げることがで
きる。

これら基板と電極とは光起電力素子の形状によって変化
し、基板が透明材料であり、基板側から光が入射する型
の他、基板を不透明材料で形成し、電極を透明材料で形
成して、光を電極側から入射するような構成とすること
も可能である。更に、基板を導電性材料で形成し、これ
に光電流・光電圧取出し用電極としての機能をも併せも
たせることもまた可能である。

電極層は一般に約5,000Å（透明電極は約１μｍ程度）
であり、その形成はCVD法、蒸着法などの公知の任意の
方法で実施することができ、またそのパターン化が必要
な場合にはフォトリソグラフィーなどの常法が利用でき
る。

各アモルファス層は上記のような材料で構成され、プラ
ズマCVD法、光CVD法、スパッタ法などにより形成でき
る。例えばプラズマCVD法で形成する場合、ｎ型層はSiH
₄、Si₂H₆、SiF₄などを主原料とし、希釈ガスとしてのH₂
およびドーピングガスとしてのPH₃、AsH₃、Sb（C
H₃）_３、Bi（CH₃）_３などを使用する。また、ｉ型層の
形成はSi源としてSiH₄、Si₂H₆、SiF₄を、またGe源とし
てGeH₄、GeF₄を、更にｎ層と同様に希釈ガスとしてH₂を
用いる。バッファー層の形成には主原料としてSiH₄、Si
₂H₆、SiF₄などを希釈ガスのH₂などと共に使用し、ドー
パンドのＢ源としてはB₂H₆などを主原料ガスに対して0.
5〜5ppmの割合で添加する。

最後にｐ型層の形成には、Si源としてSiH₄、Si₂H₆、SiF
₄などが、希釈ガスとしてのH₂と共に使用され、またド
ーピングガスとしてはB₂H₆などが有効である。

また、光入射側に反射防止コーティングを施して、光の
吸収効率の改善を図ることができ、この場合ITOは反射
防止コーティングとしての機能も有しているので光入射
側の電極をITOで形成し、電極と反射防止膜の機能とを
併せ持たせることができる。その他の反射防止コーティ
ング材料としてはSiO、SiO₂、ZrO₂、ZnS、Si₃N₄、Ta
₂O₅、Al₂O₃、Sb₂O₃、TiO₂など、あるいはTa₂O₅／SiO₂な
どの多層構造も利用できる。これらは選ばれた材料の特
性に応じて、例えば真空蒸着法、スパッタ法、プラズマ
CVD法等、公知の各種の成膜法から最適のものを選択
し、形成することができる。

作用非晶質半導体素子、例えばその代表的な素子としての太
陽電池などにおいては、これを実用化するためには光電
変換効率（E_ff）、開放電圧（V_oc）、短絡電流
（J_sc）、曲線因子（FF）などの諸特性の改善を図るこ
とが重要である。しかしながら、従来の特に多層型アモ
ルファス太陽電池にあっては、使用する薄膜材料に問題
があったために良好な特性を有する製品が得られなかっ
た。

上記特性劣化の原因としては、p/i界面を横切って各ｐ
層およびｉ層のドーパントあるいは添加元素が許容範囲
を越えて相互に拡散したり、あるいは成膜操作中に混入
すること、更にp/i層界面での格子不整合に基く電気的
接合ロスが生じることなどが主なものであり、これらは
ｐ型層のバンドギャップエネルギーの低下をもたらし、
これは順次拡散電位を低下し、これと関連する開放電圧
を低下する。更に、ｉ型層に達すべき光量を低下させ、
太陽電池の出力（変換効率）を大巾に低下させる。上記
の特性劣化をきたす現象は太陽電池の使用中にも発生
し、寿命の低下を招いていた。

ところで、本発明者等は既にドーパント、添加元素など
の拡散を生ずるp/i層界面に、ａ−Si:Hからなるバッフ
ァー層を設けることが、太陽電池の各種特性の劣化につ
ながる要因を排除するのに有効であることを見出してい
る。即ち、Geを添加していないａ−Si:H層（バッファー
層）がドーパント（ｐ層中のＢなど）および／または添
加元素（ｉ型層中のGeなど）のｐ型層、ｉ型層相互間の
拡散に対するバリヤー層あるいはバッファー層として機
能し、夫々の膜特性の変性を有効に防止し、本来の膜特
性を維持することを可能にした。従って、Ge拡散・侵入
に基くｐ型層のバンドギャップエネルギーの低下並びに
ｉ型層への光量の低下を生じることがなく、ｉ型層によ
り多くの光を導入し、また電極として十分に機能すると
いうｐ型層本来の特性を十分に発揮させることができ
た。

一方、ｉ型層についてみても、ｐ型層中のＢが拡散・侵
入することによりｐ型層化することがなく、従ってｉ型
層は十分な強度の内部電界を維持し、結果として太陽電
池の出力特性、即ち出力電流、開放電圧、曲線因子いず
れの特性においても優れた値を与えた。

ａ−SiGe:H膜はGeの添加量の調節により、ｉ型層の禁止
帯幅を変えることができ、従ってこのような膜をｉ型層
として用いたアモルファスシリコン太陽電池は高い長波
長感度を有するために有効とされているので、上記のよ
うな構成としてｉ型層並びにｐ型層の安定性を保証する
ことにより、著しく優れた長波長感度を有する、ひいて
は光電変換効率の高い太陽電池、光起電力素子を得るこ
とが可能となる。

しかしながら、このようなバッファー層（ａ−Si:H膜）
を設けた場合においても、ａ−Si:H膜が弱いｎ型の膜で
あることから、素子自体のバンド構造がホールの移動を
阻止するほどの高いｉ型層（バッファー層）の障壁が形
成されるために長波長感度、特に700〜900nmの範囲の領
域における感度は満足なものとはいえなかった。

そこで、本発明ではａ−Si:Hからなるバッファー層内に
微量のＢ元素を添加して、これを真性化もしくは弱いｐ
型層に転化することによりｉ型層のホール移動に対する
障壁を低下させ、上記領域における長波長感度を改善す
ることができた。このことを添付第5a図および第5b図を
参照して考察すると、ａ−SiGe:Hのｉ型層５を有する非
晶質半導体素子のバンド構造は本来第5a図に示すような
構造をとるが、ｉ型層５と、これに隣接するｐ層４との
間に設けたバッファー層８にＢ元素を添加することによ
り、得られるバッファー層８′のフェルミ準位と価電子
帯の幅（E_V）が小さくなり（第5b図参照）、長波長側に
おいて発生するホール９の移動も大きくなる。尚、これ
らの図において10は電子を表す。

かくして、以下の実施例で証明するように短波長〜長波
長の広域に亘り、高い光感度（変換効率）を有する実用
化に有利な非晶質半導体素子が得られる。

また、本発明の非晶質半導体素子の構造は、従来のもの
についてみられたように、使用中にｐ型層・ｉ型層相互
間のGe、Ｂ等の拡散を生じ、特性劣化を生ずることもな
い。即ち、極めて耐用寿命の長い、高信頼度の製品が提
供できることになる。

更に、本発明の非晶質半導体素子では従来の製品と同様
に反射防止コーティングを光入射側に施して、光の吸収
効率を高め、該素子の変換効率（光感度）を一層良好な
ものとすることができる。その態様としては所定の波長
域に対する単一の反射防止膜を設けるか、あるいは屈折
率の異る材料の膜を２層以上組合せてより広い波長範囲
に亘る光に対して有効な積層膜とすることもできる。

本発明による構成は、ｉ型層としてａ−SiGe:H膜を用い
た各種の非晶質半導体素子に対して有効であり、また本
発明の構造を有する光起電力素子と他の光起電力素子と
を組合せて直列に接合したタンデム型太陽電池あるいは
マルチカラー太陽電池などの構成要素として使用するこ
ともできる。

実施例以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、
本発明は以下の例により何等制限されない。

実施例１添付第１図に本発明の非晶質半導体素子の好ましい基本
構造の実施例を示した。図から明らかな如く、この実施
例は光入射側から厚さ150Åのａ−Si:Hのｐ型層４
（ｐ）と、厚さ80ÅのＢをドープしたａ−Si:Hのバッフ
ァー層８′（i₁）と、厚さ2000Åのａ−SiGe:H膜のｉ型
層５（i₂）と、300Åのａ−Si:H膜からなるｎ型膜６
（ｎ）で構成されるpin接合素子であり、これは例えば
太陽電池、光センサ等として有用である。

作製例１各薄膜層の形成方法としては水銀増感光CVD法を採用
し、E_g（禁止帯幅）≒1.4eVのａ−SiGe:H膜をｉ型層と
して用いた、ａ−SiGe:H非晶質半導体素子を種々作製
し、これらサンプルの物性について比較検討した。これ
等サンプルとしては以下のような３種（Ａ、Ｂ、Ｃ）の
ものを作製した。

Ａ（比較サンプル）：バッファー層を含まないａ−SiG
e:H太陽電池；Ｂ（比較サンプル）:Bを含まないバッファー層を有する
ａ−SiGe:H非晶質半導体素子； C:Bを2.2ppm添加したバッファー層を有するａ−SiGe:H
非晶質半導体素子。

尚、Ａ、Ｂ、Ｃ共にバッファー層以外のｐ、ｉおよびｎ
層の形成条件は同一とした。以下の第１表にｐ、ｉ、ｎ
層の作製条件を示した。

一方、バッファー層（ａ−Si:H膜）の作製条件は、原料
ガスとしてSiH₄（B₂H₆）を用い、T_s＝190℃、T_Hg＝60
℃、圧力＝5Torrおよび膜厚を80Åと設定した。かくし
て得た各サンプルにつき分光感度を測定し、結果を第６
図に示した。

第６図の結果から明らかな如く、バッファー層のない公
知の構成を有するＡ群のサンプルに比較して、バッファ
ー層を有し、Ｂ元素を添加していないＢ群のサンプル
は、既に第4a図に示したように短波長域で分光感度が改
善されており、また本発明によるＣ群のサンプルはＡ群
のサンプルに比して短波長および長波長域即ち、全領域
に亘り分光感度は大巾に改善され、Ｂ群のサンプルと短
波長域での分光感度は殆ど同じあるが、長波長域での分
光感度は大巾に改善されたことがわかる。この結果か
ら、本発明の非晶質半導体素子の有用性は明らかであ
る。

発明の効果以上詳しく述べたように、本発明によれば、ａ−SiGe:H
膜をｉ型層として使用した各種非晶質半導体素子は、ｐ
−ｉ層間に微量の硼素をドーピングした初定の厚さのバ
ッファー層を介在させたことにより、従来問題となって
いた、特に長波長領域での分光感度が大巾に改善され、
従来のバッファー層をもたないものと比較して短波長か
ら長波長に亘る広い波長範囲で大巾に高められた分光感
度を有する各種非晶質半導体素子を得ることが可能とな
った。これは、長波長側で発生するホールに対して、従
来のバッファー層では高い障壁を形成し、その移動を阻
害していたが、この障壁が硼素原子の添加によって低下
されることによるものであると考えられる。

かくして、本発明によれば、分光感度に優れた各種非晶
質半導体素子、例えば太陽電池、光センサーをはじめと
する光電変換素子、感光体、あるいはこれ以外の非晶質
半導体素子を有利に得ることが可能となり、本発明はこ
れらを実用化する上で極めて重要な技術であると思われ
る。

【図面の簡単な説明】

添付第１図は本発明の非晶質半導体素子の好ましい実施
例の基本的構成を説明するための模式的な断面図であ
り、第２図は従来のバッファー層をもつ同様な素子（太陽電
池）の構成を説明するための模式的な断面図であり、第３図は第１図と同様な従来の非晶質半導体素子の基本
構造を示す模式的断面図であり、第4a図は第３図に示した構成のおよびバッファー層をも
たない構成の分光感度を比較して示したグラフであり、
第4b図は第３図の構成の素子のバンド構造を示す模式的
な図であり、第5a図および第5b図は夫々第３図および第１図に示した
構成の半導体素子のバンド構造を比較して示した図であ
り、第６図は実施例で得られた各サンプルの分光感度を比較
して示したグラフである。（主な参照番号）１……基板、２……透明電極、３……アモルファス層、
４……ｐ型層、５……ｉ型層（i₂）、６……ｎ型層、７
……金属電極、8,8′……バッファー層（i₁）、９……
ホール、10……電子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス基板上に順次積層された、透明電極
と、ｐ型層と、アモルファスシリコンからなるバッファ
層と、アモルファスシリコンゲルマニウムからなるｉ型
層およびｎ型層と、金属電極とを備える非晶質半導体素
子において、該バッファ層が、0.5〜5ppmの硼素源を添加された原料
ガスにより形成された、厚さ30Å以上、500Å以下のア
モルファスシリコン層により形成されていることを特徴
とする非晶質半導体素子。
【請求項２】太陽電池であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の非晶質半導体素子。
【請求項３】光センサーであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の非晶質半導体素子。
【請求項４】感光体であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の非晶質半導体素子。