JPS58107064A - サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生装置 - Google Patents

サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生装置

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Publication number
JPS58107064A
JPS58107064A JP20348181A JP20348181A JPS58107064A JP S58107064 A JPS58107064 A JP S58107064A JP 20348181 A JP20348181 A JP 20348181A JP 20348181 A JP20348181 A JP 20348181A JP S58107064 A JPS58107064 A JP S58107064A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
thyristor
gate signal
optical gate
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20348181A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukihiko Hatano
幸彦 秦野
Yoshiro Tagami
田上 芳郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP20348181A priority Critical patent/JPS58107064A/ja
Publication of JPS58107064A publication Critical patent/JPS58107064A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • H02M1/092Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices the control signals being transmitted optically

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (、)  技術分針の説明 本発明は複数のサイリスタを直列またけ直並列接続した
サイリスク変換器を点弧制御するサイリスタ変換器の光
ゲート信号発生装置に関する。
(四 従来技術の説明 近年光伝送技術の進歩によりサイリスタ変換器のゲート
制御6二光信号が使用されている。%番−光駆動半導体
の一つである光サイリスタの開発、改良が進み性能、(
1M性が?r6まって来たので、光源から出た光信号を
光伝送系(以下ライトカイトと記す。)を用いて伝送し
、サイリスタを直接、光で点弧制御を行なう方式が使用
されるようになって来た。
ま丸亀力変換装置の#I電圧化、大谷量化に伴い複数個
のサイリスタを直列あるいはyi直並列接続した構成の
電力変換器が使用される様l二lってきた0 このような構成からなるサイリスタアームを点弧する場
合、従来主C二発光ダイオードを光源としている。
第1図Iユ従来のサイリスタ変換器の光ゲート信号発生
装置の構成図を示す。簡単に異境するためにサイリスタ
は光サイリスタで、直列接続の場合を示しである。
1はサイリスタ変換器の1アームを示し、2は光ゲート
信号発生装置、3#′iライトガイドである。
1011〜10.。は光サイリスタをろられし*  I
’ll〜11工は発光ダイオードまたはレーザダイオー
ドなどの発光素子であり各発光素子1111〜11□は
、それと同番号の光サイリスタ1011〜10.nにラ
イトガイドを介して各々光結合され点弧制御している。
4はゲート信号発生回路s sFi増幅器、6は抵抗%
 7ti)jンジスタ、8Fi逆圧防止用のダイオード
である。12は各党サイリスタのat/atを制限する
ためのアノードリアクトル、13.14t;It低抵抗
1bFiコンデンサである。
今、ゲート信号発生鰺4からの信号を増幅器5で増幅し
、トランジスタ7をオン状態I:すると各直並列接続さ
れた発光素子111.〜11□C二寛流が流れ光信号を
発生する。この元信号はライトガイド3を介して各サイ
リスタ1011〜10□1−伝送され各サイリスタ10
11〜10.。を点弧させサイリスク変換器の17−ム
1をオフ状態からオン状態へと移行させる。
この場合発光集子1111〜11□は、n個ごとのブロ
ックが並列区二m−路接続された構成となっているため
任意の発光素子がオープン故障した時。
その故障した発光素子の含まれるブロックには電流が流
れ得なくなり、そのブロックに対応するn個のサイリス
タは、オンできなくなる。そのため1アームC:かかつ
ていた全電圧を1ブロツクのサイリスタで負担すること
C;なりそのブロックのサイリスタ全部I:劣化、破壊
を引き起こす欠点がある。
(、)  発明の目的 本発明は上述従来の欠点を除去するために任意の音光素
子がオープン故障してもその故障菓子1−並列接続した
非線形素子を通してそのブロックの他の発光素子に電流
が流れる様区−シそのブロック区二対応するサイリスタ
の劣化・破壊を防止したサイリスタ変換器の光ゲート信
号発生itを提供することを目的とする。
(d)  発明の構成 第2図に本発明によるサイリスタ変換器の光ゲート信号
発生装置の構成図を示す。
図中1〜8.10〜15は第1図と一様である。
911〜9□は非線形素子の1mであるツェナーダイオ
ードである。−このツェナーダイオード911〜91、
は、各々の発光ダイオード1111〜11.nと逆極性
に並列接続し、各ツェナー電圧は各発光ダイオードの順
電圧降下より少し大きな値の電圧に選んでおく。
(・)発明の作用 上記構成の光ゲート儒号尭生装置が運転しているとき、
任意の発光素子がオープン故障となると、その故障した
発光素子と並列接続されたツェナーダイオードにツェナ
ー電圧以上の電圧が加わりツェナーダイオードC;電流
が流れる。この電流が故障した発光素子に直列接続した
他の健全な発光素子に流れるのでその直列接続ブロック
の発光素子全部が光ゲート信号を消滅することは避ける
ことができる。
(r)  変形例 以上の説明ではサイリスタは光サイリスタとして説明し
たがこれを通常の電気サイリスタとし、各サイリスタレ
ベルに光電変換器と増幅器を有する、いわゆる間接光点
弧式サイリスタ変換器に本発明を適用できることは勿論
である。
又、ツェナーダイオードを通常のダイオードとし、仁の
ダイオードの順電圧降下を発光素子の順電圧降下より少
−し大きな値の電圧となる様に1個または数個直列接続
したものを各発光素子に一1極性C;並列1:接続して
も同様の効果が得られる。
(ω 総合的な効果 以上説明したIll二本発明のサイリスタ変換棒の光ゲ
ート信号発生装置によれば直列接続した発光素子の任意
の発光素子がオープン故障となってもその直列ブロック
の他の発光素子の光ゲート信号は確保することが可能と
なりそれから波及するサイリスタの故障は故障した発光
素子に対応したサイリスタのみに止めることができ、ブ
ロック全部に対応したサイリスタの故障を防止すること
ができる。
普通サイリスタの故障は#1とんど短絡故障であり、ま
た直列サイリスタ6二は冗長サイリスタを設けているの
が一般的であるので1個程度のサイリスタ故障によって
運転がストップすることなく。
連続運転が可能である。
従ってブイリスク変換器の運転@I頼性を向上させるサ
イリスタ変換器の光ゲート信号発生装置を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のサイリスタ変換(至)のゲート信号発生
装置の構成図、絡2図は本発明によるサイリスタ変換器
の光ゲート信号発生装置の構成を示す一実施例である。 1・・・サイリスタ変換器の1アーム 2・・・光ゲート信号発生装置 3・・・ライトガイド
4・・・ゲートパルス発生回路 5・・・増幅−6・・
・抵抗器     7・・・トランジスタ8・・・ダイ
オード 911〜9.。・・・ツェナーダイオード10
11−108・・・サイリスタ 1111〜11.、・・・発光素子12・・・アノード
リアクトル13.1$・・・抵抗   15・・・コン
デンサ(7317)代理人 弁理士 則 近 憲 佑 
(ほか1名)第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 複数のサイリスタを直列または山並列4−接続して構成
    したサイリスタ変換器の光ゲート信号発生#fllkl
    二於て。 複数の発光素子を直列または直並列に接続すると共−1
    皺複数の発光素子の各々に販発光木子の拳亀圧障下より
    少し^い電圧で低インピーダンス特性となる非線形集子
    な並列接続することを%輩としたサイリスク変換器の光
    ゲート信号発生装置0
JP20348181A 1981-12-18 1981-12-18 サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生装置 Pending JPS58107064A (ja)

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JP20348181A JPS58107064A (ja) 1981-12-18 1981-12-18 サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生装置

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JP20348181A JPS58107064A (ja) 1981-12-18 1981-12-18 サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生装置

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JPS58107064A true JPS58107064A (ja) 1983-06-25

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JP20348181A Pending JPS58107064A (ja) 1981-12-18 1981-12-18 サイリスタ変換器の光ゲ−ト信号発生装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6397380U (ja) * 1986-12-11 1988-06-23

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS539946A (en) * 1976-07-14 1978-01-28 Hitachi Ltd Operation controlling method of power plant and apparatus for executing said method

Patent Citations (1)

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