JPS58104094A - 原子層エピタキシヤル法 - Google Patents
原子層エピタキシヤル法Info
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- JPS58104094A JPS58104094A JP20129681A JP20129681A JPS58104094A JP S58104094 A JPS58104094 A JP S58104094A JP 20129681 A JP20129681 A JP 20129681A JP 20129681 A JP20129681 A JP 20129681A JP S58104094 A JPS58104094 A JP S58104094A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は原子層エピタキシオル法とその装置に関する。
最近、Ｔ、５ｕｎｔｏｌａ ｅｔ、ｍｌ。
−Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙ ＠ ｒ Ｉｐｉｔａ
ｘｙｆｏｒ Ｐｒｏｄｕｏｉｎｇ ＫＬ−Ｔｈ
ｉｎＦｉｌｍｓ、’１９８０ ８１Ｄ 工ｎｔｅ
ｒ−ｎａｔｉＯｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｎｍ。
ｘｙｆｏｒ Ｐｒｏｄｕｏｉｎｇ ＫＬ−Ｔｈ
ｉｎＦｉｌｍｓ、’１９８０ ８１Ｄ 工ｎｔｅ
ｒ−ｎａｔｉＯｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｎｍ。
Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅ ＠ ｈｎｉｏａ
ｌＰａｐｅｒｓ、Ｐ、Ｐ、ＩＱ８−１０９．ＡＰｒ、１
９８０．に示される如く、基板表面上に単原子層をエピ
タキシャル成長させる原子層エピタキシャル法が開発さ
れた。
ｌＰａｐｅｒｓ、Ｐ、Ｐ、ＩＱ８−１０９．ＡＰｒ、１
９８０．に示される如く、基板表面上に単原子層をエピ
タキシャル成長させる原子層エピタキシャル法が開発さ
れた。
しかし、上記従来技術では、成長される原子層の成分は
一元素に限られ、例えば導電型決定不純物元素原子を半
導体原子間に配する必要のある半導体装置用エピタキシ
ャル膜としては性能が充分に発揮される制限が加えられ
る欠点があった。
一元素に限られ、例えば導電型決定不純物元素原子を半
導体原子間に配する必要のある半導体装置用エピタキシ
ャル膜としては性能が充分に発揮される制限が加えられ
る欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、原子層エピ
タキシャルの一原子層内に導電型決定不純物を導入する
ことを目的とする。
タキシャルの一原子層内に導電型決定不純物を導入する
ことを目的とする。
上記、目的を達成するための本発明の基本的な構成は、
真空容器内に於て、一原子層内に二元素原子以上の原子
層を同時に形成する事を特徴とする原子層エピタキシャ
ル処理である事、および、真空容器内には同時に二元素
原子を含有する化合物ガス体を供給する供給部位を有す
る事を特徴とするか、あるいは、真空容器内には予じめ
二元素原子を含有する化合物ガス体を混合する混合部位
を有することを特徴とする装置であることである以下、
実施例を用いて本発明の詳細な説明する。いま、８１半
導体膜を原子層エピタキシャル法で形成する場合、８１
半導体膜に導電型決定不純物（Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ等）
を入れるには、第１図に示す如く、３１基板１上の８１
単原子層２上に導電型決定不純物原子層３を積み重ねる
しか方法がなかった。本発明では第２図に示す如く、８
１基板１１上の８１単原子層１２内に導電屋決定不□ 鈍物元素原子を同時に配す名ことにより、半導体層が縦
方向のみならず横方向にも導電型変化を利用した素子が
製作できるようになす。上記の如く、重原子層内に２元
素原子以上を含有させるには、Ｓｉ基板表面に予かしめ
２元素原子を含んだガス体化合物が供給されねばならな
い。そのために、８１０ｔ４以外にＢＯＩ、、ＰＯＩ、
等の化合やまたはその混合体や混成化合物を原子層エピ
タキシャル装置内に供給する供給ノズル口や蒸発源を設
ける必要がある。
真空容器内に於て、一原子層内に二元素原子以上の原子
層を同時に形成する事を特徴とする原子層エピタキシャ
ル処理である事、および、真空容器内には同時に二元素
原子を含有する化合物ガス体を供給する供給部位を有す
る事を特徴とするか、あるいは、真空容器内には予じめ
二元素原子を含有する化合物ガス体を混合する混合部位
を有することを特徴とする装置であることである以下、
実施例を用いて本発明の詳細な説明する。いま、８１半
導体膜を原子層エピタキシャル法で形成する場合、８１
半導体膜に導電型決定不純物（Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｐ等）
を入れるには、第１図に示す如く、３１基板１上の８１
単原子層２上に導電型決定不純物原子層３を積み重ねる
しか方法がなかった。本発明では第２図に示す如く、８
１基板１１上の８１単原子層１２内に導電屋決定不□ 鈍物元素原子を同時に配す名ことにより、半導体層が縦
方向のみならず横方向にも導電型変化を利用した素子が
製作できるようになす。上記の如く、重原子層内に２元
素原子以上を含有させるには、Ｓｉ基板表面に予かしめ
２元素原子を含んだガス体化合物が供給されねばならな
い。そのために、８１０ｔ４以外にＢＯＩ、、ＰＯＩ、
等の化合やまたはその混合体や混成化合物を原子層エピ
タキシャル装置内に供給する供給ノズル口や蒸発源を設
ける必要がある。
更には、１原子層の原子間隔が基板原子の原子間隔と同
間隔に近い方が成長原子層の下地適ずい性が良好なとこ
ろから、Ｓｉの場合には８ｎ等の元素原子も同時に一原
子層内に含まれると、膜質が良好となる。
間隔に近い方が成長原子層の下地適ずい性が良好なとこ
ろから、Ｓｉの場合には８ｎ等の元素原子も同時に一原
子層内に含まれると、膜質が良好となる。
この様に、本発明によれば原子層エピタキシャル処理に
於て原子層内で２つ以上の元素原子を含んだ原子層が成
長可能となり、半導体装置等の製作時には導電決定型不
純物が横方向にも配した半導体層を応用した半導体装置
が製作できる効果がある。
於て原子層内で２つ以上の元素原子を含んだ原子層が成
長可能となり、半導体装置等の製作時には導電決定型不
純物が横方向にも配した半導体層を応用した半導体装置
が製作できる効果がある。
第１図は従来技術による原子エピタキシャル層の模式図
、第２図は本発明による原子エピタキシャル層の模式図
である。 １．１１・・・・・・半導体基板 ２．３．１２・・・・・・原子エピタキシャル層以上 出願人 株式会社腫訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図
、第２図は本発明による原子エピタキシャル層の模式図
である。 １．１１・・・・・・半導体基板 ２．３．１２・・・・・・原子エピタキシャル層以上 出願人 株式会社腫訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第１図 第２図
Claims (1)
- （１） 真空容器内に於て、一原子層内に二元素原子
以上の原子層を同時に形成する事を特徴とする原子層エ
ピタキシャル成長法。 ＋２） 真空容器内には同時に二元素原子を含有する
化合物ガス体を供給する供給部位を有する原子層エピタ
キシャル装置。 （，１） 真空容器内には予かしめ二元素原子を含有
する化合物ガス体を混合する混合部位を有する原子層エ
ピタキシャル装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20129681A JPS58104094A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 原子層エピタキシヤル法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20129681A JPS58104094A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 原子層エピタキシヤル法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58104094A true JPS58104094A (ja) | 1983-06-21 |
Family
ID=16438628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20129681A Pending JPS58104094A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 原子層エピタキシヤル法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58104094A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364993A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-23 | Res Dev Corp Of Japan | 元素半導体単結晶薄膜の成長方法 |
| JP2011254063A (ja) * | 2010-05-01 | 2011-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜の形成方法及び成膜装置 |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP20129681A patent/JPS58104094A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364993A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-23 | Res Dev Corp Of Japan | 元素半導体単結晶薄膜の成長方法 |
| JP2011254063A (ja) * | 2010-05-01 | 2011-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜の形成方法及び成膜装置 |
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