JPS58103637A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPS58103637A JPS58103637A JP20465181A JP20465181A JPS58103637A JP S58103637 A JPS58103637 A JP S58103637A JP 20465181 A JP20465181 A JP 20465181A JP 20465181 A JP20465181 A JP 20465181A JP S58103637 A JPS58103637 A JP S58103637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- header
- silicon
- pedestal
- pressure sensor
- silicon pedestal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体感圧抵抗素子を用いて圧力を検出す
る半導体圧力センｔＫ関する。
る半導体圧力センｔＫ関する。
圧力センナの基本的原理はシリコンなどの半導体単結晶
に王純物を拡散してゲージ抵抗を作成し。
に王純物を拡散してゲージ抵抗を作成し。
このゲージ抵抗が起歪によりピエゾ抵抗効果に基づ（抵
抗変化を起こすことを利用して、電気信号に変換するも
のである。
抗変化を起こすことを利用して、電気信号に変換するも
のである。
さ″Ｃ，半導体圧力センナにおいて、半導体ダイヤフラ
ムを直接ヘッダ虻取り付けることは、ヘッダ材料である
コバールとシリコンとの熱膨張率が異なるために生れる
熱応力をゲージ抵抗が感知してしｔ５ため、通常行われ
ていない。
ムを直接ヘッダ虻取り付けることは、ヘッダ材料である
コバールとシリコンとの熱膨張率が異なるために生れる
熱応力をゲージ抵抗が感知してしｔ５ため、通常行われ
ていない。
この不具合を解決するためのヘッダとシリコンダイヤフ
ラムとの関に厚みが！！〜４−のシリコン単結晶の台座
が挾み込まれ、シリコン台座を介して、どリコンダイヤ
７ラムとヘッダとが相互Ｋ１１着される。
ラムとの関に厚みが！！〜４−のシリコン単結晶の台座
が挾み込まれ、シリコン台座を介して、どリコンダイヤ
７ラムとヘッダとが相互Ｋ１１着される。
１１１図は従来の絶対圧膨圧カセンサの断面図でアリ、
シリコンダイヤプラム！、シリコン台座２゜ヘッダ３、
ろう材４ａ＊４ｂ、圧力導入パイプ５％金属６．リード
ピン７、金属ギャップ８％インナリード９よ）構成され
ている。
シリコンダイヤプラム！、シリコン台座２゜ヘッダ３、
ろう材４ａ＊４ｂ、圧力導入パイプ５％金属６．リード
ピン７、金属ギャップ８％インナリード９よ）構成され
ている。
この第１図からもわかるよ５に、熱応力歪緩和に用いら
れているシリコン台座２の高さが高いために、その上に
接着しているシリコンダイヤフラムｌの面も高くなって
しまっている。
れているシリコン台座２の高さが高いために、その上に
接着しているシリコンダイヤフラムｌの面も高くなって
しまっている。
一方、このダイヤフラムｌの面上のボンディングバット
からＡｕ＠またはＡＬ線を引き出してワイヤボンディン
グするために１ヘツダと一体形成されているインナリー
ド９の高さもシリコン台座２と同じかそれ以上の高さが
必要である。このため、インナリードビン９０強度増加
が必要となプ、インナリードビン９は直径ａ８ｍ以上の
太さが必要とされている。
からＡｕ＠またはＡＬ線を引き出してワイヤボンディン
グするために１ヘツダと一体形成されているインナリー
ド９の高さもシリコン台座２と同じかそれ以上の高さが
必要である。このため、インナリードビン９０強度増加
が必要となプ、インナリードビン９は直径ａ８ｍ以上の
太さが必要とされている。
このシリコン台座の厚みが厚いため、今度は組立上、都
合の悪いことが起こる。それはシリコン台座上の上部に
接着されたシリコンダイヤフラムからムＵ＠またはムＬ
線などのワイヤで電極の引き出しを行う場合、ヘッドの
インナリードピン長はシリコン台座の高さと等しいか長
くしなくてはならないので、リードビンの太さを太くし
て、リード曲りを防がなければならないと云うことであ
る。
合の悪いことが起こる。それはシリコン台座上の上部に
接着されたシリコンダイヤフラムからムＵ＠またはムＬ
線などのワイヤで電極の引き出しを行う場合、ヘッドの
インナリードピン長はシリコン台座の高さと等しいか長
くしなくてはならないので、リードビンの太さを太くし
て、リード曲りを防がなければならないと云うことであ
る。
このために、ヘッダの外形は必然的に大形にならざるを
得す１組立作業も極めて困＠になって、圧力センナが高
価な検出器である一因となっている・ この発明は、上記従来の欠点を除去するためになされた
もので、圧力センサヘッダ上部のセンサチップ付シリコ
ン台座取付部位に凹状の窪みを設けることにより、圧力
センサのワイヤボンディングを容易にすると同時に、イ
ンナリードピンの高さのを低（することにより、ヘッダ
の製作を容易和し、かつ安価に圧力センサを得ることの
できる半導体圧力センサを提供することを目的とする。
得す１組立作業も極めて困＠になって、圧力センナが高
価な検出器である一因となっている・ この発明は、上記従来の欠点を除去するためになされた
もので、圧力センサヘッダ上部のセンサチップ付シリコ
ン台座取付部位に凹状の窪みを設けることにより、圧力
センサのワイヤボンディングを容易にすると同時に、イ
ンナリードピンの高さのを低（することにより、ヘッダ
の製作を容易和し、かつ安価に圧力センサを得ることの
できる半導体圧力センサを提供することを目的とする。
以下、この発明の半導体圧力センサの実施例について図
面に基づき説明する。第２図はその実施例の構成を示す
断面図である。この第２図において、第１図と同＝部分
には同一符号を付してその説明を省略し、第１図とは異
なる部分を重点に述べることにする。
面に基づき説明する。第２図はその実施例の構成を示す
断面図である。この第２図において、第１図と同＝部分
には同一符号を付してその説明を省略し、第１図とは異
なる部分を重点に述べることにする。
この第２図を第１図と比較しても明らかなように、第２
図においては、ヘッダ３のシリコン台座接着部に＃！さ
がシリコン台座２の高さｈＫ対し。
図においては、ヘッダ３のシリコン台座接着部に＃！さ
がシリコン台座２の高さｈＫ対し。
ｆｉｈ以上、ｈ以下の―さを有する凹状の窪み１Ｇを有
するように突出部１１が設けられている点が第１図とは
異なるものであプ、その他の部分は第１図と同様である
・ このように、゛窪み１Ｇを設けることにより直接生じる
利点は、まず第１Ｋシリゴンダイヤ７ツムｌの面とイン
ナリードピン１）の上端面との相対位置を変えることな
く、インナリードピンの長さを短（できることであり、
嬉２にインナリードピン９の長さが短くてよいのも、強
度をそれはと必要とせず、したがって、リードビンの太
さを径（Ｌ４鴎程度にすることが可能になることである
。
するように突出部１１が設けられている点が第１図とは
異なるものであプ、その他の部分は第１図と同様である
・ このように、゛窪み１Ｇを設けることにより直接生じる
利点は、まず第１Ｋシリゴンダイヤ７ツムｌの面とイン
ナリードピン１）の上端面との相対位置を変えることな
く、インナリードピンの長さを短（できることであり、
嬉２にインナリードピン９の長さが短くてよいのも、強
度をそれはと必要とせず、したがって、リードビンの太
さを径（Ｌ４鴎程度にすることが可能になることである
。
また、インナリードピン９の長さが短くなっていること
によプ、ヘッダ３の上部の組立作業空間が広くな如１間
接点利点とじ【作業かやプ易くなると云う効果が生じる
。
によプ、ヘッダ３の上部の組立作業空間が広くな如１間
接点利点とじ【作業かやプ易くなると云う効果が生じる
。
加えて、リードビン７の太さが細くなって、折り曲げが
比較的自由になっているので、圧力導入パイプ５とリー
ドビンフとの間隔を第１図の従来の場合のリードビン７
が太過ぎて折り曲げが不可能な圧力センサと異なり、か
なり接近して設置することができ、この結果、パッケー
ジの小形化が達成されることになる。
比較的自由になっているので、圧力導入パイプ５とリー
ドビンフとの間隔を第１図の従来の場合のリードビン７
が太過ぎて折り曲げが不可能な圧力センサと異なり、か
なり接近して設置することができ、この結果、パッケー
ジの小形化が達成されることになる。
以上のよ５に、この発明の半導体圧力センナによれば、
ヘッダのシリコン台座接着部に窪みを設げ、との窪みに
シリコン台座を入れて底部を接着するようにしたので、
半導体圧力センナのワイヤボンディングを容易にすると
同時に、ヘッダの製作を容易にすることができ、しかも
安価にできると云う効果を奏するものである。
ヘッダのシリコン台座接着部に窪みを設げ、との窪みに
シリコン台座を入れて底部を接着するようにしたので、
半導体圧力センナのワイヤボンディングを容易にすると
同時に、ヘッダの製作を容易にすることができ、しかも
安価にできると云う効果を奏するものである。
第１図は従来の半導体圧力センナの断面図、第２図はこ
の発明の半導体圧力センサの一実施例の構成を示す断面
図である。 ｌ・・・・・・シリコンダイヤフラム、２・・・・・・
シリコン台座、３・・・・・・ヘッダ、４ｍ、４ｂ・・
・・・・ろう材、５・・・・・・圧力導入パイプ％６・
・・・・・金線、７・・・・・・リードピン％８・・・
・・・金属キャップ、９・・・・・・インナリードピン
、１０・・・・・・窪み、１１・・・・・・突出部。 なお１図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − ｆ １ 図 ！２図
の発明の半導体圧力センサの一実施例の構成を示す断面
図である。 ｌ・・・・・・シリコンダイヤフラム、２・・・・・・
シリコン台座、３・・・・・・ヘッダ、４ｍ、４ｂ・・
・・・・ろう材、５・・・・・・圧力導入パイプ％６・
・・・・・金線、７・・・・・・リードピン％８・・・
・・・金属キャップ、９・・・・・・インナリードピン
、１０・・・・・・窪み、１１・・・・・・突出部。 なお１図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − ｆ １ 図 ！２図
Claims (1)
- 圧力を検出するシリコンダイヤフラム、このシリコ・ン
ダイヤフツムに熱歪が加わらないように上部にシリコン
ダイヤ７ツムを＊６付けるシリコンＸ台座、上記シリコ
ンダイヤ７ツムＫｍ続されるリードピンおよびインナリ
ードピン、底部に上記シリコン台座を通して上記クリコ
ンダイヤフラムに圧力を導入する圧力導入パブを有し上
面に上記シリコン台座を接着する部分がシリコン台座の
高さ寸法よりもやや低くなるような高さの突出部を有し
との突出部に上記リードピンおよびインナリードピンが
挿入されたヘッダな冑えてなる半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20465181A JPS58103637A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20465181A JPS58103637A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103637A true JPS58103637A (ja) | 1983-06-20 |
Family
ID=16494012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20465181A Pending JPS58103637A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58103637A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01176476U (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-15 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125675A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-27 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor pressure sensor |
| JPS56148870A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-18 | Toshiba Corp | Semiconductor presssure converter |
-
1981
- 1981-12-16 JP JP20465181A patent/JPS58103637A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125675A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-27 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor pressure sensor |
| JPS56148870A (en) * | 1980-04-21 | 1981-11-18 | Toshiba Corp | Semiconductor presssure converter |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01176476U (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-15 |
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