JPS58105641A - 光受信回路 - Google Patents
光受信回路Info
- Publication number
- JPS58105641A JPS58105641A JP56204279A JP20427981A JPS58105641A JP S58105641 A JPS58105641 A JP S58105641A JP 56204279 A JP56204279 A JP 56204279A JP 20427981 A JP20427981 A JP 20427981A JP S58105641 A JPS58105641 A JP S58105641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- peak value
- signal
- output
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は、暗電流の無視できない受光素子を用い走光受
信回路に係如、特に受光素子の最適増倍率及び識別回路
の最適識別レベルを温度補償した光受信回路に関する。
信回路に係如、特に受光素子の最適増倍率及び識別回路
の最適識別レベルを温度補償した光受信回路に関する。
伽） 技術の背景
光伝送システムでは種々の原因による雑音成分を極力抑
えながら一定振幅の電気出力を得ることが要求され、ま
た、この電気出力を正確に識別し、送信側から光信号に
変換して伝送された電気信号と同じ電気信号を得ること
が要求されている。
えながら一定振幅の電気出力を得ることが要求され、ま
た、この電気出力を正確に識別し、送信側から光信号に
変換して伝送された電気信号と同じ電気信号を得ること
が要求されている。
（ｅ） 従来技術と問題点
従来から、光受信回路として、種々の原因による受信レ
ベルの変動に対して一定の電気出力を得る目的で各種の
自動利得制御ループをもつ光受信回路がある。
ベルの変動に対して一定の電気出力を得る目的で各種の
自動利得制御ループをもつ光受信回路がある。
１１１１図を用いて、自動利得制御ループをもつ光受信
回路の一例を説明する。
回路の一例を説明する。
第１図は、従来の光受信回路の一構成図である。図にお
いて、１はアバランシェΦフォト・ダイオード、２は増
幅器、３は直流再生回路。
いて、１はアバランシェΦフォト・ダイオード、２は増
幅器、３は直流再生回路。
４／Ｉｉ識別回路、５Ｆｉアバ２ンシェ・７オト・ダイ
オードバイアス電圧制御回路（以下、バイアス電圧制御
回路）、６は尖頭値検出回路である。
オードバイアス電圧制御回路（以下、バイアス電圧制御
回路）、６は尖頭値検出回路である。
入力端子Ｖｉｎより入力される人力光信号はアバランシ
ェ・７オト拳ダイオードｌにょシミ気信号に変換され、
その変換された電気信号は増幅器２によプ増幅されて直
流再生回路３に入力する。直流再生回路３では、増幅器
２の出力を区流再生する。この再生出力は、識別回路４
で所定の識別レベルで識別された後、出力端子Ｖｏｕｔ
に出力される。一方において、直ｍ再生回路３の出力信
号の尖頭値を尖頭値検出回路６にて検出し、この尖頭値
が一定となるようにバイアス電圧制御回路５がはたらい
てアバ２ンシエ・フォト・ダイオード１のバイアス電圧
を決定する。すなわち、光受信レベルが小さくなｐ１電
気信号出力が小さくなるとバイアス電圧制御回路５によ
って、アバランシェ・７オト・ダイオードｌのバイアス
電圧を大きくシ、アバランシェ９フオトφダイオード１
の増倍利得を大きくして電気出力を一定となるように動
作し、逆に光受猶レベルが大きくなり、電気信号が大き
くなると７バランシエ・７オト・ダイオードｌのバイア
ス電圧を小さくシ、アバランシェ・フォト・ダイオード
ｌの増倍利得を小さくして、電気出力を一定としている
。また、この自動利得制御ループは、光受信レベルの変
化を補償するだけでなく、アバランシェ嗜フォト・ダイ
オード１のバイアス電圧と増倍率の関係に対する温度補
償の機能も有している。
ェ・７オト拳ダイオードｌにょシミ気信号に変換され、
その変換された電気信号は増幅器２によプ増幅されて直
流再生回路３に入力する。直流再生回路３では、増幅器
２の出力を区流再生する。この再生出力は、識別回路４
で所定の識別レベルで識別された後、出力端子Ｖｏｕｔ
に出力される。一方において、直ｍ再生回路３の出力信
号の尖頭値を尖頭値検出回路６にて検出し、この尖頭値
が一定となるようにバイアス電圧制御回路５がはたらい
てアバ２ンシエ・フォト・ダイオード１のバイアス電圧
を決定する。すなわち、光受信レベルが小さくなｐ１電
気信号出力が小さくなるとバイアス電圧制御回路５によ
って、アバランシェ・７オト・ダイオードｌのバイアス
電圧を大きくシ、アバランシェ９フオトφダイオード１
の増倍利得を大きくして電気出力を一定となるように動
作し、逆に光受猶レベルが大きくなり、電気信号が大き
くなると７バランシエ・７オト・ダイオードｌのバイア
ス電圧を小さくシ、アバランシェ・フォト・ダイオード
ｌの増倍利得を小さくして、電気出力を一定としている
。また、この自動利得制御ループは、光受信レベルの変
化を補償するだけでなく、アバランシェ嗜フォト・ダイ
オード１のバイアス電圧と増倍率の関係に対する温度補
償の機能も有している。
ここでは、アバランシェ＠フォト・ダイオードの増倍利
得を制御して、一定の電気出力を得る光受信回路につい
て説明したが、他に、直流再生回路の出力の尖頭値を検
出して、アバランシェ・フォト・ダイオードの増倍利得
及び増幅器の利得を制御して、一定の電気出力を得る光
受信回路や、増幅器の利得だけを制御して一定の電気出
力を得る光受信レベルがある。
得を制御して、一定の電気出力を得る光受信回路につい
て説明したが、他に、直流再生回路の出力の尖頭値を検
出して、アバランシェ・フォト・ダイオードの増倍利得
及び増幅器の利得を制御して、一定の電気出力を得る光
受信回路や、増幅器の利得だけを制御して一定の電気出
力を得る光受信レベルがある。
しかしながら、かかる従来の光受信回路では、近年、光
通信システムとして、長波長帯が使用され、受光素子も
Ｇｏ、 ＩｎＧａＡｓ、 ＧａＡｍＳｂ等を材料とする
アバランシェ・フォト・ダイオードが用いられるため、
以下の欠点が生じる。
通信システムとして、長波長帯が使用され、受光素子も
Ｇｏ、 ＩｎＧａＡｓ、 ＧａＡｍＳｂ等を材料とする
アバランシェ・フォト・ダイオードが用いられるため、
以下の欠点が生じる。
すなわち、上記の材料を用いたアバランシェ・フォトｅ
ダイオードでは、暗電流が温度の変動によシ、大きく変
化するようになり、これは、増倍されて雑音成分の変動
となるから、受光素子の最適増倍率及び識別回路の識別
レベルが温度により変動することになる。従って、温度
変動により、最小受信レベルが本来得られるべき値より
も悪くなることになる。
ダイオードでは、暗電流が温度の変動によシ、大きく変
化するようになり、これは、増倍されて雑音成分の変動
となるから、受光素子の最適増倍率及び識別回路の識別
レベルが温度により変動することになる。従って、温度
変動により、最小受信レベルが本来得られるべき値より
も悪くなることになる。
（ｄ） 発明の目的
本発明は、かかる従来の欠点を除去する如く、温度変動
に際しても、受光素子の増倍率と識別回路の識別レベル
が最適となるよう制御することを目的とする。
に際しても、受光素子の増倍率と識別回路の識別レベル
が最適となるよう制御することを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
光信号を受光する素子として、暗電流の無視できない素
子を用い、充電変換・増＠彼の電気出力の尖頭値を検出
し、該電気信号の尖頭値を所定レベルにする自動利得制
御ループを持つとともに、該電気信号を識別して出力す
る識別回路を有する光受信回路において、線受光素子の
暗電流の温度変化により生ずる該受光素子の最適増倍率
と骸職別回路における最適識別レベルの変動を該電気出
力の尖頭値検出出力に応じて、温度補償することを％像
とするものである。
子を用い、充電変換・増＠彼の電気出力の尖頭値を検出
し、該電気信号の尖頭値を所定レベルにする自動利得制
御ループを持つとともに、該電気信号を識別して出力す
る識別回路を有する光受信回路において、線受光素子の
暗電流の温度変化により生ずる該受光素子の最適増倍率
と骸職別回路における最適識別レベルの変動を該電気出
力の尖頭値検出出力に応じて、温度補償することを％像
とするものである。
（ｆ） 発明の実施例
第２図及び第３図を用いて、本発明の光受信回路を詳説
する。
する。
第２図は、本発明の光受信回路の一構成図である。図に
おいて、第１図と同一の番号及び記号の回路は同一の１
略を示す。まｆＣ７は利得制御電圧及び識別レベル電圧
発生回路である。
おいて、第１図と同一の番号及び記号の回路は同一の１
略を示す。まｆＣ７は利得制御電圧及び識別レベル電圧
発生回路である。
第３図社、利得制御電圧及び識別レベル電圧発生回路の
一構成図である。図において、Ｒ１゜Ｒ３は抵抗、８は
比較器、９は温度補償回路。
一構成図である。図において、Ｒ１゜Ｒ３は抵抗、８は
比較器、９は温度補償回路。
１０は直流増幅器、１１は識別レベル電圧出力端子、１
２は利得制御電圧出力端子である。
２は利得制御電圧出力端子である。
入力端子Ｖｉｎ より人力される光入力信号をアバラ
ンシェ・フォト中ダイオード１により電気信号に変換し
、その変換した電気信号を増幅器２により増幅し、直流
再生回路３で直流再生した後、識別回路４で利得制御電
圧及び識別レベル電圧発生回路７からの電圧レベルによ
り、識別した後、出力端子Ｖｏｕｔに出力される。一方
において、直流再生回路３の出力信号の尖頭値を尖頭値
検出回路６で検出し、この尖頭値が一定となるように利
得制御電圧及び識別レベル電圧発生回路７からの利得制
御電圧を受け、バイアス電圧制御回路５がはたらいて、
アバランシェ−フォト・ダイオード１のバイアス電圧を
決定する１、尚、利得制御電圧及び識別レベル電圧発生
回路７において、本発明の主要部分たる温度補償が行わ
れる。
ンシェ・フォト中ダイオード１により電気信号に変換し
、その変換した電気信号を増幅器２により増幅し、直流
再生回路３で直流再生した後、識別回路４で利得制御電
圧及び識別レベル電圧発生回路７からの電圧レベルによ
り、識別した後、出力端子Ｖｏｕｔに出力される。一方
において、直流再生回路３の出力信号の尖頭値を尖頭値
検出回路６で検出し、この尖頭値が一定となるように利
得制御電圧及び識別レベル電圧発生回路７からの利得制
御電圧を受け、バイアス電圧制御回路５がはたらいて、
アバランシェ−フォト・ダイオード１のバイアス電圧を
決定する１、尚、利得制御電圧及び識別レベル電圧発生
回路７において、本発明の主要部分たる温度補償が行わ
れる。
第３図を用いて、利得制御電圧及び識別レベル電圧発生
回路７の動作を説明する。
回路７の動作を説明する。
尖頭値検出回路６の出力は、比較器８で端子１３から入
力される基準尖頭値と比較される０この比較出力は、温
度補償回路９で温度補償された後、利得制御電圧として
端子１２に出力されると同時に、直流増幅器１０で増幅
され死後、抵抗Ｒ１及びＲ８によシ、識別レベルが最適
値となるように抵抗分割されて、出力端子１１より出力
される。尚、温度補償回路９はサーミスタやダイオード
などの感温素子を用いて容易に構成できる。
力される基準尖頭値と比較される０この比較出力は、温
度補償回路９で温度補償された後、利得制御電圧として
端子１２に出力されると同時に、直流増幅器１０で増幅
され死後、抵抗Ｒ１及びＲ８によシ、識別レベルが最適
値となるように抵抗分割されて、出力端子１１より出力
される。尚、温度補償回路９はサーミスタやダイオード
などの感温素子を用いて容易に構成できる。
（ｇ）発明の効果
以上の説明から明らかな如く、本発明の光受信回路によ
れば、受光素子の暗電流の温度変イヒに対しても常に最
適増倍率と最適識別レベルを追跡することができ、受信
回路の性能を高めることができる。
れば、受光素子の暗電流の温度変イヒに対しても常に最
適増倍率と最適識別レベルを追跡することができ、受信
回路の性能を高めることができる。
ｔ４４１図は従来の光受信回路の一構成図、第２図は本
発明の光受信回路の一構成図、第３図は、利得制御電圧
及び識別レベル電圧発生回路の一構成図である。 図中、１はアバランシェ・フォト・ダイオード°。 ２は増幅器、３は直流再生回路、４は識別回路。 ５はアバランシェ・フォト・ダイオードノクイアス電圧
制御回路、６は尖頭値検出回路、７は利得制御電圧及び
識別レベル電圧発生回路、８は比較器。 ９は温度補償口路、１（ｌ直流増幅器、１１は識別レベ
ル電圧出力端子、１２は利得制御電圧出力端子である。 茅 ｌ 図 茅 ２ 図 ／？ Ｖ ３ｒｆａ
発明の光受信回路の一構成図、第３図は、利得制御電圧
及び識別レベル電圧発生回路の一構成図である。 図中、１はアバランシェ・フォト・ダイオード°。 ２は増幅器、３は直流再生回路、４は識別回路。 ５はアバランシェ・フォト・ダイオードノクイアス電圧
制御回路、６は尖頭値検出回路、７は利得制御電圧及び
識別レベル電圧発生回路、８は比較器。 ９は温度補償口路、１（ｌ直流増幅器、１１は識別レベ
ル電圧出力端子、１２は利得制御電圧出力端子である。 茅 ｌ 図 茅 ２ 図 ／？ Ｖ ３ｒｆａ
Claims (1)
- 光信号を受光する素子として、暗電流の無視できない素
子を用い、光電変換・増幅後の電気出力の尖頭値を検出
し、咳電気信号の尖頭値を所定レベルにする自動利得制
御ループを持つとともに、鋏電気信号を識別して出力す
る識別回路を有する光受信回路において、皺受光素子の
暗電流の温度変化によシ生ずる該受光素子の最適増培率
と該識別回路における最適識別レベルの変動を該電気出
力の尖頭値検出回路に応じて、温度補償することを特徴
とする光受信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204279A JPS58105641A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 光受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56204279A JPS58105641A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 光受信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58105641A true JPS58105641A (ja) | 1983-06-23 |
Family
ID=16487843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56204279A Pending JPS58105641A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 光受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58105641A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0330177A2 (en) * | 1988-02-22 | 1989-08-30 | Fujitsu Limited | Circuit for generating discrimination level voltage |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5370479A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-22 | Hitachi Ltd | Photo agc system |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP56204279A patent/JPS58105641A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5370479A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-22 | Hitachi Ltd | Photo agc system |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0330177A2 (en) * | 1988-02-22 | 1989-08-30 | Fujitsu Limited | Circuit for generating discrimination level voltage |
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