JPS5810722A - エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示装置の製造方法Info
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- JPS5810722A JPS5810722A JP56108587A JP10858781A JPS5810722A JP S5810722 A JPS5810722 A JP S5810722A JP 56108587 A JP56108587 A JP 56108587A JP 10858781 A JP10858781 A JP 10858781A JP S5810722 A JPS5810722 A JP S5810722A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、エレクトロクロミック表示装置の製造・方法
に関する。
に関する。
近年、エレクトロクロミック材料例えばＷＯ３゜ＭｏＯ
ｓ等の遷移金属酸化物の電気化学的酸化還元反応を利用
したエレクトロクロミック表示装置（以下ＫＣＤと称す
）が開発されている。かかるＩｃＤの一般的な構造は、
第１図ａに示すように透明基板１に酸化インジウム又は
酸化スズの透明導電膜２を形成し、その膜上にエレクト
ロクロミック層（以下ＥＣ層と称す）としての酸化タン
グステン（ＷＯｓ）膜３を蒸着し表示電極を形成してい
る。又第１図すのように透明導電膜２の保護のために、
表示部（ＷＯｓ）以外の導電膜上に絶縁保護膜４を設け
ることもある。
ｓ等の遷移金属酸化物の電気化学的酸化還元反応を利用
したエレクトロクロミック表示装置（以下ＫＣＤと称す
）が開発されている。かかるＩｃＤの一般的な構造は、
第１図ａに示すように透明基板１に酸化インジウム又は
酸化スズの透明導電膜２を形成し、その膜上にエレクト
ロクロミック層（以下ＥＣ層と称す）としての酸化タン
グステン（ＷＯｓ）膜３を蒸着し表示電極を形成してい
る。又第１図すのように透明導電膜２の保護のために、
表示部（ＷＯｓ）以外の導電膜上に絶縁保護膜４を設け
ることもある。
従来、かかるＥＣＤ表示極の表示部（例えばＷＯ３）の
パターン化は、メタルマスクを用いて蒸着時に行なうの
が一般的であるが、この場合、機械的なマスク重ね合せ
誤差が大きく、かつパターン周辺部の膜厚が均一になら
ず表示ボケを生じるという欠点を有する。
パターン化は、メタルマスクを用いて蒸着時に行なうの
が一般的であるが、この場合、機械的なマスク重ね合せ
誤差が大きく、かつパターン周辺部の膜厚が均一になら
ず表示ボケを生じるという欠点を有する。
故に、精度の良いパターンを必要とする場合はエレクト
ロクロミック材料を全面蒸着した後、エツチング法によ
ってパターン化する方法がとられる。
ロクロミック材料を全面蒸着した後、エツチング法によ
ってパターン化する方法がとられる。
遷移金属酸化物（例えばＷＯｓ 、 ＭｏＯ３）をエツ
チングする方法としては、主にケミカル法、プラズマ法
、リアクティブスパッター法がある。ケミカルエツチン
グ法は他の方法に較べ量産性に富み安価な方法であるが
、従来、サイドエッチンググ材料の金属残渣で基板を汚
すことにより採用され難かった。
チングする方法としては、主にケミカル法、プラズマ法
、リアクティブスパッター法がある。ケミカルエツチン
グ法は他の方法に較べ量産性に富み安価な方法であるが
、従来、サイドエッチンググ材料の金属残渣で基板を汚
すことにより採用され難かった。
本発明は、表示部をパターン化するケミカルエツチング
法において、サイドエツチングが少なくかつ、エツチン
グ後の金属残渣のないエツチング材料を見い出したこと
により、量産性に富んだパターン化方法を利用して安価
なＥＣＤを提供するものである。
法において、サイドエツチングが少なくかつ、エツチン
グ後の金属残渣のないエツチング材料を見い出したこと
により、量産性に富んだパターン化方法を利用して安価
なＥＣＤを提供するものである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
（実施例１）
第２図ｅは本発明製造方法による一例のＥＣセルの要部
断面を示し、図において、１は透明基板、２はＩｎｚＯ
３，ＳｎＯ２などの透明導電膜、３はＷＯ２゜Ｍｏ２Ｓ
などの遷移金属酸化物ＥＣ層、４は酸化シリコン、
ＭｇＦｚなどの絶縁性保護膜、６はレジストである。
断面を示し、図において、１は透明基板、２はＩｎｚＯ
３，ＳｎＯ２などの透明導電膜、３はＷＯ２゜Ｍｏ２Ｓ
などの遷移金属酸化物ＥＣ層、４は酸化シリコン、
ＭｇＦｚなどの絶縁性保護膜、６はレジストである。
第２図ａ −ｅは本発明の一例によるＷＯ５膜ＩＣＤを
用いた場合の表示極作成工程を説明するための説明図で
ある。
用いた場合の表示極作成工程を説明するための説明図で
ある。
以下、各工程について説明する。
１＆） まず、ガラス基板１にＩｎ２Ｏ３から成る透
明導電膜２を形成し、その基板面上にＷＯｓ膜３を約３
０００人程度蒸着法によシ形成する。
明導電膜２を形成し、その基板面上にＷＯｓ膜３を約３
０００人程度蒸着法によシ形成する。
（ｂ）サラニスクリーンレジンレジストもしくはフォト
エツチングレジスト等のレジスト６を表示パターン状に
作成する。レジスト６は好ましくは後の剥離゛工程が簡
単に行なえるポジタイプのレジストが良い。
エツチングレジスト等のレジスト６を表示パターン状に
作成する。レジスト６は好ましくは後の剥離゛工程が簡
単に行なえるポジタイプのレジストが良い。
（Ｃ１この工程はＷＯ５膜をパターン化するエツチング
工程である。エツチング材料はＮＨ４Ｃｚ−ＮＨ４０Ｈ
混合水溶液（ＰＨ１０程度）を用いて行なう。
工程である。エツチング材料はＮＨ４Ｃｚ−ＮＨ４０Ｈ
混合水溶液（ＰＨ１０程度）を用いて行なう。
この時のサイドエツチングは１μｍ程度であった。エツ
チング終了後基板を流水洗浄する。
チング終了後基板を流水洗浄する。
（（１１絶縁膜コーティングの工程である。ＳｉＯを蒸
着法によね形成する。
着法によね形成する。
（６１この工程はレジストを剥離すると同時に、絶縁性
保護膜をリフトオフエツチングする工程である。
保護膜をリフトオフエツチングする工程である。
エッチ（オーバーエッチ）を１μｍ程度に制御すること
が可能でかつ、Ｗ０３エッチング工程における金属残渣
もなく、表示メモリ性のよい表示極が得られた。
が可能でかつ、Ｗ０３エッチング工程における金属残渣
もなく、表示メモリ性のよい表示極が得られた。
（実施例２）
実施例１と同様の表示極作成工程において、エツチング
材料を種々変えて、ＷＯｓ膜のサイドエツチングの程度
と、金属残渣による表示メモリ性の度合を表１に示す。
材料を種々変えて、ＷＯｓ膜のサイドエツチングの程度
と、金属残渣による表示メモリ性の度合を表１に示す。
（以 下金 白）入
７ 、。
表１において明らかなようにアルカリ性有機化合物水溶
液（階５〜ｍ１ｏ）をエツチング材料に用いてＷＯｓの
エツチングを行なった場合、従来のアルカリ金属塩基を
用いた場合（阻１〜ｌｌ＆１４）に較べて、サイドエツ
チングを１μｍ以下に制御することができ、かつ金属残
渣による基板の汚れもなく表示メモリ性の良い表示極が
得られることが判明した。
液（階５〜ｍ１ｏ）をエツチング材料に用いてＷＯｓの
エツチングを行なった場合、従来のアルカリ金属塩基を
用いた場合（阻１〜ｌｌ＆１４）に較べて、サイドエツ
チングを１μｍ以下に制御することができ、かつ金属残
渣による基板の汚れもなく表示メモリ性の良い表示極が
得られることが判明した。
又、ＩＥＣ材鼾として、Ｍｏ５ｓを利用した場合の表示
極のパターン化にも同様な効果が認められた以上説明し
たように本発明は、表示極のパターン化をケミカルエツ
チング法で精度よく行なえるようにしたことにより、表
示品位の問題もなく、量産性に富んだ安価なりＯＤを提
供するものである。
極のパターン化にも同様な効果が認められた以上説明し
たように本発明は、表示極のパターン化をケミカルエツ
チング法で精度よく行なえるようにしたことにより、表
示品位の問題もなく、量産性に富んだ安価なりＯＤを提
供するものである。
第１図ａ、ｂは従来のＸＣセルの要部断面図、第２図＆
−ｅｌは本発明のＫＣＤに係るＥＣセルの作成工程の
説明図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・透明導電膜、
３・・・・・・ＥＣ層、４・・・・・・絶縁性保護膜、
５・・・・・・レジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
−ｅｌは本発明のＫＣＤに係るＥＣセルの作成工程の
説明図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・透明導電膜、
３・・・・・・ＥＣ層、４・・・・・・絶縁性保護膜、
５・・・・・・レジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- 透明基板に設けた透明導電膜上にエレクトロクロミック
層を設け、該エレクトロクロミック層をアンモニウムイ
オンもしくはアミンを含有する溶液により選択的にエツ
チングして残されたエレクトロクロミック層を表示極と
することを特徴とするエレクトロクロミック表示装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108587A JPS5810722A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108587A JPS5810722A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810722A true JPS5810722A (ja) | 1983-01-21 |
| JPH0143933B2 JPH0143933B2 (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=14488582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56108587A Granted JPS5810722A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810722A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62272208A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujikura Ltd | 定偏波光フアイバの融着接続装置 |
| US5147434A (en) * | 1986-05-20 | 1992-09-15 | Fujikura Ltd. | Apparatus for fusion-splicing a pair of polarization maintaining optical fibers |
| US5149350A (en) * | 1986-05-20 | 1992-09-22 | Fujikura Ltd. | Apparatus for fusion-splicing a pair of polarization maintaining optical fibers |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56108587A patent/JPS5810722A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62272208A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujikura Ltd | 定偏波光フアイバの融着接続装置 |
| US5147434A (en) * | 1986-05-20 | 1992-09-15 | Fujikura Ltd. | Apparatus for fusion-splicing a pair of polarization maintaining optical fibers |
| US5149350A (en) * | 1986-05-20 | 1992-09-22 | Fujikura Ltd. | Apparatus for fusion-splicing a pair of polarization maintaining optical fibers |
| US5156663A (en) * | 1986-05-20 | 1992-10-20 | Fujikura Ltd. | Apparatus for fusion-splicing a pair of polarization maintaining optical fibers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0143933B2 (ja) | 1989-09-25 |
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